CN111129758B - 一种宽带双极化锥形缝隙探头天线 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种宽带双极化锥形缝隙探头天线,包括十字交叉设置的第一辐射单元和第二辐射单元;所述第一辐射单元和第二辐射单元均为锥形渐变缝隙天线,每个锥形渐变缝隙天线具有两条直线斜边形成的锥形的渐变辐射缝隙。本申请采用直线斜边的锥形渐变缝隙天线,使天线的波束宽度增大,辐射方向图变得平滑无副瓣。因此相比于传统的波导探头天线,本申请的锥形缝隙探头天线具有结构简单、频带宽、双极化、隔离度低且重量轻等优势。在近场暗室中使用该宽带双极化锥形缝隙探头天线作为标准天线测量时,可以缩短测量时间、提高工程效率。
Description
技术领域
本申请涉及一种微波暗室(microwave anechoic chamber)测量领域中的探头天线(probe antenna),也简称为探头。
背景技术
随着天线测量技术的不断发展,探头天线在微波暗室测量领域得到了广泛应用。根据测试方式的不同,暗室测量技术分为远场(far field)测量、近场(near field)测量和紧缩场(compact antenna test range)测量。其中,远场测量技术通过远距离传播直接获得准平面波,这种技术占地空间大、基建成本高。紧缩场测量技术通过高精度的反射面天线实现准平面波,这种技术精度要求高、造价昂贵。近场测量技术通过近场数据采样、近-远场变换来获得被测天线的远场辐射特性,因其占地空间小、测试精度高、成本低而受到广泛关注。
近场测试中运用较为广泛的传统探头天线是矩形波导天线(waveguideantenna),其频带窄、极化单一,通过转动线极化(linear polarization)的波导探头实现双极化测量,导致测试步骤繁琐、效率低下,使其应用范围受到极大限制。
目前,还有利用双极化探头直接实现双极化近场测量。申请公布号为CN108767471A、申请公布日为2018年11月6日的中国发明专利申请《vivaldi天线》就公开了一种双极化天线,通过电阻加载实现了带宽的展宽,但同时降低了天线的辐射效率,并且这种实现方式尚不成熟。
为缩短测量时间、提高工程效率,近场测试中亟需一种能同时满足宽带、双极化、结构简单且生产成本低的探头天线。此外,为提高测试精度,双极化近场测试探头天线需具备较低的端口隔离度,且其辐射方向图(radiation pattern)在任意切面均需平滑无副瓣(side lobe)、无零深(null depth)。
发明内容
本申请所要解决的技术问题是提供一种结构简单的双极化锥形缝隙探头天线,具备频带宽、双极化、端口隔离度低、辐射方向图平滑无副瓣且造价低等优势,故可用作暗室近场测试***中的标准天线,从而缩短测量时间,提高测量效率。
为解决上述技术问题,本申请提供了一种宽带双极化锥形缝隙探头天线,包括十字交叉设置的第一辐射单元和第二辐射单元;所述第一辐射单元和第二辐射单元均为锥形渐变缝隙天线,每个锥形渐变缝隙天线具有两条直线斜边形成的锥形的渐变辐射缝隙。上述探头天线具有频带宽、双极化、结构简单、造价低等特点。
进一步地,所述宽带双极化锥形缝隙探头天线还包括天线罩,天线罩围在第一辐射单元和第二辐射单元的外侧,呈空心十字形状。天线罩增强了天线的稳定性和机械强度,避免了灰尘等环境因素的干扰。
进一步地,所述宽带双极化锥形缝隙探头天线,还包括法兰;法兰用于固定第一辐射单元和第二辐射单元。
进一步地,所述第一辐射单元依次由第一辐射贴片、第一介质基板、第一微带-带状馈线、第二介质基板、第二辐射贴片组合而成;第一辐射贴片印制在第一介质基板的正面;第一微带-带状馈线印制在第二介质基板的正面,第二辐射贴片印制在第二介质基板的反面。所述第二辐射单元依次由第三辐射贴片、第三介质基板、第二微带-带状馈线、第四介质基板、第四辐射贴片组合而成;第三辐射贴片印制在第三介质基板的正面;第二微带-带状馈线印制在第四介质基板的正面,第四辐射贴片印制在第四介质基板的反面。这里介绍了每个辐射单元的分层结构。每个辐射单元中都采用双层介质基板结构,抵消电场沿介质基板的纵向分量,提高了天线的交叉极化。
