CN111174809A - 一种激光陀螺腔体内孔清洗方法 - Google Patents
一种激光陀螺腔体内孔清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111174809A CN111174809A CN201911384484.3A CN201911384484A CN111174809A CN 111174809 A CN111174809 A CN 111174809A CN 201911384484 A CN201911384484 A CN 201911384484A CN 111174809 A CN111174809 A CN 111174809A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- inner hole
- cleaning
- washing
- grinding head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C25/00—Manufacturing, calibrating, cleaning, or repairing instruments or devices referred to in the other groups of this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B23/00—Portable grinding machines, e.g. hand-guided; Accessories therefor
- B24B23/02—Portable grinding machines, e.g. hand-guided; Accessories therefor with rotating grinding tools; Accessories therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B5/00—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor
- B24B5/36—Single-purpose machines or devices
- B24B5/48—Single-purpose machines or devices for grinding walls of very fine holes, e.g. in drawing-dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/08—Iron or steel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/08—Iron or steel
- C23G1/081—Iron or steel solutions containing H2SO4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/08—Iron or steel
- C23G1/085—Iron or steel solutions containing HNO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明涉及一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,所述方法包括以下步骤:1)内孔打磨:用配备有微型电磨机的软性磨头蘸取氧化铁抛光液,将磨头伸入腔体各内孔中打磨;2)水洗:用去离子水冲洗打磨后的腔体各内孔;3)酸洗:将腔体转移至酸液中,进行酸洗;4)水洗:先用去离子水冲洗腔体,再在去离子水中超声清洗腔体;5)干燥:利用氮气或压缩空气吹干腔体。本发明采用机械打磨和化学清洗相结合的方法清洗腔体内孔,去污速度快,去污效果好,且不磨损腔体内孔表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学元件的清洗技术领域,特别涉及一种激光陀螺腔体内孔的清洗方法。
背景技术
激光陀螺作为一种精密的导航器件,在导弹、航天航空等方面都有广泛的应用,其核心部件是一个具有多个内孔,结构复杂的玻璃光学元件——腔体。腔体表面及内孔的清洁程度与激光陀螺的可靠性和稳定性密切相关。由于腔体的加工过程复杂,周期长,加工过程中内孔不可避免地残留有抛光粉、水印子等污染物,这些污染物长时间通过物理吸附甚至化学吸附干结在内壁上,使腔体内孔清洗难度大。传统清洗工艺中,超声清洗因腔体结构复杂,作用在内孔的空化效果大为减弱,清洗效果不佳;化学清洗方法中,因污染物成分复杂,且以氧化铈为主的抛光粉难以溶解于一般的清洗剂,需采用多种清洗液,包括有机溶剂清洗液反复清洗,工艺复杂,耗时长;采用普通擦拭的办法虽然较为有效,但效率较低,需要较高的人力成本,也易残留部分污染物。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的技术问题,提供了一种高效、简便、清洁效果好的激光陀螺腔体内孔清洗方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:提供了一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,所述方法包括以下步骤:
1)内孔打磨:用配备有微型电磨机的软性磨头蘸取氧化铁抛光液,将磨头伸入腔体各内孔中打磨;
2)水洗:用去离子水冲洗打磨后的腔体各内孔;
3)酸洗:将腔体转移至酸液中进行酸洗;
4)水洗:先用去离子水冲洗腔体内孔,再在去离子水中超声清洗腔体;
5)干燥:利用氮气或压缩空气吹干腔体。
进一步,步骤1)中所述软性磨头可以是羊毛磨头或布磨头或尼龙磨头中的一种,优选羊毛磨头,所述羊毛磨头直径比待清洗的内孔小0.2~1mm。
进一步,步骤1)中所述氧化铁抛光粉为500~3000目。
进一步,所述氧化铁抛光液由氧化铁抛光粉和去离子水组成。
进一步,所述氧化铁抛光液中氧化铁质量分数为5%~50%。
进一步,步骤1)中所述微型电磨机转速为500~1000rpm,每个内孔打磨时间为1~5min。
进一步,步骤3)中所述的酸液,需要同时满足两个条件:一是能和氧化铁反应生成水溶性铁盐,二是不能和腔体材料微晶玻璃反应。鉴于这两个条件,可采用除HF外的强酸。
进一步,所述酸优选盐酸或硫酸或稀硝酸中的一种。
进一步,所述盐酸溶液或硫酸溶液或稀硝酸溶液中酸的体积百分比为10%~50%。
进一步,所述酸洗温度为80~90℃,酸洗时间为5~15min。
进一步,步骤4)中所述的超声清洗工艺为在去离子水中超声清洗腔体1~3次,每次3~15min,超声频率为40-60kHz。
采用上述技术方案的有益效果是:采用机械打磨和化学清洗相结合的方法清洗腔体内孔,去污速度快,去污效果好。
本发明采用氧化铁抛光液打磨的方法,无论腔体内孔污染物的溶解性能和吸附机理是否相同,都可以一次性去除内孔表面的多种污染物,去污速度快,去污效果好。而且氧化铁抛光粉的硬度略小于腔体的微晶玻璃,通过控制氧化铁抛光粉的粒径,抛光液的浓度和磨头转速,不会对腔体内孔表面造成损伤。
附图说明
图1、3、5为本发明实施例1-3清洗前的腔体内孔的显微镜照片;
图2、4、6为本发明实施例1-3所述方法清洗后的腔体内孔显微镜照片。
具体实施方式
以下结合附图对本发明进行描述,所举实施例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例中所用氧化铁抛光粉为市售商品,成分为三氧化二铁。
