CN111034367B - 用于捕获在材料路径上行进的材料的容器 - Google Patents

Abstract

一种靶材料容器包括：包括沿第一方向延伸的通路的结构，该通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料；以及偏转器***，其被配置为从通路接收靶材料。偏转器***包括多个偏转器元件。每个偏转器元件相对于靶材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向，并且偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件沿与第一方向不同的第二方向分开一定距离。

Description

用于捕获在材料路径上行进的材料的容器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月25日提交的美国非临时专利申请号15/687,367的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于捕获在材料路径上行进的材料的容器。该容器可以用在期望捕获微滴或液体射流的***中。例如，该容器可以用在极紫外(EUV)光源中。

背景技术

在***中移动的液体或部分液体材料可能与***中的表面(冲击表面)碰撞。与冲击表面的碰撞可能导致材料的飞溅和/或散射，并且飞溅和/或散射可能导致冲击表面附近的物体受到污染。污染例如可以是由于碰撞而从材料上掉下来的材料碎片。物体的污染可能导致物体和/或整个***的性能下降。例如，***可以包括反射镜，并且反射镜的污染可以改变反射镜的反射性质。反射镜可以是EUV光源中的反射镜，并且污染可以导致由源输出的EUV光的量减少。

极紫外(“EUV”)光(例如，波长为100纳米(nm)或更小的电磁辐射(有时也称为软X射线)以及包括例如波长为20nm或更小、5nm至20nm之间或13nm至14nm之间的光)可以用于光刻过程中，以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在诸如硅晶片的衬底中产生极小的特征。

产生EUV光的方法包括但不限于转换包括例如氙、锂或锡的元素的材料，其在等离子体状态下具有EUV范围内的发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生的等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过利用可以称为驱动激光的经放大的光束照射以材料的微滴、板、带、流或簇的形式的靶材料来产生。对于该过程，通常在密封器皿(例如，真空室)中产生等离子体，并且使用各种类型的量测设备对其进行监视。

发明内容

在一个总体方面，一种靶材料容器包括：包括在第一方向上延伸的通路的结构，该通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料；以及偏转器***，被配置为从通路接收靶材料。偏转器***包括多个偏转器元件。每个偏转器元件相对于靶材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向，并且偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件在与第一方向不同的第二方向上分开一定距离。

实现可以包括以下特征中的一个或多个。结构还可以包括基部，基部包括耦合至通路的内部。在一些实现中，偏转器***的至少一部分被定位在基部的内部中，基部的侧面相对于第一方向呈底角角度，并且基部的侧面在第二方向上延伸。

每个偏转器元件可以包括相对于靶材料路径以第一锐角被定向的第一部分以及从第一部分延伸的端部，该端部包括基本平行于靶材料路径延伸的尖端。每个偏转器元件的端部还可以包括包含表面的主体，并且主体的表面可以与靶材料路径形成第二锐角。第二锐角可以等于或小于第一锐角。每个偏转器元件的第一部分可以包括在第一平面中延伸的板，该板在第一平面中具有第一范围并且在第二平面中具有第二范围，第二平面正交于第一平面并且第二范围小于第一范围。靶材料的实例可以是基本上球形的并且具有直径，每个尖端可以具有被配置为与靶材料的实例相互作用的表面，并且尖端的表面可以在至少一个方向上具有小于靶材料的实例的直径的范围。

在一些实现中，每个偏转器元件包括被配置为减少靶材料对偏转器元件的表面的粘附的至少一个表面特征。表面特征可以包括波纹、具有特定粗糙度的区域、凹槽的图案、氧化的区域和/或与在偏转器元件的表面的其他部分中使用的材料不同的材料的涂层。

在任何两个相邻的偏转器元件之间沿第二方向的距离可以是相同的。对于所有偏转器元件，第一锐角可以相同。每个偏转器元件可以是板，并且偏转器元件可以沿第二方向分离，使得板中的任一个均平行于所有其他板。

靶材料容器可以被配置用于极紫外(EUV)光源，并且靶材料可以包括当处于等离子体状态时发射EUV光的材料。

在另一总体方面，一种极紫外(EUV)光源包括：被配置为产生光束的光源；被配置为在等离子体形成位置处接收光束的器皿；被配置为产生沿靶标路径朝向等离子体形成位置行进的靶标的供给***；以及靶材料容器，包括：包括在第一方向上延伸的通路的结构，该通路被定位为接收在靶标路径上行进并穿过等离子体形成位置的靶标；以及被配置为从通路接收靶标的偏转器***，偏转器***包括多个偏转器元件。每个偏转器元件相对于材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向呈第一锐角，并且偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件在与第一方向不同的第二方向上分开一定距离。

实现可以包括以下特征中的一个或多个。结构还可以包括基部，基部包括耦合至通路的内部。在一些实现中，偏转器***的至少一部分被定位在基部的内部中，基部的侧面相对于第一方向呈底角角度，并且基部的侧面在第二方向上延伸。

每个偏转器元件可以包括以第一锐角被定向的第一部分以及从第一部分延伸的端部，端部包括基本平行于靶标路径延伸的尖端。每个偏转器元件的端部还可以包括包含表面的主体，并且主体的表面与靶标方向形成第二锐角。第二锐角可以等于或小于第一锐角。

在另一总体方面，用于极紫外(EUV)光源的偏转器***包括多个偏转器元件，每个偏转器元件包括沿第一方向延伸的第一部分以及从第一部分延伸的第二部分，第二部分包括主体，主体包括从第一部分朝向尖端延伸的一个或多个表面。偏转器***被配置为定位在EUV光源的器皿中，使得第一方向和靶材料路径形成第一锐角，第二部分的主体的表面中的至少一个与靶材料路径形成第二锐角，靶材料路径是靶标在器皿中行进的路径，靶标包括在等离子体状态中发射EUV光的靶材料，并且第二锐角大于零度。

实现可以包括以下特征中的一个或多个。第一锐角可以是零度。第一部分的侧表面可以与局部重力矢量基本对准，使得每个偏转器元件的第一部分的侧表面在被定位在EUV光源的器皿中时具有垂直取向。第二锐角可以等于或小于第一锐角。

多个偏转器元件可以彼此分离，使得在任何两个偏转器元件之间形成开放通道。偏转器元件可以彼此平行。

上述任何技术的实现可以包括EUV光源、容器、***、方法、过程、装置或设备。在附图和以下描述中阐述了一个或多个实现的细节。根据说明书和附图以及权利要求书，其他特征将显而易见。

附图说明

图1A是容器的一个示例的框图。

图1B是图1A的容器的偏转器元件可以相对于材料路径定向的示例角度。

图1C是偏转器元件的一个示例的侧视图。

图1D图示了在操作使用中偏转器元件的示例取向。

图2A是偏转器***的一个示例的透视图。

图2B是可以在图2A的偏转器***中使用的偏转器元件的一个示例的俯视图。

图2C是容器的一个示例的框图。

图3是偏转器元件的另一示例的俯视图。

图4是EUV光源的一个示例的框图。

图5是光刻设备的一个示例的框图。

图6是图5的光刻设备的更详细的视图。

图7是EUV光源的另一示例的框图。

具体实施方式

参考图1A，示出了容器130的实现的一个示例的框图。容器130捕获沿材料路径120行进的材料121。材料121可以是包括至少一些液相材料的任何类型的微滴或射流。例如，材料121可以是熔融锡的微滴或包括熔融金属和诸如杂质的其他物质(可以是固态、液态或气态形式)的靶材料的微滴。材料121与偏转器***132中的一个或多个偏转器元件133相互作用。与没有偏转器***132的可能的情况相比，偏转器***132的配置允许容器130捕获更多的材料121。如在下文中更详细讨论，偏转器***132减少了从容器130朝向对象102散射或飞溅的材料量。因此，偏转器***132可以用于减少或消除例如由材料121的碎片、部分或微滴引起的对象102的污染。

容器130包括沿X轴从第一容器端131延伸到第二容器端139的通路134。在图1A的示例中，材料路径120也沿X轴，并且材料121通常沿X方向行进。通路134在端131处具有开口135，并且通路134朝向第二容器端139延伸。开口135向容器130的外部开放。开口135与材料路径120重合，使得在材料路径120上行进的材料121通过开口135进入通路134。在图1A的示例中，第二容器端139被封闭，使得在第二容器端139处没有通向容器130外部的开口。

容器130还包括偏转器***132。偏转器***132包括偏转器元件133a至133k(统称为偏转器元件133)。每个偏转器元件133从第一偏转器端140延伸到第二偏转器端141。每个偏转器元件133相对于材料121行进的方向以角度136定向。

图1B示出了针对任何偏转器元件133的角度136。角度136是由方向142和方向143形成的角度，方向142是偏转器元件133从第一偏转器端140延伸到第二偏转器端141的方向，并且方向143是材料在偏转器元件133处在材料路径120上行进的方向。角度136是锐角并且可以是小于90°的任何角度。角度136可以例如是7°或更小、12°或更小、15°或更小。对于每个偏转器元件133，角度136的值可以相同。

另外，偏转器元件133沿Y轴彼此分开距离138。在图1A中，示出了偏转器元件133a和133b之间的距离138。距离138足够大以防止或最小化在偏转器元件133之间的空间中材料121的积累，但足够小使得进入偏转器元件133之间的开放空间或通道的材料121的实例可以从偏转器元件133并在该通道中多次反弹。距离138可以例如是5毫米(mm)或在2mm和1厘米(cm)之间。在一些实现中，偏转器元件133中的任一个与最近的一个或多个其他偏转器元件分开相同的分离距离。

偏转器元件133沿Y轴的分离在任何两个相邻的偏转器元件133之间形成开放空间或通道。在偏转器元件133a和133b之间标记有开放空间137。在所有其他偏转器元件133之间存在与开放空间137类似的开放空间或通道。每个偏转器元件133还具有延伸到页面中的侧表面150。例如，并且还参考图1C，偏转器元件133可以由在相对于X-Z平面以角度136倾斜的平面中延伸的板形成，并且板可以彼此平行。

偏转器***132中的偏转器元件133的布置减少或消除了材料121的飞溅或散射，从而减少或消除了材料121通过开口135从容器130中意外流出。例如，将偏转器元件133以角度136定向并且将偏转器元件沿Y轴以距离138分离来形成通道137有助于允许容器130捕获材料121。

将冲击表面(与材料121相互作用的表面)相对于材料路径120以浅角度(例如，12°或更小)定向抑制了材料121的飞溅或散射。当材料121冲击偏转器元件133时可能发生飞溅或散射。如果材料121减速太快，则在材料121中可能形成压力波，并且压力波可能克服材料121的表面张力，导致材料121破碎成碎片。材料121的减速度是冲击表面角度的函数，并且可以通过减小角度136将减速度减小到很少或不发生材料121的飞溅或散射的值。针对材料121的球形微滴，可以通过等式(1)中提供的Sommerfeld参数(K_n)来预测飞溅或散射的不存在或存在：

在等式1中，K_n是Sommerfeld参数，ρ是材料121的密度，D_o是材料121的直径，V_n是材料121在垂直于冲击表面的方向上的速度(V_n＝V₀sinα，其中α是角度136)，σ是材料121的表面张力，并且μ是材料121的粘度。如果K_n>60，则飞溅或散射预期会发生，如果K_n<60，则飞溅或散射预期会被抑制。对于K_n>60，飞溅的量随角度α的减小而减小，并且K_n的较低值指示与K_n的较高值相比较少的飞溅。由于K_n的值取决于V_n，V_n又取决于角度136，因此可以使用角度136来控制飞溅的量。

在偏转器***132中，角度136具有最小化或消除飞溅的值。因此，偏转器元件133相对于材料路径120成角度136的布置减少或消除了材料121的飞溅或散射。对于K_n<60，从光滑表面的飞溅被抑制。光滑表面是表面粗糙度远小于材料121的直径的表面。例如，光滑表面的表面粗糙度可以比材料121的直径小10倍或1000倍。表面粗糙度可以通过实际表面的法线向量的方向与其理想(例如，完美光滑)形式的偏离来量化。表面粗糙度可以由算术平均粗糙度Ra表示，Ra具有长度单位。对于其中材料121是直径为27μm的基本上球形的微滴的实现，偏转器元件133的Ra表面可以例如是2.7μm或0.027μm。对于材料121为熔融锡，Vo＝70m/s(米/秒)，Do＝27μm，ρ＝6959千克/立方米(kg/m³)，σ＝0.535牛顿/米(N/m)，并且μ＝1.58e^-3帕斯卡秒(Pa.s)，对于α＝19°，K_n约为97，对于α＝5°，K_n为18。因此，将角度136从19°减小到5°可以减少材料121的飞溅的量。

而且，对于角度136使用相对小的角度可以减少在偏转器元件133上的坑状结构或腐蚀的发生和/或严重性。与缺少坑状结构的偏转器元件相比，在偏转器元件133上存在坑状结构或其他腐蚀可以导致从偏转器元件133的表面散射的材料121的量更多。例如，碟形坑趋向于主要在朝向图1A所示示例中的开口135的向后的方向上散射材料。因此，偏转器元件133上的坑状结构的存在可能增加散射，并且可以通过减少或消除偏转器元件133上的坑状结构的形成来增强性能。

使用相对较小的角度136的值可以帮助减少偏转器元件133上的坑状结构的出现。接收微滴的固体表面的腐蚀速率取决于微滴与固体表面之间的动量传递。腐蚀速率(E)可从等式2获得：

E＝k(Vn-Vc)^x 等式(2)。

在等式2中，k和x是取决于材料121的常数，V_n＝V₀sinα(其中α是角度136)，并且Vc是发生腐蚀的临界速度。由于动量传递是冲击角(例如，角度136)的函数，因此可以通过减小角度136来减少动量传递。

另外，两个或更多个偏转器元件133的使用以及偏转器元件133相对于彼此的距离为138的布置还降低了材料121通过开口135离开容器130的可能性。使用包括相对于所接收的材料的行进方向成浅角度定向的单个偏转器元件的偏转器***的潜在挑战之一在于，偏转器元件的表面朝向接收材料的开口延伸。因此，所接收的材料有可能与表面相互作用、飞溅以及随后通过开口逸出。偏转器***132通过使用多于一个的偏转器元件133并且将偏转器元件133分开距离138以形成通道137来解决该挑战。如果材料121从偏转器元件133的冲击表面散射，则经散射的材料可能进入通道137。一旦进入通道137，材料121可能从相邻的偏转器元件133散射多次，从而在此过程中损失动能。在损失动能之后，材料121不太可能通过开口135逸出。因此，偏转器元件133的布置减少了材料121通过开口135从容器130逸出的量。

