CN110931535B - 一种Micro OLED结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种Micro OLED结构及其制备方法，包括半导体衬底基板，其特征在于：在所述半导体衬底基板上设有绝缘层和阳极层，在所述绝缘层和阳极层上设有空穴注入层，所述空穴注入层上设有空穴传输层，所述空穴传输层上设有发光层，所述发光层上依次设有电子传输层和电子注入层；在所述电子注入层上设有阴极层，所述阴极层上设有彩色过滤层，所述彩色过滤层上设有玻璃保护盖。本发明Micro OLED结构及其制备方法，结构简单，透过率高，适用性好，具有较好的应用前景。

Description

一种Micro OLED结构及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，更具体地说，涉及一种Micro OLED结构及其制备方法。
背景技术
现有的OLED全彩器件其透过率偏低且有吸收性，不能很好的满足使用需求。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，透过率高的MicroOLED结构及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种Micro OLED结构，包括半导体衬底基板，其特征在于：在所述半导体衬底基板上设有绝缘层和阳极层，在所述绝缘层和阳极层上设有空穴注入层，所述空穴注入层上设有空穴传输层，所述空穴传输层上设有发光层，所述发光层上依次设有电子传输层和电子注入层；在所述电子注入层上设有阴极层，所述阴极层上设有彩色过滤层，所述彩色过滤层上设有玻璃保护盖。
为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
所述发光层包括由上至下布置的蓝光层、绿光层和红光层。
所述阴极层与所述彩色过滤层之间设有保护OLED的SINx薄膜封装层。
所述彩色过滤层包括在同一水平面内依次布置的红色光学薄膜层、绿色光学薄膜层和蓝色光学薄膜层。
一种Micro OLED结构的制备方法，包括如下步骤：准备半导体衬底基板，在半导体衬底基板上沉积上绝缘物质SIO2，利用黄光涂胶、显影的方法将膜层图形化，并用干刻蚀方法光刻图形，形成绝缘层；在半导体衬底基板上镀上金属的阳极层，利用光刻法将阳极图形化并通过干刻蚀方法光刻图形；利用蒸镀机台蒸镀依次制作空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和电子注入层；蒸镀制作阴极层，在阴极层上沉积SINx薄膜封装层；在SINx薄膜封装层上直接制作彩色过滤层；在彩色过滤层涂上胶水再用玻璃贴合机贴上玻璃在顶部制作出玻璃保护盖。
所述彩色过滤层采用光学镀膜机将TIO2和MgF2镀膜至所述SINx薄膜封装层上。
在所述SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的红色光学薄膜，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
在所述SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的绿色光学薄膜，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
在所述SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的蓝色光学薄膜，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
将蓝色光学薄膜层镀膜完成后，再把多余的光刻胶去除，完成彩色过滤层的制作。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明Micro OLED结构及其制备方法，结构简单，透过率高，适用性好，具有较好的应用前景。
附图说明
下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为Micro OLED结构示意图；
图2为红色光学薄膜穿透图谱示意图；
图3为绿色光学薄膜穿透图谱示意图；
图4为蓝色光学薄膜穿透图谱示意图；
图5为CF层镀膜厚度表；
图6为CF层制作过程示意图。
附图标记：1、半导体衬底基板，2、绝缘层，3、阳极层，4、空穴注入层，5、空穴传输层，6、发光层，7、电子传输层，8、电子注入层，9、阴极层，10、彩色过滤层，11、玻璃保护盖。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
本发明这种Micro OLED结构，如图1所示，包括半导体衬底基板1，在半导体衬底基板1上设有绝缘层2和阳极层3，在绝缘层2和阳极层3上设有空穴注入层4，空穴注入层4上设有空穴传输层5，空穴传输层5上设有发光层6，发光层6上依次设有电子传输层7和电子注入层8；在电子注入层8上设有阴极层9，阴极层9上设有彩色过滤层10，彩色过滤层10上设有玻璃保护盖11。
本发明中，发光层6包括由上至下布置的蓝光层、绿光层和红光层。阴极层9与彩色过滤层10之间设有保护OLED的SINx薄膜封装层，以保护 OLED材料，方便后面彩色过滤层10镀膜。
本发明中，如图6中所示，彩色过滤层10包括在同一水平面内依次布置的红色光学薄膜层、绿色光学薄膜层和蓝色光学薄膜层。
本发明中提供一种Micro OLED结构的制备方法，包括如下步骤：准备半导体衬底基板1，在半导体衬底基板1上沉积上绝缘物质SIO2，利用黄光涂胶、显影的方法将膜层图形化，并用干刻蚀方法光刻图形，形成绝缘层2；在半导体衬底基板1上镀上金属的阳极层3，利用光刻法将阳极图形化并通过干刻蚀方法光刻图形；利用蒸镀机台蒸镀依次制作空穴注入层4，空穴传输层5，发光层6，电子传输层7和电子注入层8；蒸镀制作阴极层9，在阴极层9上沉积SINx薄膜封装层；在SINx薄膜封装层上直接制作彩色过滤层 10；在彩色过滤层10涂上胶水再用玻璃贴合机贴上玻璃在顶部制作出玻璃保护盖11。
本发明中，彩色过滤层10采用光学镀膜机将TIO2和MgF2镀膜至SINx 薄膜封装层上。彩色过滤层10包括红色光学薄膜层、绿色光学薄膜层和蓝色光学薄膜层。
在SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的红色光学薄膜(按照图5中的CF层镀膜厚度表进行镀膜)，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
在SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成彩色过滤层10 的绿色光学薄膜(按照图5中的CF层镀膜厚度表进行镀膜)，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及 CL2将多余部分刻蚀除去。
在SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成彩色过滤层的蓝色光学薄膜(按照图5中的CF层镀膜厚度表进行镀膜)，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及 CL2将多余部分刻蚀除去。
将蓝色光学薄膜层镀膜完成后，再把多余的光刻胶去除，完成彩色过滤层10的制作。
本发明中，一种实施例，半导体衬底基板1为TFT基板(薄膜晶体基板)，一般由IC厂提供购买即可。在半导体衬底基板1上用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)方法沉积上绝缘物质SIO2一般在
Figure BDA0002313434990000051
左右，利用黄光涂胶、显影的方法将膜层图形化并通过CF4(四氟化碳)干刻蚀方法将光刻版图形转移到晶片上，形成绝缘层2。在半导体衬底基板1上利用PVD 机台依次镀MO/AL/ITO
Figure BDA0002313434990000052
等材料形成阳极层3；利用光刻法将阳极图形化并通过CL2(氯气)干刻蚀方法将光刻版图形转移到晶片上。
如图1所示，绝缘层SIO2将阳极隔开形成一个一个区域，每个隔开区域成为一个像素。绝缘层与阳极层是平行交错排开，绝缘层又称像素定义层将各个像素隔开。
利用蒸镀机台蒸镀制作空穴注入层4(HIL)。利用蒸镀机台蒸镀制作空穴传输层5(HTL)。利用蒸镀机台蒸镀制作发光层6。发光层6包含由上至下的b(蓝光)、g(绿光)、r(红光)三层；利用蒸镀机台蒸镀制作电子传输层(ETL)7。利用蒸镀机台蒸镀制作电子注入层(EIL)8。再利用蒸镀机台镀上Ag/Mg等材料制作阴极层9再利用PECVD机台制作薄膜SINx(约500nm)保护OLED材料，形成SINx薄膜封装层。
当施加正向电压后空穴和电子克服能障，分别由阳极和阴极注入，空穴通过HIL经过HTL的HOMO能阶，电子通过EIL经过ETL的LOMO能阶。电子和空穴在有发光特性的有机发光层6结合，形成激发子，激发子以发光发热的形式释放能量。
在SINx薄膜封装层上直接制作彩色过滤层10，即CF层(如果CF是用彩胶的方法制作则需要增加OC胶，本文CF层是通过镀膜的方式完成附着性较高，可以直接进行CF制作)，光学镀膜可选择光驰牌光学镀膜机其中高折射率材料选择TIO2、低折射率材料选择MgF2。制成温度选择不加热。离子源选用RF离子源配合中和器使用AR 20SCCM O2 80sccm Power在800W。
将片源放置在机器镀锅上，根据图5中红色光学薄膜各层厚度设置镀膜程序，每层厚度由机器膜厚仪监控到达厚度后自动切换至下一层直至所有层镀膜完成。光学薄膜制作完后的光学穿透曲线如图2所示。当wafer完成镀膜后将片源取出，在wafer表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，将wafer放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
将片源放置在机器镀锅上，根据图5中绿色光学薄膜各层厚度设置镀膜程序，每层厚度由机器膜厚仪监控到达厚度后自动切换至下一层直至所有层镀膜完成。光学薄膜制作完后的光学穿透曲线如图3所示。当wafer完成镀膜后将片源取出，在wafer表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，将wafer放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
将片源放置在机器镀锅上，根据图5中蓝色光学薄膜各层厚度设置镀膜程序，每层厚度由机器膜厚仪监控到达厚度后自动切换至下一层直至所有层镀膜完成。光学薄膜制作完后的光学穿透曲线如图4所示。当wafer完成镀膜后将片源取出，在wafer表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，将wafer放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
最后再把多余的光刻胶去除，完成彩色过滤层10的制作。其中上述形成彩色过滤层10的步骤具体可参见图6。
完成彩色过滤层10制作后涂上OCR胶水再用玻璃贴合机贴上玻璃在顶部制作出玻璃保护盖11。
本专利公开一种新的OLED器件结构，该OLED器件结构中制作CF层使用窄带虑光片的光学薄膜取代一般OLED中使用的R,G,B彩胶。光学薄膜的穿透率一般均在90％以上且没有吸收的存在，剩余的光可再次反射回腔体从而大大提高了光的利用效率，并且光学薄膜的带宽较窄能更好的提高光色的品质。
