CN111029333A - 一种提升显示效果的led灯珠及led显示屏 - Google Patents
一种提升显示效果的led灯珠及led显示屏 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111029333A CN111029333A CN201911157188.XA CN201911157188A CN111029333A CN 111029333 A CN111029333 A CN 111029333A CN 201911157188 A CN201911157188 A CN 201911157188A CN 111029333 A CN111029333 A CN 111029333A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- primary color
- light emitting
- layer
- color light
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 28
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 25
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- -1 azo compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种提升显示效果的LED灯珠及LED显示屏，灯珠包括灯体、基色发光器件、紫外LED芯片、引脚以及封装层，基色发光器件、紫外LED芯片设置于灯体上，封装层将基色发光器件、紫外LED芯片封装于灯体上；基色发光器件、紫外LED芯片与引脚电连接；封装层包括光致变色材料，当紫外LED芯片未发光时，封装层呈透明状；当紫外LED芯片发出紫外光时，光致变色材料吸收紫外光变黑，封装层逐渐变黑。光致变色材料呈透明状，封装层具有很好的出光效率，不需要增大发光器件的尺寸和电流，即可提升发光亮度，功耗低，也没有温度上升的问题；控制紫外LED芯片的发光强度，可以控制封装层变黑程度，控制对比度，提升显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及LED显示领域，特别是涉及一种提升显示效果的LED灯珠及LED显示屏。
背景技术
LED具有低能耗、高亮度、高刷新速率等特点，被广泛应用于显示、照明、背光源等领域。其中，LED显示屏的应用越来越广泛，包括指挥中心、视频会议室、演播厅、商场等室内场所以及户外大屏显示，对显示效果的要求，比如对比度、亮度、分辨率，也越来越高。影响显示效果的因素有很多，但LED灯珠是决定显示效果的基本因素。
目前，LED显示屏一般采用SMD封装结构的LED灯珠，一般是在基板上固定LED芯片，然后在基板的整个表面覆盖胶体。因此，LED灯珠的发光亮度主要取决于LED芯片的发光效率以及胶体的吸光比例。当需要提升LED灯珠的发光亮度时，常规的做法是增加LED芯片的尺寸或者使用更白的胶体。
但是，采用增加LED芯片尺寸的方案，会导致LED工作电流增加，带来温度上升、功耗上升的问题。而采用更白的胶体，虽然会提升出光效率，但是会严重降低对比度，影响显示效果。因此，亟需一种新的改善LED灯珠发光效果的方案。
发明内容
基于此，有必要针对现有提升LED灯珠发光亮度的方案存在的温度、功耗上升、对比度下降等问题，提供一种提升显示效果的LED灯珠及LED显示屏。
本申请一实施例提供了一种提升显示效果的LED灯珠，包括灯体、基色发光器件、紫外LED芯片、引脚以及封装层，所述基色发光器件、紫外LED芯片设置于所述灯体的其中一个端面上，所述封装层设置于所述灯体上，将所述基色发光器件、紫外LED芯片封装于所述灯体上；所述引脚设置于所述灯条的另一个端面上，所述基色发光器件、紫外LED芯片与所述引脚电连接；
所述封装层包括光致变色材料，当所述紫外LED芯片未发光时，所述封装层呈透明状；当所述紫外LED芯片发出紫外光时，所述光致变色材料吸收紫外光变黑，所述封装层逐渐变黑。
在一些实施例中，所述光致变色材料均匀的或非均匀的掺杂在所述封装层内。
在一些实施例中，所述封装层包括一层胶体层及一层光致变色层，所述光致变色层设置于所述胶体层的靠近所述灯体的一侧，所述胶体层包裹所述光致变色层设置。
在一些实施例中，所述封装层包括两层胶体层及一层光致变色层，所述光致变色层设置于两层所述胶层之间。
在一些实施例中，所述基色发光器件包括若干基色发光芯片组，所述基色发光芯片组阵列排布在所述灯体上；每个所述基色发光芯片组包括红光发光芯片、绿光发光芯片及蓝光发光芯片。
在一些实施例中，所述封装层包括胶体层及光致变色层，所述光致变色层设置于所述胶体层的靠近所述灯体的一侧，所述光致变色层包裹所述基色发光芯片组，包裹每组所述基色发光芯片组的光致变色层之间形成有沟槽，至少一个所述紫外LED芯片设置在所述沟槽内，所述胶体层环绕所述光致变色层设置，并部分容置于所述沟槽内。
在一些实施例中，至少有两个发光芯片的阳极或引脚共用同一个引脚。
在一些实施例中，同一行所述基色发光芯片组以及所述紫外LED芯片的阴极共用一个引脚，同一列所述基色发光芯片组中的红色发光芯片的阳极共用一个引脚，同一列基色发光芯片组中的蓝色和绿色发光芯片的阳极共用一个引脚，所述紫外LED芯片的阳极连接一个引脚。
本申请另一实施例还提供了一种LED显示屏，包括控制器、灯板及灯珠，灯珠阵列式的设置于灯板上，所述灯珠为前述任一项实施例所述的LED灯珠；所述LED灯珠包括基色发光器件和紫外LED芯片；
所述控制器，用于接收画面数据，根据画面数据中的色彩数据，控制所述LED灯珠中的基色发光器件的工作电流，根据画面数据中的灰度数据，控制所述LED灯珠中的紫外LED芯片的工作电流。
在一些实施例中，所述控制器还用于判断是否开启HDR显示，如果判断为否，则控制所述紫外LED芯片不工作；反之，则根据画面数据中的灰度数据，控制所述紫外LED芯片的工作电流。
本申请实施例提供LED灯珠，在封装层130中添加光致变色材料，当紫外LED芯片140未发光时，光致变色材料呈透明状，封装层130整体呈透明状，具有很好的出光效率，基色发光器件120发出的光线可以很好的透过封装层130，使得LED灯珠10具有较强的亮度，不需要增加基色发光器件的尺寸和电流，即可提升发光亮度，相对于现有技术中增加发光器件尺寸的方案，功耗更低，也不存在温度上升的问题；当紫外LED芯片140发出紫外光时，光致变色材料吸收紫外光变黑，封装层130向黑色进行转变，封装层130变黑的程度与紫外LED芯片140的发光强度正相关；封装层130变黑之后，LED灯珠10的通透性降低，发光亮度降低，LED灯珠10整体呈现为黑色，与紫外LED芯片140未发光时相比，具有明显的明暗差异，可以有效提升对比度。通过控制紫外LED芯片140的电流大小，可以控制紫外LED芯片的发光强度，就可以控制封装层130的变黑程度——即LED灯珠10整体呈现的黑色程度，可以实现对比度的调节。
附图说明
图1为本申请一实施例的LED灯珠的结构示意图；
图2为本申请一实施例的LED灯珠在另一视角下的结构示意图；
图3为本申请一实施例中LED灯珠的灯体的结构示意图；
图4为本申请另一实施例中LED灯珠的灯体的结构示意图；
图5为本申请一实施例的LED灯珠的剖面结构示意图；
图6为本申请另一实施例的LED灯珠的剖面结构示意图；
图7为本申请又一实施例的LED灯珠的剖面结构示意图；
图8为本申请一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的结构示意图；
图9为本申请另一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的结构示意图；
图10为本申请又一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的结构示意图；
图11为本申请一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的剖面结构示意图；
图12为本申请另一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的剖面结构示意图；
图13为本申请一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的引脚共用关系示意图；
图14为本申请另一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的引脚共用关系示意图；
图15为本申请又一实施例中具有多个基色发光芯片组的LED灯珠的引脚共用关系示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
如图1及图2所示，本申请一实施例提供了一种提升显示效果的LED灯珠10，包括灯体110、基色发光器件120、紫外LED芯片140、引脚113以及封装层130，基色发光器件120、紫外LED芯片设置于灯体110的其中一个端面上，封装层130设置于灯体110上，将基色发光器件120、紫外LED芯片140封装于灯体110上；引脚113设置于灯条110的另一个端面上，基色发光器件120、紫外LED芯片140与引脚113电连接；
封装层130包括光致变色材料，当紫外LED芯片140未发光时，封装层呈透明状；当紫外LED芯片140发出紫外光时，光致变色材料吸收紫外光变黑，封装层130逐渐变黑，封装层130变黑的程度与紫外LED芯片140的发光强度正相关。
光致变色材料，在受到紫外光的照射下，其分子结构发生变化，导致其颜色变黑。这一过程是可逆的，当不再受到紫外光照射时，其分子结构又恢复如此，颜色也恢复为原来的颜色，比如无色透明等。光致变色材料，可以是常见的光致变色材料，比如偶氮化合物、稠环芳香化合物、二芳基乙烯类化合物、螺吡喃类化合物等有机光致变色化合物，或者氧化钨、氯化银等无机光致变色化合物。
通过在封装层130中添加光致变色材料，当紫外LED芯片140未发光时，光致变色材料呈透明状，封装层130整体呈透明状，具有很好的出光效率，基色发光器件120发出的光线可以很好的透过封装层130，使得LED灯珠10具有较强的亮度，不需要增加电流，即可提升发光亮度，相对于现有技术中增加发光器件尺寸的方案，功耗更低，也不存在温度上升的问题；当紫外LED芯片140发出紫外光时，光致变色材料吸收紫外光变黑，封装层130向黑色进行转变，封装层130变黑的程度与紫外LED芯片140的发光强度正相关；封装层130变黑之后，LED灯珠10的通透性降低，发光亮度降低，LED灯珠10整体呈现为黑色，与紫外LED芯片140未发光时相比，具有明显的明暗差异，可以有效提升对比度。通过控制紫外LED芯片140的电流大小，可以控制紫外LED芯片的发光强度，就可以控制封装层130的变黑程度——即LED灯珠10整体呈现的黑色程度，可以实现对比度的调节。
如图1所示，灯体110可以包括相对设置的第一端面110a和第二端面110b，基色发光器件120可以直接设置在第一端面110a的表面，引脚113设置在相对的第二端面110b的表面。也就是说，基色发光器件120可以以表面贴装的方式设置。可以理解的是，引脚113，也可以设置于第一端面110a邻接的侧部端面上，以形成侧发光式LED灯珠。
在一些实施例中，如图3所示，第一端面110a可以向靠近第二端面110b的方向下沉形成有灯杯110c，基色发光器件120以及紫外LED芯片140设置于灯杯110c内，封装层130至少部分收容于灯杯110c内。灯杯110c的形状可以是圆柱形或多棱柱形，或者其他的形状，具体可以根据产品需求而定。
在一些实施例中，如图4所示，灯体110可以包括第一基板111和第二基板113，第一基板111与第二基板113层叠设置，并相互固定，第一基板111上设置有通孔111a，第二基板113从通孔111a的一端封闭通孔111a，基色发光器件120以及紫外LED芯片140设置于第二基板113上，并收容于第一基板111的通孔111a内。通过设置第一基板111及第二基板113组合的方式形成灯杯110c，可以方便基色发光器件120在灯体110上的固定。
封装层130的主材料可以采用环氧树脂或硅胶。例如，封装层130可以是在环氧树脂内添加光致变色材料制作形成。
在一些实施例中，如图5所示，光致变色材料可以均匀的掺杂在封装层130内，也可以非均匀的掺杂在封装层130内，比如在封装层130的局部区域集中分布——封装层130的靠近灯体110的一侧区域或者远离灯体110的一侧区域。
在一些实施例中，光致变色材料也可以单独在封装层130内单独的以一层状结构呈现。示例性的，请参阅图6和图7，封装层130可以包括胶体层131及光致变色层133，光致变色层133依附于胶体层131设置。例如，在图6所示实施例中，封装层130仅包括一层胶体层131及一层光致变色层133时，光致变色层133可以设置于胶体层131的靠近灯体100的一侧，胶体层131可以包裹光致变色层133设置，以将光致变色层133与外界隔离，避免光致变色层133被腐蚀或损坏；当然，光致变色层133也可以设置于胶体层131的远离基色发光器件120的一侧，而由胶体层131直接包裹基色发光器件120。或者，在图7所示实施例中，封装层130可以包括两层胶体层131及一层光致变色层133，光致变色层133设置于两层胶层131之间，利用胶体层131的夹持来保护光致变色层133。
基色发光器件120可以包括红光发光芯片(R芯片)、绿光发光芯片(G芯片)、蓝光发光芯片(B芯片)中的至少一种。在一些实施例中，如图1所示，基色发光器件120包括红光发光芯片(R芯片)、绿光发光芯片(G芯片)及蓝光发光芯片(B芯片)，由此，LED灯珠10贴装形成的显示结构为全彩显示。
在一些实施例中，如图7所示，基色发光器件120包括若干基色发光芯片组，基色发光芯片组阵列排布在灯体110上；每个基色发光芯片组均包括红光发光芯片(R芯片)、绿光发光芯片(G芯片)及蓝光发光芯片(B芯片)，让LED灯珠10形成多合一的复合灯珠，或者说是mini LED灯珠。基色发光芯片组的数量，可以是2、3、4或者更大的数值，具体可以根据实际产品需要进行设置。为了方便描述，下面以具有4组基色发光芯片组为例。
当基色发光器件120包括4组基色发光芯片组时，紫外LED芯片140的数量可以设置为1个、2个、3个甚至更多个。示例的，如图8所示，可以仅有1个紫外LED芯片140，位于4组基色发光芯片组之间的中心位置。
在一些实施例中，如图9所示，可以设置有5个紫外LED芯片140，除了4组基色发光芯片组之间的中心位置，还可以设置在灯体110的第一端面110a的4个侧边的中心位置。
在一些实施例中，如图10所示，灯体110上可以设置有4个灯杯110c，LED灯珠10可以设置4个紫外LED芯片140，每组基色发光芯片组和1个紫外LED芯片140分别设置在一个灯杯110c内。
可以理解的是，当有多个紫外LED芯片140时，其设置位置可以任意变化，只要能够让封装层130内的光致变色材料接收到紫外LED芯片140发出的紫外光即可。
为了降低一组基色发光芯片组的发光对其他基色发光芯片组的影响，防止串光，如图9及图11所示，封装层130包括胶体层131及光致变色层133，光致变色层133可以设置于胶体层131的靠近灯体100的一侧，光致变色层133包裹基色发光芯片组，包裹每组基色发光芯片组的光致变色层133之间形成有沟槽115d，紫外LED芯片140设置在沟槽115d内，胶体层131可以环绕光致变色层133设置，并部分容置于沟槽115d内。通过让包裹每组基色发光芯片组的光致变色层133之间形成有沟槽115d，然后在沟槽115d内填充胶体层131，利用胶体层131与光致变色层133之间的折射率差异设置，可以降低一组基色发光芯片组的发光进入到其他组基色发光芯片组的区域的数量，降低串光的影响。
在一些实施例中，如图12所示，封装层130包括两层胶体层131及一层光致变色层133，光致变色层133设置于两层胶层131之间，先用胶体层131包裹基色发光芯片组，包裹每组基色发光芯片组的胶体层131之间形成有沟槽115d，光致变色层133部分容置于沟槽115d内。与之前相似的，利用胶体层131与光致变色层133之间的折射率差异设置，可以降低一组基色发光芯片组的发光进入到其他组基色发光芯片组的区域的数量，降低串光的影响。
在一些实施例中，LED灯珠10还可以包括遮光围栏(图中未示出)，遮光围栏可以环绕每组基色发光芯片组设置。遮光围栏可以形成一类似反射器的结构，一方面，将光反射出像素灯，增强出光率，另一方面，可以避免相邻的像素灯之间相互串光。
在一些实施例中，为了降低LED灯珠10的引脚113的数量，增加单个引脚113的面积，方便焊接，降低引脚过小、过密时的短路问题，LED灯珠10中，至少有两个发光芯片的阳极或引脚共用同一个引脚113。
示例的，如图13所示，同一行基色发光芯片组中的同色发光芯片的阴极共用一个引脚113，同一列基色发光芯片组中的红色发光芯片的阳极共用一个引脚，同一列基色发光芯片组中的蓝色和绿色发光芯片的阳极共用一个引脚，紫外LED芯片(V)的阳极和阴极分别连接一个引脚，如此，对于具有4组基色发光芯片组的LED灯珠10，只需要设置12个连接发光芯片的引脚即可。
示例的，如图14所示，同一行基色发光芯片组的阴极共用一个引脚113，同一列基色发光芯片组中的同色发光芯片的阳极共用一个引脚，紫外LED芯片的阳极和阴极分别连接一个引脚，如此，对于具有4组基色发光芯片组的LED灯珠10，只需要设置10个连接发光芯片的引脚即可。
示例的，如图15所示，同一行基色发光芯片组以及紫外LED芯片的阴极共用一个引脚113，同一列基色发光芯片组中的红色发光芯片的阳极共用一个引脚，同一列基色发光芯片组中的蓝色和绿色发光芯片的阳极共用一个引脚，紫外LED芯片的阳极连接一个引脚。如此，让紫外LED芯片的一个引脚与同行基色发光芯片组的引脚进行复用，并让蓝色和绿色发光芯片的阳极引脚复用，可以进一步降低引脚数量。对于具有4组基色发光芯片组的LED灯珠10，只需要设置7个连接发光芯片的引脚即可。
本申请实施例提供LED灯珠，在封装层130中添加光致变色材料，当紫外LED芯片140未发光时，光致变色材料呈透明状，封装层130整体呈透明状，具有很好的出光效率，基色发光器件120发出的光线可以很好的透过封装层130，使得LED灯珠10具有较强的亮度，不需要增加基色发光器件的尺寸和电流，即可提升发光亮度，相对于现有技术中增加发光器件尺寸的方案，功耗更低，也不存在温度上升的问题；当紫外LED芯片140发出紫外光时，光致变色材料吸收紫外光变黑，封装层130向黑色进行转变，封装层130变黑的程度与紫外LED芯片140的发光强度正相关；封装层130变黑之后，LED灯珠10的通透性降低，发光亮度降低，LED灯珠10整体呈现为黑色，与紫外LED芯片140未发光时相比，具有明显的明暗差异，可以有效提升对比度。通过控制紫外LED芯片140的电流大小，可以控制紫外LED芯片的发光强度，就可以控制封装层130的变黑程度——即LED灯珠10整体呈现的黑色程度，可以实现对比度的调节。
本申请一实施例还提供一种LED显示屏，LED显示屏包括控制器、灯板及灯珠，灯珠阵列式的设置于灯板上，灯珠可以是上述任一实施例的LED灯珠；控制器用于接收画面数据，控制LED灯珠的工作。
控制器，可以根据画面数据中的色彩数据，控制LED灯珠中基色发光器件120的工作电流，以实现对应色彩的显示；可以根据灰度数据，控制紫外LED芯片140的工作电流。
示例的，LED显示屏为全彩显示，LED灯珠至少包括一组基色发光芯片组，每组基色发光芯片组可以视为画面中的一个像素点。根据画面数据中，对应该像素点的色彩数据，可以确定基色发光芯片组中个发光芯片的工作电流。根据画面数据中对应的灰度数据，可以确定该像素点位置的明暗，来控制紫外LED芯片140的工作电流大小，当灰度数据的数值较小时，说明对应像素点位置较暗，可以紫外LED芯片140的工作电流较大，可以发出较多的紫外光，使得封装层130变黑，LED灯珠10整体变暗；反之，则减紫外LED芯片140的工作电流，减少紫外光的发出数量，让封装层130相对比较透明，提高出光效果，提升LED灯珠10的亮度。如此，可以提升LED显示屏的对比度，让亮的区域可以更亮，暗的区域可以更暗，尤其是适用于HDR显示。
在一些实施例中，控制器可以先判断LED显示屏是否已经开启HDR显示，如果判断为否，则控制紫外LED芯片不工作；反之，则根据画面数据中的灰度数据，控制紫外LED芯片140的工作电流。
在一些实施例中，为了避免外部阳光中的紫外线照射到LED灯珠10的内部，LED显示屏还包括有遮光凸起，遮光凸起从灯板上向外延伸设置，遮光凸起位于每一行LED灯珠之上，用于遮挡外部光线，避免外部光线照射到LED灯珠内部，避免封装层130中的光致变色材料因为外部光线而错误变黑，影响显示效果。
上述LED显示屏，在LED灯珠的封装层中添加光致变色材料，当紫外LED芯片未发光时，光致变色材料呈透明状，封装层整体呈透明状，具有很好的出光效率，基色发光器件发出的光线可以很好的透过封装层，使得LED灯珠具有较强的亮度，不需要增加电流，即可提升发光亮度，相对于现有技术中增加发光器件尺寸的方案，功耗更低，也不存在温度上升的问题；当紫外LED芯片发出紫外光时，光致变色材料吸收紫外光变黑，封装层向黑色进行转变，LED灯珠整体呈现为黑色，与紫外LED芯片未发光时相比，具有明显的明暗差异，可以有效提升对比度。通过控制紫外LED芯片的电流大小，可以控制紫外LED芯片的发光强度，就可以控制封装层的变黑程度——即LED灯珠整体呈现的黑色程度，可以实现对比度的调节，有利于显示效果的提升。
在本申请各个实施例中的各功能模块/部件，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。它们可以集成在相同处理模块/部件中，也可以是各个模块/部件单独物理存在，也可以两个或两个以上模块/部件集成在相同模块/部件中。上述集成的模块/部件既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能模块/部件的形式实现。
对于本领域技术人员而言，显然本申请实施例不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请实施例的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本申请实施例。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请实施例的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明实施例内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。***、装置或终端权利要求中陈述的多个单元、模块或装置也可以由同一个单元、模块或装置通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
Claims (10)
1.一种提升显示效果的LED灯珠，其特征在于，包括灯体、基色发光器件、紫外LED芯片、引脚以及封装层，所述基色发光器件、紫外LED芯片设置于所述灯体的其中一个端面上，所述封装层设置于所述灯体上，将所述基色发光器件、紫外LED芯片封装于所述灯体上；所述引脚设置于所述灯条的另一个端面上，所述基色发光器件、紫外LED芯片与所述引脚电连接；
所述封装层包括光致变色材料，当所述紫外LED芯片未发光时，所述封装层呈透明状；当所述紫外LED芯片发出紫外光时，所述光致变色材料吸收紫外光变黑，所述封装层逐渐变黑。
2.根据权利要求1所述的LED灯珠，其特征在于，所述光致变色材料均匀的或非均匀的掺杂在所述封装层内。
3.根据权利要求1所述的LED灯珠，其特征在于，所述封装层包括一层胶体层及一层光致变色层，所述光致变色层设置于所述胶体层的靠近所述灯体的一侧，所述胶体层包裹所述光致变色层设置。
4.根据权利要求1所述的LED灯珠，其特征在于，所述封装层包括两层胶体层及一层光致变色层，所述光致变色层设置于两层所述胶层之间。
5.根据权利要求1所述的LED灯珠，其特征在于，所述基色发光器件包括若干基色发光芯片组，所述基色发光芯片组阵列排布在所述灯体上；每个所述基色发光芯片组包括红光发光芯片、绿光发光芯片及蓝光发光芯片。
6.根据权利要求5所述的LED灯珠，其特征在于，所述封装层包括胶体层及光致变色层，所述光致变色层设置于所述胶体层的靠近所述灯体的一侧，所述光致变色层包裹所述基色发光芯片组，包裹每组所述基色发光芯片组的光致变色层之间形成有沟槽，至少一个所述紫外LED芯片设置在所述沟槽内，所述胶体层环绕所述光致变色层设置，并部分容置于所述沟槽内。
7.根据权利要求5所述的LED灯珠，其特征在于，至少有两个发光芯片的阳极或引脚共用同一个引脚。
8.根据权利要求7所述的LED灯珠，其特征在于，同一行所述基色发光芯片组以及所述紫外LED芯片的阴极共用一个引脚，同一列所述基色发光芯片组中的红色发光芯片的阳极共用一个引脚，同一列基色发光芯片组中的蓝色和绿色发光芯片的阳极共用一个引脚，所述紫外LED芯片的阳极连接一个引脚。
9.一种LED显示屏，包括控制器、灯板及灯珠，灯珠阵列式的设置于灯板上，其特征在于，所述灯珠为权利要求1-8任一项所述的LED灯珠；所述LED灯珠包括基色发光器件和紫外LED芯片；
所述控制器，用于接收画面数据，根据画面数据中的色彩数据，控制所述LED灯珠中的基色发光器件的工作电流，根据画面数据中的灰度数据，控制所述LED灯珠中的紫外LED芯片的工作电流。
10.根据权利要求9所述的LED显示屏，其特征在于，所述控制器还用于判断是否开启HDR显示，如果判断为否，则控制所述紫外LED芯片不工作；反之，则根据画面数据中的灰度数据，控制所述紫外LED芯片的工作电流。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911157188.XA CN111029333B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种提升显示效果的led灯珠及led显示屏 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911157188.XA CN111029333B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种提升显示效果的led灯珠及led显示屏 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111029333A true CN111029333A (zh) | 2020-04-17 |
| CN111029333B CN111029333B (zh) | 2021-10-26 |
Family
ID=70202786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911157188.XA Active CN111029333B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 一种提升显示效果的led灯珠及led显示屏 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111029333B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112185270A (zh) * | 2020-09-17 | 2021-01-05 | 深圳市奥拓电子股份有限公司 | 一种具有交互功能的cob显示模组及制备方法、显示屏 |
| CN114187849A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | Led显示面板及显示设备 |
| TWI786934B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-12-11 | 大陸商業成科技（成都）有限公司 | 透明顯示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104111551A (zh) * | 2014-06-28 | 2014-10-22 | 中能柔性光电（滁州）有限公司 | 一种柔性液晶彩色化显示器件及制备方法 |
| CN105870153A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板及其驱动方法 |
| CN205507328U (zh) * | 2016-01-20 | 2016-08-24 | 常州千明智能照明科技有限公司 | 基于多通道led的闪光灯 |
| US20180024359A1 (en) * | 2015-03-19 | 2018-01-25 | Fujifilm Corporation | Projection type display device and projection display method |
| CN107644895A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-30 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板、其制备方法、驱动方法及显示装置 |
| CN109585521A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-05 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2019
- 2019-11-22 CN CN201911157188.XA patent/CN111029333B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104111551A (zh) * | 2014-06-28 | 2014-10-22 | 中能柔性光电（滁州）有限公司 | 一种柔性液晶彩色化显示器件及制备方法 |
| US20180024359A1 (en) * | 2015-03-19 | 2018-01-25 | Fujifilm Corporation | Projection type display device and projection display method |
| CN205507328U (zh) * | 2016-01-20 | 2016-08-24 | 常州千明智能照明科技有限公司 | 基于多通道led的闪光灯 |
| CN105870153A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板及其驱动方法 |
| CN107644895A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-30 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板、其制备方法、驱动方法及显示装置 |
| CN109585521A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-05 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112185270A (zh) * | 2020-09-17 | 2021-01-05 | 深圳市奥拓电子股份有限公司 | 一种具有交互功能的cob显示模组及制备方法、显示屏 |
| TWI786934B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-12-11 | 大陸商業成科技（成都）有限公司 | 透明顯示面板 |
| CN114187849A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | Led显示面板及显示设备 |
| CN114187849B (zh) * | 2021-12-09 | 2024-03-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | Led显示面板及显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111029333B (zh) | 2021-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111029333B (zh) | 一种提升显示效果的led灯珠及led显示屏 | |
| US10964854B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| CN104344287B (zh) | 光源设备和显示单元 | |
| JP6342468B2 (ja) | 発光装置、および照明装置 | |
| JP4583348B2 (ja) | 発光装置 | |
| US8264142B2 (en) | Illumination apparatus and method of producing a planar light output | |
| US10566502B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2003086846A (ja) | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 | |
| KR20130014333A (ko) | 백색 ｌｅｄ 장치 | |
| CN104040739A (zh) | 发光装置 | |
| JP2017530525A (ja) | ネオジム・フッ素材料を用いたｌｅｄ装置 | |
| WO2013015597A2 (ko) | 백색 led 장치 | |
| CN102106014A (zh) | 用于照明的器件和方法 | |
| US20060243995A1 (en) | White light emitting diode device | |
| CN107240647B (zh) | 一种有机发光二极管器件、灯具 | |
| WO2017100190A1 (en) | Led apparatus employing tunable color filtering using multiple neodymium and fluorine compounds | |
| CN116133462A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN103904073A (zh) | Led和oled集成照明模块 | |
| CN209744141U (zh) | 一种面板灯 | |
| JPH10233534A (ja) | Ｌｅｄ表示器及びそれを用いた表示装置 | |
| KR101338704B1 (ko) | 발광장치 | |
| TW201439464A (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| CN215988825U (zh) | 多色led集成光源 | |
| CN210485369U (zh) | Led侧发光灯带以及终端设备 | |
| KR200205422Y1 (ko) | 백색 발광 다이오드 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 518000 1805, tower 2, Shenye Jinyuan Building, No.112, Qingshuihe 1st Road, Qingshuihe community, Luohu District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: SHENZHEN AOTO ELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 518000 9th Floor, United Headquarters Building, No. 63 Xuefu Road, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: SHENZHEN AOTO ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |