CN111179997B - 一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置 - Google Patents

一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置,其中的方法包括:将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储;对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储;设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系;根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。本发明可以实现测试数据的方便存储,存储方式简单,便于快速查找到对应的测试结果信息。

Description

一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置
技术领域
本发明涉及数据存储分析技术领域,具体涉及一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置。
背景技术
半导体存储器是现代数字***特别是计算机***中的重要组成部件,随着半导体存储器的集成度越来越高,半导体器件颗粒的尺寸也越来越小,半导体器件发生故障率也随之增加,半导体存储器的测试数据也越来越多。
本申请发明人在实施本发明的过程中,发现现有技术的方法,至少存在如下技术问题:
现有技术中,测试工程师一般会将测试数据进行备份,现有的存储方式较为复杂,对读取所需的测试数据需要耗费大量的时间,不利于数据的查找。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种半导体存储器测试数据的存储方法及装置,用以解决或者至少部分解决现有技术中的方法实现复杂、查找困难的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种半导体存储器测试数据的存储方法,一个半导体存储器芯片为一个芯片测试单元,一个芯片测试单元包括多个片选块,一个片选块包括多个块,一个块包括多个页面,一个页面包括多个数据块,一个数据块包括多个字节,该存储方法包括:
将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;
对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,其中,坏块信息包括坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及坏块数量;
对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,其中,数据块信息为写入数据块中的数据与实际数据不同的bit位数,坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果;
设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系;
根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
在一种实施方式中,所述将写入半导体存储器芯片的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块,包括:
将写入数据块中的数据与实际数据进行对比,若有第一预设数量的bit不一致,则判定该数据块为失败;
判断失败的数据块的数量是否超过第一门限值,如果超过,则判定数据块所在的页面为失败;
判断失败的页面的数量是否超过第二门限值,如果超过,则判定页面所在的块为失败,将失败的块作为坏块。
在一种实施方式中,所述对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,包括:
对坏块进行编号;
确定坏块所在的片选块,对每个片选块包含的坏块数量进行统计;确定片选块所在的芯片测试单元;
以第一文件的形式对坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及片选块包含的坏块数量进行存储。
在一种实施方式中,所述对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,包括:
对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息;
确定数据块所在的页面;
确定页面所在的坏块;
以第二文件的形式对数据块所在的页面、页面所在的坏块的坏块编号以及数据块信息进行存储。
在一种实施方式中,所述方法还包括:
对坏块进行分段,将第二预设数量的坏块划分为一个坏块段;
将一个坏块段包含的数据块信息通过一个文件进行存储。
在一种实施方式中,存储坏块信息的为第一文件,坏块信息与数据块信息之间的对应关系为存储坏块信息的第一文件与存储数据块信息的第二文件之间的对应关系,根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息,包括:
根据第一文件与第二文件之间的对应关系,在第二文件中定位与坏块对应的页面;
根据与坏块对应的页面,在第二文件中定位与页面对应的数据块;
根据与页面对应的数据块,在第二文件中定位测试数据中与坏块对应的数据块信息。
在一种实施方式中,所述方法还包括:
根据不同的测试操作,存储与测试操作对应的坏块信息。
在一种实施方式中,所述方法还包括:
对一个半导体存储器芯片中的数据进行抽样读取,获得第三预设数量的块;
从第三预设数量的块中选取出目标页面;
对目标页面包含的数据进行存储。
基于同样的发明构思,本发明第二方面提供了一种半导体存储器测试数据的存储装置,一个半导体存储器芯片为一个芯片测试单元,一个芯片测试单元包括多个片选块,一个片选块包括多个块,一个块包括多个页面,一个页面包括多个数据块,一个数据块包括多个字节,该存储装置包括:
判断模块,用于将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;
坏块管理模块,用于对对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,其中,坏块信息包括坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及坏块数量;
失败字节统计模块,用于对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,其中,数据块信息为写入数据块中的数据与实际数据不同的bit位数,坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果;
对应关系设置模块,用于设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系;
定位模块,用于根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
基于同样的发明构思,本发明第三方面提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被执行时实现第一方面所述的方法。
本申请实施例中的上述一个或多个技术方案,至少具有如下一种或多种技术效果:
本发明提供一种半导体存储器测试数据的存储方法,首先将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;然后对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储;接着对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,再设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系;最后根据坏块编号定位测试数据中的坏块信息,根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
由于本发明提供的方法,首先判断出存在的坏块,然后分别存储坏块信息和数据块信息,并设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系,这样就可以通过坏块编号找到对应的坏块以及坏块信息,并根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系,定位到具体的数据块信息,通过分开存储坏块信息、数据块信息,并设置对应关系,从而有利于快速查找到坏块信息和数据块信息,这些坏块信息和数据块信息是表示测试结果的数据,有利于定位和分析测试中出现的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种半导体存储器测试数据的存储方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种半导体芯片的结构示意图;
图3为本发明实施例中测试数据的整体存储的结构图;
图4为具体实施例中坏块信息的存储结构示意图;
图5为具体实施例中数据块中信息的存储结构图;
图6为具体实施例中存储数据块中信息的命名格式示意图;
图7是具体实施例中进行关联数据分析流程图;
图8是具体实施例中对抽样读取的数据内容的存储结构图;
图9为本发明实施例中一种半导体存储器测试数据的存储装置的结构框图;
图10为本发明实施例中一种计算机可读存储介质的结构框图;
具体实施方式
本发明的主要目的在于针对现有技术中的方法实现复杂、查找困难的技术问题,提供一种半导体存储器测试数据的存储方法,通过不同的模块分别存储每个芯片测试单元的坏块信息、数据块中与实际数据不同的bit位数信息,不同模块中的信息相互关联,从而可以相互配合跟踪定位,解决了半导体测试中对存储单元分析的复杂性的问题,能够快速定位到测试数据,从而找出测试过程的问题,并分析问题。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种半导体存储器测试数据的存储方法,请参见图1,该存储方法包括:
S101:将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块。
具体来说,请参见图2,为一种半导体芯片Nand芯片的结构示意图,一个半导体存储器芯片为一个芯片测试单元DUT,一个芯片测试单元包括多个片选块CE,一个片选块包括多个块block,一个块包括多个页面page,一个页面包括多个数据块chunk,一个数据块包括多个字节。根据芯片的结构,可以将芯片测试单元DUT、片选块CE、块block、页面page以及数据块chunk进行对应,通过这种对应关系,可以定位到芯片测试单元中的片选块CE、块block、页面page和数据块chunk。
实际数据是已知的,通过写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,从而可以找出存在的坏块。
S102:对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,其中,坏块信息包括坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及坏块数量。
具体来说,为了更好地对坏块进行统计,对存在的坏块进行标记,然后根据需要进行存储,例如可以以文件的形式、数组或者指针的形式对坏块信息进行存储。存储单位可以为芯片测试单元、片选块等,在此不做具体限定。
S103:对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,其中,数据块信息为写入数据块中的数据与实际数据不同的bit位数,坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果。
