CN111108817A

CN111108817A - 具有经过粗化处理的铜表面的物体

Info

Publication number: CN111108817A
Application number: CN201880059907.1A
Authority: CN
Inventors: 佐藤牧子; 铃木理
Original assignee: Namics Corp
Current assignee: Namics Corp
Priority date: 2017-11-10
Filing date: 2018-10-16
Publication date: 2020-05-05
Anticipated expiration: 2038-10-16
Also published as: CN111108817B; TW201931966A; KR102542984B1; TWI768140B; JP2019091742A; JP7013003B2; KR20200085737A; WO2019093077A1

Abstract

本发明的目的在于提供一种具有经过粗化处理的铜表面的物体。一个实施方式是具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面的物体，在至少一部分的铜表面具有凸部，凸部的表面含有氧化铜，凸部的内部含有铜，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，深度6nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比为5以下。

Description

具有经过粗化处理的铜表面的物体

技术领域

本发明涉及具有经过粗化处理的铜表面的物体。

背景技术

铜具有印刷电路板所使用的铜箔、在基板上布线的铜线、LIB负极集电体用的铜箔等多种多样的用途。

例如，印刷电路板所使用的铜箔需求与树脂的密合性。为了提高该密合性，采用着利用蚀刻等对铜箔的表面进行粗化处理以提高物理性粘接力的方法。但是，随着印刷电路板的高密度化，需求铜箔表面的平坦化。为了满足这些相反的需求，开发出进行氧化工序和还原工序等的铜表面处理方法(WO2014/126193号公开公报)。由此，对铜箔进行预处理，浸渍在含有氧化剂的药液中，从而使铜箔表面氧化而形成氧化铜的凹凸，之后，浸渍在含有还原剂的药液中，使氧化铜还原，由此调节表面的凹凸，调整表面粗糙度。此外，作为利用了氧化还原的铜箔处理中的密合性改善方法，开发出在氧化工序中添加表面活性分子的方法(日本特表2013-534054号公报)、和在还原工序后使用氨基噻唑系化合物等在铜箔表面形成保护覆膜的方法(日本特开平8-97559号公报)。

另外，在LIB负极集电体中，如果为了高输出、高能量密度化而采用大容量的活性物质，则充电时和放电时的活性物质的体积膨胀率就会增大。因此，若重复进行充放电，连接活性物质与集电体的粘结材料就会发生破裂、或者粘结材料从活性物质界面、集电体界面剥离，循环特性恶化。为了防止这种情况，公开了增加铜箔侧的粘结材料量以提高铜箔与负极合剂层的密合性的发明(日本特开平10-284059号公报)。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于提供具有经过粗化处理的铜表面的物体。

用于解决问题的技术方案

本发明的一个实施方式是一种具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面的物体，在至少一部分的铜表面具有凸部，凸部的表面含有氧化铜，凸部的内部含有铜，在截面上，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，深度6nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比为5以下。上述物体可以是铜箔、铜颗粒、铜粉或镀铜的物体。包含上述氧化铜的层的厚度可以为8～50nm。关于上述凸部的高度，在由扫描电子显微镜得到的截面的拍摄图像中，测定将凸部两侧的凹部的极小点连接的线段的中点、与凸部的极大点的距离。

本发明的其它实施方式是一种铜表面的粗化处理方法，其包括：将铜表面氧化的第一工序、和将发生了氧化的上述铜表面溶解的第二工序。可以在第一工序之前使用碱性水溶液进行碱处理。可以在第一工序中利用氧化剂将上述铜表面氧化。可以在第二工序中利用溶解剂将上述发生了氧化的上述铜表面溶解。上述溶解剂的pH值可以为pH9.0～14.0。将上述发生了氧化的上述铜表面溶解，使得上述铜表面发生氧化而生成的氧化铜的溶解率达到35～99％、并且通过SERA(连续电化学还原法)测得的氧化膜厚度达到4～150nm。

本发明的又一实施方式是上述任一种所述的物体的制造方法，其包括利用上述任一项所述的粗化处理方法对上述物体的表面的铜进行处理的工序。

本发明的另一实施方式是铜箔与树脂的叠层板的制造方法，其中，上述铜箔是上述任一项所述的物体，该制造方法包括将上述物体与上述树脂以层状粘接的工序。上述树脂也可以为聚苯醚。

