CN111182732B - 一种高频混合压合工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高频混合压合工艺,和传统的方式相比,本方案利用容胶环结构将可能从孔侧壁挤出的胶体容纳,避免压层过程中在孔内出现余胶,通过多阶段的温度控制,可改变压层过程中不流胶PP片、PTFE面板和玻纤面板的物理性质,使得三种的结合更加深入(分子渗透),从而在接触面形成一个混合层,从而提高混合层抗温效果,在一定温度变化下,其膨胀系数基本相同,从而避免电路板翘曲。
Description
技术领域
本发明涉及PCB板制备工艺,具体涉及一种高频混合压合工艺。
背景技术
为满足电子产品高集成度、小型化、微型化的发展需要,电路板在满足电子产品良好的电、热性能的前提下,也朝着轻薄、短小的趋势发展,以此来降低电路板基板的尺寸及整体厚度。这就意味着一方面要提高线路板每层的布线密度,另一方面要降低绝缘介质材料的厚度。在印刷电路板的制造工艺中,尤其涉及多层电路板的制造工艺中,需要将不同材料制成的板材混压在一起,业界将此工艺步骤称之为层压。常见的多层印刷电路板的基板通常是由普通板材FR4与高频板材两种不同材料混压而成,其中高频板材通常选用聚四氟乙烯板材(PTFE)。高频混压印制电路板产品伴随通讯技术、电信行业的发展应运而生,能够突破传统工艺印制电路板数据高速、高信息量传输的瓶颈、故高频层压板材料Rogers4350与FR4半固化片(pp)材料混压而成。
然而,传统的高频混压工艺加工得到的电路板往往存在以下问题:
(1)在后期制成中很难处理孔内的余胶,影响孔金属化的质量而导致层间互连的失败;
(2)由于各层材料胀缩系数不同,易发生成品板翘曲的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种高频混合压合工艺,可避免电路板钻孔后出现余胶,以及避免电路板翘曲。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种高频混合压合工艺,该方法工艺如下:
1)选择Tg值大于150℃的PTFE材料和玻纤板材进行开料得到PTFE面板和玻纤面板;
2)将PTFE面板和玻纤面板重叠固定,并按电路需求钻孔形成孔;
3)钻孔完成后对PTFE面板和玻纤面板的第一表面进行蚀刻,使得第一表面呈现均匀分布的微型盲孔,盲孔尺寸不超过0.3mm;
4)在PTFE面板和玻纤面板的第一表面开孔周围凿刻出一圈容胶环,该容胶环靠近孔侧为垂直侧壁,其反向侧为倾斜侧壁以便溶胶流入;
5)选用不流胶PP片作为中间层,对PTFE面板和玻纤面板进行压层,压层结束后即得到以PTFE面板和玻纤面板的第二表面为正反面的高频混合压板。
和传统的方式相比,本方案利用容胶环结构将可能从孔侧壁挤出的胶体容纳,避免压层过程中在孔内出现余胶。
进一步的,所述容胶环靠近孔的间距不超过1mm。
进一步的,所述容胶环的宽度不超过1mm,最大深度0.3mm。
进一步的,压层时,不流胶PP片的待机温度控制为120℃,然后分多阶段完成压层;
第一阶段,将不流胶PP片置入PTFE面板和玻纤面板之间后,以1.5℃/min~3.0℃/min的升温速度升温到140℃;
第二阶段,当不流胶PP片升温到140℃后,检测PTFE面板和玻纤面板的第一表面温度,使得第一表面温度的与不流胶PP片之间的温差为5-10℃;
第三阶段,给不流胶PP片以4℃/min~6℃/min的升温速度升温,同时保证PTFE面板和玻纤面板的第一表面温度不低于不流胶PP片温度5℃,持续5-8秒,并在5-8秒内完成压层。
通过多阶段的温度控制,可改变压层过程中不流胶PP片、PTFE面板和玻纤面板的物理性质,使得三种的结合更加深入(分子渗透),从而在接触面形成一个混合层,从而提高混合层抗温效果,在一定温度变化下,其膨胀系数基本相同,从而避免电路板翘曲。
进一步的,压层完成后进行冷却,冷却时以0.3℃/min~0.5℃/min的降温速度降温,直至高频混合压板温度达到0℃为止,再置于室温下。
进一步的,所述孔采用等离子体进行孔壁除胶,使用H2进行活化,等离子除胶后,PTFE的增水基变为亲水基,沉铜时不过化学除胶,孔壁高频层凹蚀正常,最大孔粗<0.025mm,最大芯吸约为50µm。
本发明的有益效果是:
(1)通过容胶环结构,解决了传统孔内余胶过量,不容除去的问题;
(2)通过多阶段的温度控制进行压层,以及缓慢的冷却方式可使电路板的粘接层形成较好的抗温能力,在一定温度下不受膨胀因素的影响,从而避免翘曲。
附图说明
图1为本发明加工示意图;
图2为容胶环结构示意图;
图3为本发明成品示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
一种高频混合压合工艺,该方法工艺如下:
1)选择Tg值大于150℃的PTFE材料和玻纤板材进行开料得到PTFE面板1和玻纤面板2。
2)将PTFE面板1和玻纤面板2重叠固定,并按电路需求钻孔形成孔3。
3)钻孔完成后对PTFE面板1和玻纤面板1的第一表面进行蚀刻,使得第一表面呈现均匀分布的微型盲孔,盲孔尺寸不超过0.3mm。
4)在PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面开孔周围凿刻出一圈容胶环4,其结构如图2所示。容胶环4靠近孔3的间距不超过1mm,该容胶环4靠近孔3侧为垂直侧壁,其结构可参看图1和图3随时,其反向侧为倾斜侧壁以便溶胶流入,容胶环4的宽度不超过1mm,最大深度0.3mm。
5)选用不流胶PP片5作为中间层,对PTFE面板1和玻纤面板2进行压层,压层时,不流胶PP片5的待机温度控制为120℃,然后分多阶段完成压层;
第一阶段,将不流胶PP片5置入PTFE面板1和玻纤面板2之间后,以1.5℃/min的升温速度升温到140℃;
第二阶段,当不流胶PP片5升温到140℃后,检测PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面温度,使得第一表面温度的与不流胶PP片5之间的温差为10℃;
℃/min的降温速度降温,直至高频混合压板温度达到0℃为止,再置于室温下得到以PTFE面板1和玻纤面板2的第二表面为正反面的高频混合压板。若干孔3中出现多余溶胶,孔3采用等离子体进行孔壁除胶,使用H2进行活化,等离子除胶后,PTFE的增水基变为亲水基,沉铜时不过化学除胶,孔壁高频层凹蚀正常,最大孔粗<0.025mm,最大芯吸约为50µm。第三阶段,给不流胶PP片5以4℃/min的升温速度升温,同时保证PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面温度不低于不流胶PP片5温度5℃,持续8秒,并在8秒内完成压层。压层完成后进行冷却,冷却时以0.3
作为另一种优选实施例,压层时,不流胶PP片5的待机温度控制为120℃,然后分多阶段完成压层;
第一阶段,将不流胶PP片5置入PTFE面板1和玻纤面板2之间后,以3.0℃/min的升温速度升温到140℃;
第二阶段,当不流胶PP片5升温到140℃后,检测PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面温度,使得第一表面温度的与不流胶PP片5之间的温差为5℃;
第三阶段,给不流胶PP片5以6℃/min的升温速度升温,同时保证PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面温度不低于不流胶PP片5温度5℃,持续5秒,并在5秒内完成压层。压层完成后进行冷却,冷却时以0.5℃/min的降温速度降温,直至高频混合压板温度达到0℃为止,再置于室温下得到以PTFE面板1和玻纤面板2的第二表面为正反面的高频混合压板。
在另一种优选实施例中,压层时,不流胶PP片5的待机温度控制为120℃,然后分多阶段完成压层;
第一阶段,将不流胶PP片5置入PTFE面板1和玻纤面板2之间后,以2.0℃/min的升温速度升温到140℃;
第二阶段,当不流胶PP片5升温到140℃后,检测PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面温度,使得第一表面温度的与不流胶PP片5之间的温差为7℃;
第三阶段,给不流胶PP片5以5℃/min的升温速度升温,同时保证PTFE面板1和玻纤面板2的第一表面温度不低于不流胶PP片5温度5℃,持续6秒,并在6秒内完成压层。压层完成后进行冷却,冷却时以0.4℃/min的降温速度降温,直至高频混合压板温度达到0℃为止,再置于室温下得到以PTFE面板1和玻纤面板2的第二表面为正反面的高频混合压板
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (5)
1.一种高频混合压合工艺,其特征在于,该方法工艺如下:
1)选择Tg值大于150℃的PTFE材料和玻纤板材进行开料得到PTFE面板(1)和玻纤面板(2);
2)将PTFE面板(1)和玻纤面板(2)重叠固定,并按电路需求钻孔形成孔(3);
3)钻孔完成后对PTFE面板(1)和玻纤面板(1)的第一表面进行蚀刻,使得第一表面呈现均匀分布的微型盲孔,盲孔尺寸不超过0.3mm;
4)在PTFE面板(1)和玻纤面板(2)的第一表面开孔周围凿刻出一圈容胶环(4),该容胶环(4)靠近孔(3)侧为垂直侧壁,其反向侧为倾斜侧壁以便溶胶流入;
5)选用不流胶PP片(5)作为中间层,对PTFE面板(1)和玻纤面板(2)进行压层,压层结束后即得到以PTFE面板(1)和玻纤面板(2)的第二表面为正反面的高频混合压板;
压层时,不流胶PP片(5)的待机温度控制为120℃,然后分多阶段完成压层;
第一阶段,将不流胶PP片(5)置入PTFE面板(1)和玻纤面板(2)之间后,以1.5℃/min~3.0℃/min的升温速度升温到140℃;
第二阶段,当不流胶PP片(5)升温到140℃后,检测PTFE面板(1)和玻纤面板(2)的第一表面温度,使得第一表面温度的与不流胶PP片(5)之间的温差为5-10℃;
第三阶段,给不流胶PP片(5)以4℃/min~6℃/min的升温速度升温,同时保证PTFE面板(1)和玻纤面板(2)的第一表面温度不低于不流胶PP片(5)温度5℃,持续5-8秒,并在5-8秒内完成压层。
2.根据权利要求1所述的一种高频混合压合工艺,其特征在于,所述容胶环(4)靠近孔(3)的间距不超过1mm。
3.根据权利要求2所述的一种高频混合压合工艺,其特征在于,所述容胶环(4)的宽度不超过1mm,最大深度0.3mm。
4.根据权利要求1所述的一种高频混合压合工艺,其特征在于,压层完成后进行冷却,冷却时以0.3℃/min~0.5℃/min的降温速度降温,直至高频混合压板温度达到0℃为止,再置于室温下。
5.根据权利要求1所述的一种高频混合压合工艺,其特征在于,所述孔(3)采用等离子体进行孔壁除胶,使用H2进行活化,等离子除胶后,PTFE的增水基变为亲水基,沉铜时不过化学除胶,孔壁高频层凹蚀正常,最大孔粗<0.025mm,最大芯吸约为50μm。
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