CN111048685A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111048685A
CN111048685A CN201911090403.9A CN201911090403A CN111048685A CN 111048685 A CN111048685 A CN 111048685A CN 201911090403 A CN201911090403 A CN 201911090403A CN 111048685 A CN111048685 A CN 111048685A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
light absorption
hole
display area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911090403.9A
Other languages
English (en)
Inventor
杜彦英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911090403.9A priority Critical patent/CN111048685A/zh
Priority to PCT/CN2019/119767 priority patent/WO2021088131A1/zh
Priority to US16/623,788 priority patent/US11289685B2/en
Publication of CN111048685A publication Critical patent/CN111048685A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法。通过制造吸收可见光的非晶硅膜层，减少外部光在显示器上的反射，所述光吸收层优选设置在第一电极上，利用像素定义层的固有图案形成掩膜板，即在像素定义层的发光区形成一通孔，所述通孔贯穿光吸收层，这使得第一电极暴露在所述通孔中，则暴露在通孔中的第一电极为有效电极，而通孔将显示区的光吸收层移除，这使得光吸收层只存在于非显示区。所以有效第一电极结构不存在与光吸收层存的交叠区域，从而可以兼具优秀的像素电极图案和完全覆盖非发光区的光吸收层。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)是目前受到广泛关注的一种显示技术，具有自发光、高亮度、高对比度、广视角、响应快、低功耗、轻薄等诸多优点，被称为下一代显示技术。该技术被广泛应用在电子终端产品、家电、车载等领域。在应用于手持等终端产品时，由于存在多种情形下的应用场景可能，手持终端产品对自然光下的显示效果提出了更高的要求。
由于目前OLED的发光效率较低，在考虑功耗均衡的情况下，一般很难取得足够高的亮度以取得在较强烈的外界光下的高对比效果，由于外界光反射的存在，使得OLED在显示时人眼接收到反射光的影响，干扰OLED的实际显示效果。目前通常会采用额外的圆偏振片等方法使得入射光无法再次出射而降低影响。然而额外的偏光片的采用，一方面增加了屏幕厚度牺牲了弯折性能，另外一方面额外工艺步骤的引入提高了成本且使得良率降低。
因此，急需提供一种新的显示面板，用以减少外界光对显示面板的影响，提高显示面板的显示效果。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，通过制造吸收可见光的光吸收层，减少外部光在显示器上的反射，提高显示面板的显示效果。
为了可以达到上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：衬底基板，具有显示区以及非显示区；薄膜晶体管层，设于所述衬底基板上且对应所述非显示区；第一电极，设于所述薄膜晶体管层上且对应所述显示区，所述第一电极连接所述薄膜晶体管层；光吸收层，设于所述薄膜晶体管层上且对应非显示区；像素定义层，设于所述光吸收层上，所述像素定义层具有一对应所述显示区的第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层直至所述第一电极的表面；有机发光层，设于所述第一通孔中且连接所述第一电极。
进一步地，所述光吸收层还设于所述第一电极上；所述第一通孔贯穿所述像素定义层以及所述光吸收层直至所述第一电极的表面。
进一步地，所述光吸收层的材料包括铟镓锌氧化物、铟铝锌氧化物或多晶硅。
进一步地，所述光吸收层与所述第一电极设有一间隔。
进一步地，所述光吸收层的材料包括氧化铟锡。
进一步地，所述第一电极包括：第一透明电极层；金属层，设于所述第一透明电极层的一侧；第二透明电极层，设于所述金属层远离所述第一透明电极层的一侧。
进一步地，所述第一透明电极与所述光吸收层同层设置。
本发明提供一种显示面板的制备方法，包括：提供一衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及非显示区；形成一薄膜晶体管层于对应所述非显示区的衬底基板上；形成一第一电极于所述薄膜晶体管层上且对应所述显示区；形成一光吸收层于所述薄膜晶体管层以及所述第一电极上；形成一像素定义层于所述光吸收层上；形成一通孔于像素定义层上且对应显示区；刻蚀所述第一通孔对应的光吸收层，用以使所述第一电极暴露于所述第一通孔中；蒸镀有机发光层于所述第一通孔中的第一电极上。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括：提供一衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及非显示区；形成一薄膜晶体管层于对应所述非显示区的衬底基板上；依次沉积一光吸收层、金属层以及第二透明电极层于所述薄膜晶体管层上；使用半曝光技术对所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层图案化，形成位于所述显示区的第一电极，以及形成一间隔于所述光吸收层中，所述间隙对应所述显示区与所述非显示区之间；形成一像素定义层于所述光吸收层上；形成一第一通孔于所述像素定义层上且对应所述显示区；刻蚀所述第一通孔对应的光吸收层，用以使所述第一电极暴露于所述通孔中；蒸镀有机发光层于所述第一通孔中的第一电极上。
进一步地，在所述使用半曝光技术对所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层图形化的步骤中，具体包括：提供一半色调掩膜板，所述半色调掩膜板包括全通孔，半透光区以及不透光区；涂布一层光阻层于所述第二透明电极层上；透过所述半色调掩膜板光照所述光阻层并显影后得到第一电极图案、一光吸收层图案以及一间隔图案；刻蚀所述间隔图案对应的所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层形成一间隔；移除所述光吸收层图案，并刻蚀所述非显示区的金属层以及第二透明电极层，以暴露位于所述非显示区的光吸收层；移除所述第一电极图案，得到所述第一电极。
本发明的有益效果是：本发明提供一种显示面板及其制备方法。通过制造吸收可见光的非晶硅膜层，减少外部光在显示器上的反射，所述光吸收层优选设置在第一电极上，利用像素定义层的固有图案形成掩膜板，即在像素定义层的发光区形成一通孔，所述通孔并且贯穿光吸收层，这使得第一电极暴露在所述通孔中，则暴露在通孔中的第一电极为有效电极，而显示区的光吸收层在刻蚀通孔的时候移除，这使得光吸收层只存在于非显示区。所以有效第一电极结构不存在和光吸收层存在交叠区域，从而可以兼具优秀的像素电极图案和完全覆盖非发光区的光吸收层。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明提供的一实施例的显示面板的结构示意图；
图2为本发明提供的一实施例的第一电极的结构示意图；
图3为本发明提供的另一实施例的显示面板的结构示意图；
图4为本发明提供的另一实施例的显示面板的制备方法的步骤S3)的结构示意图；
图5为本发明提供的另一实施例的显示面板的制备方法的步骤S41)以及步骤S42)的结构示意图；
图6为本发明提供的另一实施例的显示面板的制备方法的步骤S43)的结构示意图；
图7为本发明提供的另一实施例的显示面板的制备方法的步骤S44)的结构示意图；
图8为本发明提供的另一实施例的显示面板的制备方法的步骤S45)至步骤S47)的结构示意图；
显示面板100；显示区110；非显示区120；
衬底基板101；缓冲层102；薄膜晶体管层103；
第一电极106；光吸收层107；像素定义层108；
有机发光层1013；有源层1031；栅极绝缘层1032；
栅极层1033；介质层1034；源漏电极层1035；
钝化层104；平坦化层105；第一透明电极层1061；
金属层1062；第二透明电极层1063；支撑柱109；
第二电极1011；封装盖板1012；第一通孔1081。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1所示，本发明提供一实施例的显示面板100，包括：衬底基板101、薄膜晶体管层103、第一电极106、光吸收层107、像素定义层108以及有机发光层1013。
所述衬底基板101具有显示区110以及非显示区120，所述衬底基板101与所述薄膜晶体管层103之间还设有缓冲层102，所述缓冲层102用以保护所述薄膜晶体管层103。
所述显示区110用以发光显示，所述非显示区120用以设置金属走线。
所述衬底基板101的材料包括玻璃、陶瓷、合金等材料。
所述薄膜晶体管层103设于所述衬底基板101上且对应所述非显示区120。
所述薄膜晶体管层103包括：有源层1031、栅极绝缘层1032、栅极层1033、介质层1034、源漏电极层1035、钝化层104以及平坦化层105。
所述有源层1031设于所述绝缘层远离所述衬底基板101的一侧；所述栅极绝缘层1032设于所述有源层1031远离所述缓冲层102的一侧；所述栅极层1033设于所述栅极绝缘层1032远离所述有源层1031的一侧；所述介质层1034设于所述缓冲层102、所述有源层1031以及所述栅极层1033上。
所述源漏电极层1035设于所述介质层1034远离所述缓冲层102的一侧，所述源漏电极层1035连接所述有源层1031。
所述钝化层104设于所述源漏电极层1035以及所述介质层1034上；所述平坦化层105设于所述钝化层104远离所述介质层1034的一侧，用以提高薄膜晶体管层103平坦度。
所述第一电极106设于所述薄膜晶体管层103上且对应所述显示区110，所述第一电极106连接所述薄膜晶体管层103，所述薄膜晶体管层103用以控制所述第一电极106。
如图2所示，所述第一电极106包括：第一透明电极层1061、金属层1062以及第二透明电极层1063。
所述金属层1062设于所述第一透明电极层1061的一侧；所述第二透明电极层1063设于所述金属层1062远离所述第一透明电极层1061的一侧。
再参照图1所示，所述第一电极106为阳极，所述第一电极106具体连接所述源漏电极层1035。
所述光吸收层107设于所述薄膜晶体管层103以及所述第一电极106上；所述光吸收层107的材料包括铟镓锌氧化物、铟铝锌氧化物或多晶硅。
所述光吸收层107可以吸收外界的光，降低入射光的反射，可以有效改善外部强光对显示效果的影响，进而提高显示面板100的显示效果。
所述像素定义层108设于所述光吸收层107上，所述像素定义层108具有一对应所述显示区110的第一通孔1081，所述第一通孔1081贯穿像素定义层108直至所述第一电极106的表面。
所述有机发光层1013设于所述第一通孔1081中且连接所述第一电极106。
所述有机发光层1013包括为单层器件、双层器件、三层器件以及多层器件。
单层器件也就是直接接入一层可以发光的有机层。在这种结构中由于电子、空穴注入、传输不平衡，导致器件效率、亮度都较低，器件稳定性差。
双层器件是在单层器件的基础上，在发光层两侧加入空穴传输层(HTL)或电子传输层(ETL)，克服了单层器件载流子注入不平衡的问题，改善了器件的电压-电流特性，提高了器件的发光效率。
三层器件结构是应用最广泛的一种结构，也是本实施例优选结构，主要通过在发光层两侧加入空穴传输层(HTL)或电子传输层(ETL)。这种结构的优点是使激子被局限在发光层中，进而提高器件的效率。
多层结构的性能是比较好的一种结构，其能够很好的发挥各个层面的作用。发光层也可以由多层结构组成，由于各有机层之间相互独立，可以分别优化。因此，这种结构能充分发挥各有机层的作用，极大地提高了器件设计的灵活性。
继续参照图1所示，所述显示面板100还包括支撑柱109、第二电极1011以及封装盖板1012。
所述支撑柱109设于所述像素定义层108上；所述支撑柱109以及所述像素定义层108使用聚酰亚胺或具备同样性能的材料。制备的时候可分步形成图案，也可以采用半色调掩膜板曝光显影刻蚀技术，一次性形成所述支撑柱109设于所述像素定义层108的图案。
所述第二电极1011设于所述支撑柱109、所述像素定义层108以及所述有机发光层1013上。所述第二电极1011为阴极，可采用Ag、Mg、Al、IZO等材料构成的透射电极。
所述封装盖板1012设于所述支撑柱109对应的所述第二电极1011上。封装盖板1012可以用紫外固化或热固化的胶材与衬底基板101进行粘接密封，也可采用玻璃料通过激光烧结的方式进行粘接密封；同时也用薄膜封装的方式代替盖板和密封材料。
在一实施例中，所述光吸收层107还可以设置在支撑柱109、像素定义层108、平坦化层105、钝化层104等材料的下方或上方，应当至少位于薄膜晶体管层103的源漏电极层的上方。
本实施例最优选的将光吸收层107设于第一电极106上方。因为在使用非导电材料作为该外界光吸收层107时，可以利用像素定义层108的固有图案形成掩膜板，即在像素定义层108的发光区形成一通孔，所述通孔贯穿光吸收层107，这使得第一电极暴露在所述通孔中，则暴露在通孔中的第一电极为有效电极，而显示区110的光吸收层107被移除，这使得光吸收层107只存在于非显示区120。所以有效电极结构不存在与光吸收层107的交叠区域，从而可以兼具优秀的像素电极图案和完全覆盖非发光区的光吸收层107。
并且支撑柱109和像素定义层108是存在一定的折射率，即存在一定的反射，可以将该光吸收层107形成在支撑柱109上方以完全避免背板反射，甚至形成在封装层上方，完全避免显示面板100非发光区域的反射。但基于生产质量保障的考虑，光吸收层107形成在支撑柱109的下方以避免后续支撑柱109起到衬垫作用时膜层磨损对显示面板100器件的影响。
为了得到本发明一实施例的显示面板100，本发明提供了一实施例的显示面板的制备方法，包括如下步骤。
S1)提供一衬底基板101，所述衬底基板101具有显示区110以及非显示区120。
S2)形成一薄膜晶体管层103于对应所述非显示区120的衬底基板101上。
S3)形成一第一电极106于所述薄膜晶体管层103上且对应所述显示区110。
S4)形成一光吸收层107于所述第一电极106以及所述薄膜晶体管层103上。
S5)形成一像素定义层108于所述光吸收层107上。
S6)形成一支撑柱109于所述像素定义层108上。步骤S6)还可以与步骤S5)一同形成。通过采用半色调掩膜板曝光显影刻蚀技术，一次性形成所述支撑柱109设于所述像素定义层108的图案。
S7)形成一第一通孔1081于像素定义层108上且对应显示区110。
S8)刻蚀所述通孔对应的光吸收层107，用以使所述第一电极106暴露于所述通孔中。在S8)中，通过利用像素定义层108图案(即第一通孔1081)对光吸收层107进行刻蚀，使的有效的第一电极暴露在第一通孔1081中，并且使得光吸收层107只存在于非显示区120。所以有效的第一电极结构不存在和光吸收层107交叠区域，从而可以兼具优秀的像素电极图案和完全覆盖非发光区的光吸收层107。
S9)蒸镀有机发光层1013于所述第一通孔1081中的第一电极106上。
如图3所示，本发明还提供另一实施例的显示面板100a，其与一实施例的不同之处在于，所述光吸收层107a与所述第一电极106a设有一间隔，进而所述光吸收层107a与所述第一电极106a互不连接或互不遮挡。
所述光吸收层107a的材料包括氧化铟锡。所述第一透明电极层1061a，与所述光吸收层107a同层设置(参照图8)。
所述光吸收层107a与所述第一透明电极1061a同层制备，并不需要单独进行光吸收层的制程。
如图3所示，本发明显示面板100a，并未增加多余的制程即可得到光吸收层107a。
为了得到本发明的显示面板100a，本发明还提供另一实施例的显示面板的制备方法用以制得所述显示面板100a。
本发明另一实施例提供的显示面板的制备方法包括如下步骤。
步骤S1)提供一衬底基板101a，所述衬底基板101a具有显示区110a以及非显示区120a。
步骤S2)形成一薄膜晶体管层103a于对应所述非显示区120a的衬底基板101上。
步骤S3)如图4所示，依次沉积一光吸收层1061a、金属层1062a以及第二透明电极层1063a于所述薄膜晶体管层103a上。
步骤S4)如图5～图8所示，使用半曝光技术对所述光吸收层1061a、所述金属层1062a以及所述第二透明电极层1063a图案化，形成位于所述显示区的第一电极106a，以及形成一间隔1071a于所述光吸收层1061a中，所述间隔1071a对应所述显示区110a与所述非显示区120a之间；
其中所述步骤S4)包括步骤S41)至步骤S47)。
步骤S41)提供一半色调掩膜板200a，所述半色调掩膜板200a包括全通孔230a，半透光区220a以及不透光区210a。所述全通孔230a设于所述半透光区220a以及所述不透光区210a之间，所述不透光区210a对应所述显示区110a，所述半透光区220a对应非显示区120a。
光线可以全部穿透所述全通孔230a，部分穿过所述半透光区220a，但不会穿过不透光区210a。
步骤S42)涂布一层光阻层240a于所述第二透明电极层1063a上。
步骤S43)透过所述半色调掩膜板200a光照所述光阻层240a并显影后得到第一电极图案2401a以及所述光吸收层图案2402a以及一间隔图案2403a。
所述第一电极图案2401a以及所述光吸收层图案2402a为并未被显影液消除的光阻，所述第一电极图案2401a对应所述不透光区210a，所述光吸收层图案2402a对应所述半透光区220a。通过在掩膜版上设置不同透光率的区域，即在曝光显影后将所述第一电极图案2401a以及所述光吸收层图案2402a进行区分。
而间隔图案2403a即为在所述第一电极图案2401a以及所述光吸收层图案2402a的间隙，由于光线全部照射，进而可以全部将该区域对应的光阻消除。
步骤S44)刻蚀所述间隔图案2403a对应的光吸收层1061a、金属层1062a以及所述第二透明电极层1063a形成一间隔1071a。所述间隔1071a即将光吸收层107a与所述第一电极106a分隔开，即将所述显示区110a的光吸收层与所述非显示区120a的光吸收层分隔开。
步骤S45)移除所述光吸收层图案2402a，并刻蚀所述非显示区120的金属层以及第二透明电极层，以暴露位于所述非显示区120a的光吸收层。
步骤S46)移除所述第一电极图案2401a，在所述显示区110a的所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层即为第一电极106a(与前一实施例的第一电极106的结构以及位置相同)。
步骤S5)形成一像素定义层108a于所述光吸收层107a上；
步骤S6)形成一通孔于像素定义层108a上且对应显示区110a；
步骤S7)刻蚀所述通孔对应的光吸收层107a，用以使所述第一电极106a暴露于所述通孔中；
步骤S8)将有机发光层1013a蒸镀于所述第一通孔1081中的第一电极106a上。
由本发明提供的另一实施例的显示面板的制备方法，相比较前一实施例来说，并没有增加了多余制备光吸收层107a的制备流程，而是通过半曝光技术形成第一电极106a以及一间隔1071a，所述间隔1071a将非显示区的光吸收层107a与所述第一电极106a分隔开。
具体通过在薄膜晶体管层103a上依次沉积光吸收层1061a、金属层1062a以及第二透明电极层1063a，然后通过采用半色调掩膜板进行曝光显示以及刻蚀技术，一次性的形成第一电极106a以及所述光吸收层107a。即在显示区110a保留光吸收层、金属层以及第二透明电极层的三层结构，进而形成具有与前一实施例结构以及位置相同的第一电极106a。而在非显示区120a只保留光吸收层107a，所述光吸收层107a可以有效降低入射可见光的出射，同时可以减轻外界光对其显示器件的损伤。
应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，具有显示区以及非显示区；
薄膜晶体管层，设于所述衬底基板上且对应所述非显示区；
第一电极，设于所述薄膜晶体管层上且对应所述显示区，所述第一电极连接所述薄膜晶体管层；
光吸收层，设于所述薄膜晶体管层上且对应所述非显示区；
像素定义层，设于所述光吸收层上，所述像素定义层具有一对应所述显示区的第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层直至所述第一电极的表面；
有机发光层，设于所述第一通孔中且连接所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述光吸收层还设于所述第一电极上；
所述第一通孔贯穿所述像素定义层以及所述光吸收层直至所述第一电极的表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述光吸收层的材料包括铟镓锌氧化物、铟铝锌氧化物或多晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述光吸收层与所述第一电极间设有一间隔。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述光吸收层的材料包括氧化铟锡。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极包括：
第一透明电极层；
金属层，设于所述第一透明电极层的一侧；
第二透明电极层，设于所述金属层远离所述第一透明电极层的一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一透明电极层与所述光吸收层同层设置。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及非显示区；
形成一薄膜晶体管层于对应所述非显示区的衬底基板上；
形成一第一电极于所述薄膜晶体管层上且对应所述显示区；
形成一光吸收层于所述薄膜晶体管层以及所述第一电极上；
形成一像素定义层于所述光吸收层上；
形成一通孔于所述像素定义层上且对应所述显示区；
刻蚀与所述通孔对应的光吸收层，用以使所述第一电极暴露于所述通孔中；
蒸镀有机发光层于所述第一通孔中的第一电极上。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及非显示区；
形成一薄膜晶体管层于对应所述非显示区的衬底基板上；
依次沉积一光吸收层、金属层以及第二透明电极层于所述薄膜晶体管层上；
使用半曝光技术对所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层图案化，形成位于所述显示区的第一电极，以及形成一间隔于所述光吸收层中，所述间隔对应所述显示区与所述非显示区之间；
形成一像素定义层于所述光吸收层上；
形成一第一通孔于所述像素定义层上且对应所述显示区；
刻蚀所述第一通孔对应的光吸收层，用以使所述第一电极暴露于所述通孔中；
蒸镀有机发光层于所述第一通孔中的第一电极上。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述使用半曝光技术对所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层图形化的步骤中，具体包括：
提供一半色调掩膜板，所述半色调掩膜板包括全通孔，半透光区以及不透光区；
涂布一层光阻层于所述第二透明电极层上；
透过所述半色调掩膜板光照所述光阻层并显影后得到第一电极图案、一光吸收层图案以及一间隔图案；
刻蚀所述间隔图案对应的所述光吸收层、所述金属层以及所述第二透明电极层形成一间隔；
移除所述光吸收层图案，并刻蚀所述非显示区的金属层以及第二透明电极层，以暴露位于所述非显示区的光吸收层；
移除所述第一电极图案，得到所述第一电极。
CN201911090403.9A 2019-11-08 2019-11-08 显示面板及其制备方法 Pending CN111048685A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911090403.9A CN111048685A (zh) 2019-11-08 2019-11-08 显示面板及其制备方法
PCT/CN2019/119767 WO2021088131A1 (zh) 2019-11-08 2019-11-20 显示面板及其制备方法
US16/623,788 US11289685B2 (en) 2019-11-08 2019-11-20 Display panel with patterned light absorbing layer, and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911090403.9A CN111048685A (zh) 2019-11-08 2019-11-08 显示面板及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111048685A true CN111048685A (zh) 2020-04-21

Family

ID=70231781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911090403.9A Pending CN111048685A (zh) 2019-11-08 2019-11-08 显示面板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11289685B2 (zh)
CN (1) CN111048685A (zh)
WO (1) WO2021088131A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112035007A (zh) * 2020-08-11 2020-12-04 惠州市华星光电技术有限公司 触控显示面板及其制备方法
CN112736122A (zh) * 2020-12-30 2021-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112909205A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2021238872A1 (zh) * 2020-05-26 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3010852C (en) 2016-01-07 2023-09-19 The Research Foundation For The State University Of New York Multi-well selenium device and method for fabrication thereof
CN113192997B (zh) * 2021-04-28 2022-10-04 武汉华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1452252A (zh) * 2002-04-15 2003-10-29 三星Sdi株式会社 具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法
CN104282719A (zh) * 2013-07-05 2015-01-14 索尼公司 发光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100762682B1 (ko) * 2006-05-03 2007-10-01 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101954220B1 (ko) * 2012-09-14 2019-03-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 봉지 유닛, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102094427B1 (ko) * 2013-08-07 2020-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102513909B1 (ko) * 2015-06-04 2023-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN105070741A (zh) * 2015-09-02 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及oled显示面板、显示装置
KR102579751B1 (ko) * 2016-07-05 2023-09-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
JP6815294B2 (ja) * 2016-09-30 2021-01-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、および有機ｅｌパネル
CN108321207B (zh) * 2017-01-18 2021-03-12 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置
KR102448065B1 (ko) * 2017-11-30 2022-09-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108321171A (zh) * 2018-01-22 2018-07-24 惠州市华星光电技术有限公司 一种用于显示面板中的薄膜晶体管及显示面板
CN109301092B (zh) * 2018-08-31 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1452252A (zh) * 2002-04-15 2003-10-29 三星Sdi株式会社 具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法
CN104282719A (zh) * 2013-07-05 2015-01-14 索尼公司 发光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021238872A1 (zh) * 2020-05-26 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
CN112035007A (zh) * 2020-08-11 2020-12-04 惠州市华星光电技术有限公司 触控显示面板及其制备方法
US11747937B2 (en) 2020-08-11 2023-09-05 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch display panel and manufacturing method thereof
CN112736122A (zh) * 2020-12-30 2021-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112909205A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210343990A1 (en) 2021-11-04
WO2021088131A1 (zh) 2021-05-14
US11289685B2 (en) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111048685A (zh) 显示面板及其制备方法
CN107885004B (zh) 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺
US8299702B2 (en) Luminescence display panel with auxiliary electrode and method for fabricating the same
US10050098B2 (en) Organic light-emitting display device including substrate having plurality of trenches and method of fabricating the same
US8421341B2 (en) Organic electroluminescent device
US7619359B2 (en) Organic electroluminescent display having sealant with grains and method for manufacturing the same
CN101615624B (zh) 发光显示面板及其制造方法
CN111613654B (zh) 显示面板及显示面板制作方法
KR20180071538A (ko) 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
CN109461838B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
KR101580827B1 (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
US20050212447A1 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US20130161631A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
US11678526B2 (en) Display device having an emitting area and a reflecting area
JP2010287559A (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2008056868A9 (en) Organic light emitting device
JP7309967B2 (ja) ディスプレイ装置、およびその製造方法
KR100692359B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
KR20100131074A (ko) 상부 발광방식 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
CN111415963B (zh) 显示面板及其制备方法
KR101950837B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US7151274B2 (en) Dual panel type organic electroluminescent device
KR20050029826A (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
US20230217792A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof
TWI839986B (zh) 顯示裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200421

RJ01 Rejection of invention patent application after publication