CN111102398B - 微阀及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种微阀及其制作方法，其中，微阀包括微阀主体，微阀主体内侧设置有制动空腔，制动空腔内设置有多个内肋结构，制动空腔与阀口结构连接；多个内肋结构通过排气沟槽连接，排气沟槽与阀口结构连通，以排放微阀内的空气。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中的微阀中的气泡想要排出需要经过摆臂腔体且气泡因压力变化而对内肋结构产生波动进而影响微阀性能的问题。

Description

微阀及其制作方法

技术领域

本发明涉及流体控制阀技术领域，具体而言，涉及一种微阀及其制作方法。

背景技术

微阀一般是指热膨胀型微阀，主要原理是通过至于腔体内部的金属加热器加热，使封闭的腔体膨胀，从而使至于腔体内的弹性膜片变形弯曲，以进而堵塞或者部分堵塞通道，完成流体通道的通断或中间状态的控制。

在这种常规的微阀结构中，已经发现，在一些情况下，少量空气会存在微阀中。如果这些空气没有从微阀中清除，可能对微阀的有效操作产生不期望的干扰。为了解决这种情况，已知当微阀初始打开时使微阀在打开和闭合位置之间快速地运转，以从微阀中清除留存在其内的所有空气。然而，微阀的这种初始运转也是效率低的。

如图1至图6所示，传统的微阀包括基板、中间板和盖板，其中，基板、中间板和盖板配合形成制动空腔。制动空腔具有包括制动器摆臂腔体，具体地，中间板上设置有可以变形的多个摆臂，这些摆臂具有弹性也可以称为弹性膜片，因其与肋骨的结构相似也可以称之为内肋结构，摆臂腔体就处于多个摆臂的位置，微阀中的气泡想要排出需要经过摆臂腔体，但是摆臂容易出现弹性变形，当气泡经过时，因气泡产生的压力变化会对多个摆臂造成不同程度的波动，进而影响微阀的稳定性，甚至损害摆臂。由于摆臂之间是相间隔设置且相互之间没有连通，经过摆臂腔体时的气泡产生各摆臂之间压力不均匀会进一步损害摆臂，降低微阀使用寿命。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种微阀及其制作方法，以解决现有技术中的微阀中的气泡想要排出需要经过摆臂腔体且气泡因压力变化而对内肋结构产生波动进而影响微阀性能的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种微阀，包括微阀主体，微阀主体内侧设置有制动空腔，制动空腔内设置有多个内肋结构，制动空腔与阀口结构连接；其中，多个内肋结构通过排气沟槽连接，排气沟槽与阀口结构连通，以排放微阀内的空气。

进一步地，多个内肋结构排列形成鱼肋结构，排气沟槽将多个内肋结构之间的间隙相联通，排气沟槽贯穿鱼肋结构。

进一步地，微阀主体包括：基板，基板的第一表面开设有第一空腔槽结构；中间板，中间板的第一表面开设有第二空腔槽结构，中间板的第二表面开设有第三空腔槽结构；盖板，盖板的第二表面开设有第四空腔槽结构；其中，第二空腔槽结构和第三空腔槽结构相连通，基板、中间板和盖板结合后，第一空腔槽结构、第二空腔槽结构、第三空腔槽结构和第四空腔槽结构配合形成制动空腔。

进一步地，排气沟槽设置在中间板的第二表面上。

进一步地，制动空腔包括具有终端区域的第一空腔部分、具有从微阀中排除空气的第二空腔部分和从第一空腔部分向第二空腔部分延伸的排气结构。

进一步地，排气沟槽设置在从第一空腔部分向第二空腔部分延伸的部分，并与排气结构连通。

根据本发明的另一方面，提供了一种微阀的制作方法，微阀为权利要求至中任一项的微阀，制作步骤包括：设置第一硅层、第二硅层和第三硅层；在第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第一空腔槽结构，在第二硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第二空腔槽结构，在第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第四空腔槽结构；将第二硅层的第一表面贴合在第三硅层的第一表面上；在第二硅层的第二表面上配合掩膜蚀刻第三空腔槽结构；在第二硅层的第二表面上配合掩膜蚀刻排气沟槽；第二硅层的第二表面贴合在第一硅层的第一表面上，形成微阀。

进一步地，第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻阀口结构时，制作步骤包括：在第一硅层的第一表面部分淀积掩膜；从第一硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出阀口结构；去除第一硅层的第一表面上面的掩膜。

进一步地，第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第一空腔槽结构时，制作步骤包括：在第一硅层的第一表面部分淀积掩膜；从第一硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出第一空腔槽结构；去除第一硅层的第一表面上面的掩膜。

进一步地，第二硅层的第一表面上配合掩膜加工电极结构时，制作步骤包括：在第二硅层的第一表面部分淀积掩膜；在第二硅层的第一表面全部淀积金属层；去除第二硅层的第一表面上面的掩膜，剥离出电极结构。

进一步地，第二硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第二空腔槽结构和第三空腔槽结构时，制作步骤包括：在第二硅层的第二表面部分淀积掩膜；从第二硅层的第二表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出第二空腔槽结构和第三空腔槽结构；去除第二硅层的第二表面上面的掩膜。

进一步地，第二硅层刻蚀排气沟槽时，制作步骤包括：在第二硅层的第二表面部分淀积掩膜；从第二硅层的第二表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出排气沟槽结构；去除第二硅层的第二表面上面的掩膜。

进一步地，第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻电极口结构时，制作步骤包括：在第三硅层的第一表面部分淀积掩膜；从第三硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出电极口结构；去除第三硅层的第一表面上面的掩膜。

进一步地，第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第四空腔槽结构时，制作步骤包括：在第三硅层的第一表面部分淀积掩膜；从第三硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出第四空腔槽结构；去除第三硅层的第一表面上面的掩膜。

进一步地，第一硅层、第二硅层和第三硅层之间的贴合方式为键合。

进一步地，第一硅层为基板，第二硅层为中间板，第三硅层为盖板。

应用本发明的技术方案，排气沟槽的设置可以将多个内肋结构之间的间隙联通起来，并且排气沟槽与阀口结构直接联通，可以使经过相邻内肋结构之间的间隙内的气泡直接地快速地排出，使气泡不需要经过完整的摆臂腔体就可以快速排出。再者，将多个内肋结构之间的间隙联通起来后可以使进入相邻内肋结构之间的间隙的气泡更加均匀，进而使内肋结构受到的压力相近，保证微阀运行的稳定性。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中的微阀中的气泡想要排出需要经过摆臂腔体且气泡因压力变化而对内肋结构产生波动进而影响微阀性能的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了传统的微阀的结构示意图；

图2示出了传统的微阀的另一视角的结构示意图；

图3示出了传统的微阀的***图；

图4示出了传统的微阀的盖板的结构示意图；

图5示出了传统的微阀的中间板的结构示意图；

图6示出了传统的微阀的基板的结构示意图；

图7示出了本发明的微阀的***图；

图8示出了本发明的微阀的中间板的结构示意图；

图9示出了本发明的微阀的中间板第一表面的结构示意图；

图10示出了本发明的微阀的中间板第二表面的结构示意图；

图11至图14示出了第一硅层刻蚀阀口结构时的加工过程中的结构变化图；

图15至图17示出了第一硅层刻蚀第一空腔槽结构时的加工过程中的结构变化图；

图18至图20示出了第二硅层设置电极结构时的加工过程中的结构变化图；

图21至图24示出了第三硅层刻蚀电极口结构时的加工过程中的结构变化图；

图25至图27示出了第三硅层刻蚀第四空腔槽结构时的加工过程中的结构变化图；

图28示出了第二硅层的第一表面贴合在第三硅层的第一表面后的结构示意图；

图29至图31示出了第二硅层刻蚀第二空腔槽结构和第三空腔结构时的加工过程中的结构变化图；

图32至图34示出了第二硅层刻蚀排气沟槽时的加工过程中的结构变化图；以及

图35示出了第二硅层的第二表面贴合在第一硅层的第一表面后的结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、微阀主体；11、基板；111、第一空腔槽结构；112、阀口结构；12、中间板；121、第二空腔槽结构；122、第三空腔槽结构；123、内肋结构；124、排气沟槽；125、电极结构；13、盖板；131、第四空腔槽结构；132、电极口结构。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

如图7至图10所示，本实施例中的一种微阀，包括微阀主体10，微阀主体10内侧设置有制动空腔，制动空腔内设置有多个内肋结构123，制动空腔与阀口结构112连接。其中，多个内肋结构123通过排气沟槽124连接，排气沟槽124与阀口结构112连通，以排放微阀内的空气。

应用本实施例的技术方案，排气沟槽124的设置可以将多个内肋结构123之间的间隙联通起来，并且排气沟槽124与阀口结构112直接联通，可以使经过相邻内肋结构123之间的间隙内的气泡直接地快速地排出，使气泡不需要经过完整的摆臂腔体就可以快速排出。再者，将多个内肋结构123之间的间隙联通起来后可以使进入相邻内肋结构123之间的间隙的气泡更加均匀，进而使内肋结构123受到的压力相近，保证微阀运行的稳定性。本实施例的技术方案有效地解决了现有技术中的微阀中的气泡想要排出需要经过摆臂腔体且气泡因压力变化而对内肋结构123产生波动进而影响微阀性能的问题。

值得注意的是，多个内肋结构123的位置安装有电热丝，以控制多个内肋结构123处产生热能，以使多个内肋结构123热涨而堵塞它们之间的间隙，进而实现对微阀的阻断；当不再加热且温度恢复时，多个内肋结构123冷缩并恢复原来的形变，这样就可以使它们之间的间隙开放，使微阀内的流体正常流通。上述过程就可以实现微阀的通断控制，将电热丝连接控制终端可以有效地对微阀的通断进行控制。排气沟槽124的设置还可以加速多个内肋结构123的降温速度，进而可以加快微阀的响应速度，进而可以提高微阀的灵敏度。

如图7至图10所示，在本实施例的技术方案中，多个内肋结构123排列形成鱼肋结构，排气沟槽124将多个内肋结构123之间的间隙相联通，排气沟槽124贯穿鱼肋结构。上述结构中的排气沟槽124可以将多个内肋结构123之间的间隙联通起来，进而可以使经过该部分的气泡可以快速排出，提高微阀的稳定性。将多个内肋结构123之间的间隙联通起来后可以使进入相邻内肋结构123之间的间隙的气泡更加均匀，进而使内肋结构123受到的压力相近，保证微阀运行的稳定性。

如图7至图10所示，在本实施例的技术方案中，微阀主体10包括基板11、中间板12和盖板13。基板11的第一表面开设有第一空腔槽结构111。中间板12的第一表面开设有第二空腔槽结构121，中间板12的第二表面开设有第三空腔槽结构122。盖板13的第二表面开设有第四空腔槽结构131。其中，第二空腔槽结构121和第三空腔槽结构122相连通，基板11、中间板12和盖板13结合后，第一空腔槽结构111、第二空腔槽结构121、第三空腔槽结构122和第四空腔槽结构131配合形成制动空腔。上述结构可以形成制动空腔。

如图7至图10所示，在本实施例的技术方案中，排气沟槽124设置在中间板12的第二表面上。上述结构是本实施例的优选方案，仅在中间板12上设置排气沟槽124可以方便微阀的加工，简化工艺流程，提高生产效率。也可以在基板11或盖板13上设置排气沟槽124，只要与多个内肋结构123之间间隙连通并可以提高排气效率即可。也可以在基板11、中间板12和盖板13中的两个或者三个上均设置排气沟槽124。

如图7至图10所示，在本实施例的技术方案中，制动空腔包括具有终端区域的第一空腔部分、具有从微阀中排除空气的第二空腔部分和从第一空腔部分向第二空腔部分延伸的排气结构。上述结构第一空腔部分的设置可以方便连接控制终端，第二空腔部分的设置可以导出微阀内的空气，第三空腔部分地设置可以将微阀内导出的空气排出微阀外。具体地，第一空腔部分主要设置在盖板13和中间板12之间，盖板13上设置有与终端连接的电极口结构132；第二空腔部分主要设置在中间板12上，并与多个内肋结构123之间的间隙相连通，第二空腔部分包括本实施例中的排气沟槽124；第三空腔部分主要设置在基板11和中间板12之间，基板11上开设有与外界连通的阀口结构112。其中，阀口结构112包括流体进口、流体出口和排气口。

如图7至图10所示，在本实施例的技术方案中，排气沟槽124设置在从第一空腔部分向第二空腔部分延伸的部分，并与排气结构连通。上述结构可以将导入到排气沟槽124内的气体通过排气结构排出微阀外。

如图11至图35所示，本实施例中的一种微阀的制作方法，微阀为权利要求至中任一项的微阀，制作步骤包括：

设置第一硅层、第二硅层和第三硅层；

在第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第一空腔槽结构111，在第二硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第二空腔槽结构121，在第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第四空腔槽结构131；

将第二硅层的第一表面贴合在第三硅层的第一表面上；

在第二硅层的第二表面上配合掩膜蚀刻第三空腔槽结构122；

在第二硅层的第二表面上配合掩膜蚀刻排气沟槽124；

第二硅层的第二表面贴合在第一硅层的第一表面上，形成微阀。

上述制作方法中设置的第一硅层、第二硅层和第三硅层是指设置三个大小相近或者相同的待加工的硅板结构，具体地，在本实施例中第一硅层为基板11的待加工板，第二硅层为中间板12的待加工板，第三硅层为盖板13的待加工板。

值得注意的是，第一硅层、第二硅层和第三硅层之间的贴合方式为键合。也可以采用其它贴合方式，比如胶粘、卡接和卡扣等，优选键合。本实施例中的键合是指将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。

如图11至图14所示，在本实施例的技术方案中，第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻阀口结构112时，制作步骤包括：

在第一硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从第一硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出阀口结构112；

去除第一硅层的第一表面上面的掩膜。

上述制作步骤为第一硅层刻蚀阀口结构112时的加工方法，通过掩膜和刻蚀物的配合下实现阀口结构112的加工。

如图15至图17所示，在本实施例的技术方案中，第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第一空腔槽结构111时，制作步骤包括：

在第一硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从第一硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出第一空腔槽结构111；

去除第一硅层的第一表面上面的掩膜。

上述制作步骤为第一硅层刻蚀第一空腔槽结构111时的加工方法，通过掩膜和刻蚀物的配合下实现第一空腔槽结构111的加工。

如图18至图20所示，在本实施例的技术方案中，第二硅层的第一表面上配合掩膜加工电极结构125时，制作步骤包括：

在第二硅层的第一表面部分淀积掩膜；

在第二硅层的第一表面全部淀积金属层；

去除第二硅层的第一表面上面的掩膜，剥离出电极结构125。

上述制作步骤为第二硅层刻蚀电极结构125时的加工方法，通过掩膜和淀积金属的配合下实现电极结构125的加工。通过电极结构125的设置可以对微阀完工后的多个内肋结构123进行加热，以实现微阀的热胀冷缩，进而控制微阀的通断。

如图21至图24所示，在本实施例的技术方案中，第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻电极口结构132时，制作步骤包括：

在第三硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从第三硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出电极口结构132；

去除第三硅层的第一表面上面的掩膜。

上述制作步骤为第三硅层刻蚀电极口结构132时的加工方法，通过掩膜和刻蚀物的配合下实现电极口结构132的加工。

如图25至图27所示，在本实施例的技术方案中，第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第四空腔槽结构131时，制作步骤包括：

在第三硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从第三硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出第四空腔槽结构131；

去除第三硅层的第一表面上面的掩膜。

上述制作步骤为第三硅层刻蚀第四空腔槽结构131时的加工方法，通过掩膜和刻蚀物的配合下实现第四空腔槽结构131的加工。

如图28所示，在本实施例的技术方案中，第二硅层的第一表面贴合在第三硅层的第一表面后形成第二硅层和第三硅层的结合体。

如图29至图31所示，在本实施例的技术方案中，第二硅层刻蚀第二空腔槽结构121和第三空腔槽结构122时，制作步骤包括：

在第二硅层的第二表面部分淀积掩膜；

从第二硅层的第二表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出第二空腔槽结构121和第三空腔槽结构122；

去除第二硅层的第二表面上面的掩膜。

上述制作步骤为第二硅层刻蚀第二空腔槽结构121和第三空腔槽结构122的加工方法，通过掩膜和刻蚀物的配合下实现第二空腔槽结构121和第三空腔槽结构122的加工。其中，第二空腔槽结构121和第三空腔槽结构122为一体结构，处于第二硅层靠近第一硅层的部分为第二空腔槽结构121，处于第二硅层靠近第三硅层的部分为第三空腔槽结构122。

如图32至图34所示，在本实施例的技术方案中，第二硅层刻蚀排气沟槽124时，制作步骤包括：

在第二硅层的第二表面部分淀积掩膜；

从第二硅层的第二表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出排气沟槽124；

去除第二硅层的第二表面上面的掩膜。

上述制作步骤为第二硅层刻蚀排气沟槽124时的加工方法，通过掩膜和刻蚀物的配合下实现排气沟槽124的加工。

如图35所示，在本实施例的技术方案中，第二硅层的第二表面贴合在第一硅层的第一表面后形成微阀的整体结构，至此微阀制作完成。

值得注意的是，本发明中的微阀采用硅层加工是优选方案，可以根据需要设置为其他半导体材料加工。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：排气沟槽124的设置可以将多个内肋结构123之间的间隙联通起来，并且排气沟槽124与阀口结构112直接联通，可以使经过相邻内肋结构123之间的间隙内的气泡直接地快速地排出，使气泡不需要经过完整的摆臂腔体就可以快速排出。再者，将多个内肋结构123之间的间隙联通起来后可以使进入相邻内肋结构123之间的间隙的气泡更加均匀，进而使内肋结构123受到的压力相近，保证微阀运行的稳定性。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中的微阀中的气泡想要排出需要经过摆臂腔体且气泡因压力变化而对内肋结构123产生波动进而影响微阀性能的问题。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种微阀，其特征在于，包括微阀主体(10)，所述微阀主体(10)内侧设置有制动空腔，所述制动空腔内设置有多个内肋结构(123)，所述制动空腔与阀口结构(112)连接；

其中，多个所述内肋结构(123)通过排气沟槽(124)连接，所述排气沟槽(124)与所述阀口结构(112)连通，以排放所述微阀内的空气；

多个所述内肋结构(123)排列形成鱼肋结构，所述排气沟槽(124)位于多个所述内肋结构(123)的一端，所述排气沟槽(124)将多个所述内肋结构(123)之间的间隙相联通，所述排气沟槽(124)贯穿所述鱼肋结构。

2.根据权利要求1所述的微阀，其特征在于，所述微阀主体(10)包括：

基板(11)，所述基板(11)的第一表面开设有第一空腔槽结构(111)；

中间板(12)，所述中间板(12)的第一表面开设有第二空腔槽结构(121)，所述中间板(12)的第二表面开设有第三空腔槽结构(122)；

盖板(13)，所述盖板(13)的第二表面开设有第四空腔槽结构(131)；

其中，所述第二空腔槽结构(121)和所述第三空腔槽结构(122)相连通，所述基板(11)、中间板(12)和盖板(13)结合后，所述第一空腔槽结构(111)、所述第二空腔槽结构(121)、所述第三空腔槽结构(122)和所述第四空腔槽结构(131)配合形成所述制动空腔。

3.根据权利要求2所述的微阀，其特征在于，所述排气沟槽(124)设置在所述中间板(12)的第二表面上。

4.根据权利要求1所述的微阀，其特征在于，所述制动空腔包括具有终端区域的第一空腔部分、具有从所述微阀中排除空气的第二空腔部分和从所述第一空腔部分向所述第二空腔部分延伸的排气结构。

5.根据权利要求4所述的微阀，其特征在于，所述排气沟槽(124)设置在从所述第一空腔部分向所述第二空腔部分延伸的部分，并与所述排气结构连通。

6.一种微阀的制作方法，其特征在于，所述微阀为权利要求1至5中任一项所述的微阀，制作步骤包括：

设置第一硅层、第二硅层和第三硅层；

在所述第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第一空腔槽结构(111)，在所述第二硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第二空腔槽结构(121)，在所述第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻第四空腔槽结构(131)；

将所述第二硅层的第一表面贴合在所述第三硅层的第一表面上；

在所述第二硅层的第二表面上配合掩膜蚀刻第三空腔槽结构(122)；

在所述第二硅层的第二表面上配合掩膜蚀刻排气沟槽(124)；

所述第二硅层的第二表面贴合在所述第一硅层的第一表面上，形成微阀。

7.根据权利要求6所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻阀口结构(112)时，制作步骤包括：

在所述第一硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从所述第一硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出所述阀口结构(112)；

去除所述第一硅层的第一表面上面的掩膜。

8.根据权利要求7所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第一硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻所述第一空腔槽结构(111)时，制作步骤包括：

在所述第一硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从所述第一硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出所述第一空腔槽结构(111)；

去除所述第一硅层的第一表面上面的掩膜。

9.根据权利要求6所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第二硅层的第一表面上配合掩膜加工电极结构(125)时，制作步骤包括：

在所述第二硅层的第一表面部分淀积掩膜；

在所述第二硅层的第一表面全部淀积金属层；

去除所述第二硅层的第一表面上面的掩膜，剥离出所述电极结构(125)。

10.根据权利要求6所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第二硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻所述第二空腔槽结构(121)和所述第三空腔槽结构(122)时，制作步骤包括：

在所述第二硅层的第二表面部分淀积掩膜；

从所述第二硅层的第二表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出所述第二空腔槽结构(121)和所述第三空腔槽结构(122)；

去除第二硅层的第二表面上面的掩膜。

11.根据权利要求10所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第二硅层刻蚀所述排气沟槽(124)时，制作步骤包括：

在所述第二硅层的第二表面部分淀积掩膜；

从所述第二硅层的第二表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出所述排气沟槽(124)结构；

去除第二硅层的第二表面上面的掩膜。

12.根据权利要求6所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻电极口结构(132)时，制作步骤包括：

在所述第三硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从所述第三硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻穿，刻蚀出所述电极口结构(132)；

去除所述第三硅层的第一表面上面的掩膜。

13.根据权利要求12所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第三硅层的第一表面上配合掩膜蚀刻所述第四空腔槽结构(131)时，制作步骤包括：

在所述第三硅层的第一表面部分淀积掩膜；

从所述第三硅层的第一表面向下刻蚀，将未淀积掩膜部分刻蚀预设深度，刻蚀出所述第四空腔槽结构(131)；

去除所述第三硅层的第一表面上面的掩膜。

14.根据权利要求6所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第一硅层、所述第二硅层和所述第三硅层之间的贴合方式为键合。

15.根据权利要求6所述的微阀的制作方法，其特征在于，所述第一硅层为基板(11)，所述第二硅层为中间板(12)，所述第三硅层为盖板(13)。

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