本发明的再一实施方式是一种印刷基板的制造方法，其包括利用上述任一项所述的叠层板的制造方法制造叠层板的工序。

＝＝与相关文献的相互参照＝＝

本申请基于2015年11月10日申请的日本专利申请2017-217776主张优先权，通过引用该基础申请，包含于本说明书中。

附图说明

图1是表示在本发明的实施例1中，距经过粗化处理的铜箔表面的深度处各元素的比例的图表。

图2是在本发明的实施例1中，利用扫描电子显微镜(SEM)拍摄经过粗化处理的铜箔的表面和截面的照片。

图3是表示在本发明的实施例1中，在利用SEM拍摄的照片中凸部的高度和数量的测量方法的图。

图4是表示在本发明的实施例2中，研究溶解剂的pH值与剥离强度的关系的结果的图表。

图5是表示在本发明的实施例2中，研究经过粗化处理的铜箔中的包含氧化铜的层的厚度和成分的结果的图表。

图6是表示在本发明的实施例3中，研究对进行了氧化处理的铜箔进行溶解处理的时间的影响的结果的图表。

图7是表示在本发明的实施例4中，研究对铜箔进行氧化处理的时间的影响的结果的图表。

具体实施方式

以下，列举实施例详细地说明本发明的实施方式。另外，对本领域技术人员而言，通过本说明书的记载能够获知本发明的目的、特征、优点及其构思，本技术领域技术人员能够根据本说明书的记载容易地再现本发明。以下记载的发明的实施方式和具体的实施例等表示本发明的优选的实施方式，是为了例示或说明而示出的，本发明不限定于此。本领域技术人员能够理解在本说明书中公开的本发明的意图以及范围内，能够基于本说明书的记载进行各种修饰。

＝＝具有经过粗化处理的铜表面的物体＝＝

本发明的一个实施方式的具有经过粗化处理的铜表面的物体是具有被铜覆盖的表面的物体，在至少一部分的铜表面具有凸部，凸部的表面含有氧化铜(Cu₂O+CuO)，凸部的内部含有铜。

具有铜表面的物体可以是由铜构成的物体，也可以是在由铜以外的物质构成的物体的表面设有铜层的物体，还可以是实施了镀铜的物体，覆盖表面的铜还包含含有氧化铜的层，最薄部分优选为6nm以上，更优选为10nm以上，进一步优选为100nm以上。该铜的厚度能够通过将利用Ar离子溅射对试样表面的蚀刻和利用X射线光电子能谱法(XPS)对表面的元素分析组合来测定。

该物体的形状没有特别限定，例如可以为箔状、颗粒状、粉状，也可以为以铜为主成分的铜箔、铜颗粒、铜粒。

在物体的表面，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中优选有平均5个以上，更优选有10个以上，进一步优选有20个以上。该数例如可以按照如下方式数出：在截面的SEM图像中，在将连结相邻的凹部彼此的极小点的线段的中点、与处于凹部彼此之间的凸部的极大点的距离设为突起物的高度的情况下，计量高度为50nm以上的凸部的数量。另外，凸部的平均高度优选为500nm以下，更优选为350nm以下。并且，凸部的平均高度优选为20nm以上，更优选为50nm以上。

深度6nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为5以下，更优选为4以下，进一步优选为3以下。深度12nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为8以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。深度18nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为5以下，更优选为4以下，进一步优选为3以下。深度40nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为20以下，更优选为16以下，进一步优选为12以下，并且优选为2.0以上，更优选为2.5以上，进一步优选为3.0以上。该含有比能够通过将利用Ar离子溅射对试样表面的蚀刻和利用X射线光电子能谱法(XPS)对试样表面的各物质的含量测定组合来算出。此外，在实施Ar离子溅射时，将相对于试样表面预先假设的平面位置看作深度的起点。

凸部表面的包含氧化铜的层的厚度没有特别限定，在利用SERA测定并换算成均一厚度的状态时，包含氧化铜的层的厚度优选距凸部表面1nm以上，更优选4nm以上，进一步优选8nm以上。并且，优选150nm以下，更优选50nm以下。由此，成为与预成型体的剥离强度高的铜表面。

