CN111164234A - 用于进行高效低温涂覆的涂覆设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及涂覆设备，包括用于进行真空涂覆过程的真空涂覆室，所述真空涂覆室包括：一个或多个被冷却室壁(1)，其具有内侧(1b)和被冷却侧(1a)；保护屏蔽部件，其作为一个或多个遮挡所述一个或多个被冷却室壁(1)的内侧(1b)的表面的至少一部分的可移除屏蔽板(2)布置在该室内，其中，至少一个可移除屏蔽板(2)相对于被所述可移除屏蔽板(2)遮挡的被冷却室壁(1)的内侧(1b)的表面形成间隙(8)地安放，其中，多个导热机构(9)以对应于被所述可移除屏蔽板(2)遮挡的被冷却室壁(1)的内侧(1b)的整个表面的至少一部分的程度填充该间隙(8)地布置，其中该导热机构(9)允许在所述可移除屏蔽板(2)与各自所遮挡的被冷却室壁(1)之间的导热传递。

Description

用于进行高效低温涂覆的涂覆设备

本发明涉及涂覆设备，其具有允许从涂覆室内部至外部的提高的散热的布置，从而可以进行高效低温涂覆过程。

背景技术

作为真空涂覆室用于进行真空涂覆过程的真空室通常配备有可移除保护屏蔽部件，它们覆盖真空涂覆室壁的内表面地布置，从而这些屏蔽部件能保护所覆盖的内表面在涂覆过程中被无意涂覆。

当涂覆室壁的内表面不可避免地在涂覆过程中被涂覆时，可能出现涂层累积，并且在这些条件下所制造的涂覆产品的涂层质量可能受到影响。这可能发生例如是因为由累积涂层的不可控的脱层造成的涂覆污染。也可能的是在涂覆过程中的不希望的条件变化导致了不足的涂层性能，造成这一情况的原因例如可能是：非传导性材料制造的涂层之累积所招致的电弧。

这种保护屏蔽部件的使用牵涉到明显的优点。主要优点是保护屏蔽部件的表面被涂覆而不是涂覆室壁的内表面。这样一来，可以在一个或多个涂覆过程之后从涂覆室取出保护屏蔽部件并且以容易的方式去除沉积在保护屏蔽部件表面的涂层，例如通过使用已知的化学或机械剥离法例如喷砂。

图1示出被用作真空涂覆室的传统的真空室(1)，其包括这种保护屏蔽部件且被设计用于进行涂覆过程。

被用于进行涂覆过程的典型的真空涂覆技术例如是物理气相沉积(PVD)技术(例如磁控溅射(MS)、高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)-也称为高功率脉冲化磁控溅射(HPPMS)、电弧蒸发(ARC))以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术-也称为等离子体辅助化学沉积(PACVD)技术，只提到其中几种最常用真空涂覆技术。这些技术通常给基材或待涂覆基材带来一定热负荷。这种特定热负荷主要取决于等离子体性能和沉积速率。

因为所有这些上述的真空涂覆技术发生在一般是0.1帕至10帕的压力范围，故自一个或多个待涂覆基材至其它表面或安放在室内的其它物体的散热的主要机制限于热辐射。

图1中的真空涂覆室包括室壁1，其具有被水冷以调节过程温度的外侧。此真空涂覆室还包括设计成屏蔽板2的保护屏蔽部件，这些屏蔽板设置在真空涂覆室内部以遮挡室壁1的内侧1b的表面。屏蔽板2可移除地设置在室内以允许从室内取出并执行喷砂处理以移除已在涂覆过程中沉积在屏蔽板2上的涂层。

屏蔽板2相对于室壁1的内表面1b形成间隙8地安放。

间隙所包含的空间在涂覆过程中处于真空下。由此，压力通常可以在极高真空(<1×10^-10帕)与10帕之间变化。因此，换热最可能通过辐射进行。因此缘故，所牵涉的辐射表面的辐射率性能扮演了关于该空间内的换热的主要角色。