实施例1
1)内孔打磨:将50g粒径为500目的氧化铁抛光粉加入到950g去离子水中,搅拌均匀,配制成所需的抛光液;用配备有微型电磨机的羊毛磨头上蘸取抛光液,所用磨头比内孔直径小0.2mm。羊毛磨头上蘸上述抛光液后依次伸入腔体各内孔中,设置微型电磨机转速为1000rpm,每个内孔打磨5min;
2)水洗:用去离子水冲洗打磨后腔体各个内孔;
3)酸洗:配制体积浓度为10%的盐酸溶液800ml,加热至80℃;将待清洗腔体转移至稀盐酸酸中,煮洗15min;
4)水洗:用去离子水冲洗酸洗后腔体,然后将腔体置于在去离子水中超声清洗3次,每次3min,超声频率为60kHz;
5)干燥:用氮气对腔体进行吹扫,直至腔体表面和内孔彻底风干。
实施例2
1)内孔打磨:将50g粒径为3000目的氧化铁抛光粉加入到50g去离子水中,搅拌均匀,配制成所需的抛光液;用配备有微型电磨机的羊毛磨头上蘸取抛光液,所用磨头比内孔直径小1mm。羊毛磨头上蘸上述抛光液后依次伸入腔体各内孔中,设置微型电磨机转速为500rpm,每个内孔打磨1min;
2)水洗:用去离子水冲洗打磨后腔体各个内孔;
3)酸洗:配制体积浓度为50%的硝酸溶液800ml,加热至90℃;将待清洗腔体转移至稀盐酸酸中,煮洗5min;
4)水洗:用去离子水冲洗酸洗后腔体,然后将腔体置于在去离子水中超声清洗1次,超声时间15min,超声频率为40kHz;
5)干燥:用氮气对腔体进行吹扫,直至腔体表面和内孔彻底风干。
实施例3
1)内孔打磨:将50g粒径为2000目的氧化铁抛光粉加入到110g去离子水中,搅拌均匀,配制成所需的抛光液;用配备有微型电磨机的羊毛磨头上蘸取抛光液,所用磨头比内孔直径小0.5mm。羊毛磨头上蘸上述抛光液后依次伸入腔体各内孔中,设置微型电磨机转速为700rpm,每个内孔打磨3min;
2)水洗:用去离子水冲洗打磨后腔体各个内孔;
3)酸洗:配制体积浓度为30%的硫酸溶液800ml,加热至85℃;将待清洗腔体转移至稀盐酸酸中,煮洗10min;
4)水洗:用去离子水冲洗酸洗后腔体,然后将腔体置于在去离子水中超声清洗2次,每次10min,超声频率为50kHz;
5)干燥:用压缩空气对腔体进行吹扫,直至腔体表面和内孔彻底风干。
实验例1
用桂林光学仪器公司生产的XPZ-830B型显微镜观察经实施例1-3的清洗方法清洗前后的腔体毛细孔,放大倍数为60倍。从图1、3、5可以看出,清洗前,毛细孔内附着了大量的颗粒,还有水印。清洗后的腔体内孔无抛光粉、水印子等污染物残留,可以满足激光陀螺腔体洁净度要求。
实验例2
用ZEISS的CONTURA三坐标测量仪测量经实施例1-3的清洗方法清洗前后的腔体各内孔,测量结果见表1。从表1可以看出,清洗前后,腔体的各毛细孔和储气孔尺寸几乎没有变化,说明本发明的清洗方法对腔体内孔表面未造成磨损。需要说明的是:个别清洗后的孔径数据反而比清洗前的孔径大,如实施例1的储气孔M4清洗前直径为12.029mm,清洗后反而是12.028mm,这是由于最后一位有效数字是估读的,测量不同对象时,估读可能存在微小差异。
表1用实施例1-3的清洗方法清洗前后腔体各内孔直径对比
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
1)内孔打磨:用配备有微型电磨机的软性磨头蘸取氧化铁抛光液,将磨头伸入腔体各内孔中打磨;
2)水洗:用去离子水冲洗打磨后的腔体各内孔;
3)酸洗:将腔体转移至酸液中进行酸洗;
4)水洗:先用去离子水冲洗腔体各内孔,再用去离子水超声清洗腔体;
5)干燥:利用氮气或压缩空气吹干腔体。
2.根据权利要求1所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,所述柔性磨头为羊毛磨头或布磨头或尼龙磨头中的一种。
3.根据权利要求2所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述软性磨头为羊毛磨头,所述羊毛磨头直径比腔体内孔孔径小0.2~1mm。
4.根据权利要求1所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述氧化铁抛光粉粒径为500-3000目。
5.根据权利要求4所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述氧化铁抛光液由氧化铁抛光粉和去离子水组成。
6.根据权利要求5所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述氧化铁抛光液中氧化铁抛光粉质量百分比为5%~50%。
7.根据权利要求1所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述微型电磨机转速为500~1000rpm,每个内孔打磨时间为1~5min。
8.根据权利要求1所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于所述酸液为盐酸溶液或硫酸溶液或稀硝酸溶液中的一种,所述酸的体积百分比为10%~50%。
9.根据权利要求8所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述酸洗温度为80~90℃,酸洗时间为5~15min。
10.根据权利要求1所述的一种激光陀螺腔体内孔清洗方法,其特征在于,所述超声清洗工艺为在去离子水中超声清洗腔体1~3次,每次3~15min,超声频率为40~60kHz。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911384484.3A CN111174809A (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种激光陀螺腔体内孔清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911384484.3A CN111174809A (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种激光陀螺腔体内孔清洗方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111174809A true CN111174809A (zh) | 2020-05-19 |
Family
ID=70647415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911384484.3A Pending CN111174809A (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种激光陀螺腔体内孔清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111174809A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111534838A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-08-14 | 广东嘉元科技股份有限公司 | 一种电解铜箔生箔机 |