＝＝铜表面的粗化处理方法＝＝

本发明的一个实施方式的铜表面的粗化处理方法包括将铜表面氧化的第一工序、和将发生了氧化的铜表面溶解的第二工序。

首先，在第一工序中，利用氧化剂将铜表面氧化，形成包含氧化铜的层，并且在表面形成凸部。

在该氧化工序之前，可以通过碱处理进行脱脂。该碱处理的方法没有特别限定，可以通过如下方式进行：利用优选30～50g/L、更优选40g/L的碱性水溶液、例如氢氧化钠水溶液以30～50℃处理0.5～2分钟左右，之后进行水洗。之后，为了去除自然氧化覆膜以减轻处理不匀，可以利用酸进行清洗处理。该清洗处理例如通过如下方式进行：将铜表面浸渍在液温20～50℃、5～20重量％的硫酸中1～5分钟，之后进行水洗。为了减轻处理不匀、防止清洗处理中使用的酸混入氧化剂中，可以进一步进行弱碱处理。该碱处理方法没有特别限定，可以通过如下方式进行：利用优选0.1～10g/L、更优选1～2g/L的碱性水溶液、例如氢氧化钠水溶液以30～50℃处理0.5～2分钟左右。另外，也可以进行蚀刻等物理性地使铜表面粗化的处理作为前处理。但这些工序并不是是本发明的必需构成。

在氧化工序中，可以使用氧化剂。氧化剂没有特别限定，例如可以使用亚氯酸钠、次氯酸钠、氯酸钾、高氯酸钾等的水溶液。氧化剂中可以添加各种添加剂(例如十二水合磷酸三钠等的磷酸盐)或表面活性分子。作为表面活性分子，可以例示卟啉、大环卟啉、扩展卟啉、收缩卟啉、直链卟啉聚合物、卟啉夹心配位配体、卟啉阵列、硅烷、四有机基-硅烷、氨基乙基-氨基丙基-三甲氧基硅烷、(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(1-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]脲)((l-[3-(Trimethoxysilyl)propyl]urea))、(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷、((3-环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷)、(3-氯丙基)三甲氧基硅烷、(3-环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基丙烯酸-3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯、乙基三乙酰氧基硅烷、三乙氧基(异丁基)硅烷、三乙氧基(辛基)硅烷、三(2-甲氧基乙氧基)(乙烯基)硅烷、氯三甲基硅烷、甲基三氯硅烷、四氯化硅、四乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、氯三乙氧基硅烷、乙烯-三甲氧基硅烷、胺、糖等。另外，氧化剂中能够并用醇、酮、羧酸等的溶剂。

氧化反应条件没有特别限定，但氧化剂的液温优选为40～95℃，更优选为40～90℃。反应时间优选为0.5～30分钟，更优选为1～10分钟。

接着，利用溶解剂将发生了氧化的铜表面溶解，调整被氧化了的铜表面的凸部。本工序中使用的溶解剂没有特别限定，可以例示螯合剂、生物分解性螯合剂等，具体而言，可以例示EDTA(乙二胺四乙酸)、DHEG(二羟乙基甘氨酸)、GLDA(L-谷氨酸二乙酸四钠)、EDDS(乙二胺-N，N'-二琥珀酸)、HIDS(3-羟基-2,2'-亚氨基二琥珀酸钠)、MGDA(甲基甘氨酸二乙酸三钠)、ASDA(天冬氨酸二乙酸4Na)、HIDA(N-2-羟乙基亚氨基二乙酸二钠)、葡糖酸钠、依替膦酸(羟基乙烷二膦酸)等。

本工序中使用的溶解剂中可以并用醇、酮、羧酸等溶剂。溶解剂的pH没有特别限定，但在酸性时溶解量大，因而处理的控制困难、容易产生处理不匀、不会形成由最佳Cu/O比形成的凸部等，因此，优选为碱性，更优选为pH9.0～14.0、进一步优选为pH9.0～10.5、更进一步优选为pH9.8～10.2。

在该工序中，对铜表面进行处理，直至氧化铜的溶解率达到35～99％、优选77～99％，并且CuO的厚度达到4～150nm、优选8～50nm。在该条件下，与预成型体的剥离强度增强，因此，优选预先进行先导实验，设定温度、时间等条件以得到这样的氧化铜的层。