图1未示出辐射加热器，但真空涂覆室也可以包括一个或多个辐射加热器，其可被用作热源以将热输入该室以加热待涂覆的基材3。

图1中的涂覆室例如可以包括一个或多个涂覆源4。涂覆源例如可以是电弧蒸发源或磁控溅射源或任何其它类型的要用于形成涂层的材料源。该材料通常被蒸发或溅射或活化，从而为了执行涂覆过程而产生含材料离子的等离子体或含材料的至少某些成分的离子的等离子体。这样一来，热被产生且被耗散至涂覆室中。

重要的是要考虑如此所产生的热可以被直接传输给安放在室内的待涂覆基材，也会传输给屏蔽板2。

除了由涂覆源4和热辐射器产生的上述热流外，也因用偏电压源5施加所谓偏电压而可以产生附加热流。

偏电压通常是至少主要为负的电压，其通常被施加至待涂覆基材以增大上述涂覆源等离子体和待涂覆基材之间的电位差，由此造成等离子体所含的正电离子加速向待涂覆基材表面。

该偏电压可以例如作为由功率供应装置提供的恒定的DC电压信号或脉冲化DC电压信号或双极脉冲DC电压信号被施加至基材。

在上述情况下，为了分析涂覆室内外之间的热平衡，基本上需要考虑至少以下方面：

-在任何情况下，从涂覆室中的等离子体中得到的电流乘以偏电压作为热直接散逸至基材表面上。在稳定状态达到在热流输入和热流输出之间的均衡：

ο输入对应于进入热平衡区的热流(在此情况下：热平衡区＝涂覆室)，例如：

■通过由一个或多个涂覆源产生的一个或多个等离子体所散逸的热流，

■通过在一个或多个待涂覆基材处施加偏电压所产生的热流，

■通过一个或多个加热器(如辐射加热器)所产生的热流，

ο输出对应于离开热平衡区的热流，例如：

■从涂覆室内被散逸至冷却水的热流。

另外，为了分析涂覆室内的热平衡，为了计算例如被输送至涂覆室壁1的热流，还需要考虑在安放于涂覆室内的不同物体之间的换热尤其是辐射换热，在此情况下它们将主要是涂覆源、辐射加热器、待涂覆基材、屏蔽板2和水冷壁1。

包含或由温敏材料制造的基材须在尤其低的加工温度被涂覆。在这些情况下，在加工过程中的基材温度必须保持低于极限温度，高于极限温度可能造成基材材料性能受损。

同样存在一些涂覆材料，其需要在特别低的过程温度在待涂覆的基材表面被合成以获得期望的涂覆材料性能以及所需涂覆质量。在这些情况下，在加工过程中的基材温度也必须保持低于极限温度，若高于极限温度，涂覆材料无法显示出所需性能或所需质量地被合成。

如刚才上述的那样，在本发明的上下文中的术语“低温涂覆过程”涉及不能在涂覆过程中被超过以避免温敏基材或温敏涂层损伤的温度。

在本发明的上下文中应该理解的是，这样的低温涂覆过程例如是牵涉到一个或多个以下步骤的涂覆过程：

-在塑料基材或包含一种或多种塑料材料例如PEEK、PC、ABS、PC/ABS的基材上的膜沉积。

-在钢基材或包含一种或多种钢材料的基材上的薄膜沉积，其不能超过180℃温度(例如100Cr6)。

-DLC膜的沉积(例如类型a-C:H或ta-C薄膜)，尤其是必须在不高于200℃或甚至不高于180℃的涂覆过程温度沉积的DLC膜。

在这方面，牵涉到其中两个上述步骤的一种典型的低温涂覆过程将是例如DLC膜的沉积，其在由具有低再结晶温度的钢制造的部件上需要低于200℃的涂覆过程温度。

Krassnitzer等人在文件WO2016116384A1和文件WO2016116383A1中提出如此设置保护屏蔽部件，即，可以获得从涂覆室内部到外部的散热的增加。根据上述文件中的提议的保护屏蔽部件的布置分别如图2和图3示意所示。