进一步地,每个辐射贴片上均具有渐变辐射缝隙、第一矩形缝隙、圆形缝隙和左右对称的第二矩形缝隙;其中,渐变辐射缝隙呈锥形,其两条斜边均为直线;渐变辐射缝隙、第一矩形缝隙和圆形缝隙依次相连;第二矩形缝隙位于每个辐射贴片的左下角和右下角。锥形渐变辐射缝隙易于获得较低的增益,使得天线在高频频点的波束宽度较宽,且锥形辐射缝隙边缘的电流分布较为连续,不易突变,使得天线的辐射方向图较为稳定,平滑无副瓣,不易出现零深等现象,同时提高了天线的半功率波束宽度。左右对称的第二矩形缝隙可以抑制辐射贴片后向的表面电流,从而提高天线的前后比。
进一步地,在第一辐射单元中,电磁信号通过第一微带-带状馈线的一端馈入,经第一缝隙耦合结构耦合至第一辐射贴片、第二辐射贴片,通过锥形的渐变辐射缝隙向外辐射;所述第一缝隙耦合结构由所述圆形缝隙、第一矩形缝隙及第一微带-带状馈线组成。在第二辐射单元中,电磁信号通过第二微带-带状馈线的一端馈入,经第二缝隙耦合结构耦合至第三辐射贴片、第四辐射贴片,通过锥形的渐变辐射缝隙向外辐射;所述第二缝隙耦合结构由所述圆形缝隙、第一矩形缝隙及第二微带-带状馈线组成。采用微带-带状馈线进行馈电,端口间的干扰小,易于实现较低的端口隔离度。
进一步地,在第一辐射贴片、第一介质基板、第二介质基板、第二辐射贴片的相对应位置开设有多个金属化过孔;金属化过孔设置在第一辐射贴片、第二辐射贴片的外缘四周。在第三辐射贴片、第三介质基板、第四介质基板、第四辐射贴片的相对应位置开设有多个金属化过孔;金属化过孔设置在第三辐射贴片、第四辐射贴片的外缘四周。金属化过孔避免了双层辐射贴片引起的平行板模式。
进一步地,在第一辐射贴片、第一介质基板的边缘相对应位置还具有第一长方体槽;该第一长方体槽与第一微带-带状馈线的一端有重合。在第三辐射贴片、第三介质基板的边缘相对应位置还具有第一长方体槽;该第一长方体槽与第二微带-带状馈线的一端有重合。第一长方体槽便于SMA连接器与微带-带状馈线的一端进行电性连接,例如采用焊接方式。
进一步地,在第一介质基板、第二介质基板的边缘相对应位置还具有第一装配槽;第一装配槽完整地落在由渐变辐射缝隙和第一矩形缝隙所组成的范围内。在第三辐射贴片、第三介质基板、第四介质基板、第四辐射贴片的边缘相对应位置还具有第二装配槽;第二装配槽与由渐变辐射缝隙、第一矩形缝隙和圆形缝隙所组成的结构相连,将第三辐射贴片、第四辐射贴片均分为左右两半。通过将第一装配槽与第二装配槽相互***,而使得第一辐射单元和第二辐射单元装配在一起呈现十字交叉。这是一种优选的装配实现方式。
进一步地,每个微带-带状馈线均由梯形结构、矩形结构和扇形结构依次连接组成;矩形结构与梯形结构呈直角连接;矩形结构跨越了第一矩形缝隙,但与第一装配槽或第二装配槽均没有重合。这里介绍了每个微带-带状馈线的分段结构。
进一步地,所述法兰上开设有过孔;SMA连接器通过过孔固定在法兰上,SMA连接器的内芯与微带-带状馈线的一端电性连接,给天线馈电。这是一种优选的SMA连接器设置方式。
渐变缝隙天线是一种通过渐变缝隙辐射电磁波的行波端射天线,频带宽且结构简单,但其辐射方向图易出现零深现象且波束宽度较窄。本申请采用直线斜边的锥形渐变缝隙天线,使天线的波束宽度增大,辐射方向图变得平滑无副瓣。因此相比于传统的波导探头天线,本申请的锥形缝隙探头天线具有结构简单、频带宽、双极化、隔离度低且重量轻等优势。在近场暗室中使用该宽带双极化锥形缝隙探头天线作为标准天线测量时,可以缩短测量时间、提高工程效率。
附图说明
图1是本申请宽带双极化锥形缝隙探头天线的分解结构示意图。
图2是本申请宽带双极化锥形缝隙探头天线的横截面俯视示意图。
图3是第一辐射单元的分解结构示意图。
图4是第一辐射单元的整体结构俯视示意图。
图5是第二辐射单元的分解结构示意图。
图6是第二辐射单元的整体结构俯视示意图。
图7是本申请宽带双极化锥形缝隙探头天线的电压驻波比曲线图。
图8是本申请宽带双极化锥形缝隙探头天线的端口隔离度曲图。
图9是本申请宽带双极化锥形缝隙探头天线的交叉极化曲线图。
图10是本申请宽带双极化锥形缝隙探头天线的增益曲线图。
图11是第一辐射单元工作在6GHz时以30°为步进各切面的辐射方向图。
图12是第二辐射单元工作在6GHz时以30°为步进各切面的辐射方向图。
图中附图标记说明:100为第一辐射单元;110为第一辐射贴片;111为渐变辐射缝隙;112为第一矩形缝隙;113为圆形缝隙;114为第二矩形缝隙;120为第一介质基板;121为金属化过孔;122为第一长方体槽;123为第一装配槽;130为微带-带状馈线;131为梯形结构;132为矩形结构;133为扇形结构;140为第二介质基板;150为第二辐射贴片;200为第二辐射单元;210为第三辐射贴片;220为第三介质基板;222为第二装配槽;230为第二微带-带状馈线;240为第三介质基板;250为第四辐射贴片;300为天线罩;400为法兰;410为过孔。
具体实施方式
请参阅图1和图2,这是本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线。所述探头天线包括第一辐射单元100、第二辐射单元200、天线罩300和法兰400。第一辐射单元100和第二辐射单元200均为锥形渐变缝隙天线,两者装配在一起呈十字交叉,图1中对这部分采用了透视画法。天线罩300围在第一辐射单元100和第二辐射单元200的外侧,天线罩300的横截面为空心十字形状。法兰400用于固定第一辐射单元100和第二辐射单元200。
请参阅图3和图4,所述第一辐射单元100依次由第一辐射贴片110、第一介质基板120、第一微带-带状馈线130、第二介质基板140、第二辐射贴片150组合而成。第一辐射贴片110印制在第一介质基板120的正面。第一微带-带状馈线130印制在第二介质基板140的正面,第二辐射贴片150印制在第二介质基板140的反面。所述第一辐射贴片110与第一微带-带状馈线130之间、所述第二辐射贴片150与第一微带-带状馈线130之间均通过第一缝隙耦合结构电性连接。电磁信号通过第一微带-带状馈线130的一端馈入,经第一缝隙耦合结构耦合至第一辐射贴片110、第二辐射贴片150向外辐射。
所述第一辐射贴片110、第二辐射贴片150的相对应位置分别具有渐变辐射缝隙111、第一矩形缝隙112、圆形缝隙113和左右对称的第二矩形缝隙114。其中,渐变辐射缝隙111呈锥形,其两条斜边均为直线。渐变辐射缝隙111、第一矩形缝隙112和圆形缝隙113依次相连。第二矩形缝隙114位于第一辐射贴片110、第二辐射贴片150的左下角和右下角。圆形缝隙113、第一矩形缝隙112及第一微带-带状馈线130组成了第一缝隙耦合结构。
在第一辐射贴片110、第一介质基板120、第二介质基板140、第二辐射贴片150的相对应位置开设有多个金属化过孔121。金属化过孔121大致沿着第一辐射贴片110、第二辐射贴片150的外缘一周分布,特别是沿着所述缝隙耦合结构的边缘以及第一微带-带状馈线130的边缘分布。
在第一辐射贴片110、第一介质基板120的边缘相对应位置还具有第一长方体槽122。在第二介质基板140、第二辐射贴片150的边缘位置不具有该第一长方体槽。该第一长方体槽122与第一微带-带状馈线130的一端有重合。因此第二介质基板140可用于印制第一微带-带状馈线130,而第一介质基板120不能用于印制第一微带-带状馈线130。第一微带-带状馈线130的末端不超出第二介质基板140的边缘。
在第一介质基板120、第二介质基板140的边缘相对应位置还具有第一装配槽123,例如呈矩形。第一装配槽123完整地落在由渐变辐射缝隙111和第一矩形缝隙112所组成的范围内。
所述第一微带-带状馈线130由梯形结构131、矩形结构132和扇形结构133依次连接组成。梯形结构131的较大一端位于边缘位置,且与所述第一长方体槽122有重合;梯形结构131的较小一端位于中央位置。矩形结构132与梯形结构131的较小一端大致呈直角连接。矩形结构132跨越了第一矩形缝隙112,但与第一装配槽123没有重合。扇形结构133的较小一端与矩形结构132的连接位置大致在所述第一矩形缝隙112的一侧边缘。
请参阅图5和图6,所述第二辐射单元200依次由第三辐射贴片210、第三介质基板220、第二微带-带状馈线230、第四介质基板240、第四辐射贴片250组合而成。第三辐射贴片210印制在第三介质基板220的正面。第二微带-带状馈线230印制在第四介质基板240的正面,第四辐射贴片250印制在第四介质基板240的反面。所述第三辐射贴片210与第二微带-带状馈线230之间、所述第四辐射贴片250与第二微带-带状馈线230之间均通过第二缝隙耦合结构电性连接。电磁信号通过第二微带-带状馈线230的一端馈入,经第二缝隙耦合结构耦合至第三辐射贴片210、第四辐射贴片250向外辐射。
所述第三辐射贴片210、第四辐射贴片250的相对应位置分别具有渐变辐射缝隙111、第一矩形缝隙112、圆形缝隙113和左右对称的第二矩形缝隙114。其中,渐变辐射缝隙111呈锥形,其两条斜边均为直线。渐变辐射缝隙111、第一矩形缝隙112和圆形缝隙113依次相连。第二矩形缝隙114位于第三辐射贴片210、第四辐射贴片250的左下角和右下角。圆形缝隙113、第一矩形缝隙112及第二微带-带状馈线230组成了第二缝隙耦合结构。
在第三辐射贴片210、第三介质基板220、第四介质基板240、第四辐射贴片250的相对应位置开设有多个金属化过孔121。金属化过孔121大致沿着第三辐射贴片210、第四辐射贴片250的外缘一周分布,特别是沿着所述缝隙耦合结构的边缘以及第二微带-带状馈线230的边缘分布。
在第三辐射贴片210、第三介质基板220的边缘相对应位置还具有第一长方体槽122。在第四介质基板240、第四辐射贴片250的边缘位置不具有该第一长方体槽。该第一长方体槽122与第二微带-带状馈线230的一端有重合。因此第四介质基板240可用于印制第二微带-带状馈线230,而第三介质基板220不能用于印制第二微带-带状馈线230。第二微带-带状馈线230的末端不超出第四介质基板240的边缘。
在第三辐射贴片210、第三介质基板220、第四介质基板240、第四辐射贴片250的边缘相对应位置还具有第二装配槽222,例如呈矩形。第二装配槽222与由渐变辐射缝隙111、第一矩形缝隙112和圆形缝隙113所组成的结构相连,构成一条上下贯穿的长缝隙。第三辐射贴片210、第四辐射贴片250均被这条长缝隙分为左右两半。
所述第二微带-带状馈线230由梯形结构131、矩形结构132和扇形结构133依次连接组成。梯形结构131的较大一端位于边缘位置,且与所述第一长方体槽122有重合;梯形结构131的较小一端位于中央位置。矩形结构132与梯形结构131的较小一端大致呈直角连接。矩形结构132跨越了第一矩形缝隙112,但与第二装配槽222没有重合。扇形结构133的较小一端与矩形结构132的连接位置大致在所述第一矩形缝隙112的一侧边缘。
比较图3至图6可知,第一辐射单元100与第二辐射单元200的整体结构大致相同,区别仅在于第一辐射单元100上具有第一装配槽123,而第二辐射单元200上具有第二装配槽222。第一装配槽123与第二装配槽222的长度之和为介质基板的高度,也就是辐射单元的高度。第一装配槽123与第二装配槽222的厚度均略大于辐射单元的厚度。通过将第一装配槽123与第二装配槽222相互***,而使得第一辐射单元100和第二辐射单元200装配在一起呈现十字交叉结构。为了避免两个辐射单元上的微带-带状馈线交叉重合,将第二辐射单元200向上移动例如1mm,并于第一辐射单元100的上方和第二辐射单元200的下方补充介质基板,使两个辐射单元对齐。
所述法兰400上开设有过孔410,例如为圆形。过孔410的位置分别对应于第一辐射单元100、第二辐射单元200的第一长方体槽122的位置。圆形扩孔410的直径略大于微带-带状馈线130、230的宽度。SMA(SubMiniature version A,超小型版本A)连接器通过过孔410固定在法兰上,SMA连接器的内芯与微带-带状馈线130、230的一端电性连接,给天线馈电。
上述宽带双极化锥形缝隙探头天线的工作原理为:在第一辐射单元100中,通过第一微带-带状馈线130的一端输入电磁信号,信号通过圆形缝隙113、第一矩形缝隙112及第一微带-带状馈线130组成的缝隙耦合结构,耦合到第一辐射贴片110和第二辐射贴片150上后,通过锥形渐变缝隙111向自由空间辐射。在第二辐射单元200中,通过第二微带-带状馈线230的一端输入电磁信号,信号通过圆形缝隙113、第一矩形缝隙112及第二微带-带状馈线230组成的缝隙耦合结构,耦合到第三辐射贴片210和第四辐射贴片250上后,通过锥形渐变缝隙111向自由空间辐射。
请参阅图7,这是本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线的电压驻波比仿真结果。从图中可看出,第一辐射单元和第二辐射单元的工作频率均为1.5Ghz至6GHz,电压驻波比≤2的阻抗相对带宽达到120%。
请参阅图8,这是本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线的端口隔离度仿真结果。从图中可以看出,该天线两个端口间的隔离度在1.5GHz至2GHz的频带内低于-35dB,在2GHz至6GHz的频带内低于-40dB。
请参阅图9,这是本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线的交叉极化仿真结果。从图中可以看出,第一辐射单元和第二辐射单元在1.5GHz至6GHz的工作频带内的交叉极化均高于30dB。
请参阅图10,这是本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线的增益仿真结果。从图中可以看出,第一辐射单元和第二辐射单元在1.5GHz至6GHz的工作频带内的增益为2.0至6.8dBi。
请参阅图11和12,它们分别是本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线中第一辐射单元、第二辐射单元工作在6GHz时的辐射方向图仿真结果。从图中可以看出,第一辐射单元和第二辐射单元的辐射方向图在各个切面±90°范围内平滑无副瓣、无零深,且半功率波束宽度均大于±30°。
本申请提供的宽带双极化锥形缝隙探头天线具有如下有益效果。
第一,本申请采用十字交叉设置的两个锥形渐变缝隙天线,具有结构简单、频带宽、双极化且造价低等优势,可大幅度缩短天线测量时间、提高测量效率。
第二,每个辐射单元中都采用锥形渐变辐射缝隙111。锥形渐变辐射缝隙易于获得较低的增益,使得天线在高频频点的波束宽度较宽,且锥形辐射缝隙边缘的电流分布较为连续,不易突变,使得天线的辐射方向图较为稳定,平滑无副瓣,不易出现零深等现象,同时提高了天线的半功率波束宽度。
申请公布号为CN108767471A、申请公布日为2018年11月6日的中国发明专利申请《vivaldi天线》中,辐射贴片内边缘为指数渐变曲线。而本申请辐射贴片的内边缘为斜边直线,即锥形渐变直线,与之不同。与指数渐变曲线相比,锥形渐变直线更有利于提高天线在高频频点的波束宽度。其次,锥形渐变缝隙边缘的电流分布更加连续,使得天线的辐射方向图更加稳定。
第三,每个辐射贴片上都开设有左右对称的第二矩形缝隙114。第二矩形缝隙可以抑制辐射贴片后向的表面电流,从而提高天线的前后比。
第四,每个辐射单元中都采用微带-带状馈线130、230进行馈电,端口间的干扰小,易于实现较低的端口隔离度。
第五,每个辐射单元中都采用双层介质基板结构,抵消电场沿介质基板的纵向分量,提高了天线的交叉极化。
第六,每个辐射单元中都在介质基板和辐射贴片边缘四周开设金属化过孔121,避免了双层辐射贴片引起的平行板模式。为了保证天线工作在主模(main mode),必须抑制双层金属贴片产生的高次模(higher order mode),即平行板模式,所以加载金属化过孔。
第七,本申请采用空心十字结构的天线罩300,增强了天线的稳定性和机械强度,避免了灰尘等环境因素的干扰。
以上仅为本申请的优选实施例,并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,包括十字交叉设置的第一辐射单元和第二辐射单元;所述第一辐射单元和第二辐射单元均为锥形渐变缝隙天线,每个锥形渐变缝隙天线具有两条直线斜边形成的锥形的渐变辐射缝隙;
所述第一辐射单元依次由第一辐射贴片、第一介质基板、第一微带-带状馈线、第二介质基板、第二辐射贴片组合而成;第一辐射贴片印制在第一介质基板的正面;第一微带-带状馈线印制在第二介质基板的正面,第二辐射贴片印制在第二介质基板的反面;在第一辐射贴片、第一介质基板、第二介质基板、第二辐射贴片的相对应位置开设有多个金属化过孔;金属化过孔设置在第一辐射贴片、第二辐射贴片的外缘四周;
所述第二辐射单元依次由第三辐射贴片、第三介质基板、第二微带-带状馈线、第四介质基板、第四辐射贴片组合而成;第三辐射贴片印制在第三介质基板的正面;第二微带-带状馈线印制在第四介质基板的正面,第四辐射贴片印制在第四介质基板的反面;在第三辐射贴片、第三介质基板、第四介质基板、第四辐射贴片的相对应位置开设有多个金属化过孔;金属化过孔设置在第三辐射贴片、第四辐射贴片的外缘四周;
每个辐射贴片上均具有第二矩形缝隙;第二矩形缝隙仅在每个辐射贴片的左下角和右下角且在每个辐射贴片上呈左右对称。
2.根据权利要求1所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,还包括天线罩,天线罩围在第一辐射单元和第二辐射单元的外侧,呈空心十字形状。
3.根据权利要求1所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,还包括法兰;法兰用于固定第一辐射单元和第二辐射单元。
4.根据权利要求1所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,每个辐射贴片上均具有依次相连的渐变辐射缝隙、第一矩形缝隙和圆形缝隙;其中,渐变辐射缝隙呈锥形,其两条斜边均为直线。
5.根据权利要求4所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,在第一辐射单元中,电磁信号通过第一微带-带状馈线的一端馈入,经第一缝隙耦合结构耦合至第一辐射贴片、第二辐射贴片,通过锥形的渐变辐射缝隙向外辐射;所述第一缝隙耦合结构由所述圆形缝隙、第一矩形缝隙及第一微带-带状馈线组成;
在第二辐射单元中,电磁信号通过第二微带-带状馈线的一端馈入,经第二缝隙耦合结构耦合至第三辐射贴片、第四辐射贴片,通过锥形的渐变辐射缝隙向外辐射;所述第二缝隙耦合结构由所述圆形缝隙、第一矩形缝隙及第二微带-带状馈线组成。
6.根据权利要求1所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,在第一辐射贴片、第一介质基板的边缘相对应位置还具有第一长方体槽;该第一长方体槽与第一微带-带状馈线的一端有重合;
在第三辐射贴片、第三介质基板的边缘相对应位置还具有第一长方体槽;该第一长方体槽与第二微带-带状馈线的一端有重合。
7.根据权利要求4所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,在第一介质基板、第二介质基板的边缘相对应位置还具有第一装配槽;第一装配槽完整地落在由渐变辐射缝隙和第一矩形缝隙所组成的范围内;
在第三辐射贴片、第三介质基板、第四介质基板、第四辐射贴片的边缘相对应位置还具有第二装配槽;第二装配槽与由渐变辐射缝隙、第一矩形缝隙和圆形缝隙所组成的结构相连,将第三辐射贴片、第四辐射贴片均分为左右两半;
通过将第一装配槽与第二装配槽相互***,而使得第一辐射单元和第二辐射单元装配在一起呈现十字交叉。
8.根据权利要求7所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,每个微带-带状馈线均由梯形结构、矩形结构和扇形结构依次连接组成;矩形结构与梯形结构呈直角连接;矩形结构跨越了第一矩形缝隙,但与第一装配槽或第二装配槽均没有重合。
9.根据权利要求3所述的宽带双极化锥形缝隙探头天线,其特征是,所述法兰上开设有过孔;SMA连接器通过过孔固定在法兰上,SMA连接器的内芯与微带-带状馈线的一端电性连接,给天线馈电。
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