具体来说,数据块chunk是最小的存储单元,通过对chunk中写入的数据与实际数据的比较情况,记录并统计每一个chunk中与实际数据不同的bit位数,得到数据块信息,并进行存储。
在具体的实施过程中,可以以文件的形式、数组或者指针的形式对坏块信息进行存储。在进行存储时,可以块为单位或者以页面为单位对数据块中的信息进行存储。坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果,通过定位这些数据,可以更好地分析测试过程中出现的问题。
S104:设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系。
具体来说,如果是文件,设置文件之间的关联关系,如果是数组,也可以设置数据之间的对应关系。
S105:根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
具体来说,在通过分别对坏块信息和数据块中的信息进行存储后,可以根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息,快速定位具体的数据块信息。
在一种实施方式中,将写入半导体存储器芯片的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块,包括:
将写入数据块中的数据与实际数据进行对比,若有第一预设数量的bit不一致,则判定该数据块为失败;
判断失败的数据块的数量是否超过第一门限值,如果超过,则判定数据块所在的页面为失败;
判断失败的页面的数量是否超过第二门限值,如果超过,则判定页面所在的块为失败,将失败的块作为坏块。
具体来说,Chunk是数据比较的最小单元,一个chunk中写入的字节与真实字节对比,如果有n个bit不一样,则认为这个chunk是失败的;如果chunk失败的个数超过了第一门限值,则认chunk所在的page是失败的;如果page失败的个数超过了第二门限值,则认为page所在的block是失败的;失败的block被称为坏块(badblock)。其中,预设数量n、第一门限值和第二门限值可以根据实际情况进行选取。
在一种实施方式中,所述对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,包括:
对坏块进行编号;
确定坏块所在的片选块,对每个片选块包含的坏块数量进行统计;确定片选块所在的芯片测试单元;
以第一文件的形式对坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及片选块包含的坏块数量进行存储。
具体来说,考虑到CE片选块与存储器的存储结构相关,例如一个存储器中有4个独立的存储单元,每一个单元就是一个CE,单元的数量是可变的,不一定固定是4个,由不同的类型的存储器决定。CE(chip enable)中文解释为“片选”,即选中哪个存储单元。本实施方式中,以片选块CE和DUT的组合的方式进行存储,第一文件为BBM文件。
请参见图4,为坏块信息的存储结构示意图,在具体的实现过程中,BBM文件中每一行为一个存储单元,其中存储的信息有DUT的编号、CE的编号、坏块的数量和坏块编号列表,DUT编号和CE编号按组合的方式以行为单位依次往下排列,例如DUT 01和CE0为一个组合,DUT 01和CE1为一个组合。
在一种实施方式中,所述对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,包括:
对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息;
确定数据块所在的页面;
确定页面所在的坏块;
以第二文件的形式对数据块所在的页面、页面所在的坏块的坏块编号以及数据块信息进行存储。
具体来说,第二文件为FBC文件,请参见图5,FBC文件中的每一行为一个存储单元,存储的信息分别为Block的编号、Page的编号和Chunk列表,其中Block编号与BBM文件内容中的坏块编号列表对应;Chunk列表中每一个单元存储的是该chuck与真实数据相比较,出现错误的bit位数。
在一种实施方式中,所述方法还包括:
对坏块进行分段,将第二预设数量的坏块划分为一个坏块段;
将一个坏块段包含的数据块信息通过一个文件进行存储。
具体来说,为了更好地进行数据的定位与查找,可以通过文件命名规则来进行关联。请参见图6,为FBC文件名的命名格式,FBC文件名中包含DUT编号、CE编号、TN编号和Block段编号;其中DUT编号和CE编号与BBM文件内容中的编号对应。
Block段编号的规则可以是:按照每100个block划分一个段,block0~block99划分到block0段,block100~block199划分到block100段,依次类推。Block段编号表示的是一个block的范围,坏块编号是一个具体的block序号,在数据定位中需要查看这个坏块的block序号落在哪个block段编号的范围内,例如:坏块B1008,那么就落在block1000到block1099范围内,则需要到这个范围内去找这个坏块。这个范围的坏块存储在一个FBC文件中,也就是说,一个FBC文件包含100个坏块的信息,一方面可以方便数据的定位,另一方面可以节省存储空间。
在一种实施方式中,存储坏块信息的为第一文件,坏块信息与数据块信息之间的对应关系为存储坏块信息的第一文件与存储数据块信息的第二文件之间的对应关系,根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息,包括:
根据第一文件与第二文件之间的对应关系,在第二文件中定位与坏块对应的页面;
根据与坏块对应的页面,在第二文件中定位与页面对应的数据块;
根据与页面对应的数据块,在第二文件中定位测试数据中与坏块对应的数据块信息。
在一种实施方式中,所述方法还包括:
根据不同的测试操作,存储与测试操作对应的坏块信息。
具体来说,对芯片的测试过程主要分为四个步骤,分别为擦(ERASE)、擦读(ERASEREAD)、写(PROGRAM)、写读(PROGRAM READ),每一个测试操作,都可能新增坏块,都需要记录测试结果;为了方便后面分析数据,本发明为每一项操作设置一个编号,例如:ERASE编号为TN950,ERASE READ编号为TN960,PROGRAM编号为TN970,PROGRAM READ为TN980。
请参见图3,为一种具体实施方式中,测试数据的整体存储的结构图。
整体存储结构的实现步骤如下:
步骤1:按不同模块创建目录,即按照BBM、FBC和CFM创建目录;
步骤2:BBM目录(模块)按测试项创建子目录,FBC目录(模块)按照CE存储单元组合(CE编号组合)创建子目录,具体为:
在BBM模块中创建ERASE、PROGRAM、READ目录,在FBC模块中创建C0-C1和C2-C3目录;
步骤3:在ERASE目录中创建TN950文件,在PROGRAM目录中创建TN970文件,在READ目录中创建TN960和TN980文件,在CFM目录中创建Block-CFM文件,
步骤4:根据模块之间的相关信息进行关联分析,其分析步骤如下:
首先在DATA\BBM\READ文件夹中打开TN960或TN980编号文件,查找DUT编号,再查找CE编号,最后确定坏块编号Bn;然后到FBC文件夹中查找对应CE编号的文件夹,在文件夹中查找对应DUT编号、CE编号、TN编号的文件名,会查到一批文件,需要根据Bn坏块落在哪个block段中来确定文件名(图7中的B1008落在了Block1000段中),最后打开文件查找Bn坏块,查看里面的chunk值情况。
步骤5:打开CFM文件,查找对应Block编号的单元,在单元中查找对应DUT编号、CE编号的数据。
本发明通过按照特定的格式创建存储目录;按照一定规则的命名来创建文件;在文件内容中记录关键信息,在不同模块的文件之间相互关联,模块之间相互配合跟踪定位;解决了半导体测试中对存储单元分析的复杂性的困扰,让用户能够快速定位问题和分析问题。
图3中的虚线框中是目录下的所有文件,以TN编号命令的文件名;虚线框以外的为文件夹目录。DATA目录为数据存储的入口,存储了BBM、FBC和CFM三个模块;BBM目录下存储了ERASE、PROGRAM、READ三个操作步骤,其中READ又分为ERASE READ(TN960)和PROGRAMREAD(TN980)。FBC目录下将4个CE分成了两组,分为C0、C1为一组(C0-C1)和C2、C3为一组(C2-C3),这两组中同时存储着TN960-FBC和TN980-FBC的数据。其中,TN950表示擦操作对应的存储坏块信息的文件,即BBM文件。第二层的BBM、FBC和CFM为文件夹名称,TN960-FBC文件即为存储数据块信息的FBC文件。
在一种实施方式中,所述方法还包括:
对一个半导体存储器芯片中的数据进行抽样读取,获得第三预设数量的块;
从第三预设数量的块中选取出目标页面;
对目标页面包含的数据进行存储。
具体来说,第三预设数量可以根据实际情况进行选取。对芯片中写入的数据进行抽样检查,每个芯片抽取第三预设数量的block,读取block中第一个page的前16个字节和最后一个page的后16个字节,将其数据记录到文件中的模块被称为CFM。如果将存储器里的数据全部读出来需要很大的空间来存储,本发明考虑采用抽样的方式随机抓取一定数量的数据来分析,节省了空间和提高了分析效率,采用抽样质检的方式,一定程度上也能代表最终的分析结果。
请参见图8,为CFM文件内容存储结构图,具体包括:
CFM数据的存储结构以block为单位,每一个单元下面存储的是所有DUT的所有CE的此block的前后16个字节的数据。根据Block编号、DUT编号和CE编号分别与BBM和FBC文件中的编号相对应。
BBM文件记录的坏块信息(是否为坏块、坏块数量),FBC文件记录的是数据块信息(数据块中数据与实际数据相比,不同的bit位数),而CFM文件记录的则是具体的测试数据内容。通过对具体测试数据内容的记录,可以详细地分析测试的问题。
下面结合附图2~7,对BBM与FBC数据关联进行介绍:
在TN960和TN980环节,分别进行了从芯片读取数据的操作,与真实数据相比较来判断坏块,由BBM模块记录坏块,同时由FBC模块存储坏块失败的bit位数。为了查看坏块并能够找到坏块对应的FBC值(数据块信息),首先在DATA\BBM\READ文件夹中打开TN960或TN980编号文件,先查找DUT编号,再查找CE编号,最后确定坏块编号Bn;然后到FBC文件夹中查找对应CE组编号的文件夹,在文件夹中查找对应DUT编号、CE编号、TN编号的文件名,从而可以查到一批文件,接下来需要根据Bn坏块落在哪个block段中来确定文件名(图6中的B1008落在了Block1000段中),最后打开文件查找Bn坏块,查看文件中记载的chunk列表情况。
此外,对于TN950和TN970,TN950是擦除数据的操作,TN970是写入数据的操作,这个两个操作完成后,可以通过查看存储器的状态值来判断是否操作成功,如果是失败的,则认为这是个坏块,将block编号记录到BBM文件中,TN960和TN980是分别对TN950和TN970两种操作进行数据的读取,读取了数据后再统计对应的fbc值,关联FBC文件,所以TN950和TN970只是单纯地记录的坏块。同时,可以通过查看CFM文件,找到对应编号的Block,查看里面写入的数据的具体内容。
总体来说,本发明解决了半导体测试结果数据存储混乱的现象,通过按模块存储,按测试项做分支,按关键要素存储文件,很好的在各个模块中关联起来,通过实例分析存储数据,能过够准确的定位和分析芯片中最小存储单元,为芯片生产环节提供了质量安全保障。
实施例二
基于同一发明构思,本实施例还提供了一种半导体存储器测试数据的存储装置,一个半导体存储器芯片为一个芯片测试单元,一个芯片测试单元包括多个片选块,一个片选块包括多个块,一个块包括多个页面,一个页面包括多个数据块,一个数据块包括多个字节,请参见图9,该存储装置包括:
判断模块201,用于将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;
坏块管理模块202,用于对对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,其中,坏块信息包括坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及坏块数量;
失败字节统计模块203,用于对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,其中,数据块信息为写入数据块中的数据与实际数据不同的bit位数,坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果;
对应关系设置模块204,用于设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系;
定位模块205,用于根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
在一种实施方式中,判断模块201具体用于:
将写入数据块中的数据与实际数据进行对比,若有第一预设数量的bit不一致,则判定该数据块为失败;
判断失败的数据块的数量是否超过第一门限值,如果超过,则判定数据块所在的页面为失败;
判断失败的页面的数量是否超过第二门限值,如果超过,则判定页面所在的块为失败,将失败的块作为坏块。
在一种实施方式中,坏块管理模块202具体用于:
对坏块进行编号;
确定坏块所在的片选块,对每个片选块包含的坏块数量进行统计;
确定片选块所在的芯片测试单元;
以第一文件的形式对坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及片选块包含的坏块数量进行存储。
在一种实施方式中,失败字节统计模块203具体用于:
对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息;
确定数据块所在的页面;
确定页面所在的坏块;
以第二文件的形式对数据块所在的页面、页面所在的坏块的坏块编号以及数据块信息进行存储。
在一种实施方式中,还包括坏块分段模块,用于:
对坏块进行分段,将第二预设数量的坏块划分为一个坏块段;
将一个坏块段包含的数据块信息通过一个文件进行存储。
在一种实施方式中,存储坏块信息的为第一文件,坏块信息与数据块信息之间的对应关系为存储坏块信息的第一文件与存储数据块信息的第二文件之间的对应关系,定位模块205具体用于:
根据第一文件与第二文件之间的对应关系,在第二文件中定位与坏块对应的页面;
根据与坏块对应的页面,在第二文件中定位与页面对应的数据块;
根据与页面对应的数据块,在第二文件中定位测试数据中与坏块对应的数据块信息。
在一种实施方式中,所述方法还包括测试项存储模块,用于:
根据不同的测试操作,存储与测试操作对应的坏块信息。
在一种实施方式中,还包括数据抓取模块,用于:
对一个半导体存储器芯片中的数据进行抽样读取,获得第三预设数量的块;
从第三预设数量的块中选取出目标页面;
对目标页面包含的数据进行存储。
具体来说,坏块管理模块为BBM(badblock manager)模块,失败字节统计模块FBC(fail bit count)中文解释:统计失败的bit位;CFM(capture full memory)中文解释:抓取所有存储数据。
由于本发明实施例二所介绍的装置为实施本发明实施例一中半导体存储器测试数据的存储方法所采用的装置,故而基于本发明实施例一所介绍的方法,本领域所属人员能够了解该装置的具体结构及变形,故而在此不再赘述。凡是本发明实施例一的方法所采用的装置都属于本发明所欲保护的范围。
基于同一发明构思,本申请还提供了一种与实施例一中半导体存储器测试数据的存储方法对应的计算机可读存储介质,详见实施例三。
实施例三
请参见图10,本实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被执行时实现实施一中所述的方法。
由于本发明实施例三所介绍的计算机可读存储介质为实施本发明实施例一中导体存储器测试数据的存储方法所采用的计算机设备,故而基于本发明实施例一所介绍的方法,本领域所属人员能够了解该计算机可读存储介质的具体结构及变形,故而在此不再赘述。凡是本发明实施例一中方法所采用的计算机可读存储介质都属于本发明所欲保护的范围。
本领域内的技术人员应明白,本发明的实施例可提供为方法、***、或计算机程序产品。因此,本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(***)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样,倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种半导体存储器测试数据的存储方法,其特征在于,一个半导体存储器芯片为一个芯片测试单元,一个芯片测试单元包括多个片选块,一个片选块包括多个块,一个块包括多个页面,一个页面包括多个数据块,一个数据块包括多个字节,该存储方法包括:
将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;
对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,其中,坏块信息包括坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及坏块数量;
对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,其中,数据块信息为写入数据块中的数据与实际数据不同的bit位数,坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果;
设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系,对应关系为存储坏块信息的文件与存储数据块信息的文件之间的关联关系或者存储坏块信息的数组与存储数据块信息的数组之间的关联关系;
根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将写入半导体存储器芯片的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块,包括:
将写入数据块中的数据与实际数据进行对比,若有第一预设数量的bit不一致,则判定该数据块为失败;
判断失败的数据块的数量是否超过第一门限值,如果超过,则判定数据块所在的页面为失败;
判断失败的页面的数量是否超过第二门限值,如果超过,则判定页面所在的块为失败,将失败的块作为坏块。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,包括:
对坏块进行编号;
确定坏块所在的片选块,对每个片选块包含的坏块数量进行统计;确定片选块所在的芯片测试单元;
以第一文件的形式对坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及片选块包含的坏块数量进行存储。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,包括:
对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息;
确定数据块所在的页面;
确定页面所在的坏块;
以第二文件的形式对数据块所在的页面、页面所在的坏块的坏块编号以及数据块信息进行存储。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对坏块进行分段,将第二预设数量的坏块划分为一个坏块段;
将一个坏块段包含的数据块信息通过一个文件进行存储。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,存储坏块信息的为第一文件,坏块信息与数据块信息之间的对应关系为存储坏块信息的第一文件与存储数据块信息的第二文件之间的对应关系,根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息,包括:
根据第一文件与第二文件之间的对应关系,在第二文件中定位与坏块对应的页面;
根据与坏块对应的页面,在第二文件中定位与页面对应的数据块;
根据与页面对应的数据块,在第二文件中定位测试数据中与坏块对应的数据块信息。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据不同的测试操作,存储与测试操作对应的坏块信息。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对一个半导体存储器芯片中的数据进行抽样读取,获得第三预设数量的块;
从第三预设数量的块中选取出目标页面;
对目标页面包含的数据进行存储。
9.一种半导体存储器测试数据的存储装置,其特征在于,一个半导体存储器芯片为一个芯片测试单元,一个芯片测试单元包括多个片选块,一个片选块包括多个块,一个块包括多个页面,一个页面包括多个数据块,一个数据块包括多个字节,该存储装置包括:
判断模块,用于将写入半导体存储器芯片数据块的数据与实际数据进行对比,根据对比情况判断存在的坏块;
坏块管理模块,用于对对坏块进行编号并统计,对坏块信息进行存储,其中,坏块信息包括坏块编号、坏块编号对应的片选块、坏块编号对应的芯片测试单元以及坏块数量;
失败字节统计模块,用于对数据块中写入的数据与实际数据进行对比,并记录对比后的数据块信息,对数据块信息进行存储,其中,数据块信息为写入数据块中的数据与实际数据不同的bit位数,坏块信息、数据块信息用以表征测试的结果;
对应关系设置模块,用于设置坏块信息与数据块信息之间的对应关系,对应关系为存储坏块信息的文件与存储数据块信息的文件之间的关联关系或者存储坏块信息的数组与存储数据块信息的数组之间的关联关系;
定位模块,用于根据坏块信息与数据块信息之间的对应关系定位坏块对应的数据块信息。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被执行时实现如权利要求1至8中任一项权利要求所述的方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01130243A (ja) * 1987-11-17 1989-05-23 Hitachi Ltd 記憶装置の障害回復方式
KR100433606B1 (ko) * 1998-10-22 2004-05-31 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 정보 기록 매체, 및 이의 결함을 관리하는 방법 및 장치
US7171536B2 (en) * 2002-10-28 2007-01-30 Sandisk Corporation Unusable block management within a non-volatile memory system
US7454673B2 (en) * 2005-07-15 2008-11-18 Kyocera Wireless Corp. Apparatus, system, and method for accessing persistent files in non-execute-in-place flash memory
CN102323907A (zh) * 2011-08-19 2012-01-18 长安大学 嵌入式arm处理器对nandflash数据存储和删除方法
US8555130B2 (en) * 2011-10-04 2013-10-08 Cleversafe, Inc. Storing encoded data slices in a dispersed storage unit

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