在WO2016116384A1中提出了通过使用真空室来调整从室内到室外的散热，在真空室内，屏蔽板30布置在室壁20与指定用于放置待涂覆基材的涂覆室区域(以下该区域将也被称为涂覆区)之间，其中该屏蔽板30包括第一侧和第二侧且如此安放，第一侧背对该区域且朝向内室壁侧，其中屏蔽板的第一侧至少部分、优选大部分配设有第一层31，在涂覆过程，第一层的辐射率对应于ε≥0.65(见图2)。

在WO2016116383A1中提出了通过在涂覆室内部中设置热屏蔽部件30'来控制过程温度，其中热屏蔽部件30'布置在温度可控的室壁20'上，其中热屏蔽部件30'包括至少一个可更换辐射屏蔽件31'，其紧邻室壁20'的内侧，其中辐射屏蔽件31'的指向室壁20'的第一辐射面311'具有可预定的第一换热系数εD1，辐射屏蔽件31'的背对室壁20'的第二辐射面312'具有可预定的第二换热系数εD2，其中第一换热系数εD1大于第二换热系数εD2(见图3)。

上述的两个提议可以帮助调整增加从涂覆室内至外部的散热，这样一来允许进行低温涂覆过程。但仍存在对低温涂覆过程中的更高效率的增长的需求，尤其就膜沉积速率而言。

就此而言，何等人在WO2000056127A1中提出用于进行低温涂覆过程的方法，尤其是用于在保持基材低温的同时制造DLC的方法，其中射频感应耦合等离子体源被用于薄膜沉积，且基材温度通过使用水冷基材座来调节，通过使用负脉冲化电压信号在基材座处施加偏电压。但是，在大多数情况下，何等人所提议的被冷却基材座的使用并不是一个适用于批量涂覆***的解决方案，其中大型回转传送带被用作基材支座。

发明目的

本发明的一个主要目的是提供一种涂覆设备，其允许执行低温涂覆过程而不需要使用被冷却的基材座。

根据本发明的涂覆设备优选地可以在执行低温涂覆过程时允许获得就提高的沉积速率而言的高效。

发明说明

本发明的目的可以通过提供一种本发明的涂覆设备来实现，其具有允许增强从涂覆室内部到外部的散热的以致能执行高效低温涂覆过程的创造性的布置。

根据本发明的涂覆设备包括一种用于进行真空涂覆过程的真空涂覆室，其如图4示意性所示，该真空涂覆室包括：

-一个或多个被冷却室壁1，其具有内侧1b和被冷却侧1a，

-保护屏蔽部件，其以一个或多个可移除屏蔽板2形式布置在该室的内部，屏蔽板遮挡所述一个或多个被冷却室壁1的内侧1b的表面的至少一部分，

其中，至少一个可移除屏蔽板2相对于被可移除屏蔽板2遮挡的被冷却室壁1的内侧1b的表面形成间隙8地安放，

其中，导热机构9以对应于被所述可移除屏蔽板2遮挡的被冷却室壁1的内侧1b的整个表面的至少一部分的程度填充间隙8地布置，

并且其中，该导热机构9允许在可移除屏蔽板2与各自对应的所遮挡的被冷却室壁1之间的导热传递。

所述间隙例如可以在约5毫米至20毫米的范围内，但不限于此范围。

根据本发明的一个优选实施例，导热机构9包括：

-至少一个屏蔽抬升板9a，其布置在屏蔽板2上的面向各自对应的所遮挡的被冷却室壁1a的内侧1b的一侧的屏蔽接触面A处，和/或至少一个壁抬升板9b，其布置在各自所遮挡的被冷却室壁1的内侧1b上的壁接触面B处；