CN112934832A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-06-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1782916A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for grinding discrete mirrors |
CN104493653A (zh) * | 2014-11-29 | 2015-04-08 | 域鑫科技(惠州)有限公司 | 一种内孔研磨抛光装置 |
CN109037028A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-18 | 江苏京尚圆电气集团有限公司 | 一种硅料清洗方法 |
CN109318063A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-02-12 | 天津津航技术物理研究所 | 激光陀螺槽片环槽抛光设备及方法 |
CN109622503A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-16 | 天津津航技术物理研究所 | 一种激光陀螺腔体光学加工后的无损清洗方法 |
CN109648450A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-19 | 临安宇杰精密制品有限公司 | 一种精密元件的抛光、清洗工艺 |
-
2019
- 2019-12-28 CN CN201911384484.3A patent/CN111174809A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1782916A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for grinding discrete mirrors |
CN104493653A (zh) * | 2014-11-29 | 2015-04-08 | 域鑫科技(惠州)有限公司 | 一种内孔研磨抛光装置 |
CN109037028A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-18 | 江苏京尚圆电气集团有限公司 | 一种硅料清洗方法 |
CN109318063A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-02-12 | 天津津航技术物理研究所 | 激光陀螺槽片环槽抛光设备及方法 |
CN109622503A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-16 | 天津津航技术物理研究所 | 一种激光陀螺腔体光学加工后的无损清洗方法 |
CN109648450A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-19 | 临安宇杰精密制品有限公司 | 一种精密元件的抛光、清洗工艺 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111534838A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-08-14 | 广东嘉元科技股份有限公司 | 一种电解铜箔生箔机 |
CN111534838B (zh) * | 2020-06-16 | 2021-01-29 | 广东嘉元科技股份有限公司 | 一种电解铜箔生箔机 |
CN112934832A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-06-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件清洗方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111174809A (zh) | 一种激光陀螺腔体内孔清洗方法 | |
CN102273329B (zh) | 清洁硅电极的沉浸式氧化和蚀刻方法 | |
KR20050061381A (ko) | 농축 프로세싱 유체와 초음파 에너지를 사용한 반도체구성 요소의 처리 방법 | |
US20040055621A1 (en) | Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy | |
JP4808827B1 (ja) | ガラス容器の内面処理方法及びガラス容器 | |
JP2007297228A (ja) | 研磨ガラス基板の製造方法 | |
CN101345189A (zh) | 基板的清洗方法和清洗装置 | |
EP1834708A3 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium | |
US8992791B2 (en) | Method of cleaning semiconductor wafer and semiconductor wafer | |
TWI263079B (en) | Chemical polishing method for liquid crystal glass substrate and chemical polishing apparatus | |
CN100377836C (zh) | 采用含水和低温清洗技术组合的半导体晶圆表面的后-cmp清洗 | |
US20050029492A1 (en) | Processing of semiconductor substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols | |
CN103553350A (zh) | 一种石英材料腐蚀液和腐蚀方法 | |
CN101745507A (zh) | 清洁半导体晶片的方法 | |
JP3575349B2 (ja) | アルミノシリケートガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
CN103204709B (zh) | 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 | |
CN105288728A (zh) | 钛金属骨结合植入物与钛金属骨结合植入物表面处理方法 | |
CN104018340B (zh) | 一种连续碳纤维表面改性方法 | |
TW486406B (en) | Ultrasonic metal finishing | |
CN109913222A (zh) | 一种硅片打磨液 | |
JP2003175452A (ja) | ステンレスパイプの内面研磨方法 | |
CN108339870A (zh) | 一种锆合金管材的精整方法 | |
CN108588728A (zh) | 利用硝酸水溶液剥离工件表面膜的方法 | |
CN105141271B (zh) | 用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法 | |
WO2022233324A1 (zh) | 一种高屈服应力陶瓷材料3d 打印坯体用清洗液及其制备方法与应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200519 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |