CN111118458A - 腔室清洁方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种腔室清洁方法及装置，该腔室清洁方法包括：S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；S2、判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对所述工艺腔室进行清洁；若否，则待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。应用本发明既可实现工艺腔室的自动清洁、减少工作人员对腔室进行维护的工作负担，也能保证同批次晶圆的工艺结果一致性。

Description

腔室清洁方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种腔室清洁方法及装置。

背景技术

在集成电路制备过程中，由于副产物会污染工艺腔室，使工艺腔室环境达不到工艺条件，为了保证机台的正常运转和月产量，通常会对工艺腔室进行定期或不定期的清理。

现有技术中，机台控制设备能够基于工艺腔室内的靶材消耗增量对工艺腔室进行自动清洁，通常是当某工艺腔室内的靶材消耗增量达到预设阈值时立即对腔室进行清理，在清洁过程中，晶圆不能进入该腔室执行工艺，只能等待清洁完成后再执行工艺。如此，若进行清理前，一个批次的晶圆尚未都进行工艺处理，则未执行工艺的晶圆需要等待清洁完成，这样将无法保证同一批次晶圆性能的一致性；且若清洁耗时较长，还可能会导致该批次晶圆排队超时，最终影响工艺结果，甚至导致晶圆报废等。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室清洁方法及装置。

为实现本发明的目的，一方面提供一种腔室清洁方法，包括：

S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤 S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；

S2、判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对所述工艺腔室进行清洁；若否，则待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。

可选地，所述方法还包括：

S3、当待处理晶圆进入载料位时，判断所述待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，若是，则允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；若否，则执行步骤S4；

S4、判断所述工艺腔室是否具有清洁标记或者为不可用状态，若是，则不允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；若否，则允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室。

可选地，所述判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆之后，还包括：

为所述满足预设的清洁条件的工艺腔室进行下线标记。

可选地，对所述工艺腔室开始进行清洁之后，还包括：

将所述待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的所述工艺腔室的下线标记更改为在线标记。

可选地，对所述工艺腔室进行清洁之后，还包括：

将所述工艺腔室的清洁条件重置为初始状态。

可选地，所述满足预设的清洁条件包括：

工艺腔室内靶材消耗增量大于等于预设阈值。

为实现本发明的目的，另一方面提供一种腔室清洁装置，包括第一判断模块和清洁模块，其中：

所述第一判断模块用于，当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；

所述标记模块用于，对满足预设的清洁条件的工艺腔室进行待清洁标记。

所述清洁模块用于，待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。

可选地，还包括第二判断模块和执行模块，其中：

所述第二判断模块用于，当待处理晶圆进入载料位时，判断所述待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆；若否，则判断所述工艺腔室是否具有清洁标记或者为不可用状态；

所述执行模块用于，在所述待处理晶圆不是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，或者所述待处理晶圆为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，但具有可用工艺腔室时，允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；在所述待处理晶圆是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，且没有可用工艺腔室时，不允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；其中，所述可用工艺腔室包括在线工艺腔室和没有清洁标记的工艺腔室。

可选地，所述标记模块还用于，为所述满足预设的清洁条件的工艺腔室进行下线标记，待工艺腔室完成清洗后将所述待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的所述工艺腔室的下线标记更改为在线标记。

可选地，还包括重置模块，所述重置模块用于，

在所述工艺腔室进行清洁之后，将所述工艺腔室的清洁条件重置为初始状态。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的腔室清洁方法，当有目标晶圆完成工艺处理并离开工艺腔室之后，对该工艺腔室是否满足预设的清洁条件进行判断，在该工艺腔室满足了预设的清洁条件时，可以不立刻对工艺腔室进行清洁，而是先只对工艺腔室进行待清洁标记，以区分满足预设的清洁条件的工艺腔室和同类型的其它可用的工艺腔室。然后确定与目标晶圆同批次的晶圆是否均已完成该工艺处理并离开该工艺腔室，然后可以在确定了同批次的晶圆都进行完工艺处理且离开工艺腔室之后，再对工艺腔室进行清洁，如此，便可保证同批次晶圆的工艺结果一致性；同时，也实现了工艺腔室的自动清洁，减少了工作人员对腔室进行维护的工作负担。

附图说明

图1为本申请实施例中的机台结构示意图；

图2为本申请实施例提供的腔室清洁方法的流程图一；

图3为本申请实施例提供的出片控制的流程图；

图4为本申请实施例提供的腔室清洁方法的流程图二。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和 /或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本实施例提供一种腔室清洁方法，可应用于半导体设备的腔室控制***，该腔室控制***可用于对如图1所示的机台内的工艺腔室进行控制管理。晶圆在图1所示的机台内进行工艺处理时，先从载料位1进入机台，在前端处理腔室2进行工艺前处理，然后依次经过真空转换通道3和真空传送腔室4，从真空传送腔室4进入真正进行工艺处理的工艺腔室5。其中，工艺腔室5可以理解为在集成电路制造过程中，在腔室内进行工艺处理，产生的副产物会造成腔室污染的工艺腔室。对工艺腔室5进行控制管理包括但不限于对工艺腔室5内的晶圆进行管理控制和对工艺腔室5进行自动清洁等。清洁的具体实施方式可以理解为现有技术中任一种形式的腔室清洁方式，如向腔室内通入气体，对腔室进行吹扫或换气；或者对腔室内壁进行擦拭、洗涤等。应用本实施例提供的腔室清洁方法，当有工艺腔室5需要清洁时，可以在确定了同批次的晶圆都进行完工艺处理且离开工艺腔室5之后，再对工艺腔室5进行清洁，保证了同批次内的晶圆工艺结果的一致性。

如图2所示，为本实施例提供的腔室清洁方法的流程图一，该方法可以包括以下步骤：

步骤S1，当目标晶圆离开工艺腔室5，判断工艺腔室5是否满足预设的清洁条件，若是，则对工艺腔室5进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开工艺腔室5后，继续判断工艺腔室5是否满足预设的清洁条件。

其中，目标晶圆可以是机台内的任意晶圆，可以是一片也可以是多片，在此只是指代某时刻离开工艺腔室5的晶圆，并不是对特定晶圆的限制。工艺腔室5可以包括一个也可以包括多个。清洁条件可以理解为达到需要清洁状态的条件，本领域技术人员可以根据实际应用过程中能够表征工艺腔室5清洁程度的指标在***内自行设置。

在本实施例中，腔室控制***可对机台内的所有晶圆进行监控，监控晶圆在机台内的分布状态，当发现有目标晶圆进行完相应的工艺处理(可以是在工艺腔室5中进行的任意工艺处理过程)并离开工艺腔室5之后，腔室控制***则可以根据预设的清洁条件，确定目标晶圆离开的工艺腔室5是否满足预设的清洁条件。如果目标晶圆离开的工艺腔室5不满足预设的清洁条件，可以对满足预设的清洁条件的工艺腔室5进行待清洁标记，以便在具有两个及以上工艺腔室5时，若一个工艺腔室5满足预设的清洁条件，而其它同类型的工艺腔室5 是可用(不满足预设的清洁条件)的，可以根据工艺腔室5的标记区分满足预设的清洁条件的工艺腔室5和同类型的其它可用的工艺腔室5，便于腔室控制***根据该标记对待处理晶圆进行下文中的出片控制和针对不同工艺腔室5进行晶圆的分配，以使后续的待处理晶圆直接进入其它可用的工艺腔室5，可避免晶圆在满足预设的清洁条件的工艺腔室5或正在进行清洁的工艺腔室5处进行排队等待，从而便于对晶圆的工艺处理进行控制，节省晶圆等待处理的时间等。在对工艺腔室5进行待清洁标记之后，可以继续执行步骤S2。

如果目标晶圆离开的工艺腔室5不满足预设的清洁条件，则可以终止针对该目标晶圆的后续步骤，然后在下一片目标晶圆离开工艺腔室后，继续判断工艺腔室5是否满足预设的清洁条件。具体地，标记的形式可以但不限于，为每个工艺腔室5增加“待清洁”字样的标记，若标记对应是，则表示待清洁；若标记对应否，则表示无需清洁。控制***可以直接根据工艺腔室5的标记进行出片控制，而无需再对工艺腔室5的清洁程度及是否可用进行判断，加快了腔室控制***进行出片控制的反应速度，缩短了进行出片控制的反应时间，从而可以提高腔室进行自动清洁的效率。需要说明的是，对晶圆进行监控的可以是腔室控制***，也可以是单独设置的监控***，只要腔室控制***能够获取到晶圆的监控数据即可。

可选地，腔室控制***可以基于批次对是否允许晶圆离开载料位1进入工艺腔室5进行管理，相应的，如图3所示，该腔室清洁方法还可以包括如下的处理：步骤S3、当待处理晶圆进入载料位1时，判断待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，若是，则执行步骤S4；若否，则允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室 5；步骤S4、判断工艺腔室5是否具有清洁标记或者所有工艺腔室5 均不可用，若是，则不允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室5；若否，则允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室5。。

其中，载料位1可以理解为晶圆进出机台的进出口，可以但不限于是上(下)料台和装载卸载腔室。工艺腔室5不可用可以但不限于是工艺腔室5正在清洁或腔室未达到工艺条件等。

在本实施例中，当腔室控制***监测到有待处理晶圆进入载料位1时，可以令待处理晶圆不直接离开载料位1进入机台，而是先进行出片(晶圆离开载料位1进入机台)控制，通过出片控制确定是否允许待处理晶圆离开载料位1进入机台。该出片控制的过程可以如下：腔室控制***根据所有晶圆的分布状态，确定机台内是否有与待处理晶圆同批次号的晶圆，从而判断待处理晶圆是不是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，如果机台内有与待处理晶圆同批次号的晶圆，则待处理晶圆不是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，则可以确定允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室5。

如果机台内没有与待处理晶圆同批次号的晶圆，则待处理晶圆是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，则可以根据工艺腔室5的清洁程度和当前时刻工艺腔室5是否可用，来判断是否允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室5，且当任一工艺腔室5满足预设的清洁条件，即具有待清洁标记，或者所有的工艺腔室5均不可用时，不允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室5。工艺腔室5满足预设的清洁条件时不允许新批次的晶圆离开载料位1进入工艺腔室5，便于基于批次对晶圆进行出片控制，可以避免晶圆一直出片，导致在工艺腔室5满足预设的清洁条件之后，等待同批次晶圆都离开工艺腔室5 的等待时间过长等情况。在所有的工艺腔室5均不可用时不允许待处理晶圆离开载料位1进入工艺腔室5，可以避免由于工艺腔室5的清洁耗时较长，可能导致有排队时限的批次超时，最终影响晶圆的工艺结果，甚至导致晶圆报废等。

可选地，预设的清洁条件可以包括但不限于是工艺腔室5内靶材消耗增量大于等于预设阈值。

在本实施例中，若工艺腔室5为进行溅射镀膜处理的腔室，腔室控制***还可以对工艺腔室5内的靶材进行监控，当工艺腔室5 被污染后，腔室内壁可以吸附更多的靶材离子，则进行工艺处理时会消耗更多的靶材，所以工艺腔室5内靶材的消耗量可以作为表征工艺腔室5清洁程度的指标，当腔室控制***监控到靶材的消耗量大于等于预设阈值时，便可确定该工艺腔室5已满足预设的清洁条件。由上可知，靶材的消耗量与工艺腔室5的清洁程度有明显的关联关系，将预设的清洁条件设置为工艺腔室5内靶材消耗增量大于等于预设阈值，可以更加准确地判断出工艺腔室5的清洁程度，更便于腔室控制***对工艺腔室5进行管理和维护。当然，预设的清洁条件也可以是其它判断条件，如设定进行了预设次数或时长的工艺处理后就表明满足预设的清洁条件，即本实施例对预设的清洁条件不做具体限定。

步骤S2，断目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对工艺腔室5进行清洁；若否，则待目标批次中的最后一片晶圆离开工艺腔室5之后，对工艺腔室5进行清洁。

其中，目标批次可以理解为目标晶圆所属的批次，实际生产过程中，可以给同一批次的晶圆设置相同的批次号，控制***可通过批次号对同一批次的晶圆进行管理。

在本实施例中，腔室控制***根据预设的清洁条件，确定了目标晶圆离开的工艺腔室5已经满足预设的清洁条件之后，不立刻对工艺腔室5进行清洁，而是先根据所有晶圆的分布状态，确定目标晶圆对应的目标批次中的所有晶圆是否均已完成工艺处理且离开工艺腔室5，腔室控制***若确定目标晶圆对应的目标批次中的所有晶圆均已离开工艺腔室5，则可以立即对工艺腔室5进行清洁。若目标批次中还有未离开工艺腔室5的晶圆，腔室控制***则根据机台内所有晶圆的分布状态，每当有目标晶圆完成工艺处理离开工艺腔室5后，就对所有晶圆的分布状态进行确定，直至确定了目标批次中的所有晶圆均离开工艺腔室5之后，可以对工艺腔室5进行清洁。从而可以避免在工艺腔室5满足预设的清洁条件后，立刻对工艺腔室5进行清洁造成的同批次晶圆工艺条件不一致的情况。需要说明的是，清洁的具体实施方式可以理解为现有技术中任一种形式的腔室清洁方式，如向腔室内通入气体，对腔室进行吹扫或换气；或者对腔室内壁进行擦拭、洗涤等。

可选地，当确定要对某工艺腔室5进行清洁时，可以为该工艺腔室5的状态设为下线状态，相应的，如图4所示，判断目标晶圆为对应目标批次中的最后一片晶圆之后，还可以包括步骤5：为满足预设的清洁条件的工艺腔室5进行下线状标记。

其中，下线可以理解为工艺腔室5处于不可用状态，腔室控制***可以设置在工艺腔室5为下线状态时默认不允许晶圆进入。

在本实施例中，当同批次的晶圆未全部完成工艺处理并离开工艺腔室5时，为了保证同批次晶圆的工艺一致性，即使该工艺腔室5 满足预设的清洁条件，仍然允许该批次的待处理晶圆进入该工艺腔室 5，所以，可以在确定了目标晶圆对应的目标批次中的所有晶圆均已离开工艺腔室5之后，既确定能够立刻对满足预设的清洁条件的该工艺腔室5进行清洁时，为该可以立刻清洗的工艺腔室5进行下线状标记，当腔室控制***读取到该工艺腔室5的标记后，可以根据工艺腔室5的状态对机台内的所有晶圆进行合理的管理。具体地，可以是为工艺腔室5增加下线字样。

可选地，为了进一步便于出片控制，相应的，对工艺腔室5开始进行清洁之后，还可以包括步骤S6：将待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的工艺腔室5的下线标记更改为在线标记。

在本实施例中，在基于上文中的出片控制原理基础上，为了在具有多个同类型的工艺腔室5的情况下，进一步便于对各批次的晶圆进行出片控制，可以在工艺腔室5开始进行清洁之后，将待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的工艺腔室5的下线标记更改为在线标记，如此，当工艺腔室5完成清洁后，腔室控制***可以直接通过读取其标记便可确定工艺腔室5的状态，继而根据工艺腔室5 的标记和状态进行出片控制。在工艺腔室5开始进行清洁之后，将待清洁标记更改为无需清洁标记，可以避免由于工艺腔室5一直显示需要清洁标记，而导致腔室控制***在有其它同类型工艺腔室5可用的状态下也不允许新批次的晶圆离开载料位1进入工艺腔室5的情况，使得在有其它同类型工艺腔室5可用的状态下，能够允许新批次的晶圆离开载料位1进入工艺腔室5。具体地，可以将清洁完成的工艺腔室5的下线字样更改为上线字样。

可选地，腔室控制***可以采用多线程实现该腔室清洁方法，相应的，对工艺腔室5进行清洁时可以采用异步处理的方式进行清洁。

其中，异步处理可以理解为采用两个线程分别进行具体的腔室清洁过程和确定工艺腔室5是否需要清洁的过程。

在本实施例中，腔室控制***启动后，每当有晶圆完成工艺处理离开工艺腔室5后，就可以对该工艺腔室5进行是否需要清洁的确定过程，若确定需要清洁完后，该线程在同批次晶圆均离开工艺腔室 5后直接进行工艺腔室5的清洁过程，由于腔室清洁时间较长，则可能需要开启多个(与离开工艺腔室5的晶圆相同数量个)线程对工艺腔室5进行是否需要清洁的确定过程。采用异步处理的方式进行清洁，对该工艺腔室5进行是否需要清洁的确定时间比较短，整个腔室清洁方法的实现过程可以采用较少的线程去处理，从而可以加快腔室清洁方法的处理过程，还可以降低腔室控制***的***资源使用量。具体地，可以在进行具体的腔室清洁过程的线程启动后，将该工艺腔室5的状态设置为在线状态。

可选地，为了更好地实现工艺腔室5的自动清洁，对工艺腔室5 进行清洁之后，还可以包括如下的处理：将工艺腔室5的清洁条件重置为初始状态。

其中，初始状态可以理解为工艺腔室5的清洁程度较高时，即不需要清洁的状态，如工艺腔室5内靶材消耗增量为0或其它较小的数值，或者将累计工艺处理次数或时长重置为0或其它较小的数值。

在本实施例中，当完成腔室清洁之后，可以将工艺腔室5的清洁条件重置为初始状态，以便更好地记录工艺腔室5的实时清洁程度，可以准确地判断出工艺腔室5的清洁程度，以便更好地实现对工艺腔室5的自动清洁功能。

本实施例提供的腔室清洁方法，当有目标晶圆完成工艺处理并离开工艺腔室5之后，对该工艺腔室5是否满足预设的清洁条件进行判断，在该工艺腔室5满足了预设的清洁条件时，可以不立刻对工艺腔室5进行清洁，而是先只对工艺腔室5进行待清洁标记，以区分满足预设的清洁条件的工艺腔室5和同类型的其它可用的工艺腔室5。然后确定与目标晶圆同批次的晶圆是否均已完成该工艺处理并离开该工艺腔室5，然后可以在确定了同批次的晶圆都进行完工艺处理且离开工艺腔室5之后，再对工艺腔室5进行清洁，如此，便可保证同批次晶圆的工艺结果一致性；同时，还可实现工艺腔室5的自动清洁，减少了工作人员对腔室进行维护的工作负担。

基于上述腔室清洁方法相同的发明构思，本实施例还提供一种腔室清洁装置，包括第一判断模块、标记模块及清洁模块，其中：

第一判断模块用于，当目标晶圆离开工艺腔室5，判断工艺腔室 5是否满足预设的清洁条件，若是，则判断目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若否，则在下一片目标晶圆离开工艺腔室5 后，继续判断工艺腔室5是否满足预设的清洁条件；

标记模块用于，对满足预设的清洁条件的工艺腔室进行待清洁标记；

清洁模块用于，待目标批次中的最后一片晶圆离开工艺腔室5 之后，对工艺腔室5进行清洁。

可选地，腔室清洁装置还包括第二判断模块和执行模块，其中：

第二判断模块用于，当待处理晶圆进入载料位时，判断待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆；若否，则判断工艺腔室5是否具有清洁标记或者为不可用状态；

执行模块用于，在待处理晶圆不是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，或者待处理晶圆为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，但具有可用工艺腔室5时，允许待处理晶圆离开载料位进入工艺腔室5；在待处理晶圆是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，且没有可用工艺腔室5时，不允许待处理晶圆离开载料位进入工艺腔室5；其中，可用工艺腔室包括在线工艺腔室和没有清洁标记的工艺腔室。

可选地，标记模块还用于，为满足预设的清洁条件的工艺腔室5 进行下线标记，待工艺腔室完成清洗后将所述待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的所述工艺腔室的下线标记更改为在线标记。

可选地，标记模块还用于，

将待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的工艺腔室5 的下线标记更改为在线标记。

可选地，腔室清洁装置还包括重置模块，重置模块用于，在工艺腔室5进行清洁之后，将工艺腔室5的清洁条件重置为初始状态。

本实施例提供的腔室清洁装置，应用上述腔室清洁方法，当有目标晶圆完成工艺处理并离开工艺腔室5之后，对该工艺腔室5是否满足预设的清洁条件进行判断，在该工艺腔室5满足了预设的清洁条件时，可以不立刻对工艺腔室5进行清洁，而是先只对工艺腔室5进行待清洁标记，以区分满足预设的清洁条件的工艺腔室5和同类型的其它可用的工艺腔室5。然后确定与目标晶圆同批次的晶圆是否均已完成该工艺处理并离开该工艺腔室5，然后可以在确定了同批次的晶圆都进行完工艺处理且离开工艺腔室5之后，再对工艺腔室5进行清洁，如此，便可保证同批次晶圆的工艺结果一致性；同时，也实现了工艺腔室5的自动清洁，减少了工作人员对腔室进行维护的工作负担。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种腔室清洁方法，其特征在于，包括：

S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；

S2、判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若是，则对所述工艺腔室进行清洁；若否，则待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。

2.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，其特征在于，所述方法还包括：

S3、当待处理晶圆进入载料位时，判断所述待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，若是，则执行步骤S4；若否，则允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；

S4、判断所述工艺腔室是否具有清洁标记或者为不可用状态，若是，则不允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；若否，则允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室。

3.根据权利要求1或2所述的腔室清洁方法，其特征在于，判断所述目标晶圆为对应目标批次中的最后一片晶圆之后，还包括：

为满足预设清洁条件的工艺腔室进行下线标记。

4.根据权利要求3所述的腔室清洁方法，其特征在于，

对所述工艺腔室开始进行清洁之后，还包括：

将所述待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的所述工艺腔室的下线标记更改为在线标记。

5.根据权利要求1或2所述的腔室清洁方法，其特征在于，对所述工艺腔室进行清洁之后，还包括：

将所述工艺腔室的清洁条件重置为初始状态。

6.根据权利要求1或2所述的腔室清洁方法，其特征在于，所述预设的清洁条件包括：

工艺腔室内靶材消耗增量大于等于预设阈值。

7.一种腔室清洁装置，其特征在于，包括第一判断模块、标记模块及清洁模块，其中：

所述第一判断模块用于，当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则判断所述目标晶圆是否为对应目标批次中的最后一片晶圆，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件；

所述标记模块用于，对满足预设的清洁条件的工艺腔室进行待清洁标记；

所述清洁模块用于，待所述目标批次中的最后一片晶圆离开所述工艺腔室之后，对所述工艺腔室进行清洁。

8.根据权利要求7所述的腔室清洁装置，其特征在于，还包括第二判断模块和执行模块，其中：

所述第二判断模块用于，当待处理晶圆进入载料位时，判断所述待处理晶圆是否为本批次第一个进行工艺处理的晶圆；若否，则判断所述工艺腔室是否具有清洁标记或者为不可用状态；

所述执行模块用于，在所述待处理晶圆不是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，或者所述待处理晶圆为本批次第一个进行工艺处理的晶圆，但具有可用工艺腔室时，允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；在所述待处理晶圆是本批次第一个进行工艺处理的晶圆，且没有可用工艺腔室时，不允许所述待处理晶圆离开所述载料位进入所述工艺腔室；其中，所述可用工艺腔室包括在线工艺腔室和没有清洁标记的工艺腔室。

9.根据权利要求7或8所述的腔室清洁装置，其特征在于，

所述标记模块还用于，为所述满足预设清洁条件的工艺腔室进行下线标记，待工艺腔室完成清洗后将所述待清洁标记更改为无需清洁标记，且将清洁完成的所述工艺腔室的下线标记更改为在线标记。

10.根据权利要求7或8所述的腔室清洁装置，其特征在于，还包括重置模块，所述重置模块用于，

在所述工艺腔室进行清洁之后，将所述工艺腔室的清洁条件重置为初始状态。

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