CN110993656A - 显示面板制备方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一显示面板的制备方法及显示面板，通过一道黄光制程对透明电极膜层以及第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极。具体是将所述透明电极膜层以及所述第二金属层作为新的金属层(Metal2)一同沉积在平坦化层上，并利用半色调掩膜板的透光性对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化。本发明减少了制备掩膜板的数量，进而达到减小制备成本、增加制备效率的目的。

Description

显示面板制备方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种显示面板制备方法及显示面板。
背景技术
白光有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有高稳定性等优点。但是其制备的时候所需掩膜板数量较多，减少掩膜板的数量将能极大的提高产能，降低成本。
如图1所示，目前大尺寸显示面板，一般来说源漏极金属层11结构(多采用钼和金属的双层结构)，从源漏极金属层11到透明电极14结构的制程一共需要制备4层结构(源漏极金属层11、钝化层12、平坦化层13、透明电极14)，一共所需4张掩膜板。
因此，急需提供一种新的显示面板，可以达到节省掩膜板的目的，减小制备成本。
发明内容
本发明的目的是，通过一道黄光制程对透明电极膜层以及第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极。从而减少了制备掩膜板的数量，达到减小制备成本，增加了制备效率。
为达到上述目的，本发明提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板；沉积一缓冲层于所述基板上；沉积一半导体层于所述缓冲层上；沉积一栅极层于所述半导体层上；沉积一第一金属层于所述栅极层上；依次沉积一层间绝缘层以及一平坦化层于所述缓冲层上；沉积一透明电极膜层以及一第二金属层于所述平坦化层上；通过一道黄光制程对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极。
进一步地，在所述通过一道黄光制程对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极的步骤中，具体包括：提供一半色调掩膜板，所述半色调掩膜板包括：全通孔以及半透区；涂布一光刻胶于所述第二金属层上；将所述半色调掩膜板设于所述光刻胶的上方；利用紫外线光通过所述半色调掩膜板照射所述光刻胶进行曝光显影后得到源漏极图案以及第一电极图案，所述第一电极图案与所述半透区相对应；刻蚀掉所述全通孔对应的第二金属层以及透明电极膜层形成所述沟道；灰化所述第一电极图案；刻蚀掉所述第一电极图案对应的第二金属层，移除所述源漏极图案后形成所述源漏极金属层。
进一步地，在所述依次沉积一层间绝缘层以及一平坦化层于所述缓冲层上的步骤后，还包括：形成第一通孔以及第二通孔于所述平坦化层上，所述第一通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面，所述第二通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面。
进一步地，在所述依次沉积一透明电极膜层以及一第二金属层于所述平坦化层上的步骤中，还包括：依次沉积所述透明电极膜层以及所述第二金属层于所述第一通孔以及所述第二通孔中。
进一步地，在所述提供一基板的步骤之后，包括：沉积一遮光层于所述基板上。
进一步地，还包括：沉积一像素限定层于所述源漏极金属层、所述平坦化层、所述沟道以及所述第一电极上；形成一开槽于所述像素限定层上，所述开槽下凹至所述第一电极表面。
本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括：基板；缓冲层，设于所述基板上；半导体层，设于所述缓冲层上；栅极层，设于所述半导体层上；第一金属层，设于所述栅极层上；层间绝缘层，设于所述缓冲层、所述半导体层以及所述第一金属层上；平坦化层，设于所述层间绝缘层上；所述平坦化层具有第一通孔以及第二通孔于，所述第一通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面，所述第二通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面；第一电极，设于所述平坦化层上，以及设于所述第一通孔和所述第二通孔中；源漏极电极层，设于所述第一电极上。
进一步地，还包括：遮光层，设于所述缓冲层中且对应所述半导体层；RGB色阻，设于所述平坦化层中。
进一步地，还包括：像素限定层，设于所述源漏极金属层、所述平坦化层、所述沟道以及所述第一电极上；所述像素限定层具有一开槽，所述开槽下凹至所述第一电极表面
本发明的有益效果是：本发明提供一显示面板的制备方法及显示面板，通过一道黄光制程对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极。具体是将所述透明电极膜层以及所述第二金属层作为新的金属层(Metal2)一同沉积在平坦化层上，并利用半色调掩膜板的透光性对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化。这减少了制备掩膜板的数量，进而达到减小制备成本，增加制备效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为现有技术的显示面板的结构示意图。
图2为本发明提供的显示面板的制备方法的部分结构示意图。
图3是在图2的基础上沉积透明电极膜层第二金属层的结构示意图。
图4是在图3的基础上提供的掩膜板以及曝光光刻胶的结构示意图。
图5是在图4的基础上显影光刻胶后的结构示意图。
图6是在图5的基础上刻蚀图案后形成沟道以及第一电极的结构示意图。
图7是在图6的基础上灰化第一电极图案后的结构示意图。
图8是在图7的基础刻蚀第一电极图案对应的第二金属层后的结构示意图。
图9是在图8的基础上移除源漏极图案后的结构示意图。
图10是在图9的基础上制备像素限定层的结构示意图。
图11为本发明提供的显示面板的结构示意图。
显示面板100；
基板101；遮光层103；缓冲层102；
半导体层104；栅极层105；第一金属层106；
层间绝缘层107；平坦化层108；第一电极115；
源漏极金属层116；像素限定层117；开槽118；
OLED功能器件120；透明电极膜层109；第二金属层110；
光刻胶111；半色调掩膜板200；全通孔201；
半透区202；源漏极图案113；第一电极图案112；
沟道114；RGB色阻119；第一通孔1081；
第二通孔1082。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容，下面通过具体的实施例对本发明作进一步说明，但本发明的实施和保护范围不限于此。
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图2所示，本发明提供一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括。
S1)提供一基板101。
S2)沉积一遮光层103于所述基板101上。
S3)沉积一缓冲层102于所述遮光层103以及所述基板101上。
S4)沉积一半导体层104于所述缓冲层102上。
S5)沉积一栅极层105于所述半导体层104上。
S6)沉积一第一金属层106与所述栅极层105上。
S7)依次沉积一层间绝缘层107以及一平坦化层108于所述缓冲层102上。
S8)形成第一通孔1081以及第二通孔1082于所述平坦化层108上，所述第一通孔1081贯穿所述平坦化层108以及部分所述层间绝缘层107直至所述半导体层104的表面，所述第二通孔1082贯穿所述平坦化层108以及部分所述层间绝缘层107直至所述半导体层104的表面。
S9)如图3所示，依次沉积一透明电极膜层109以及一第二金属层110(铜)于所述平坦化层108上。
在所述依次沉积一透明电极膜层109以及一第二金属层110于所述平坦化层108上的步骤中，还包括：
依次沉积一透明电极膜层109以及一第二金属层110于所述第一通孔1081以及所述第二通孔1082中。
一般所述透明电极膜层109在下方，所述第二金属层110位于所述透明电极膜层109上方。
S10)如图4所示，通过一道黄光制程对所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110进行图案化处理形成源漏极金属层116、沟道114以及第一电极115，标号如图8、图9所示。其中，在第一通孔1081和第二通孔1082中，所述第二金属层110通过所述第一电极115与所述半导体层104连接。
在所述通过一道黄光制程对所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110进行图案化处理形成源漏极金属层116、沟道114以及第一电极115的步骤中，具体包括：
S101)提供一半色调掩膜板200，如图4所示。所述半色调掩膜板200包括：全通孔201、半透区202以及不透光区203。所述全通孔201可以使紫外线全部通过，可以通过显示液完全消除全通孔201区域对应的光刻胶；而所述半透区202对应的光刻胶并不会被全部消除。
S102)涂布一光刻胶111于所述第二金属层110上，所述光刻胶111为负性光刻胶。
S103)将所述半色调掩膜板200设于所述光刻胶111的上方。
S104)如图5所示，利用紫外线光通过所述半色调掩膜板200照射所述光刻胶111进行曝光显影后得到源漏极图案113以及第一电极图案112，所述第一电极图案112与所述半透区202相对应，所述源漏极图案113与所述不透光区203相对应。
所述源漏极图案113以及所述第一电极图案112材料皆为光刻胶，由于半色调掩膜板200的特性，并没有使光线全部通孔，进而并没有被显影液消除。
S105)如图6所示，刻蚀掉所述全通孔201对应的第二金属层110以及透明电极膜层109形成一沟道114和第一电极115。
S106)如图7所示，灰化所述第一电极图案112。
S107)如图8所示，刻蚀掉所述第一电极图案112对应的第二金属层110暴露所述第一电极115，移除所述源漏极图案113后形成源漏极金属层116。
所述源漏极金属层116包括源极走线以及漏级走线，分别设于所述第一通孔1081以及第二通孔1082中。通过部分第一电极115与半导体层104相连接。
S11)沉积一像素限定层117于所述源漏极金属层116、所述平坦化层108、所述沟道114以及所述第一电极115上。
S12)如图10所示，形成一开槽118于所述像素限定层117上，所述开槽118下凹至所述第一电极115表面。如图11所示，最后在开槽118中蒸镀OLED功能器件120即可形成一显示面板。
本发明提供一显示面板的制备方法，具体为底发射的白光OLED显示面板的制备方法。通过一道黄光制程对所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110进行图案化处理形成源漏极金属层116、沟道114以及第一电极115。具体是将所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110作为新的金属层(Metal2)一同沉积在平坦化层108上，并利用半色调掩膜板200的透光性对所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110进行图案化。这减少了制备掩膜板的数量，进而达到减小制备时候的成本，增加了制备的效率。
本发明还提供一种显示面板，由本发明所提供的显示面板的制备方法制备形成。
如图11所示，所述显示面板，包括：基板101、遮光层103、缓冲层102、半导体层104、栅极层105、第一金属层106、层间绝缘层107、平坦化层108、第一电极115、源漏极电极层116、像素限定层117以及OLED功能器件120。
所述遮光层103设于所述基板101上且对应所述半导体层104。所述缓冲层102设于所述基板101上且包覆所述遮光层103。
所述半导体层104设于所述缓冲层102上；所述栅极层105设于所述半导体层104上。
所述第一金属层106设于所述栅极层105上；所述层间绝缘层107设于所述缓冲层102、所述半导体层104以及所述第一金属层106上。
所述平坦化层108设于所述层间绝缘层107上；所述平坦化层108具有第一通孔1081以及第二通孔1082于，所述第一通孔1081贯穿所述平坦化层108以及部分所述层间绝缘层107直至所述半导体层104的表面，所述第二通孔1082贯穿所述平坦化层108以及部分所述层间绝缘层107直至所述半导体层104的表面。
所述平坦化层108中还设有RGB色阻119，用以发光显示。
所述第一电极115设于所述平坦化层108上，以及分别设于所述第一通孔1081和所述第二通孔1082的孔壁上。
所述源漏极电极层116设于所述第一电极115上并填充所述第一通孔1081和所述第二通孔1082使其平坦化。
所述像素限定层117设于所述源漏极金属层116、所述平坦化层108、所述沟道114以及所述第一电极115上；所述像素限定层117具有一开槽118，所述开槽118下凹至所述第一电极115表面。所述OLED功能器件120设于所述开槽118中。
本发明还提供通过显示面板的制备方法制备得到的显示面板，具体为底发射的白光OLED显示面板。通过一道黄光制程对所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110进行图案化处理形成源漏极金属层116、沟道114以及第一电极115。具体是将所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110(作为新的Metal2)一同沉积在平坦化层108上，并利用半色调掩膜板200的透光性对所述透明电极膜层109以及所述第二金属层110进行图案化。减少了掩膜板的数量，进而达到减小制备时候的成本。
本发明制备得到的显示面板虽然结构发生的明显的变化，第一电极115与源漏极金属层116的位置变为直接接触，但是源漏极金属层116还是通过设于第一通孔1081以及第二通孔1082中的第一电极115与半导体层104相连接，并且第一电极115与所述源漏极金属层116连接，这在电性连接上效果相同。进而本发明达到了减小了膜层的数量，制备的效率显著提高。
应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对本发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (9)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板；
沉积一缓冲层于所述基板上；
沉积一半导体层于所述缓冲层上；
沉积一栅极层于所述半导体层上；
沉积一第一金属层于所述栅极层上；
依次沉积一层间绝缘层以及一平坦化层于所述缓冲层上；
沉积一透明电极膜层以及一第二金属层于所述平坦化层上；通过一道黄光制程对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述通过一道黄光制程对所述透明电极膜层以及所述第二金属层进行图案化处理形成源漏极金属层、沟道以及第一电极的步骤中，具体包括：
提供一半色调掩膜板，所述半色调掩膜板包括：全通孔以及半透区；
涂布一光刻胶于所述第二金属层上；
将所述半色调掩膜板设于所述光刻胶的上方；
利用紫外线光通过所述半色调掩膜板照射所述光刻胶进行曝光显影后得到源漏极图案以及第一电极图案，所述第一电极图案与所述半透区相对应；
刻蚀掉所述全通孔对应的第二金属层以及透明电极膜层形成所述沟道；
灰化所述第一电极图案；
刻蚀掉所述第一电极图案对应的第二金属层，移除所述源漏极图案后形成所述源漏极金属层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述依次沉积一层间绝缘层以及一平坦化层于所述缓冲层上的步骤之后，还包括：
形成第一通孔以及第二通孔于所述平坦化层上，所述第一通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面，所述第二通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述依次沉积一透明电极膜层以及一第二金属层于所述平坦化层上的步骤中，还包括：
依次沉积所述透明电极膜层以及所述第二金属层于所述第一通孔以及所述第二通孔中。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述提供一基板的步骤之后，包括
沉积一遮光层于所述基板上。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：
沉积一像素限定层于所述源漏极金属层、所述平坦化层、所述沟道以及所述第一电极上；
形成一开槽于所述像素限定层上，所述开槽下凹至所述第一电极表面。
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基板；
缓冲层，设于所述基板上；
半导体层，设于所述缓冲层上；
栅极层，设于所述半导体层上；
第一金属层，设于所述栅极层上；
层间绝缘层，设于所述缓冲层、所述半导体层以及所述第一金属层上；
平坦化层，设于所述层间绝缘层上；所述平坦化层具有第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面，所述第二通孔贯穿所述平坦化层以及部分所述层间绝缘层直至所述半导体层的表面；
第一电极，设于所述平坦化层上，以及设于所述第一通孔和所述第二通孔中；
源漏极电极层，设于所述第一电极上。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括：遮光层，设于所述缓冲层中且对应所述半导体层；
RGB色阻，设于所述平坦化层中。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括：
像素限定层，设于所述源漏极金属层、所述平坦化层、所述沟道以及所述第一电极上；
所述像素限定层具有一开槽，所述开槽下凹至所述第一电极表面。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020125477A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-12 So Woo Young Thin film transistors with dual layered source/drain electrodes and manufacturing method thereof, and active matrix display device and manufacturing method thereof
CN101577283A (zh) * 2008-05-06 2009-11-11 三星移动显示器株式会社 薄膜晶体管阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法
CN109585506A (zh) * 2018-11-22 2019-04-05 武汉华星光电技术有限公司 具有照明功能的oled显示设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020125477A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-12 So Woo Young Thin film transistors with dual layered source/drain electrodes and manufacturing method thereof, and active matrix display device and manufacturing method thereof
CN101577283A (zh) * 2008-05-06 2009-11-11 三星移动显示器株式会社 薄膜晶体管阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法
CN109585506A (zh) * 2018-11-22 2019-04-05 武汉华星光电技术有限公司 具有照明功能的oled显示设备

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