和

-热桥材料9c，填充屏蔽接触面A与壁接触面B之间间隙8的未被屏蔽抬升板9a和/或壁抬升板9b占据的余部地布置，形成屏蔽接触面A与壁接触面B之间的导热传递用热界面。

根据本发明的另一个优选实施例，导热机构9包括：

-至少一个屏蔽抬升板9a，其布置在屏蔽板2的面向各自所遮挡的被冷却室壁1a的内侧1b的一侧上的屏蔽接触面A处、和至少一个壁抬升板9b，其布置在各自所遮挡的被冷却室壁1的内侧1b上的壁接触面B处。

在上述紧接的实施例中，当至少一个屏蔽抬升板9a和至少一个壁抬升板9b相互紧密接触布置且形成在屏蔽接触面A与壁接触面B之间的导热传递用热界面时，热桥材料9c的使用可以是可选的，且由此允许具有或无需热桥材料9c的导热传递。

根据本发明的另一个优选实施例，该热桥材料9c以碳膜形式设置。

该碳膜优选是自粘性碳膜。

小心选择屏蔽板的材料和厚度，对于实现穿过屏蔽板表面且尤其穿过直接接触导热机构9(屏蔽抬升板9a或热桥材料)的屏蔽接触面A的高导热传递极其重要。

就此而言，发明人提出了屏蔽板2和抬升板9a、9b由高导热性材料制造并具有足够厚度以具有良好的“穿越”导热率。

根据本发明的一个优选实施例，屏蔽板2和抬升板9a、9b由热导率超过100W/mK的导热材料制造。

在本发明的上下文中，通过使用由铝合金制造的屏蔽板2和抬升板9a、9b而获得了作为传热的很好传导。

作为极其适用于制造本发明的上下文中的屏蔽板和抬升板9a、9b的高导热性材料的另一种材料是铝。

屏蔽板2的厚度和屏蔽抬升板9a、9b的厚度例如在3毫米至12毫米之间，更优选地在6毫米至10毫米之间。

但上述的厚度范围是建议范围而不是本发明的限定。

屏蔽抬升板可以被设计成该屏蔽板的一部分。在这样的情况下，屏蔽板的厚度可被选择为例如约9毫米，该屏蔽板的接触区可以设计成具有另外的3毫米厚度的屏蔽抬升板。

壁抬升板也可以被设计成被冷却真空室壁的一部分。

具有屏蔽抬升板9a的屏蔽板可以部段形式设置，从而每个部段可以遮挡被冷却室壁的表面地设置。

这样一来，可以通过多个热传导界面通过经由被冷却室壁的所选接触表面区的传导增强和优化传热。

根据本发明可被用于冷却室壁的优选的冷却流体是例如冷水，其应该具有例如高于环境空气露点的温度。

根据本发明的一个优选实施例，一个或多个导热界面除了热桥材料9c外还包括屏蔽抬升板9a和壁抬升板9b。

为了便于维修，屏蔽抬升板9a和屏蔽抬升板9b可以被设计成配对体，其可以通过夹紧机构被紧密接触接合，从而每个配对体可以被夹紧至对应的配对体。为了改善导热性，热桥材料9c应该设置在这两个配对体之间。在此情况下且在其它情况下，热桥材料9c可以是自粘性碳膜。该自粘性碳膜例如可以是来自由Kunze公司生产的KU-CB1205-AV型自粘性碳膜。

夹紧机构例如可以由带有一个或多个松放螺钉的快锁机构构成。这样一来，抬升板9a和9b可以被解除夹紧并且屏蔽板能以很容易的方式被移除以允许周期性喷砂和清理。

图5示出可被用在本发明的真空涂覆室中的屏蔽板的两个例子。如图5a和图5b示意性所示的屏蔽板例如可以被用于遮挡未布置有涂覆源或加热件的被冷却室壁。图5a示出屏蔽板的后侧2a，而图5b示出屏蔽板的需要接受维修的前侧2c。

相比之下，如图5c示意性所示的屏蔽板例如可被用于遮挡“布置有三个圆形部件”的被冷却室壁。图5c示出了屏蔽板的后侧2a。

屏蔽抬升板9a要设置在屏蔽板的面向室壁内侧1b的后侧2a上，如已经上述的那样。

作为展示，屏蔽板的接触面A在图5中被示出。在此例子中，这些接触面A被设计成屏蔽抬升板9a并且是屏蔽板的一部分。

但是，也可以单独地在接触面A处安装抬升板9a。

根据本发明的涂覆设备允许间接冷却待涂覆基材并且这样一来允许在温敏基材材料涂覆过程中维持低过程温度、即低基材温度。

本发明还允许进行涂覆过程，在此过程中温敏涂层能以高沉积速率被合成。

这根据本发明是如此获得的，通过以起到散热器作用的方式设置呈屏蔽板状的保护屏蔽部件来增大从待涂覆基材至保护屏蔽部件的净辐射热流。

发明人已经做到，通过在屏蔽板和被冷却室壁之间设置导热机构9而使屏蔽板作为散热器，使得导热机构容许屏蔽板与被冷却室壁之间的高效导热交换。

允许屏蔽板与被冷却室壁之间的导热换热的一种优选方式牵涉到在保护屏蔽部件与被冷却室壁之间提供接触区。优选地，导热机构被设计成包括上述接触区并且允许可分离地夹紧保护屏蔽部件至被冷却室壁。

用在本发明的上下文中的术语“可分离夹紧”尤其表示保护屏蔽部件的被认为是第一配对体的区域和室壁的被认为是第二配对体的区域配备有夹紧机构，其允许在各自室壁上暂时夹紧保护屏蔽部件，其中在夹紧过程中使第一和第二配对体紧密接触地被接合，其允许第一和第二配对体可被热连接。热桥材料的使用并非是不可缺少的，而是可以有助于改善经由传导的热传递，尤其是当利用自粘性碳膜作为热桥材料时。

为了获得从待涂覆基材到根据本发明的保护屏蔽部件的辐射热流的相关增加，还可建议应作为散热器的保护屏蔽部件遮挡超过被冷却室壁1的内侧1b的表面的50％。

发明人用本方明的涂覆设备执行了几次试验并且确定了本发明的涂覆设备最适合执行基材温度需要保持在50℃至250℃的范围内的低温涂覆过程。

尤其是，发明人进行了低温涂覆过程，在此DLC膜和ta-C膜被沉积在基材上，基材温度保持在80℃至180℃的温度范围内。

但本发明的涂覆设备的使用不局限于不应该超过250℃基材温度的涂覆过程。

根据本发明的涂覆设备尤其适于进行涂覆过程，在此：

-不应该超过300℃基材温度，

-为了沉积DLC膜而采用PECVD技术，

-为了沉积ta-C膜而采用PVD电弧技术，

-为了沉积MoN膜而采用PVD电弧技术，

-为了沉积硬碳膜而采用磁控溅射或HiPIMS或类似技术。

将通过比较通过使用如图1所示的现有技术涂覆设备所获得的结果和通过使用如图2所示的本发明涂覆设备所获得的结果来更详细解释使用本发明的涂覆设备的技术优势。两个涂覆设备都具有650毫米×700毫米的真空室尺寸。

例1：

在此例子中，发明人将比较使用本发明的导热机构所进行的涂覆过程和未使用导热机构所进行的涂覆过程的传热模拟。

模拟预测了根据不同冷却条件，哪种输入功率造成150℃的基材温度。

膜沉积速率的增大对应于涂覆源功率增大。比较结果如以下的表1所示。

表1：

例2：

在此例子中，第一次试验在根据现有技术的涂覆设备中进行，其不包含本发明的导热机构。第二次试验在包含本发明的导热机构的涂覆设备中进行。在两种情况下，DLC膜通过使用相同的HiPIMS技术来沉积。

冷却水的温度被保持为40℃并且其流动对于两次试验保持恒定。通过涂覆源和偏电压进入真空室的功率被增大以进行第二次试验。所有其它的涂覆参数保持恒定。

发明人出乎意料地发现了，通过使用本发明的涂覆设备，相比于现有技术不仅获得较低的基材温度、也获得相当高的沉积速率增大，如以下的表2所示。

表2：

例3:

在此例子中，第一次试验也在根据不包括本发明的导热机构的现有技术的涂覆设备中进行。第二次试验在包括本发明的导热机构的涂覆设备中进行。

在两种情况下，CrN膜利用相同的HiPIMS技术被沉积。

冷却水的温度保持为40℃，冷却水流动对于两个试验保持恒定。所有其它的涂覆参数保持恒定。

发明人在此例子中出乎意料地发现，通过使用本发明的涂覆设备，获得基材温度的显著降低但没有影响沉积速率，如以下的表3所示。

表3：

本发明的其它可能变型如以下段落所述。

该涂覆设备优选包括用于进行真空涂覆过程的真空涂覆室，该真空涂覆室包括：

-一个或多个被冷却室壁1，其具有内侧1b和被冷却侧1a，

-保护屏蔽部件，其作为一个或多个遮挡所述一个或多个被冷却室壁1的内侧1b的表面的至少一部分的可移除屏蔽板2布置在该室内，

其中，至少一个可移除屏蔽板2相对于被冷却室壁1的内侧1b的被所述可移除屏蔽板2遮挡的表面形成间隙8地安放，

其中，导热机构9以对应于被可移除屏蔽板2遮挡的被冷却室壁1的内侧1b的整个表面的至少一部分的程度填充该间隙8地布置，其中导热机构9允许在所述可移除屏蔽板2与各自所遮挡的被冷却室壁1之间的导热传递。

该涂覆设备优选包括用于进行真空涂覆过程的真空涂覆室，所述真空涂覆室包括多个侧向室壁、布置在该室内的保护屏蔽部件和一个或多个布置在该侧向室壁之一处的涂覆源，其中所述侧向壁中的一个或多个是具有内侧1b和被冷却侧1a的冷却室壁1，其中一个或多个所述保护屏蔽部件作为可移除屏蔽板2遮挡设置有一个或多个涂覆源的其中一个被冷却侧向室壁1的内侧1b的表面的至少一部分地布置，其中，至少其中一个所述可移除屏蔽板2相对于被所述可移除屏蔽板2遮挡的被冷却侧向室壁1的内侧1b的表面形成间隙8地安放，其中，多个导热机构9以对应于被所述至少一个可移除屏蔽板2遮挡的被冷却侧向室壁1的内侧1b的整个表面的至少一部分的程度填充该间隙8地布置，其中该导热机构9允许在所述至少一个可移除屏蔽板2和被冷却侧向室壁1的各自所遮挡部分之间的导热传递。

优选地，所述一个或多个涂覆源4被附接至侧向室壁1。优选地，待涂覆的基材3平行于室壁1就位。除了侧向室壁1外，该涂覆室优选还在上方和下方包括室壁1。在通常安装的涂覆室中，在本发明意义上，侧向也可以被理解为竖直。在此意义上，侧向壁相应地垂直于水平面。

优选地，所述至少一个可移除屏蔽板2和被冷却侧向室壁1的各自所遮挡部分都包含配备有作为配对体的导热机构的接触区，配对体包括夹紧机构用于允许暂时夹紧配对体，其中所述配对体在配对体的暂时夹紧过程中热连接。