此外，在一些实现中，偏转器元件133被布置和/或设计为减少材料121对偏转器元件133的表面的粘附。在偏转器***132的使用期间，材料121可能在偏转器元件133上累积。例如，材料121的全部或部分微滴可能留在偏转器元件133的表面上而不是被散射或飞溅。随着时间的推移累积在偏转器元件133上的材料121的碎屑或碎片可能在偏转器元件133的表面上形成球形结构或其他凸起异常。由材料121形成的这些无意结构被统称为累积结构，并且这种结构的示例在图1C中被标记为163。累积结构相对于材料121行进方向的取向通常是不可控制的。因此，累积结构可以将材料121沿任何和/或所有方向散射或飞溅。这样，可能期望减少或消除在偏转器元件133上出现累积结构。

在一些实现(例如，图1A至图1C中所示的实现)中，偏转器元件133的至少一部分与局部重力矢量(示出为g)对准(例如，平行)，以减小材料121累积在偏转器元件133上的量。在图1C的示例中，侧表面150与材料121相互作用并且与局部重力矢量对准(例如，平行)，使得冲击表面是垂直的。侧表面150的垂直取向可以帮助防止在侧表面150上形成累积结构。为了图示，在侧表面150上示出了累积结构163。还参考图1D，累积结构163在Y方向上经受粘附力164，在Z方向(平行于局部重力矢量g)上经受重力165，并且在-Z方向(与局部重力矢量g相反)上经受摩擦力166。对于其中侧表面150是垂直的实现(诸如图1A和图1C所示)，仅摩擦力166被定向为与重力165相反。摩擦力166通常远小于重力165，因此Z方向上的净力远小于-Z方向上的净力。结果，侧表面150的垂直取向可以阻碍累积结构的形成和/或可以防止形成相对较大的累积结构。

随着侧表面150变得更加水平(即，更接近于平行于与局部重力矢量g垂直的轴)，-Z方向上的净力增加，使得更可能形成累积结构和/或累积结构变得更大。例如，对于相对于Z方向定向为19°的表面和熔融的锡材料，所观察的最大累积结构的直径约为4.5mm。相反，对于如图1C所示的取向的表面，所观察的最大累积结构为约1.5mm。可以认为，这些观察结果表明，在图1A和图1C中所示的实现的情况下，累积结构上的净向上力(-Z方向上的净力)大约少27倍。因此，图1A和图1C中所示的实现可以帮助减少累积结构的发生和/或尺寸。

备选地或附加地，偏转器元件133可以包括减少材料121的表面粘附的表面特征。例如，侧表面150可以包括一个或多个表面特征。表面特征可以包括凹槽、纹波、特定且预定表面粗糙度的区域、氧化的表面和/或与表面上其他地方使用的材料不同的材料的涂层。表面特征可以利用分离一距离(例如，比冲击表面的材料的直径小10至50倍)的部件(例如，凹槽、线和/或通道)在表面上形成图案、纹理或设计。

以这种方式布置在偏转器元件133的冲击表面上的表面图案可以帮助增强冲击表面的推斥效果，使得材料121不太可能能够累积在偏转器元件133的表面上。图案的各个部件之间的间距取决于待推斥的对象的尺寸。如上所述，期望从偏转器元件133的冲击表面推斥较大的结构(例如，累积结构)。因此，表面特征的各部件之间的分离可以由除材料121的实例的尺寸以外的因素确定。例如，在材料121的实例是基本上球形的并且具有27μm的直径的实现中，表面特征的部件之间的分离可以在2μm至20μm之间。

图2A至图2C示出了容器230和/或偏转器***232的各种视图。图2A是偏转器***232的透视图。图2B是偏转器***232的单个偏转器元件233的俯视图。图2C是容器230的侧视图。容器230是容器130的实现的一个示例，并且偏转器***232是偏转器***132的实现的一个示例。

参考图2A，偏转器***232包括十二个偏转器元件233a至233l，统称为偏转器元件233。为简单起见，在图2A中仅标记了偏转器元件233a和偏转器元件233l。偏转器元件233b至233k在偏转器元件233a和偏转器元件233l之间。每个偏转器元件233沿Y轴与最近的另一偏转器元件分开距离238。每个偏转器元件133从第一偏转器端240延伸到第二偏转器端241。偏转器元件233可以由对材料121具有抵抗力的任何物质制成。例如，在材料121是熔融锡的实现中，偏转器元件233可以由钨或任何硬质难熔金属或陶瓷制成。

还参考图2B，每个偏转器元件233包括第一部分244和第二部分245。第二部分245从第一部分244延伸到尖端246。第二部分245和第一部分244在图2B中未标记，但是尖端246与第一偏转器端240相对应，并且第一部分244从第二部分245延伸到第二偏转器端241。第二部分245具有主体247，主体247形成第二部分245除尖端246之外的外部。主体247具有从第一部分244延伸并且相对于尖端246以角度252成锥度的侧表面248和249。因此，尖端246与第一部分244相比具有沿Y轴的较小延伸(或宽度)。

第一部分244由具有侧表面250和251的板状结构形成。偏转器元件233被布置为使得一个偏转器元件233的表面250面对另一偏转器元件233的表面251。任何两个相邻的偏转器元件233沿Y轴分开距离238，使得在一个偏转器元件233的表面250和相邻的偏转器元件233的表面251之间形成通道237。表面250和/或251相对于材料路径120倾斜角度253。在一些实现中，角度253和角度236具有不同的值，并且角度236可以小于角度253。

使用多个偏转器元件233的潜在挑战是每个偏转器元件233的第一偏转器端240引入表面或前边缘，当在前边缘处接收材料121时，表面或前边缘可能引起飞溅或散射。在图2B的示例中，尖端246可以被认为是前边缘。解决该潜在挑战的一种技术是将尖端246相对于材料121的行进方向倾斜。此外，减小可用于与材料121相互作用的尖端246的范围也可以减轻飞溅。例如，如果尖端246的范围小于材料121的微滴的直径，则仅微滴的一部分冲击尖端246并且飞溅的材料121的量减少。第二部分245被实现为利用这些技术中的一个或两个来减少从前边缘的飞溅。对于其中材料121的微滴直径例如为20至35μm的实现，尖端246可以在至少一个方向上具有7μm或更小的范围。

因此，可以在至少一个方向上将尖端246的范围最小化来抑制材料121的飞溅。使用具有薄尖端的偏转器元件的潜在挑战之一是尖端可能易碎和/或容易变形。偏转器元件233通过由用于机械健壮性的足够厚的片材形成来解决该挑战。片材的厚度使得偏转器元件233在与熔融金属一起使用时不易翘曲并且抗断裂。例如，偏转器元件233在表面250和251之间的厚度可以是200μm至300μm或100μm至1毫米(mm)。

另外，偏转器元件233具有一侧倒角，一侧倒角的有效角度(角度252)等于表面249和250的倾斜度的两倍。表面248和249的倾斜度是角度236。在图2B所示的实现中，角度252是角度236的两倍。但是，在一些实现中，角度252可以小于角度236的两倍。换言之，角度252可以是比角度236的两倍的角度更小(更尖锐)的角度。使角度252为角度236的两倍可以导致机械上更坚固的偏转器元件233，但较小的角度252可以导致改进的性能和材料更大的推斥。

倒角是对象的两个面之间的过渡边缘。假设偏转是镜面的，有效倒角是在由材料121的入射微滴和该微滴的偏转所跨越的平面中测量的角度。图2B中的射线266示出了假定的镜面偏转。在该配置中，由材料121的入射微滴观看到的冲击角度(角度236)在尖端246的任一侧上相同，并且飞溅和散射被防止或最小化。第二部分245的实际倒角是在垂直于表面248(或表面249)和尖端246的平面中测得的角度。由于尖端246的倾斜，实际倒角远大于有效倒角，并且实际倒角足够大以确保机械强度和可制造性。对于角度236为5°并且角度252为10°的实现，实际倒角约为30°。这样，偏转器元件233具有相对较薄的前边缘或尖端246，但是偏转器元件233在结构上足够坚固，足以被制造和长时间使用。

图2C示出了在容器230中使用的偏转器***232的一个示例。容器230是限定通路234并且包括基部255的结构。通路234沿X轴延伸至基部内部265，其由基部255限定。容器230在端231处具有开口235。基部255位于端239处。开口235耦合到通路234。开口235与材料路径120重叠，使得沿材料路径120行进的材料121穿过开口235进入通路234。基部内部256耦合到通路234，使得进入通路234的材料也可以流入基部内部256。

偏转器***232被接纳在基部内部256中，使得所有或至少一些偏转器元件233在基部内部256中。基部255包括以底角258成角度的底壁257。底角258是由通路234的纵轴(在图2C的示例中沿X轴)和底壁257形成的角度。基部255还包括侧壁259。底壁257和侧壁259一起形成基部内部256。侧壁259还在基部内部256中限定储藏区域260。

底壁257以底角258从侧壁259之一延伸到通路234的壁261。底壁257具有也以底角258延伸的内部底壁262。内部底壁262由耐材料121腐蚀的材料制成。例如，在其中材料121是熔融锡的实现中，内部底壁262可由钨(W)或涂覆有钨的另一材料制成。

在操作使用中，偏转器***232定位在基部内部256中，其中偏转器***232以如图2A所示的角度258定向。在图2C的示例中，局部重力矢量(g)沿与Z方向平行的方向。材料121的微滴或射流在材料路径120上行进并且通过开口235进入容器230。在图2A至图2C的示例中，材料路径120通常沿X方向，但是重力可以将微滴或射流121稍微从X方向拉动。

材料121在通路234中行进并且进入基部内部256，在基部内部256中材料121与偏转器***232相互作用。如上所述，偏转器***232的性质抑制了材料121的飞溅和散射并且减少了材料121通过开口235离开的可能性。此外，偏转器***232在基部内部256中相对于开口235相对较远的放置减小了材料121的各部分通过开口235离开容器230的可能性。另外，由于偏转器***232以底角258的取向，由偏转器元件233散射的材料121的碎片、碎屑或部分可以被引导到储藏区域260中，而不是朝向开口235引导。

容器230是其中可以使用偏转器***232的特定配置的容器的一个示例。然而，偏转器***232可以用于改装其他设计的容器。例如，偏转器***232可以用于改装其中底壁257垂直于通路234的纵向轴线的容器。在另一示例中，偏转器***232可以用于不包括通路234的容器中，使得开口235位于偏转器***232处。

参考图3，示出了偏转器元件333的顶部框图。偏转器元件333可以用在偏转器***132或偏转器***232中。偏转器元件333具有沿X轴延伸的第一部分334。偏转器元件333还包括已在上面关于图2A和图2B讨论的第二部分245。在图3所示的示例中，第二部分245在-X方向上从第一部分344延伸。对于偏转器元件333，与图2B中的角度253类似的角度为零度。在操作使用中，偏转器元件333可以如图3所示地被定位，其中第一部分334的侧面350和351以及第二部分的侧面248和249是沿Z轴延伸的平面，侧面248、249、350和351的表面基本平行于局部重力矢量g。

容器130和230可以用于期望抑制包括液相成分的材料的散射或飞溅的任何***中。例如，容器130和230可以用于喷墨打印***中。在另一示例中，偏转器***132和232可以用于其中水被引导到管中、该管由防止大颗粒进入管的过滤器保护的***中。进入管之前，水可能从过滤器飞溅。然而，具有相对于水射流的传播方向倾斜的偏转器元件的偏转器***(诸如偏转器***132和232)可以被包括在过滤器中或与过滤器一起使用来减少飞溅出的水量，从而增加经过滤的水量。本文所公开的技术可以用于期望消除或减少从液滴或射流撞击到固体表面上的飞溅的任何应用中。此类应用的示例包括工业过程和/或应用，诸如关于或采用喷墨打印、燃烧、喷雾冷却、防冰、增材制造和/或表面涂层的过程。

在另一示例中，容器130或容器230可以用在极紫外(EUV)光源中。图4是EUV光源400中的容器430的框图。容器430包括偏转器***432。偏转器***432可以是偏转器***132(图1A)或偏转器***232(图2A-图2C)。

EUV光源400包括供给***410，供给***410向真空室409中的等离子体形成位置423发射靶标流422。流422中的靶标在靶标路径420上行进。靶标路径420是流422中单独的靶标从供给***410行进到等离子体形成位置423(如果靶标被转换为发射EUV光的等离子体)或容器430(如果靶标在不被转换成发射EUV光的等离子体的情况下，通过等离子体形成位置423)的空间路径。在任何特定位置处的靶材料路径420是单独靶标在该位置处行进的方向。在图4的示例中，靶标路径420被图示为沿X轴延伸的直虚线。然而，靶标路径420不一定是直的，并且靶标路径420对于流422中的每个单独的靶标可以略有不同。此外，靶标路径420可以在除了沿X轴的方向之外的方向上延伸。例如，供给***410和容器430可以相对于彼此以不同于图4中所示的配置来布置，并且因此供给***410和容器430之间的路径将不同于图4所示的路径。

在操作使用中，供给***410流体地耦合到在压力P下容纳靶材料的储存器414。靶材料是在处于等离子体状态时发射EUV光的任何材料。例如，靶材料可以包括水、锡、锂和/或氙。靶材料可以处于熔融或液态或可以包括处于熔融或液态的成分。流422中的靶标可以被认为是靶材料或靶标的微滴。

流422包括单独的靶标，包括位于等离子体形成位置423中的靶标421p。等离子体形成位置423接收光束406。光束406由光源405生成并且经由光学路径407传递到真空室409中。光束406与靶标421p中的靶材料之间的相互作用产生了发射EUV光的等离子体。EUV光由反射镜402收集并且被引导朝向光刻设备，诸如图5所示的光刻设备500。

流422中的某些靶标未被转换为发射EUV光的等离子体。例如，当光束406不在等离子形成位置423中时，靶标可能到达等离子形成位置423。未被转换为发射EUV光的等离子体的靶标穿过等离子形成位置423(例如，靶标421d)并且被容器430捕获。

容器430包括通路434和基部455。在图4的示例中，偏转器***432在基部455中。通路434在端431处包括开口435。开口435与靶标路径420重合，使得靶标流过开口435并且进入通路434。通路434耦合到基部455的内部，使得通路中流动的靶标与偏转器***432相互作用，并且由于偏转器***432的配置，不太可能飞溅或以其他方式通过开口435离开。以这种方式，容器430捕获未使用的靶标，从而帮助保护真空室409中的物体(诸如反射镜402)免于被飞溅或散射的未使用靶标的材料污染。

图5示意性地描绘了根据一个实现的包括源收集器模块SO的光刻设备500。容器130、230和430是可以用作源收集器模块SO中的陷阱630(图6)的容器的示例。光刻设备500包括：

·照射***(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，EUV辐射)；

·支撑结构(例如，掩模台)MT，被构造为支撑图案化装置(例如，掩模或掩模版)MA，并且连接到被配置为对图案化装置进行精确定位的第一***PM；

·衬底台(例如，晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接到被配置为对衬底进行精确定位的第二***PW；以及

·投影***(例如，反射投影***)PS，被配置为将通过图案化装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。

照射***可以包括用于对辐射进行引导、成形或控制的各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任何组合。

支撑结构MT以取决于图案化装置的取向、光刻设备的设计以及其他条件(诸如图案化装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案化装置MA。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化装置。支撑结构可以是例如可以根据需要固定或可移动的框架或台。支撑结构可以确保图案化装置处于例如相对于投影***的期望位置处。

术语“图案化装置”应广义地解释为指代可以用于向辐射束在其截面赋予图案以便在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。赋予辐射束的图案可以对应于在诸如集成电路的目标部分中创建的器件中的特定功能层。

图案化装置可以是透射的或反射的。图案化装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独倾斜，以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

适合于正在使用的曝光辐射或其他因素(诸如真空的使用)，类似于照射***IL的投影***PS可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件或它们的任意组合。由于其他气体可能吸收太多的辐射，因此可能期望对EUV辐射使用真空。因此可以借助于真空壁和真空泵向整个光束路径提供真空环境。

如这里所描绘，设备是反射型的(例如，采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双级)或更多衬底台(和/或两个或多个图案化装置台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行使用附加的台，或者可以在一个或多个其他台被用于曝光的同时在一个或多个台上执行准备步骤。

参考图5，照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。产生EUV光的方法包括但不限于将材料转换为具有至少一个元素(例如，氙、锂或锡)的等离子态，其中一个或多个发射线在EUV范围内。在一个这样的方法中，通常称为激光产生的等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过利用激光束照射燃料(诸如具有所需的线发射元素的材料的微滴、流或簇)来产生。源收集器模块SO可以是包括激光器(在图5中未示出)的EUV辐射***的一部分，激光器用于提供激发燃料的激光束。产生的等离子体发射输出辐射(例如，EUV辐射)，输出辐射使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。例如当使用二氧化碳(CO2)激光器来提供激光束以进行燃料激发时，激光器和源收集器模块可以是单独的实体。

在这种情况下，激光器不被认为是光刻设备的一部分，并且辐射束借助于包括例如合适的导向镜和/或扩束器的光束传输***而从激光器传递到源收集器模块。在其他情况下，例如当源是放电产生的等离子体EUV发生器(通常被称为DPP源)时，源可以是源收集器模块的组成部分。

照射器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器。通常，可以调节照射器的光瞳面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如琢面场和光瞳镜器件。照射器IL可以用于调节辐射束，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射在图案化装置(例如，掩模)MA上，图案化装置MA被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上并且被图案化装置图案化。在从图案化装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影***PS，投影***PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二***PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪、线性编码器或电容式传感器)，可以精确地移动衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一***PM和另一位置传感器PS1可以用于相对于辐射束B的路径将图案化装置(例如，掩模)MA精确定位。可以使用图案化装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2将图案化装置(例如，掩模)MA和衬底W对准。

所描绘的设备可以在以下模式中的至少一个中使用：

1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT保持基本静止，同时赋予辐射束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。衬底台WT然后在X和/或Y方向上被移位，使得不同的目标部分C可以被曝光。

2.在扫描模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT被同步扫描，同时将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。可以通过投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。

3.在另一模式中，保持可编程图案化装置的支撑结构(例如，掩模台)MT被保持为基本静止，并且在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上时移动或扫描衬底台WT。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要将可编程图案化装置更新。该操作模式可以容易地应用于利用可编程图案化装置(诸如上面提到的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变型或完全不同的使用模式。

图6更详细地示出了光刻设备500的一个实现，光刻设备500包括源收集器模块SO、照射***IL和投影***PS。源收集器模块SO被构造和布置为使得可以在源收集器模块SO的封闭结构620中维持真空环境。***IL和PS同样地被包含在它们自己的真空环境中。可以通过激光产生的LPP等离子体源形成EUV辐射发射等离子体2。源收集器模块SO的功能是从等离子体2传递EUV辐射束20，使得其聚焦在虚拟源点中。虚拟源点通常被称为中间焦点(IF)，并且源收集器模块被布置为使得中间焦点IF位于封闭结构620中的孔621处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体2的图像。

从中间焦点IF处的孔径621，辐射遍历照射***IL，在该示例中，照射***IL包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。这些装置形成所谓的“蝇眼”照射器，“蝇眼”照射器被布置为在图案化装置MA处提供期望的辐射束21的角度分布以及在图案化装置MA处提供期望的辐射强度均匀性(如附图标记660所示)。当光束21在由支撑结构(掩模台)MT保持的图案化装置MA处反射时，形成经图案化的光束26并且经图案化的光束26由投影***PS经由反射元件28、30成像到由衬底台WT保持的衬底W上。为了将衬底W上的目标部分C曝光，在衬底台WT和图案化装置台MT执行同步运动时生成辐射脉冲，以通过照射缝隙扫描图案化装置MA上的图案。

每个***IL和PS布置在其自己的真空或接近真空的环境中，该环境由类似于封闭结构620的封闭结构限定。照射***IL和投影***PS中通常可以存在比所示更多的元件。此外，可以存在比所示的更多的反射镜。例如，除了图6所示的之外，在照射***IL和/或投影***PS中可以存在一到六个附加的反射元件。

更详细地考虑源收集器模块SO，包括激光器623的激光能量源被布置为将激光能量624沉积到包括靶材料的燃料中。靶材料可以是在等离子体状态下发射EUV辐射的任何材料，诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)。等离子体2是高度电离的等离子体，其电子温度为几十电子伏特(eV)。较高能量的EUV辐射可以利用其他燃料材料(例如，铽(Tb)和钆(Gd))生成。在这些离子的去激励和重组过程期间生成的高能辐射从等离子体发射，由接近法向入射收集器3收集，并且聚焦在孔621上。等离子体2和孔621分别位于收集器CO的第一和第二焦点处。

尽管图6所示的收集器3是单个曲面镜，但是收集器可以采用其他形式。例如，收集器可以是具有两个辐射收集表面的Schwarzschild收集器。在一个实施例中，收集器可以是掠入射收集器，掠入射收集器包括彼此嵌套的多个基本柱形的反射器。

为了传递例如液态锡的燃料，微滴发生器626布置在外壳620内，布置为将高频微滴流628朝向等离子体2的期望位置激发。在操作中，激光能量624与微滴发生器626的操作同步传递，以传递辐射脉冲来将每个燃料微滴转变为等离子体2。微滴的传递频率可以是几千赫兹(例如，50kHz)。在实践中，激光能量624以至少两个脉冲传递：具有有限能量的预脉冲在微滴到达等离子***置之前被传递到微滴，以便将燃料材料汽化为小云，然后激光能量624的主脉冲被传递到期望位置处的云来生成等离子体2。陷阱630(其可以例如是容器130、容器230或容器430)设置在封闭结构620的相对侧，以捕获无论出于什么原因没有转变为等离子体的燃料。

微滴发生器626包括容纳燃料液体(例如，熔融锡)的储存器601和过滤器669以及喷嘴602。喷嘴602被配置为将燃料液体的微滴朝向等离子体2形成位置喷射。燃料液体的微滴可以通过储存器601内的压力和由压电致动器(未示出)施加到喷嘴的振动的组合而从喷嘴602喷射。

如本领域技术人员将了解，可以定义参考轴X、Y和Z来测量并描述设备、其各种部件以及辐射束20、21、26的几何形状和行为。在设备的每个部分中，可以定义X、Y和Z轴的局部参考系。在图6的示例中，Z轴在***中的给定点处与方向光轴O大致重合，并且通常垂直于图案化装置(掩模版)MA的平面并垂直于衬底W的平面。在源收集器模块中，X轴与燃料流628的方向大致重合，而Y轴与该方向正交，如图6所示指向页面外。另一方面，在保持掩膜版MA的支撑结构MT附近，X轴通常横向于与Y轴对准的扫描方向。为方便起见，在示意图图6的该区域中，如再次所标记的，X轴指向页面外。这些命名在本领域中是常规的并且为方便起见在本文中采用。原则上，可以选择任何参考系来描述设备及其行为。

尽管在此未示出，但是在典型的设备中存在在源收集器模块和光刻设备500的操作中整体使用的许多附加部件。这些包括用于减少或减轻封闭式真空内的污染的影响的布置，例如以防止燃料材料的沉积物损坏或损害收集器3和其他光学器件的性能。存在但未详细描述的其他特征是参与控制光刻设备500的各种部件和子***的所有传感器、控制器和致动器。

参考图7，示出了LPP EUV光源700的实现。光源700可以用作光刻设备500中的源收集器模块SO。此外，容器130、230和430中的任一个均可以与光源700一起使用。此外，图4的光源405可以是驱动激光器715的一部分。驱动激光器715可以用作激光器623(图6)。

LPP EUV光源700通过利用沿光束路径朝着靶标混合物714行进的经放大的光束710照射等离子体形成位置705处的靶标混合物714而形成。关于图1、图2A至图2C和图3讨论的材料121以及关于图4所讨论的流422中的靶标可以是或包括靶标混合物714。等离子体形成位置705在真空室730的内部707内。当经放大的光束710撞击靶标混合物714时，靶标混合物714内的靶材料被转换成等离子态，其元素具有在EUV范围内的发射线。所创建的等离子体具有取决于靶标混合物714内靶材料的组成的某些特性。这些特性可以包括由等离子体产生的EUV光的波长以及从等离子体释放的碎屑的类型和量。

光源700还包括供给***725，供给***725传递、控制并且引导以液滴、液体流、固体颗粒或簇、液滴内包含的固体颗粒或液体流内包含的固体颗粒的形式的靶标混合物714。靶标混合物714包括靶材料，例如，诸如水、锡、锂、氙或当被转换成等离子体状态时具有EUV范围内的发射线的任何材料。例如，元素锡可以用作纯锡(Sn)；用作锡化合物(例如，SnBr₄、SnBr₂、SnH₄)；用作锡合金(例如，锡-镓合金、锡-铟合金、锡-铟-镓合金或这些合金的任意组合)。靶标混合物714还可以包括杂质(诸如非靶标颗粒)。因此，在没有杂质的情况下，靶标混合物714仅由靶材料构成。靶标混合物714由供给***725传递到室730的内部707中并且到达等离子体形成位置705。

光源700包括驱动激光***715，驱动激光***715由于在激光***715的一个或多个增益介质内的粒子数反转而产生经放大的光束710。光源700包括在激光***715和等离子体形成位置705之间的光束传递***，光束传输***包括光束输送***720和聚焦组件722。光束输送***720从激光***715接收经放大的光束710，并且根据需要来操纵和修改经放大的光束710并将经放大的光束710输出到聚焦组件722。聚焦组件722接收经放大的光束710并将光束710聚焦到等离子体形成位置705。

在一些实现中，激光***715可以包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯以用于提供一个或多个主脉冲，并且在一些情况下提供一个或多个预脉冲。每个光学放大器包括能够以高增益将期望波长光学放大的增益介质、激发源和内部光学器件。光学放大器可以具有或可以不具有形成激光腔的激光镜或其他反馈装置。因此，即使没有激光腔，由于激光放大器的增益介质中的粒子数反转，激光***715也会产生经放大的光束710。此外，如果存在激光腔来向激光***715提供足够的反馈，则激光***715可以产生作为相干激光束的经放大的光束710。术语“经放大的光束”涵盖以下中的一个或多个：来自激光***715的仅被放大而未必是相干激光振荡的光、以及来自激光***715的被放大并且也是相干激光振荡的光。

激光***715中的光学放大器可以包括填充气体(包括CO₂)作为增益介质，并且可以以大于或等于800倍的增益将约9100nm至约11000nm之间的波长、特别是约10600nm的波长的光放大。用于激光***715中的合适放大器和激光器可以包括脉冲激光装置，例如，脉冲式气体放电CO2激光装置，其例如利用DC或RF激发产生约9300nm或约10600nm的辐射，以相对较高的功率(例如，10kW或更高)和较高的脉冲重复速率(例如，40kHz或更高)操作。脉冲重复速率可以是例如50kHz。激光***715中的光学放大器还可以包括当以较高功率操作激光***715时可以使用的冷却***(例如，水)。

光源700包括具有孔740的收集器镜735，以允许经放大的光束710穿过并到达等离子体形成位置705。收集器镜735可以例如是在等离子体形成位置705处具有主焦点并且在中间位置745处具有次级焦点(也称为中间焦点)的椭圆形反射镜，其中EUV光可以从光源700输出并且可以输入到例如集成电路光刻工具(未示出)中。光源700还可以包括端部开口的空心锥形护罩750(例如，气锥)，其从收集器镜735朝向等离子体形成位置705逐渐变细来减少进入焦点组件722和/或光束输送***720的等离子体生成的碎屑的量，同时允许经放大的光束710到达等离子体形成位置705。为此，可以在护罩中提供朝向等离子体形成位置705引导的气流。

光源700还可以包括主控制器755，主控制器755连接至微滴位置检测反馈***756、激光控制***757和光束控制***758。光源700可以包括一个或多个靶标或微滴成像器760，其提供指示微滴相对于例如等离子体形成位置705的位置的输出，并且将该输出提供给微滴位置检测反馈***756，微滴位置检测反馈***756可以例如计算微滴的位置和轨迹，由此可以逐滴地或平均地计算微滴的位置误差。微滴位置检测反馈***756因此将微滴位置误差作为输入提供给主控制器755。主控制器755因此可以将激光位置、方向和定时校正信号提供给例如可以用于控制激光定时电路的激光控制***757和/或光束控制***758，以控制光束输送***720的经放大的光束的位置和成形，以改变光束聚焦斑点在室730内的位置和/或聚焦功率。

供给***725包括靶材料传递控制***726，靶材料传递控制***726可以响应于来自主控制器755的信号而操作，以例如改变由靶材料供给设备727释放的微滴的释放点，以校正到达期望的等离子体形成位置705处的微滴中的误差。

另外，光源700可以包括测量一个或多个EUV光参数的光源检测器765和770，EUV光参数包括但不限于脉冲能量、作为波长的函数的能量分布、特定波长带内的能量、特定波长带之外的能量以及EUV强度的角度分布和/或平均功率。光源检测器765生成供主控制器755使用的反馈信号。反馈信号可以例如指示诸如激光脉冲的定时和聚焦的参数中的误差，以在正确的位置和时间适当地拦截微滴以用于有效和高效的EUV光产生。

光源700还可以包括引导激光器775，引导激光器775可以用于对准光源700的各个部分或帮助将经放大的光束710引导至等离子体形成位置705。结合引导激光器775，光源700包括被放置在聚焦组件722内的量测***724，以对经放大的光束710和来自引导激光器775的光的一部分进行采样。在其他实现中，量测***724被放置在光束输送***720内。量测***724可以包括对光的子集进行采样或重定向的光学元件，这样的光学元件由可以承受引导激光束和经放大的光束710的功率的任何材料制成。由于主控制器755对来自引导激光器775的采样光进行分析并且使用该信息来通过光束控制***758调整聚焦组件722内的部件，由量测***724和主控制器755形成光束分析***。

因此，总而言之，光源700产生沿光束路径引导的经放大的光束710，以在等离子体形成位置705处照射靶标混合物714来将混合物714内的靶材料转换为发射EUV范围内的光的等离子体。经放大的光束710在基于激光***715的设计和性质确定的特定波长(也称为驱动激光波长)下操作。另外，当靶材料向激光***715中提供足够的反馈来产生相干激光或者如果驱动激光***715包括合适的光学反馈来形成激光腔时，经放大的光束710可以是激光束。

其他实现在权利要求的范围内。例如，偏转***132和偏转***232可以通过本领域中已知的任何支撑件被保持在相应的容器130和230中。

在另一示例中，图1A和图1B示出了角度136为大于零的锐角。然而，在一些实现中，例如如图3所示，角度136可以为零，使得偏转器元件133基本平行于材料路径120。与例如大致平行于材料路径对准的蜂窝型结构相比，这样的实现可以提供增强的性能。例如，偏转器元件133可以是在Y-Z平面的两端开放、但是由于偏转器元件133彼此分开距离138而仍然形成开放通道的平面结构。与管状或蜂窝状结构相比，这样的布置导致相对较少的表面用于材料累积并且可以减少材料121的飞溅。

可以使用以下条款来进一步描述实施例：

1.一种靶材料容器，包括：

包括在第一方向上延伸的通路的结构，该通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料；以及

偏转器***，被配置为从通路接收靶材料，偏转器***包括多个偏转器元件，其中每个偏转器元件相对于靶材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向，并且偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件沿第二方向分开一定距离，第二方向与第一方向不同。

2.根据条款1所述的靶材料容器，其中该结构进一步包括基部，基部包括耦合至通路的内部。

3.根据条款2所述的靶材料容器，其中偏转器***的至少一部分被定位在基部的内部中，基部的侧面相对于第一方向呈底角角度，并且基部的侧面在第二方向上延伸。

4.根据条款1所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件包括相对于靶材料路径以第一锐角被定向的第一部分以及从第一部分延伸的端部，端部包括基本上平行于靶材料路径延伸的尖端。

5.根据条款4所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件的端部进一步包括包含表面的主体，并且主体的表面与靶材料路径形成第二锐角。

6.根据条款5所述的靶材料容器，其中第二锐角等于或小于第一锐角。

7.根据条款4所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件的第一部分包括在第一平面中延伸的板，板在第一平面中具有第一范围并且在第二平面中具有第二范围，第二平面正交于第一平面并且第二范围小于第一范围。

8.根据条款4所述的靶材料容器，其中靶材料的实例是基本上球形的并且具有直径，每个尖端具有被配置为与靶材料的实例相互作用的表面，尖端的表面在至少一个方向上具有小于靶材料的实例的直径的范围。

9.根据条款1所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件包括至少一个表面特征，至少一个表面特征被配置为减少靶材料对偏转器元件的表面的粘附，表面特征包括纹波、具有特定粗糙度的区域、经氧化的区域、凹槽的图案和/或与偏转器元件的表面的其他部分中使用的材料不同的材料的涂层。

10.根据条款1所述的靶材料容器，其中任何两个相邻的偏转器元件之间沿第二方向的距离相同。

11.根据条款1所述的靶材料容器，其中对于所有偏转器元件，第一锐角相同。

12.根据条款1所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件是板，并且偏转器元件沿第二方向分开，使得板中的任一个均平行于所有其他板。

13.根据条款1所述的靶材料容器，其中靶材料容器被配置为用于极紫外(EUV)光源中，并且靶材料包括当处于等离子体状态时发射EUV光的材料。

14.一种极紫外(EUV)光源，包括：

光源，被配置为产生光束；

器皿，被配置为在等离子体形成位置处接收光束；

供给***，被配置为产生沿靶标路径朝向等离子体形成位置行进的靶标；以及

靶材料容器，包括：

包括在第一方向上延伸的通路的结构，该通路被定位为接收在靶标路径上行进的并且穿过等离子体形成位置的靶标；以及

偏转器***，被配置为从通路接收靶标，偏转器***包括多个偏转器元件，其中每个偏转器元件相对于材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向，并且偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件沿第二方向分开一定距离，第二方向与第一方向不同。

15.根据条款14所述的EUV光源，其中该结构进一步包括基部，基部包括耦合至通路的内部。

16.根据条款14所述的EUV光源，其中偏转器***的至少一部分被定位在基部的内部中，基部的侧面相对于第一方向呈底角角度，并且基部的侧面在第二方向上延伸。

17.根据条款14所述的EUV光源，其中每个偏转器元件包括以第一锐角被定向的第一部分和从第一部分延伸的端部，端部包括基本上平行于靶标路径延伸的尖端。

18.根据条款17所述的EUV光源，其中每个偏转器元件的端部进一步包括包含表面的主体，并且主体的表面与靶标方向形成第二锐角。

19.根据条款18所述的EUV光源，其中第二锐角等于或小于第一锐角。

20.一种用于极紫外(EUV)光源的偏转器***，偏转器***包括：

多个偏转器元件，每个偏转器元件包括沿第一方向延伸的第一部分以及从第一部分延伸的第二部分，第二部分包括主体，主体包括从第一部分朝向尖端延伸的一个或多个表面，其中

偏转器***被配置为定位在EUV光源的器皿中，使得第一方向和靶材料路径形成第一锐角，第二部分的主体的表面中的至少一个和靶材料路径形成第二锐角，靶材料路径是靶标在器皿中行进的路径，靶标包括在等离子体状态中发射EUV光的靶材料，并且

第二锐角大于零度。

21.根据条款20所述的偏转器***，其中第一锐角是零度。

22.根据条款21所述的偏转器***，其中第一部分的侧表面与局部重力矢量基本上对准，使得每个偏转器元件的第一部分的侧表面在被定位在EUV光源的器皿中时具有垂直取向。

23.根据条款20所述的偏转器***，其中第二锐角等于或小于第一锐角。

24.根据条款20所述的偏转器***，其中多个偏转器元件彼此分开，使得在任何两个偏转器元件之间形成开放通道。

25.根据条款24所述的偏转器***，其中偏转器元件彼此平行。

Claims (25)

1.一种靶材料容器，包括：

结构，包括第一端部、第二端部和侧壁，所述侧壁在第一方向上从所述第一端部处的开口延伸到所述第二端部以限定通路，所述通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料；以及

偏转器***，被配置为从所述通路接收靶材料，所述偏转器***包括从所述第二端部朝向所述开口延伸的多个偏转器元件，其中每个偏转器元件相对于所述靶材料的实例沿所述靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向，并且所述偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件沿第二方向分开一定距离，所述第二方向与所述第一方向不同。

2.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中所述结构进一步包括在所述第二端部处的基部，所述基部包括耦合至所述通路的内部。

3.根据权利要求2所述的靶材料容器，其中所述偏转器***的至少一部分被定位所述基部的所述内部中，所述基部的侧面相对于所述第一方向呈底角角度，并且所述基部的所述侧面在所述第二方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件包括相对于所述靶材料路径以所述第一锐角被定向的第一部分以及从所述第一部分延伸的端部，所述端部包括实质上平行于所述靶材料路径延伸的尖端。

5.根据权利要求4所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件的所述端部进一步包括包含表面的主体，并且所述主体的所述表面与所述靶材料路径形成第二锐角。

6.根据权利要求5所述的靶材料容器，其中所述第二锐角等于或小于所述第一锐角。

7.根据权利要求4所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件的所述第一部分包括在第一平面中延伸的板，所述板在所述第一平面中具有第一范围并且在第二平面中具有第二范围，所述第二平面正交于所述第一平面并且所述第二范围小于所述第一范围。

8.根据权利要求4所述的靶材料容器，其中所述靶材料的实例是实质上球形的并且具有直径，每个尖端具有被配置为与所述靶材料的实例相互作用的表面，所述尖端的所述表面在至少一个方向上具有小于所述靶材料的实例的所述直径的范围。

9.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件包括至少一个表面特征，所述至少一个表面特征被配置为减少靶材料对所述偏转器元件的表面的粘附，所述表面特征包括纹波、具有特定粗糙度的区域、经氧化的区域、凹槽的图案和/或与所述偏转器元件的所述表面的其他部分中使用的材料不同的材料的涂层。

10.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中在任何两个相邻的偏转器元件之间沿所述第二方向的所述距离相同。

11.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中对于所有所述偏转器元件，所述第一锐角相同。

12.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中每个偏转器元件是板，并且所述偏转器元件沿所述第二方向分开，使得所述板中的任一个均平行于所有其他板。

13.根据权利要求1所述的靶材料容器，其中所述靶材料容器被配置为用于极紫外(EUV)光源中，并且所述靶材料包括当处于等离子体状态时发射EUV光的材料。

14.一种极紫外(EUV)光源，包括：

光源，被配置为产生光束；

器皿，被配置为在等离子体形成位置处接收所述光束；

供给***，被配置为产生沿靶标路径朝向所述等离子体形成位置行进的靶标；以及

靶材料容器，包括：

结构，所述结构包括第一端部、第二端部和侧壁，所述侧壁在第一方向上从所述第一端部处的开口延伸到所述第二端部以限定通路，所述通路被定位为接收在所述靶标路径上行进的并且穿过所述等离子体形成位置的靶标；以及

偏转器***，被配置为从所述通路接收靶标，所述偏转器***包括从所述第二端部朝向所述开口延伸的多个偏转器元件，其中每个偏转器元件相对于材料的实例沿所述靶标路径行进的行进方向以第一锐角被定向，并且所述偏转器***中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件沿第二方向分开一定距离，所述第二方向与所述第一方向不同。

15.根据权利要求14所述的EUV光源，其中所述结构进一步包括在所述第二端部处的基部，所述基部包括耦合至所述通路的内部。

16.根据权利要求15所述的EUV光源，其中所述偏转器***的至少一部分被定位在所述基部的所述内部中，所述基部的侧面相对于所述第一方向呈底角角度，并且所述基部的所述侧面在所述第二方向上延伸。

17.根据权利要求14所述的EUV光源，其中每个偏转器元件包括以所述第一锐角被定向的第一部分和从所述第一部分延伸的端部，所述端部包括实质上平行于所述靶标路径延伸的尖端。

18.根据权利要求17所述的EUV光源，其中每个偏转器元件的所述端部进一步包括包含表面的主体，并且所述主体的所述表面与所述靶标路径形成第二锐角。

19.根据权利要求18所述的EUV光源，其中所述第二锐角等于或小于所述第一锐角。

20.一种用于极紫外(EUV)光源的偏转器***，所述偏转器***包括：

多个偏转器元件，每个偏转器元件包括沿第一方向延伸的第一部分以及从所述第一部分延伸的第二部分，所述第二部分包括主体，所述主体包括从所述第一部分朝向尖端延伸的一个或多个表面，其中

所述偏转器***被配置为定位在所述EUV光源的器皿中，使得所述第一方向和靶材料路径形成第一锐角，所述第二部分的所述主体的所述表面中的至少一个和所述靶材料路径形成第二锐角，所述靶材料路径是从靶材料供给装置发射出的靶标在所述器皿中行进的路径，所述靶标包括在等离子体状态中发射EUV光的靶材料，所述偏转器***还被配置为接收沿所述靶材料路径行进的靶标，并且

所述第二锐角大于零度，

所述器皿包括结构，所述结构包括第一端部、第二端部和侧壁，所述侧壁从所述第一端部处的开口延伸到所述第二端部以限定通路，所述通路被定位为接收在所述靶材料路径上行进的并且穿过所述等离子体形成位置的靶标，以及

当所述偏转器***被定位在所述器皿中用于操作用途时，所述多个偏转器元件从所述结构的所述第二端部朝向所述开口延伸。

21.根据权利要求20所述的偏转器***，其中所述第一锐角是零度。

22.根据权利要求21所述的偏转器***，其中所述第一部分的侧表面与局部重力矢量实质上对准，使得每个偏转器元件的所述第一部分的所述侧表面在被定位在所述EUV光源的所述器皿中时具有垂直取向。

23.根据权利要求20所述的偏转器***，其中所述第二锐角等于或小于所述第一锐角。

24.根据权利要求20所述的偏转器***，其中所述多个偏转器元件彼此分开，使得在任何两个偏转器元件之间形成开放通道。

25.根据权利要求24所述的偏转器***，其中所述偏转器元件彼此平行。