在这些工序之后，可以进行使用硅烷偶联剂等的偶联处理或使用苯并***类等的防锈处理。

＝＝具有经过粗化处理的铜表面的物体的制造方法＝＝

本发明的一个实施方式的具有经过粗化处理的铜表面的物体的制造方法包括利用上述铜表面的粗化处理方法，对该物体所具有的铜表面进行处理的工序。通过使用本制造方法，能够制造具有上述的经过粗化处理的铜表面的物体。

＝＝具有经过粗化处理的铜表面的物体的利用方法＝＝

上述的粗化处理方法能够用于印刷电路板所使用的铜箔、在基板上布线的铜线、LIB负极集电体用的铜箔等的粗化处理。

例如，可以对印刷电路板所使用的铜箔的表面进行粗化处理，与树脂以层状粘接，从而制作叠层板，制造印刷电路板。该情况下的树脂的种类没有特别限定，但优选聚苯醚、环氧树脂、PPO、PBO、PTFE、LCP或TPPI。

实施例

[实施例1]

〔铜箔的表面的粗化处理〕

作为实施样品和比较样品的铜箔，使用DR-WS(古河电工株式会社生产，厚度：18μm)，对光亮面(光泽面，与相反面比较时更为平坦的面)进行粗化处理。

(1)前处理

首先，利用40g/L的氢氧化钠水溶液对所有的铜箔以50℃进行1分钟的利用碱的脱脂处理。之后，在室温浸渍在10重量％的硫酸中数分钟后，进行水洗，由此进行酸清洗。

(2)软蚀刻处理

对于作为比较样品1的铜箔，利用100g/L的过硫酸钠水溶液以35℃进行2分钟的软蚀刻处理。对其它铜箔不进行软蚀刻处理。

(3)碱处理

接着，为了防止酸清洗所使用的酸的带入，利用1.2g/L的氢氧化钠水溶液以40℃进行1分钟的预处理。另外，对比较样品1利用40g/L的氢氧化钠水溶液以50℃进行1分钟的碱处理。

(4)氧化处理

对于比较样品1以外的样品，利用氧化处理用水溶液(NaClO₂ 63g-NaOH 10.5g/L)对进行了碱处理后的铜箔以70℃进行2分钟的氧化处理。此外，对于比较样品1，利用不同的氧化处理用水溶液(NaClO₂ 120g-NaOH 40g/L)以75℃进行3分钟的氧化处理。在这些处理后对铜箔进行水洗。

(5)溶解处理

利用以下的0.1M水溶液，以下述时间在55℃对进行了氧化处理后的铜箔进行溶解处理。

实施样品1：二羧甲基甘氨酸三钠、3分钟

实施样品2：HIDS、5分钟

实施样品3：GLDA、5分钟

实施样品4：EDTA、3分钟

比较样品1：EDTA、3分钟

此外，对于比较样品2不进行溶解处理，对于比较样品3利用还原用水溶液(二甲胺硼烷5g-氢氧化钠5g/L)以23℃进行1分钟的还原处理。在这些处理后对铜箔进行水洗。

(6)后处理

作为后处理，仅对比较样品1利用3g/L苯并***水溶液以70℃进行1分钟的后处理。这是用于防锈。对其它铜箔不进行该处理。

(7)剥离强度的测定

将以上的什么处理都没有进行的未处理的铜箔作为比较样品4，对于实施样品1～4和比较样品1～4的各铜箔，测定叠层后的剥离强度(Initials)和酸处理后的剥离强度(Acid)。首先，对于各铜箔，与预成型体(R5670KJ(松下株式会社生产))叠层，使用真空高压压力机在真空中以210℃保持30分钟，由此得到测定试样(Initial)。为了研究对酸的耐性，将叠层后的铜箔浸渍在60℃的HCl水溶液(4N)中90分钟，得到测定试样(Acid)。对于这些测定试样，通过90°剥离试验(日本工业标准(JIS)C5016)求出剥离强度(kgf/cm)。剥离强度越大，表示预成型体与铜箔的密合性越高。将其结果示于表1。

(8)利用X射线光电子能谱法(XPS)的解析

对于实施样品1～4和比较样品1～4的各铜箔，通过XPS，与深度对应地求出Cu与O的比率。作为测定装置，使用Quantera SXM(ULVAC-PHI公司生产)，并且作为激发X射线，使用单色化AlKα(1486.6eV)，对于由测量光谱(Survey Spectrum)检测出的4个元素(C1s，N1s，O1s，Cu2p3)，得到窄谱(Narrow Spectrum)。在深度方向上以2.5分钟间隔进行12次的Ar溅射，重复进行测定和溅射，获取数据。将其结果示于图1(代表性地表示比较例1、2、实施例3、4)和表1。其中，各测定以下述条件进行。