导热机构9优选包括：

-布置在屏蔽板2的朝向各自所遮挡的被冷却室壁1a的内侧1b的一侧上的屏蔽接触面A处的至少一个屏蔽抬升板9a，和/或至少一个布置在各自所遮挡的被冷却室壁1的内侧1b上的壁接触面B处的壁抬升板9b。

优选地，导热机构9包括：

-热桥材料9c，其填充屏蔽接触面A和壁接触面B之间间隙8的未被屏蔽抬升板9a和/或壁抬升板9b占据的余部地布置，形成用于屏蔽接触面A与壁接触面B之间的导热传递用热界面。

优选地，导热机构9包括：

-前后相继且紧密接触地布置的至少一个屏蔽抬升板9a和至少一个壁抬升板9b，形成允许所述可移除屏蔽板2和各自所遮挡的被冷却室壁1之间的导热传递的热界面。

导热机构9优选包括：

-热桥材料9c，其布置在紧密接触布置并形成热界面的所述至少一个屏蔽抬升板9a和至少一个壁抬升板9b之间的接触面处。

优选地，热桥材料9c是碳膜。

优选地，碳膜是自粘性碳膜。

优选地，屏蔽抬升板9a是屏蔽板2的一部分，和/或壁抬升板9b是被冷却室壁1的一部分。

优选地，间隙8在约5毫米至约20毫米的范围内。

优选地，屏蔽板2的厚度和屏蔽抬升板9a、9b的厚度在约3毫米至约12毫米之间，优选在6毫米和10毫米之间。

优选地，屏蔽抬升板9a、9b可被设计成屏蔽板的一部分。

优选地，屏蔽板的厚度约为9毫米。优选地，屏蔽板2的接触区被设计成具有额外的约3毫米厚度的屏蔽抬升板9a、9b。

优选地，带有屏蔽抬升板9a的屏蔽板可以作为部段形式设置，从而每个部段可以遮挡被冷却室壁的表面地设置。

优选地，冷却流体被用于冷却该室壁。优选地，冷却流体是水。优选地，水温高于环境空气的露点。

优选地，屏蔽抬升板是被冷却的真空室壁1的一部分。

优选地，屏蔽抬升板9a、9b位于屏蔽板2边缘附近。在此情况下，散热相当高。附加地，因热应力而产生的屏蔽板2的弯曲被减轻。

优选地，至少一个可移除屏蔽板2布置在每个被冷却室壁1上。

优选地，每个室壁1被冷却。

一种方法，优选包括在此涂覆至少一个基材的步骤，其特点是，涂覆过程在根据前述段落之一的设备中进行。

优选地，待涂覆基材在涂覆过程中被保持在不高于200℃的温度。

Claims (15)

1.一种涂覆设备，包括用于进行真空涂覆过程的真空涂覆室，所述真空涂覆室包括：

-一个或多个被冷却室壁(1)，其具有内侧(1b)和被冷却侧(1a)，

-保护屏蔽部件，其作为一个或多个可移除屏蔽板(2)布置在该室的内部，其遮挡所述一个或多个被冷却室壁(1)的内侧(1b)的表面的至少一部分，

其中，至少一个可移除屏蔽板(2)相对于被所述可移除屏蔽板(2)遮挡的被冷却室壁(1)的内侧(1b)表面形成间隙(8)地安放，

其特征是，

-导热机构(9)以对应于被所述可移除屏蔽板(2)遮挡的被冷却室壁(1)的内侧(1b)的整个表面的至少一部分的程度填充该间隙(8)地布置，其中，所述导热机构(9)允许在所述可移除屏蔽板(2)与相应被遮挡的被冷却室壁(1)之间的导热传递。

2.一种涂覆设备，包括用于进行真空涂覆过程的真空涂覆室，所述真空涂覆室包括多个侧向室壁、布置在该室的内部的保护屏蔽部件和一个或多个布置在所述侧向室壁之一处的涂覆源，其中，

-所述侧向壁中的一个或多个是具有内侧(1b)和被冷却侧(1a)的被冷却室壁(1)，一个或多个所述保护屏蔽部件作为可移除屏蔽板(2)是按照遮挡设置有一个或多个涂覆源的被冷却侧向室壁(1)之一的内侧(1b)表面的至少一部分的方式布置的，

其中，所述可移除屏蔽板(2)的至少一个相对于被所述可移除屏蔽板(2)遮挡的被冷却侧向室壁(1)的内侧(1b)表面形成间隙(8)地安放，

其特征是，

导热机构(9)以对应于被所述至少一个可移除屏蔽板(2)遮挡的被冷却侧向室壁(1)的内侧(1b)的整个表面的至少一部分的程度填充该间隙(8)地布置，其中，所述导热机构(9)允许在所述至少一个可移除屏蔽板(2)与被冷却侧向室壁(1)的相应被遮挡的部分之间的导热传递。

3.根据权利要求2的涂覆设备，其特征是，所述至少一个可移除屏蔽板(2)和被冷却侧向室壁(1)的相应被遮挡的部分二者包括配备有设计成配对体的导热机构的接触区，所述配对体包括用于允许所述配对体的暂时夹紧的夹紧机构，其中，所述配对体在所述配对体暂时夹紧过程中是导热连接的。

4.根据前述权利要求1至3之一的涂覆设备，其特征是，该导热机构(9)包括：

-至少一个屏蔽抬升板(9a)，其布置在该屏蔽板(2)的朝向相应被遮挡的被冷却室壁(1a)的内侧(1b)的一侧上的屏蔽接触面A处，和/或至少一个壁抬升板(9b)，其布置在相应被遮挡的被冷却室壁(1)的内侧(1b)上的壁接触面B处。

5.根据权利要求4的涂覆设备，其特征是，该导热机构(9)包括：

-热桥材料(9c)，其填充屏蔽接触面A和壁接触面B之间间隙(8)的未被屏蔽抬升板(9a)和/或壁抬升板(9b)占据的余部地布置，形成用于所述屏蔽接触面(A)与所述壁接触面(B)之间的导热传递用热界面。

6.根据前述权利要求1至4之一的涂覆设备，其特征是，该导热机构(9)包括：

-前后相继且紧密接触地布置的至少一个屏蔽抬升板(9a)和至少一个壁抬升板(9b)，形成允许所述可移除屏蔽板(2)与相应被遮挡的被冷却室壁(1)之间导热传递的热界面。

7.根据权利要求6的涂覆设备，其特征是，该导热机构(9)包括：

-热桥材料(9c)，其布置在紧密接触地布置以形成热界面的所述至少一个屏蔽抬升板(9a)和至少一个壁抬升板(9b)之间的接触面处。

8.根据权利要求5或7的涂覆设备，其特征是，该热桥材料(9c)是碳膜。

9.根据权利要求8的涂覆设备，其特征是，该碳膜是自粘性碳膜。

10.根据前述权利要求1至9之一的涂覆设备，其特征是，所述屏蔽抬升板(9a)是所述屏蔽板(2)的一部分和/或所述壁抬升板(9b)是所述被冷却室壁(1)的一部分。

11.根据权利要求4至7和10之一的涂覆设备，其特征是，所述屏蔽抬升板(9a,9b)能被设计成所述屏蔽板的一部分。

12.根据前述权利要求1至11之一的涂覆设备，其特征是，冷却流体被用于冷却所述室壁。

13.根据前述权利要求1至12之一的涂覆设备，其特征是，该间隙(8)在大约5毫米至约20毫米的范围内。

14.一种包括涂覆至少一个基材的步骤的方法，其特征是，该涂覆过程在根据前述权利要求1至13之一的设备中进行。

15.根据权利要求14的方法，其特征是，待涂覆的基材在涂覆过程中被保持在不高于200℃的温度。

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