CN111103569A - 一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波tr组件 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，当功率放大器芯片处于负载态时，子阵***控制电路控制自加热控制芯片加大外部电源提供给功率放大器芯片的负载态栅极电压，进而提高给功率放大器芯片的负载态漏极静态电流，并与经由子阵***控制电路控制发射电源调制芯片调制的漏极电压产生全部为负载态热耗的负载态功率，使功率放大器芯片产生热量；由于采用了自加热控制芯片，当功率放大器芯片处于负载态时使其产生热量，通过加大功率放大器芯片的负载态栅极电压进而提高负载态漏极静态电流使其产生热量，以克服太空环境极低温度，确保雷达内部器件保持在一个安全工作的温度范围，降低了热控***的工作负担和设计难度。

Description

一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件

技术领域

本发明涉及有源相控阵雷达领域，尤其涉及的是一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件。

背景技术

星载雷达是以卫星为探测平台，能耐受气候和作战环境的影响，不间断地对陆、海、空、天目标进行全方位的实时侦察的一种雷达，在气候监测、国家战略防御等方面具有重要地位；因为有源相控阵雷达***可满足星载雷达对波束宽度和波束指向的要求，所以星载有源相控阵雷达成为目前星载雷达发展的主要趋势。

而微波T/R或TR（Transmitter and Receiver，发送器与接收器）组件又是有源相控阵雷达***的最重要部件之一，其一端连接天线，另一端连接中频处理单元，构成无线发送与接收***，功能是对信号进行放大、移相、衰减，其性能将直接影响整个有源相控阵雷达***的探测效果。

由于星载雷达所处空间环境的特殊性及恶劣的环境条件，在空间辐射下，会诱发单粒子翻转效应、闩锁效应、总剂量效应、微放电效应等效应，可能引起雷达电子元器件的损伤、性能退化甚至失效；在真空环境下，工作在大功率状态下的微波TR组件，当功率、频率和组件内部结构缝隙尺寸满足一定关系时，会发生微放电效应，导致微波传输驻波比增大、反射功率增加、***噪声增加等，从而造成微波TR组件性能下降，甚至损坏；且星载雷达的部件损伤后，无法进行修复。

所谓的单粒子翻转效应（SEU）是由高能单粒离子化引起的，当辐射粒子通过器件时损失的能量会通过线性传递给器件材料形成空穴电子对，进而改变电路中某一节点的电平造成双稳态器件状态的暂时改变；所谓的闩锁效应是指CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）器件中固有的可控硅结构被触发导通，在电源和地之间形成低电阻大电流的现象，主要发生在CMOS器件中；所谓的总剂量效应是指电子器件的（电流、电压门限值、转换时间）特性发生重大变化前，器件所能承受的总吸收能量级，而超过这个能量级后器件无法正常工作；所谓的微放电效应是一种强真空中微波部件内部的强放电并伴随击穿的放电现象，常发生在大功率器件中。

为此要求星载微波TR组件要具有长寿命、高可靠性、体积小、重量轻等特点，因此，对微波TR组件的热设计、抗辐照、抗微放电、空间环境适应性及可靠性设计等均有严格的要求，必须解决一系列的关键技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，可适应太空环境极高极低温度的急剧变化，降低热控***的工作负担和设计难度。

本发明的技术方案如下：一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，包括：子阵***控制电路和设置在每个TR通道内的功率放大器芯片、自加热控制芯片和发射电源调制芯片；其中，

当功率放大器芯片处于发射态时，子阵***控制电路控制自加热控制芯片从外部电源提供工作所需的发射态栅极电压，进而调节功率放大器芯片产生发射态漏极静态电流，该发射态漏极静态电流在微波信号输入到功率放大器芯片时激增为工作电流，并与经由子阵***控制电路控制发射电源调制芯片调制的漏极电压产生发射态功率，该发射态功率的一部分为微波功率输出发射信号，另一部分为发射态热耗使功率放大器芯片产生热量；

当功率放大器芯片处于负载态时，子阵***控制电路控制自加热控制芯片加大外部电源提供给功率放大器芯片的负载态栅极电压，进而提高给功率放大器芯片的负载态漏极静态电流，并与经由子阵***控制电路控制发射电源调制芯片调制的漏极电压产生全部为负载态热耗的负载态功率，使功率放大器芯片产生热量。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：所述功率放大器芯片的漏极电压设为固定值，且始终保持接通状态；所述自加热控制芯片设置为可调栅压电源调制芯片。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：还包括SMP射频连接器、1:4功分器、多功能MMIC芯片、限幅低噪声放大器芯片、环形器隔离器、定向耦合器、四合一合成器、检波电路、通道射频连接器和天线；其中，

发射状态下，射频信号通过SMP射频连接器进入1:4功分器被分成四个部分，分别进入各自通道中的多功能MMIC芯片进行衰减、移相、放大处理，之后经由各自通道中的功率放大器芯片进行饱和放大后输出至相应的环形器隔离器，之后经由各自通道中的定向耦合器提取不超过四分之一的小部分射频信号，四个通道中的小部分射频信号通过四合一合成器合成后经检波电路输出到子阵***的监测网络，四个通道中的大部分射频信号经由通道射频连接器输出至天线，由天线向外发射；

接收状态下，天线接收的射频信号通过相应的通道射频连接器进入各自通道中，依次经过各自通道中的定向耦合器和环形器隔离器进入限幅低噪声放大器芯片进行低噪声放大，之后经由各自通道中的多功能MMIC芯片进行衰减、移相、放大处理，之后四个通道中的射频信号经由1:4功分器进行合并，并通过SMP射频连接器输出。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：由四个相同且独立的TR通道合一组成共腔体结构，所述共腔体结构包括盖板、围框、底板以及通过焊接分别与围框相固定的TR通道连接器和射频总口连接器；所述围框与底板采用激光焊接，形成微波TR组件的腔体结构；通过激光封焊焊接盖板与围框以及围框与底板，组装成微波TR组件的外壳体。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：所述盖板和围框均采用钛合金TC4R材料制成；所述底板采用铝基碳化硅材料制成。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：在该共腔体结构的内部还设置有焊接在底板上的低温共烧陶瓷LTCC多层电路基板，所述LTCC多层电路基板局部挖沉腔，内部用于集成多功能MMIC芯片和波控芯片；所述LTCC多层电路基板的腔体顶部加盖用于抗辐照和加固的钽皮。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：所述微波TR组件的外壳体的内表面镀金，裸露的外表面采用厚度大于3mm的铝屏蔽层，用于抗辐射；所述微波TR组件在封盖盖板之前内部充入惰性气体，以抑制微放电效应。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：所述底板下方铺设厚度为0.1mm铟薄片，以加强散热。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：所述功率放大器芯片焊接在热沉上，所述热沉焊接在外壳体的底板上。

所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其中：所述功率放大器芯片与热沉采用金锡共晶焊焊接；所述热沉采用表面镀金的钼铜片制作。

本发明所提供的一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，由于采用了自加热控制芯片，当功率放大器芯片处于负载态时使其产生热量，通过加大功率放大器芯片的负载态栅极电压进而提高负载态漏极静态电流使其产生热量，以克服太空环境极低温度，确保雷达内部器件保持在一个安全工作的温度范围，降低了热控***的工作负担和设计难度。

附图说明

图1是一种星载有源相控阵四通道微波TR组件实施例的组件布置平面示意图；

图2是图1中的A-A剖视图；

图3是图1中的B-B剖视图；

图4是图2中的功率放大器模块105处的局部放大图；

图5是本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件的链路图；

图6是本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件分别在发射态时和负载态时的自加热原理图；

图中标号汇总：盖板101、围框102、底板103、LTCC多层电路基板104、沉腔104a、功率放大器模块105、功率放大器芯片(图4中的105a或图5、图6中的209)、热沉105b、环形器隔离器(图1、图2中的106或图5中的211)、微带传输线107、定向耦合器(图1、图2中的108或图5中的212)、多功能MMIC芯片(图1、图2、图3中的109或图5中的205)、波控芯片(图1、图2中的110或图5中的204)、钽皮111、铝屏蔽层112、铟薄片113；SMP射频连接器201、1:4功分器202、203、接收电源调制芯片206、自加热控制芯片(图5中的207或图6中的303)、发射电源调制芯片(图5中的208或图6中的302)、限幅低噪声放大器芯片210、通道射频连接器213、四合一合成器214、检波电路215；波控电路301、微波信号304、发射态栅极电压305a、负载态栅极电压305b、发射态漏极静态电流306a、负载态漏极静态电流306b、工作电流307、漏极电压308、发射态功率309a、负载态功率309b、微波功率310、发射态热耗311a、负载态热耗311b。

具体实施方式

以下将结合附图，对本发明的具体实施方式和实施例加以详细说明，所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并非用于限定本发明的具体实施方式。

如图1所示，图1是一种星载有源相控阵四通道微波TR组件实施例的组件布置平面示意图，结合图2和图3所示，图2是图1中的A-A剖视图，图3是图1中的B-B剖视图，该微波TR组件由四个相同且独立的TR通道合一组成共腔体结构，所述共腔体结构包括盖板101、围框102、底板103以及通过焊接分别与围框102相固定的TR通道连接器(图未示出)和射频总口连接器(图未示出)；首先，所述围框102与底板103采用激光焊接，形成微波TR组件的腔体结构；其次，通过激光封焊焊接盖板101与围框102以及围框102与底板103，组装成微波TR组件的外壳体；该外壳体作为载体，不仅起着承载元器件及LTCC电路基板104的作用，还承担着接地、导(/散)热、密封保护等作用；同时，该外壳体还具有隔离、屏蔽、抗干扰甚至防幅射等作用。

较好的，所述盖板101和围框102均采用钛合金TC4R材料制成，相比其他封装壳体材料，钛合金TC4R材料热膨胀系数小、密度低，特别适合封装壳体对重量和与内部电路基板热膨胀匹配的要求；同时，钛合金TC4R材料强度高，可达1400MPa，耐腐蚀性强，塑韧性好，特别是低温韧性非常好，非常适合应用在要求高可靠性、使用环境恶劣的场合，是不可替代的封装壳体材料。

较好的，所述底板103采用铝基碳化硅材料制成，铝基碳化硅热膨胀系数低，与LTCC电路基板104热膨胀系数相匹配；且铝基碳化硅材料导热率高，密度低，可以满足多种波段产品热设计的使用需求。

具体的，所述盖板101厚度为1mm；所述围框102两侧薄壁为2mm，安装TR通道连接器和射频总口连接器的厚壁为5mm；所述底板103厚度为2mm。

在该共腔体结构的内部还设置有低温共烧陶瓷LTCC多层电路基板104、功率放大器模块105、环形隔离器106、微带传输线107和定向耦合器108；所述LTCC多层电路基板104局部挖沉腔104a，内部用于集成多功能MMIC（Monolithic Microwave IntegratedCircuit，单片微波集成电路）芯片109和波控芯片110；多功能MMIC芯片109可以大大降低设计难度，提高可靠性，减小体积、重量与成本；所述LTCC多层电路基板104，具有介电常数低、损耗角正切值小、频率响应平坦、厚度一致性好等特点，可以把电阻、电容和电感以埋置的方式集成在所述LTCC多层基板104中，使得元器件的封装密度得以大幅度提高。

较好的，所述LTCC多层电路基板104的腔体104a顶部加盖钽皮111用于抗辐照和加固；具体的，所述钽皮111厚度为0.5mm，采用双组分环氧类银胶固定，剪切力不小于50N。

较好的，所述微波TR组件的外壳体的内表面镀金，裸露的外表面即盖板101和围框102两侧均采用厚度大于3mm的铝屏蔽层112，用于抗辐射；较好的，所述微波TR组件在封盖盖板101之前内部充入惰性气体，例如氦气，以抑制微放电效应。

较好的，所述底板103下方铺设厚度为0.1mm铟薄片113，由于铟薄片113具有良好的塑性，在微波TR组件安装时，能更好地填充底板103与固定板(图未示出)之间的缝隙，并进一步加强散热。

所述LTCC多层电路基板104、功率放大器模块105、环形器隔离器106、微带传输线107和定向耦合器108分别焊接在底板103上；位于微波TR组件发射输出端口的定向耦合器108，在发射状态期间可将发射信号耦合输出到内定标网，在接收状态期间可将内定标网来的定标信号耦合输入到微波TR组件的接收通道；且该定向耦合器108提供阵面修正和监测***所需的每个通道的发送与接收幅相，同时对发射功率进行检波，并输出检波出的电压信号。

结合图4所示，图4是图2中的功率放大器模块105处的局部放大图，所述功率放大器模块105包括功率放大器芯片105a、限幅低噪放芯片(图未示出)和热沉105b；所述功率放大器芯片105a是整个微波TR组件中产生热耗最高的器件；作为整个微波TR组件中产生热量最多的部位，功率放大器芯片105a的散热设计十分重要，所述功率放大器芯片105a焊接在热沉105b上，所述热沉105b焊接在外壳体的底板103上。

较好的，所述功率放大器芯片105a与热沉105b采用强度高、焊接性好的金锡共晶焊焊接，且焊透率要求95%以上；较好的，所述热沉105b采用导热性非常好的钼铜片制作，同时钼铜片表面镀金，镀金层厚度1.8-2um，粗糙度不大于0.8um，焊接性良好。

如图5所示，图5是本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件的链路图，其在发射状态和接收状态时射频信号的工作过程如下：

处于发射状态时，射频信号通过SMP射频连接器201进入功分网络(即1:4功分器202，下同)，被分配成四个部分，分别进入各自通道中的多功能MMIC芯片205(即图1、图2、图3中的109，下同)将射频信号进行衰减、移相、放大处理，之后输出进入功率放大器芯片209(即图4中的105a，下同)，功率放大器芯片209将射频信号进行饱和放大后输出至环形器隔离器211(即图1、图2中的106，下同)，以隔离来自天线的反射信号，然后经过定向耦合器212(即图1、图2中的108，下同)提取小部分信号，例如可将不超过四分之一的信号定义为小部分信号进行提取，剩余的信号则为大部分信号；四个通道的小部分信号经四合一合成器214，经过检波电路215输出到子阵***的监测网络。大部分信号由通道射频连接器213输出至天线，由天线向外发射。

处于接收状态时，射频信号通过天线进入通道射频连接器213，然后依次经过定向耦合器212和环形器隔离器211进入限幅低噪声放大器芯片210，限幅低噪声放大器芯片210将接收的射频信号经过低噪声放大后进入多功能MMIC芯片205，多功能MMIC芯片205将射频信号进行衰减、移相、放大处理后输出进入功分网络202，由功分网络202将各通道射频信号合并后通过SMP射频连接器201输出。

众所周知，当微波TR组件处于发射态时会产生较大的热耗，而微波TR组件均具有负载态的模式，即不发射不接收，收发均处于隔离状态；当微波TR组件处于负载态时，功率放大器芯片209的漏极电压会断开，微波TR组件的内部无热量产生；但是，由于星载相控阵雷达所处太空环境极高极低温度（-180 ~ +200℃）的急剧变化，为确保雷达内部器件保持在一个安全工作的温度范围，星载相控阵雷达应设有复杂的热控***。

本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件的自加热***就是在微波TR组件处于负载态时，因为功率放大器芯片209的无射频信号输入，而保持其漏极电压接通，并提高栅压，利用功放芯片自身的功耗产生热量来保持一个温度，降低热控***的工作负担和设计难度；具体的，所述自加热***采用自加热控制芯片207，通过加大功率放大器芯片209的负载态栅极电压进而提高负载态漏极静态电流使其产生热量。

结合图6所示，图6是本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件分别在发射态时和负载态时的自加热原理图，所述功率放大器芯片209的自加热过程如下：

当功率放大器芯片209处于发射态时，子阵***控制电路301控制自加热控制芯片303从外部电源提供电压较小的工作所需要的发射态栅极电压305a，进而调节功率放大器芯片209产生小电流的发射态漏极静态电流306a，该漏极静态电流306a在微波信号304输入到功率放大器芯片209时激增为大电流的工作电流307，与经过发射电源调制芯片302调制的漏极电压308产生发射态功率309a，所产生的发射态功率309a的一部分为微波功率310输出发射信号，另一部分为发射态热耗311a使功率放大器芯片209产生热量。

当功率放大器芯片209处于负载态时，由于没有微波信号304的输入，子阵***控制电路301控制自加热控制芯片303(即图5中的207，下同)改变外部电源提供给功率放大器芯片209的负载态栅极电压305b，使负载态栅极电压305b的电压较大，进而提高功率放大器芯片209的负载态漏极静态电流306b，与经过发射电源调制芯片302调制的漏极电压308产生负载态功率309b，所产生的负载态功率309b全部为负载态热耗311b，使得功率放大器芯片209产生热量，以克服太空环境极低温度，确保雷达内部器件保持在一个安全工作的温度范围，降低了热控***的工作负担和设计难度。

具体的，组件外的子阵***控制电路301属于现有技术，其内部电路结构为本领域技术人员所熟知，在此不需赘述；组件内的自加热控制芯片303设置为可调栅压电源调制芯片，通过组件外的阵面子阵***的波控电路301实现栅压调节。

较好的，所述功率放大器芯片209的漏极电压308为固定值，且始终保持接通状态，以简化自加热的控制过程。

本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件的自加热***不需要添加任何额外的器件，保证了微波TR组件的轻小化程度；此外，该微波TR组件还具有如下技术特点和优势：

所述功率放大器芯片209、限幅低噪放芯210片、多功能MMIC芯片205均为射频类芯片；所述波控芯片204、接收电源调制芯片206、发射电源调制芯片(图5中的208或图6中的302)均为数字类芯片；具体的，所述射频类芯片采用均采用抗辐照性能良好的GaAs工艺设计，抗总剂量满足6×102Gy；数字信号传输采用Si芯片，并进行加固设计，抗总剂量满足6×102Gy；其他元器件选用国产可免做抗辐射试验的产品。

较好的，本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件中使用的CMOS器件采用SOI工艺制作，并采取了单粒子翻转防护设计措施，即使个别微波TR组件翻转也不会影响***成像；同时，微波TR组件为短时加电，若翻转后可重新加电恢复正常；而且，该微波TR组件内CMOS器件采用了限流保护设计，从而防止CMOS电路的闩锁效应。

本发明可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件采用了微放电设计余量，外壳体表面镀金，内部填充惰性气体等防护措施，且该微波TR组件的峰值功率较小，不易发生微放电效应；实验的结果表明，所述微波TR组件的抗辐射指标抗总剂量达到6×102Gy以上；单粒子翻转小于10-8次/位•天；元器件无闩锁效应或闩锁效应阈值很高；微放电设计余量取最大功率3dB。

应当理解的是，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不足以限制本发明的技术方案，对本领域普通技术人员来说，在本发明的精神和原则之内，可以根据上述说明加以增减、替换、变换或改进，而所有这些增减、替换、变换或改进后的技术方案，都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于，包括：子阵***控制电路和设置在每个TR通道内的功率放大器芯片、自加热控制芯片和发射电源调制芯片；其中，

当功率放大器芯片处于发射态时，子阵***控制电路控制自加热控制芯片从外部电源提供工作所需的发射态栅极电压，进而调节功率放大器芯片产生发射态漏极静态电流，该发射态漏极静态电流在微波信号输入到功率放大器芯片时激增为工作电流，并与经由子阵***控制电路控制发射电源调制芯片调制的漏极电压产生发射态功率，该发射态功率的一部分为微波功率输出发射信号，另一部分为发射态热耗使功率放大器芯片产生热量；

当功率放大器芯片处于负载态时，子阵***控制电路控制自加热控制芯片加大外部电源提供给功率放大器芯片的负载态栅极电压，进而提高给功率放大器芯片的负载态漏极静态电流，并与经由子阵***控制电路控制发射电源调制芯片调制的漏极电压产生全部为负载态热耗的负载态功率，使功率放大器芯片产生热量。

2.根据权利要求1所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：所述功率放大器芯片的漏极电压设为固定值，且始终保持接通状态；所述自加热控制芯片设置为可调栅压电源调制芯片。

3.根据权利要求1所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：还包括SMP射频连接器、1:4功分器、多功能MMIC芯片、限幅低噪声放大器芯片、环形器隔离器、定向耦合器、四合一合成器、检波电路、通道射频连接器和天线；其中，

发射状态下，射频信号通过SMP射频连接器进入1:4功分器被分成四个部分，分别进入各自通道中的多功能MMIC芯片进行衰减、移相、放大处理，之后经由各自通道中的功率放大器芯片进行饱和放大后输出至相应的环形器隔离器，之后经由各自通道中的定向耦合器提取不超过四分之一的小部分射频信号，四个通道中的小部分射频信号通过四合一合成器合成后经检波电路输出到子阵***的监测网络，四个通道中的大部分射频信号经由通道射频连接器输出至天线，由天线向外发射；

接收状态下，天线接收的射频信号通过相应的通道射频连接器进入各自通道中，依次经过各自通道中的定向耦合器和环形器隔离器进入限幅低噪声放大器芯片进行低噪声放大，之后经由各自通道中的多功能MMIC芯片进行衰减、移相、放大处理，之后四个通道中的射频信号经由1:4功分器进行合并，并通过SMP射频连接器输出。

4.根据权利要求1所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：由四个相同且独立的TR通道合一组成共腔体结构，所述共腔体结构包括盖板、围框、底板以及通过焊接分别与围框相固定的TR通道连接器和射频总口连接器；所述围框与底板采用激光焊接，形成微波TR组件的腔体结构；通过激光封焊焊接盖板与围框以及围框与底板，组装成微波TR组件的外壳体。

5.根据权利要求4所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：所述盖板和围框均采用钛合金TC4R材料制成；所述底板采用铝基碳化硅材料制成。

6.根据权利要求4所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：在该共腔体结构的内部还设置有焊接在底板上的低温共烧陶瓷LTCC多层电路基板，所述LTCC多层电路基板局部挖沉腔，内部用于集成多功能MMIC芯片和波控芯片；所述LTCC多层电路基板的腔体顶部加盖用于抗辐照和加固的钽皮。

7.根据权利要求4所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：所述微波TR组件的外壳体的内表面镀金，裸露的外表面采用厚度大于3mm的铝屏蔽层，用于抗辐射；所述微波TR组件在封盖盖板之前内部充入惰性气体，以抑制微放电效应。

8.根据权利要求4所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：所述底板下方铺设厚度为0.1mm铟薄片，以加强散热。

9.根据权利要求1所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：所述功率放大器芯片焊接在热沉上，所述热沉焊接在外壳体的底板上。

10.根据权利要求9所述的可自加热的星载有源相控阵四通道微波TR组件，其特征在于：所述功率放大器芯片与热沉采用金锡共晶焊焊接；所述热沉采用表面镀金的钼铜片制作。

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