＜测量光谱(Survey Spectrum)＞

X射线束直径：100μm(25w15kV)

路径能量：280eV，1eV步进

线分析：

累计次数6次

＜窄谱(Narrow Spectrum)＞

X射线束直径：100μm(25w15kV)

路径能量：112eV，0.1eV步进

线分析：

＜Ar溅射条件＞

加速电压1kV

照射面积2×2mm

溅射速度2.29nm/min(SiO₂换算)

(9)利用扫描电子显微镜的表面突起物的解析

对于实施样品1～4和比较样品1～4的各铜箔，利用扫描电子显微镜(SEM)进行拍摄(图2)，计算截面上的突起物的长度和数量。具体而言，关于突起物的长度，获取5处的SEM图像(利用FIB-SEM、5万倍)(图2A、C)，在各图像中随机选择10个突起物，测量将突起物两侧的凹部的极小点连结的线段的中点、与突起物的凸部的极大点的距离作为突起物的高度(图3A)，算出整体的平均值。另外，关于突起物的数量，获取5处的SEM图像(利用FIB-SEM、3万倍)(图2B、D)，在将连结相邻的凹部彼此的极小点的线段的中点、与处于凹部彼此之间的凸部的极大点的距离设为突起物的高度的情况下，计量高度为50nm以上的凸部的数量(图3B)，算出整体的平均值。将其结果示于表1。

(10)结果

[表1]

在比较样品1和比较样品3中，Cu/O的比率高。这表明由于在叠层后铜成分容易在基材中扩散，因此，即使表面粗糙度大密合性也低。另外，在比较样品2中，酸处理后的剥离强度降低，表明耐酸性降低，可以认为这是由于仅有氧化工序而导致氧化铜量多的缘故。实施样品的铜箔均未出现这样的缺点。

[实施例2]

本实施例中，对进行了氧化处理的铜箔研究进行溶解处理时的pH的影响。

首先，准备在0.1M EDTA·4Na·4H₂O溶液中添加4N H₂SO₄并调整为pH3.5～11之间的多个pH的溶解处理液。对与实施例1同样地进行了氧化处理的铜箔，利用上述溶解处理液以55℃进行3分钟的溶解处理，作为预成型体，使用EM355B(D)(台光电子株式会社生产)或R5670KJ，与实施例1同样地测定剥离强度。

结果，如图4所示，无论是在使用哪一种预成型体的情况下，剥离强度均在pH10.0附近最大，比其更偏酸性或更偏碱性时密合性都降低。这样，从剥离强度的观点考虑，溶解处理优选为pH9.0～10.5，更优选pH9.8～10.2。

接着，利用SERA(Surface-Scan QC-100，ECI Techno1ogy公司)测定溶解而得到的各铜箔的氧化膜厚度。使用硼酸水溶液(6.18g/L硼酸、9.55g/L四硼酸钠)作为与金属表面接触的电解质，分别根据－0.3V～－0.55V、－0.55V～－0.85V、－0.85V～－1.0V所需的还原时间，使用下式计算Cu₂O、CuO、Cu₂S的厚度。(其中，电流密度＝90μA/cm²)

Cu₂O(nm)＝0.0124*电流密度(μA/cm²)*还原时间(sec)*0.1

CuO(nm)＝0.00639*电流密度(μA/cm²)*还原时间(sec)*0.1

Cu₂S(nm)＝0.0147*电流密度(μA/cm²)*还原时间(sec)*0.1

结果，如图5所示，氧化膜厚度在pH10.41时最大，在酸性侧和高碱性侧变薄。构成氧化膜的氧化铜的种类与pH值无关，均是CuO为主体。这样，从氧化铜的形成状态考虑，溶解处理优选为pH9.0～10.5，更优选pH9.15～10.41。

[实施例3]

在本实施例中，对氧化处理和溶解处理的处理时间进行各种变更，研究其影响。

首先，按照与实施例1的实施样品4同样的步骤，仅改变处理时间，进行氧化处理和溶解处理。其中，氧化处理和溶解处理的时间分别设为1分钟、2分钟、3分钟、5分钟、7分钟、10分钟。以溶解率(％)算出通过各时间的溶解处理溶解的氧化铜的量相对于氧化处理中生成的氧化铜的量，另外，与实施例2同样地利用SERA测量包含氧化铜的层的厚度，将以它们的组合为因素的经过粗化处理的铜箔作为样品，与实施例1同样地测定剥离强度。将其结果示于图6。

成为剥离强度在0.15以上的铜箔是以氧化铜的溶解率达到35～99％且CuO的厚度达到4～150nm的方式对铜表面进行了处理的情况，但在大部分的情况下，氧化铜的溶解率在77～99％且CuO的厚度在8～50nm的范围内。通过以达到这样的范围的方式进行溶解处理，能够形成与预成型体的剥离强度高、且减轻了处理不匀的铜表面。

[实施例4]

在本实施例中，研究对铜箔进行氧化处理的时间的影响。

除了将氧化时间设为1分钟、2分钟、4分钟以外，与实施例3同样地进行铜箔的氧化处理，之后，进行溶解处理，作为预成型体，使用EM355B(D)或R5670KJ，与实施例1同样地测定剥离强度。作为比较例，测定在溶解处理后进行了还原处理的样品的剥离强度。

如图7所示，仅进行溶解处理的几乎所有样品中，无论氧化处理时间如何，剥离强度都在0.15以上，得到了良好的与预成型体的密合性，但在进行了还原处理的情况下，存在未得到良好的与预成型体的密合性的样品。

这样，在本发明的方法中，无论氧化处理时间如何，都能够得到良好的与预成型体的密合性。

产业上的可利用性

根据本发明，能够提供具有经过粗化处理的铜表面的物体。

Claims

1.一种物体，其具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面，该物体的特征在于，

在至少一部分的铜表面具有凸部，

凸部的表面含有氧化铜，

凸部的内部含有铜，

在截面上，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，

深度6nm(SiO₂换算)处的Cu/O的含有比为5以下。

2.如权利要求1所述的物体，其特征在于，

所述物体为铜箔、铜颗粒、铜粉或镀铜的物体。

3.如权利要求1或2所述的物体，其特征在于，

包含所述氧化铜的层的厚度为8～50nm。

4.如权利要求1～3中任一项所述的物体，其特征在于，

所述凸部的高度通过在由扫描电子显微镜得到的截面的拍摄图像中，测定将凸部两侧的凹部的极小点连结的线段的中点、与凸部的极大点的距离而得到。

5.如权利要求1～4中任一项所述的物体，其特征在于，

包含所述氧化铜的层的厚度通过连续电化学还原法(SERA)测定。

6.如权利要求1～5中任一项所述的物体，其特征在于，

所述深度通过X射线光电子能谱法(XPS)测定。

7.一种铜表面的粗化处理方法，其特征在于，包括：

将铜表面氧化的第一工序；和

将发生了氧化的所述铜表面溶解的第二工序。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

在第一工序之前，使用碱性水溶液进行碱处理。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，

在第一工序中，利用氧化剂将所述铜表面氧化。

10.如权利要求第7～9中任一项所述的方法，其特征在于，

在第二工序中，利用溶解剂将发生了所述氧化的所述铜表面溶解。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述溶解剂的pH值为pH9.0～14.0。

12.如权利要求7～11中任一项所述的方法，其特征在于，

将发生了所述氧化的所述铜表面溶解，使得所述铜表面发生氧化而生成的氧化铜的溶解率达到35～99％、并且通过SERA测得的氧化膜厚度达到4～150nm。

13.一种物体的制造方法，其用于制造权利要求1～6中任一项所述的物体，该制造方法的特征在于，

包括利用权利要求6～11中任一项所述的方法对所述物体的表面的铜进行处理的工序。

14.一种叠层板的制造方法，所述叠层板为铜箔与树脂的叠层板，所述铜箔为权利要求1～6中任一项所述的物体，该制造方法的特征在于，

包括将所述物体与所述树脂以层状粘接的工序。

15.如权利要求14所述的叠层板的制造方法，其特征在于，

所述树脂为聚苯醚。

16.一种印刷基板的制造方法，其特征在于，

包括利用权利要求13～15中任一项所述的叠层板的制造方法制造叠层板的工序。