本发明Micro OLED结构及其制备方法，结构简单，透过率高，适用性好，具有较好的应用前景。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，但是本发明并不受限于上述方式，只要采用本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进或直接应用于其它场合的，均落在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种Micro OLED结构制备方法，包括半导体衬底基板，其特征在于：在所述半导体衬底基板上设有绝缘层和阳极层，在所述绝缘层和阳极层上设有空穴注入层，所述空穴注入层上设有空穴传输层，所述空穴传输层上设有发光层，所述发光层上依次设有电子传输层和电子注入层；在所述电子注入层上设有阴极层，所述阴极层上设有彩色过滤层，所述彩色过滤层上设有玻璃保护盖；所述发光层包括由上至下布置的蓝光层、绿光层和红光层；该Micro OLED结构制备方法包括如下步骤：准备半导体衬底基板，在半导体衬底基板上沉积上绝缘物质SIO2，利用黄光涂胶、显影的方法将膜层图形化，并用干刻蚀方法光刻图形，形成绝缘层；在半导体衬底基板上镀上金属的阳极层，利用光刻法将阳极图形化并通过干刻蚀方法光刻图形；利用蒸镀机台蒸镀依次制作空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和电子注入层；蒸镀制作阴极层，在阴极层上沉积SINx薄膜封装层；在SINx薄膜封装层上直接制作彩色过滤层；在彩色过滤层涂上OCR胶水再用玻璃贴合机贴上玻璃在顶部制作出玻璃保护盖；
所述彩色过滤层采用光学镀膜机将TIO2和MgF2镀膜至所述SINx薄膜封装层上。
2.按照权利要求1所述的Micro OLED结构制备方法，其特征在于：所述阴极层与所述彩色过滤层之间设有保护OLED的SINx薄膜封装层。
3.按照权利要求1所述的Micro OLED结构制备方法，其特征在于：所述彩色过滤层包括在同一水平面内依次布置的红色光学薄膜层、绿色光学薄膜层和蓝色光学薄膜层。
4.按照权利要求1所述的Micro OLED结构制备方法，其特征在于：在所述SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的红色光学薄膜，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
5.按照权利要求4所述的Micro OLED结构制备方法，其特征在于：在所述SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的绿色光学薄膜，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
6.按照权利要求5所述的Micro OLED结构制备方法，其特征在于：在所述SINx薄膜封装层上将TIO2和MgF2进行交错镀膜形成所述彩色过滤层的蓝色光学薄膜，将完成镀膜后的基板取出，在表面涂上一层光刻胶，再进行显影作业将需要保护的像素点保护住，将需要刻蚀的区域露出来，再将基板放入干刻机台中利用CF4以及CL2将多余部分刻蚀除去。
7.按照权利要求6所述的Micro OLED结构制备方法，其特征在于：将蓝色光学薄膜层镀膜完成后，再把多余的光刻胶去除，完成彩色过滤层的制作。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05341120A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Asahi Optical Co Ltd 紫外線照射装置の多層膜フィルタ
CN106920901A (zh) * 2017-05-11 2017-07-04 安徽熙泰智能科技有限公司 一种全彩oled微显示器件生产方法
CN107425127A (zh) * 2017-05-11 2017-12-01 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基全彩oled微显示器件及其制备方法
CN208689198U (zh) * 2018-08-02 2019-04-02 利基光电科技(九江)有限公司 日夜二用滤光片
CN110212115A (zh) * 2019-06-17 2019-09-06 南京国兆光电科技有限公司 微型有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102177207B1 (ko) * 2013-07-18 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05341120A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Asahi Optical Co Ltd 紫外線照射装置の多層膜フィルタ
CN106920901A (zh) * 2017-05-11 2017-07-04 安徽熙泰智能科技有限公司 一种全彩oled微显示器件生产方法
CN107425127A (zh) * 2017-05-11 2017-12-01 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基全彩oled微显示器件及其制备方法
CN208689198U (zh) * 2018-08-02 2019-04-02 利基光电科技(九江)有限公司 日夜二用滤光片
CN110212115A (zh) * 2019-06-17 2019-09-06 南京国兆光电科技有限公司 微型有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法

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