CN110911423B - 一种基板及其制备方法、掩膜板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种基板及其制备方法、掩膜板，涉及显示技术领域，可以解决隔垫物的第二表面与膜层的接触面积较小的问题。该基板包括多个发光区和用于界定所述发光区的非发光区；所述基板包括底板以及设置在所述底板上，且位于所述非发光区的隔垫物；所述隔垫物包括靠近所述底板的第一表面和远离所述底板的第二表面；所述第一表面在所述底板上正投影的边界包围所述第二表面在所述底板上正投影的边界，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um。

Description

一种基板及其制备方法、掩膜板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板及其制备方法、掩膜板。
背景技术
目前，随着显示技术的快速发展，显示器的分辨率越来越高。显示器的分辨率越高，显示器的显示区中发光区的数量就会较多，从而使得发光区的面积增加。然而，在显示器的显示区尺寸不变的情况下，由于发光区的面积增加，因而非发光区的面积便会减小。
其中，显示器中的隔垫物设置在非发光区，用于起支撑作用，隔垫物的上表面和下表面与膜层或基板的接触面积越大，支撑强度越大，接触面积越小，支撑强度越小。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、掩膜板，可以解决隔垫物的第二表面与膜层的接触面积较小的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种基板，包括多个发光区和用于界定多个所述发光区的非发光区；所述基板包括底板以及设置在所述底板上，且位于所述非发光区的隔垫物；所述隔垫物包括靠近所述底板的第一表面和远离所述底板的第二表面；所述第一表面在所述底板上正投影的边界包围所述第二表面在所述底板上正投影的边界，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um。
在一些实施例中，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距a的范围为3um≤a≤3.5um。
在一些实施例中，所述第一表面的形状和所述第二表面的形状相同，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距处处相等。
在一些实施例中，所述第一表面和所述第二表面的形状为圆形、四边形、六边形或八边形中的一种。
第二方面，提供一种掩膜板，包括第一构图区、第二构图区以及设置在所述第一构图区和所述第二构图区之间的间隔区；所述第二构图区和所述间隔区均为环状，所述第二构图区包围所述第一构图区；其中，所述第一构图区和所述第二构图区均为透光区，所述间隔区为非透光区；或者，所述第一构图区和所述第二构图区均为非透光区，所述间隔区为透光区。
在一些实施例中，所述第二构图区边界的形状与所述第一构图区的形状相同；所述间隔区的宽度处处相等；所述第二构图区的宽度处处相等。
在一些实施例中，所述第二构图区的宽度H2为：
Figure BDA0002304767480000021
其中，θ为曝光机的曝光角度，H1为所述间隔区的宽度，L为所述第一构图区的最大尺寸，D为待形成图案的最大尺寸，T为所述掩膜板与待形成图案的基板之间的距离。
在一些实施例中，所述间隔区的宽度大于或等于曝光机的分辨率。
在一些实施例中，所述第二构图区的宽度小于或等于曝光机的分辨率。
在一些实施例中，所述第一构图区的形状为圆形、四边形、六边形或八边形中的一种。
第三方面，提供一种基板的制备方法，包括：在底板上形成光刻胶薄膜；利用上述的掩膜板对所述光刻胶薄膜进行掩膜曝光，显影后形成隔垫物。
在一些实施例中，在所述光刻胶薄膜为负性光刻胶的情况下，所述第一构图区和所述第二构图区为透光区，所述间隔区为非透光区；在所述光刻胶薄膜为正性光刻胶的情况下，所述第一构图区和所述第二构图区为非透光区，所述间隔区为透光区。
本发明实施例提供一种基板及其制备方法、掩膜板，包括多个发光区和用于界定多个发光区的非发光区；基板包括底板以及设置在底板上，且位于非发光区的隔垫物；隔垫物包括靠近底板的第一表面和远离底板的第二表面；第一表面在底板上正投影的边界包围第二表面在底板上正投影的边界，第一表面在底板上正投影的边界和第二表面在底板上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um。由于本发明实施例中，第一表面在底板上正投影的边界和第二表面在底板上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um，第一表面在底板上正投影的边界和第二表面在底板上正投影的边界之间的间距较小，即第一表面的尺寸和第二表面的尺寸差异较小，因此在基板的非发光区设置的隔垫物的第一表面的尺寸不变的情况下，第二表面的尺寸较大，从而增加了第二表面与膜层的接触面积，增强了隔垫物的支撑强度，提高了显示器的抗压能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示器的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的区域划分示意图；
图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种电致发光显示面板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种隔垫物的第一表面和第二表面在衬底上正投影的结构示意图一；
图7为本发明实施例提供的一种隔垫物的第一表面和第二表面在衬底上正投影的结构示意图二；
图8为本发明实施例提供的一种隔垫物的第一表面和第二表面在衬底上正投影的结构示意图三；
图9为本发明实施例提供的一种隔垫物的第一表面和第二表面在衬底上正投影的结构示意图四；
图10为本发明实施例提供的一种隔垫物的第一表面和第二表面在衬底上正投影的结构示意图五；
图11为本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图一；
图12为利用图11的掩膜板进行掩膜曝光，显影后形成隔垫物的结构示意图一；
图13为本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图二；
图14为利用图13的掩膜板进行掩膜曝光，显影后形成隔垫物的结构示意图二；
图15为利用相关技术提供的掩膜板进行掩膜曝光，显影后形成隔垫物的结构示意图。
附图标记：
01-显示区；02-周边区；101-发光区；102-非发光区；1-框架；2-盖板玻璃；3-显示面板；4-电路板；10-基板；11-隔垫物；13-掩膜版；31-阵列基板；32-对盒基板；33液晶层；34-上偏光片；35-下偏光片；36-显示用基板；37-封装层；100-底板；110-第一表面；111-第二表面；131-第一构图区；132-第二构图区；133-间隔区；310-第一衬底；311-薄膜晶体管；312-像素电极；313-公共电极；314-第一绝缘层；315第二绝缘层；320-第二衬底；321-彩色滤光层；322-黑矩阵图案；360-第三衬底；361-阳极；362-发光功能层；363-阴极；364-像素界定层；365(316)-平坦层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示器，对于显示器的类型不进行限定，可以是液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)，也可以是电致发光显示器。在显示器为电致发光显示器的情况下，电致发光显示器可以是有机电致发光显示器(Organic Light-EmittingDiode Display，简称OLED)或量子点电致发光显示器(Quantum Dot Light EmittingDiodes Display，简称QLED)。
如图1所示，显示器的主要结构包括框架1、盖板玻璃2、显示面板(Panel)3以及电路板4等其它配件。在显示器为液晶显示器的情况下，显示器还包括背光组件。附图1中未示意出背光组件。
其中，框架1的纵截面呈U型，显示面板3、电路板4以及其它配件均设置于框架1内，电路板4设置于显示面板3的下方，盖板玻璃2设置于显示面板3远离电路板4的一侧。在显示器为液晶显示器，液晶显示器包括背光组件的情况下，背光组件设置于显示面板3和电路板4之间。
如图2所示，显示面板3包括显示区01和位于显示区01至少一侧的周边区02，附图2以周边区02包围显示区01为例进行示意。显示区01包括多个发光区101和用于界定多个发光区101的非发光区102。周边区02用于布线，此外，也可以将栅极驱动电路设置于周边区02。
在显示器为液晶显示器的情况下，显示面板3为液晶显示面板。如图3所示，液晶显示面板的主要结构包括阵列基板31、对盒基板32以及设置在阵列基板31和对盒基板32之间的液晶层33。
阵列基板31的每个亚像素均设置有位于第一衬底310上的薄膜晶体管311和像素电极312。薄膜晶体管311包括有源层、源极、漏极、栅极及栅绝缘层，源极和漏极分别与有源层接触，像素电极312与薄膜晶体管311的漏极电连接。在一些实施例中，阵列基板31还包括设置在第一衬底310上的公共电极313。像素电极312和公共电极313可以设置在同一层，在此情况下，像素电极312和公共电极313均为包括多个条状子电极的梳齿结构。像素电极312和公共电极313也可以设置在不同层，在此情况下，如图3所示，像素电极312和公共电极313之间设置有第一绝缘层314。在公共电极313设置在薄膜晶体管311和像素电极312之间的情况下，如图3所示，公共电极313与薄膜晶体管311之间还设置有第二绝缘层315。在另一些实施例中，对盒基板32包括公共电极313。如图3所示，阵列基板31还包括设置在薄膜晶体管311和像素电极312远离第一衬底310一侧的平坦层316。
如图3所示，对盒基板32包括设置在第二衬底320上的彩色滤光层321，在此情况下，对盒基板32也可以称为彩膜基板(Color filter，简称CF)。其中，彩色滤光层321至少包括红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元，红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元分别与阵列基板31上的亚像素一一正对。对盒基板32还包括设置在第二衬底320上的黑矩阵图案322，黑矩阵图案322用于将红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元间隔开。
如图3所示，液晶显示面板还包括设置在对盒基板32远离液晶层33一侧的上偏光片34以及设置在阵列基板31远离液晶层33一侧的下偏光片35。
应当理解到，液晶显示面板中与彩色滤光层321正对的区域为发光区101，与黑矩阵图案322正对的区域为非发光区102。
在显示器为电致发光显示器的情况下，显示面板3为电致发光显示面板。如图4所示，电致发光显示面板的主要结构包括显示用基板36和用于封装显示用基板36的封装层37。此处，封装层37可以为封装薄膜，也可以为封装基板。
如图4所示，上述的显示用基板36的每个亚像素包括设置在第三衬底360上的发光器件和驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管311。发光器件包括阳极361、发光功能层362以及阴极363，阳极361和多个薄膜晶体管311中作为驱动晶体管的薄膜晶体管311的漏极电连接。显示用基板36还包括像素界定层364，像素界定层364包括多个开口区，一个发光器件设置在一个开口区中。在一些实施例中，发光功能层362包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层362除包括发光层外，还包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(holetransporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的一层或多层。
如图4所示，显示用基板36还包括设置在驱动电路和阳极361之间的平坦层365。
本发明实施例提供一种基板10，该基板10可以应用于上述的液晶显示面板中，在此情况下，基板10可以为阵列基板31，也可以为对盒基板32。该基板10也可以应用于上述的电致发光显示面板中，在此情况下，基板10可以为显示用基板36，在封装层37为封装基板的情况下，基板10也可以为封装基板。
如图2所示，基板10包括多个发光区101和用于界定发光区的非发光区102；如图5、图6、图7、图8以及图9所示，基板10包括底板100以及设置在底板100上，且位于非发光区102的隔垫物(photo space，简称ps)11；隔垫物11包括靠近底板100的第一表面110和远离底板100的第二表面111；第一表面110在底板100上正投影的边界包围第二表面111在底板100上正投影的边界，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um。
在基板10应用于上述的液晶显示面板中，基板10为阵列基板31的情况下，阵列基板31包括隔垫物11，隔垫物11设置在阵列基板31的表面，对于底板100的结构不进行限定，可以参考上述阵列基板31的结构。在一些实施例中，如图3所示，底板100包括第一衬底310以及设置在第一衬底310上的薄膜晶体管311、第二绝缘层315、公共电极313、第一绝缘层314、像素电极312以及平坦层316。在此情况下，隔垫物11的第一表面110与底板100接触，第二表面111与对盒基板32接触。在基板10为对盒基板32的情况下，对盒基板32包括隔垫物11，隔垫物11设置在对盒基板32的表面，对于底板100的结构不进行限定，可以参考上述对盒基板32的结构。在一些实施例中，如图3所示，底板100包括第二衬底320以及设置在第二衬底320上的彩色滤光层321和黑矩阵图案322。在此情况下，隔垫物11的第一表面110与底板100接触，第二表面111与阵列基板31接触。
在基板10应用于电致发光显示面板中，基板10为显示用基板36的情况下，显示用基板36包括隔垫物11，如图4所示，隔垫物11设置在像素界定层364和阴极363之间。对于底板100的结构不进行限定，可以参考上述显示用基板36的结构。在一些实施例中，如图4所示，底板100包括第三衬底360以及依次设置在第三衬底360上的驱动电路、平坦层365、阳极361、发光功能层362、阴极363以及像素界定层364。在此情况下，隔垫物11的第一表面110与像素界定层364接触，第二表面111与阴极363接触。在基板10为封装基板的情况下，封装基板包括隔垫物11，隔垫物11设置在封装基板的表面。对于底板100的结构不进行限定，可以参考封装基板的结构。在此情况下，隔垫物11的第一表面110与底板100接触，第二表面111与显示用基板36的阴极363接触。
应当理解到，在基板10应用于液晶显示面板中的情况下，隔垫物11用于支撑阵列基板31和对盒基板32，使阵列基板31和对盒基板32保持一定的盒厚。在基板10应用于电致发光显示面板中的情况下，隔垫物11用于对封装层37起支撑作用。
此外，本发明实施例中的隔垫物11均指的是柱状隔垫物。对于基板10包括的隔垫物11的数量以及相邻两个隔垫物11之间的间距不进行限定，可以根据基板10的尺寸进行相应设置。
对于第一表面110和第二表面111的形状不进行限定，示例的，第一表面110和第二表面111的形状可以为如图5和图6所示的圆形、如图7所示的四边形、如图8所示的六边形或如图9所示的八边形中的一种。应当理解到，第一表面110和第二表面111的形状包括但不限于上述的圆形、四边形、六边形以及八边形，还可以是其它形状，此处不再一一列举。
本领域技术人员应该明白，通过涂覆光刻胶薄膜、掩膜曝光以及显影工艺在底板100上形成隔垫物11时，由于隔垫物11的厚度较大，因而涂覆的光刻胶薄膜的厚度较大，这样一来，在掩膜曝光以及显影过程中，光刻胶薄膜靠近底板100的部分和远离底板100的部分的曝光量和显影时间就会有差异，从而使得形成的隔垫物11沿远离底板100的方向上的尺寸有差异，即，靠近底板100的第一表面110和远离底板100的第二表面111的尺寸有差异，靠近底板100的第一表面110的尺寸大于远离底板100的第二表面111的尺寸，即第一表面110在底板100上正投影的边界包围第二表面111在底板100上正投影的边界。
在此基础上，第一表面110在底板100上正投影的边界包围第二表面111在底板100上正投影的边界，可以是第二表面111在底板100上正投影的边界位于第一表面110在底板100上正投影的边界内；也可以是第二表面111在底板100上正投影的边界与第一表面110在底板100上正投影的边界部分重叠。
对于第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a的大小不进行限定，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距例如可以为1um、3um、4um、4.5um。第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a越小，第一表面100的尺寸和第二表面111的尺寸差异越小。
本领域技术人员应该明白，隔垫物11设置在相邻发光区101之间的非发光区102，在相邻发光区101之间的非发光区102的尺寸一定的情况下，隔垫物11的第一表面110的最大尺寸也是固定的。由于隔垫物11的第二表面111的尺寸小于隔垫物11的第一表面110的尺寸，若第一表面110和第二表面111的尺寸差异较大，即第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距较大，则第二表面111的尺寸会较小，这样一来，第二表面111与膜层接触的面积会较小，因此会导致隔垫物11的支撑强度不足。尤其是，在显示器的显示区01尺寸不变的情况下，显示器的分辨率越高，显示区01中发光区101的数量就会越多，从而使得发光区101的面积增加，非发光区102的面积减小。由于隔垫物11设置在非发光区102，非发光区102的面积减小，因而会导致隔垫物11的尺寸减小，即隔垫物11的第一表面110和第二表面111的尺寸都会减小，这样一来，隔垫物11的第二表面111的尺寸会更小，进一步导致隔垫物11的支撑强度不足。
相关技术中，在基板10的非发光区102设置的隔垫物11的第一表面110的尺寸不变的情况下，由于隔垫物11的第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距较大，即第一表面110和第二表面111的尺寸差异较大，因而第二表面111的面积较小，导致隔垫物11的支撑强度不足，影响了显示器的抗压能力。
本发明实施例提供一种基板10，包括多个发光区01和用于界定多个发光区01的非发光区02；基板10包括底板100以及设置在底板100上，且位于非发光区02的隔垫物11；隔垫物11包括靠近底板100的第一表面110和远离底板100的第二表面111；第一表面110在底板100上正投影的边界包围第二表面111在底板100上正投影的边界，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um。由于本发明实施例中，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距较小，即第一表面110的尺寸和第二表面111的尺寸差异较小，因此在基板10的非发光区102设置的隔垫物11的第一表面110的尺寸不变的情况下，第二表面111的尺寸较大，从而增加了第二表面111与膜层的接触面积，增强了隔垫物11的支撑强度，提高了显示器的抗压能力。
基于上述可知，在基板10的发光区101和非发光区102尺寸一定的情况下，在设计隔垫物11的尺寸时，隔垫物11的第一表面110的最大尺寸是不变的。第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a越小，第二表面111的尺寸与第一表面110的尺寸差异就越小，即，第二表面的111的尺寸越大，这样一来，第二表面111与膜层的接触面积就越大，有利于提高隔垫物11的支撑强度。
在一些实施例中，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a为3um≤a≤3.5um。
此处，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a例如可以为3um、3.2um或3.5um等。
应当理解到，隔垫物11在制作时，掩膜曝光以及显影工艺限制了第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a不可能太小，即第一表面110和第二表面111的尺寸差异不可能太小，若第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a太小，则会增加工艺难度，提高制作隔垫物11的成本。基于此，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a≥3um。
本发明实施例，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a的范围为3um≤a≤3.5um，由于第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a较小，即第一表面110和第二表面111的尺寸差异较小，因而进一步增加了第二表面的111的尺寸，从而可以进一步增强隔垫物11的支撑强度，提高显示器的抗压能力。
本发明实施例中，第一表面110的形状和第二表面111的形状相同，在一些实施例中，如图6、图7、图8以及图9所示，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a处处相等。在另一些实施例中，如图10所示，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a不完全相等。
此处，不完全相等指的是第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a在部分位置处相等，在部分位置处不相等；或者，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a处处不相等。附图10以第一表面110和第二表面111的形状均为圆形，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a处处不相等为例进行示意。
本发明实施例，在第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a处处相等的情况下，由于隔垫物11的形状是规则的，因此隔垫物11与膜层接触时，能够确保隔垫物11在各个方向上的支撑强度相同，进一步提高了显示器的抗压能力。
在第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a处处相等的情况下，第一表面110和第二表面111的尺寸差为第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a的2倍。例如，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a为4.5um，第一表面110和第二表面111的尺寸差为9um。又例如，第一表面110在底板100上正投影的边界和第二表面111在底板100上正投影的边界之间的间距a为3.5um，第一表面110和第二表面111的尺寸差为7um。
本发明实施例提供一种掩膜板13，如图11、图12、图13以及图14所示，包括第一构图区131、第二构图区132以及设置在第一构图区131和第二构图区132之间的间隔区133；第二构图区132和间隔区133均为环状，第二构图区132包围第一构图区131；第一构图区131和第二构图区132均为透光区，间隔区133为非透光区；或者，第一构图区131和第二构图区132均为非透光区，间隔区133为透光区。
此处，第一构图区131、第二构图区132以及设置在第一构图区131和第二构图区132之间的间隔区133用于形成一个图案，例如形成一个隔垫物11，第一构图区131、第二构图区132以及设置在第一构图区131和第二构图区132之间的间隔区133可以认为是一个图案形成区。基于此，本发明实施例中，掩膜板13可以包括一个图案形成区，也可以包括两个或两个以上图案形成区。附图11和图13均以掩膜板13包括四个图案形成区为例进行示意。利用如图11和图13的掩膜板13进行掩膜曝光形成隔垫物11时，可以形成四个隔垫物11。
对于第一构图区131的形状不进行限定。在一些实施例中，第一构图区131的形状为圆形、四边形、六边形或八边形中的一种。附图11和图13以第一构图区131的形状为圆形为例进行示意。本领域技术人员应该明白，第一构图区131的形状包括但不限于上述的圆形、四边形、六边形以及八边形，还可以是其它形状，此处不再一一列举。
由于第二构图区132和间隔区133均为环状，因而第二构图区132和间隔区133均包括两个边界。对于第二构图区132的两个边界的形状不进行限定，例如可以为圆形、四边形、六边形或八边形等。在第二构图区132的两个边界的形状为圆形的情况下，第二构图区132为圆环状。对于间隔区133的两个边界的形状不进行限定，例如可以为圆形、四边形、六边形或八边形等。
对于掩膜板13的材料不进行限定，在一些实施例中，掩膜板13的非透光区的材料为金属，例如铬(Cr)、铁(Fe)等。
应当理解到，在待形成图案的材料为负性光刻胶的情况下，在利用本发明实施例提供的掩膜板13形成图案时，可以选用第一构图区131和第二构图区132均为透光区，间隔区133为非透光区的掩膜板13。在待形成图案的材料为正性光刻胶的情况下，在利用本发明实施例提供的掩膜板13形成图案时，可以选用第一构图区131和第二构图区132均为非透光区，间隔区133为透光区的掩膜板13。
相关技术提供的掩膜板13，如图15所示，包括至少一个第一构图区131，第一构图区131为透光区或非透光区。以第一构图区131为透光区为例，由于相关技术提供的掩膜板13仅包括第一构图区131，因而利用掩膜板13进行掩膜曝光时，光线只能通过第一构图区131对光刻胶薄膜进行曝光，这样一来，显影后形成的图案例如隔垫物11靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸差异会较大。尤其是光刻胶薄膜的厚度较大时，形成的隔垫物11靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸差异会非常明显。
本发明实施例提供一种掩膜板13，包括第一构图区131、第二构图区132以及设置在第一构图区131和第二构图区132之间的间隔区133；第二构图区132和间隔区133均为环状，第二构图区132包围第一构图区131；第一构图区131和第二构图区132均为透光区，间隔区133为非透光区；或者，第一构图区131和第二构图区132均为非透光区，间隔区133为透光区。参考图12和图14，在第一构图区131和第二构图区132均为透光区，间隔区133为非透光区的情况下，利用掩膜板13对负性光刻胶薄膜进行曝光时，光线除了可以通过第一构图区131射到负性光刻胶薄膜上，还可以通过第二构图区132射到光刻胶薄膜上，这样一来，第二构图区132可以对第一构图区131进行光补偿，增加负性光刻胶薄膜曝光区域的面积，从而使得显影后形成的图案靠近掩膜板13的表面的尺寸增加，减小了形成的图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸差异。在第一构图区131和第二构图区132均为非透光区，间隔区133为透光区的情况下，利用掩膜板13对正性光刻胶薄膜进行曝光时，除了第一构图区131会阻挡光线射到正性光刻胶薄膜上外，第二构图区132也会阻挡光线射到正性光刻胶薄膜上，这样一来，第二构图区132可以补偿第一构图区131对光线的遮挡，减小了正性光刻胶薄膜曝光区域的面积，从而使得显影后形成的图案靠近掩膜板13的表面的尺寸增加，减小了形成的图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸差异。
基于此，利用本发明实施例提供的掩膜板13形成隔垫物11时，可以使得形成的隔垫物11的第一表面110的尺寸和第二表面111的尺寸差异较小，在隔垫物11的第一表面110的尺寸不变的情况下，第二表面111的尺寸较大，因而增加了第二表面111与膜层的接触面积。
参考图15，利用相关技术提供的掩膜板13对负性光刻胶薄膜进行掩膜曝光，以形成隔垫物11时，显影后形成的隔垫物11的第二表面111的尺寸为U1。如图12所示，利用本发明实施例提供的掩膜板13对负性光刻胶薄膜进行掩膜曝光，以形成隔垫物11时，由于掩膜板13增加了第二构图区132，即增加了对光刻胶薄膜进行曝光时曝光区域的面积，因此显影后形成的隔垫物11的尺寸增加(图12中增加部分用阴影表示)，隔垫物11的第二表面111的尺寸为U2。对比图12和图15可以看出，隔垫物11的第二表面111的尺寸增加。
如图11所示，第二构图区132边界的形状与第一构图区131的形状相同。在一些实施例中，如图11所示，间隔区133的宽度处处相等，第二构图区132的宽度处处相等。在另一些实施例中，间隔区133的宽度不完全相等，第二构图区132的宽度不完全相等。附图13以间隔区133的宽度处处不相等，第二构图区132的宽度处处不相等为例进行示意。
此处，由于第二构图区132为环状，因此第二构图区132的边界包括靠近第一构图区131的边界和远离第一构图区131的边界。第二构图区132边界的形状与第一构图区131的形状相同，指的是第二构图区132靠近第一构图区131的边界的形状和远离第一构图区131的边界的形状均与第一构图区131的形状相同。示例的，如图11所示，第一构图区131的形状为圆形，第二构图区132靠近第一构图区131的边界的形状和远离第一构图区131的边界的形状也为圆形。
由于间隔区133为环状，因而间隔区133包括两个边界，而间隔区133设置在第一构图区131和第二构图区132之间，因而间隔区133的一个边界与第一构图区131的边界重叠，另一个边界与第二构图区132中靠近第一构图区131的边界重叠。基于此，应当理解到，间隔区133的两个边界的形状与第一构图区131的形状相同。
本发明实施例中，由于间隔区133的宽度处处相等，第二构图区132的宽度处处相等，因此光射向掩膜板13时，第二构图区132对第一构图区131周围光的透光率的影响是相同的，例如，在第一构图区131和第二构图区132为透光区的情况下，第二构图区132可以对第一构图区131周围的曝光量进行均匀的补偿，这样一来，利用掩膜板13对负性光刻胶进行掩膜曝光时，光线通过第二构图区132曝光的区域均匀围绕一圈光线通过第一构图区131曝光的区域。相对于利用相关技术中提供的掩膜板13形成的图案，利用本发明提供的掩膜板13可以使得形成的图案靠近掩膜板的表面沿各个方向增加的宽度相同。
利用掩膜板13形成图案例如隔垫物11时，为了在不增加隔垫物11的第一表面110(远离掩膜板13的表面)的尺寸的情况下，增加第二表面111(靠近掩膜板13的表面)的尺寸，因此在一些实施例中，如图12所示，第二构图区132的宽度H2为：
Figure BDA0002304767480000151
其中，θ为曝光机的曝光角度(即曝光机的平行半角)，H1为间隔区133的宽度，L为第一构图区131的最大尺寸，D为待形成图案的最大尺寸，T为掩膜板13与待形成图案的基板之间的距离。
在一些实施例中，掩膜版13与待形成图案的基板之间的距离T为160um，曝光机的曝光角度为2°±0.2°。
参考图12可知，2×{T×tanθ+H1+H2}+L＝D，根据该公式可以得出，第二构图区132的宽度H2为：
Figure BDA0002304767480000161
在掩膜板13与待形成图案的基板之间的距离T为160um，曝光机的曝光角度为2°±0.2°的情况下，第二构图区132的宽度H2为：
Figure BDA0002304767480000162
本发明实施例中，由于第二构图区132的宽度H2为：
Figure BDA0002304767480000163
因而利用掩膜板13形成隔垫物11时，可以在不增加隔垫物11的第一表面110的尺寸的情况下，有效增加第二表面111的尺寸。
考虑到若间隔区133的宽度小于曝光机的分辨率时，则会导致第一构图区131和第二构图区132无法分开，从而导致曝光时第一构图区131和第二构图区132形成一个整体，这样一来，利用掩膜板13曝光，显影后形成图案时，所述图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸均会增加，从而导致所述图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面之间的尺寸差异可能较小。而本发明实施例中，在设计掩膜板13时，考虑的是通过第一构图区131和第二构图区132形成图案时，减小形成的图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面之间的尺寸差异，增加靠近掩膜板13的表面的尺寸。基于此，在一些实施例中，间隔区133的宽度大于或等于曝光机的分辨率。
考虑到若第二构图区132的宽度大于曝光机的分辨率时，则会导致利用掩膜板13进行掩膜曝光，显影后形成的图案时，通过第一构图区131形成的图案和通过第二构图区132形成的图案会相互独立。而本发明实施例中，在设计掩膜板13时，通过第一构图区131和第二构图区132形成的图案应是一个整体。基于此，在一些实施例中，第二构图区132的宽度小于或等于曝光机的分辨率。
本发明实施例还提供一种基板10的制备方法，可以用于制备上述的基板10，基板10的制备方法包括：
S100、在底板100上形成光刻胶薄膜。
此处，可以利用涂覆或旋涂等方法在底板100上形成光刻胶薄膜。
S101、利用上述的掩膜板13对光刻胶薄膜进行掩模曝光，显影后形成隔垫物11。
应当理解到，在光刻胶薄膜为负性光刻胶的情况下，利用掩膜板13曝光，显影后透光区的光刻胶保留，非透光区的光刻胶去除；在光刻胶薄膜为正性光刻胶的情况下，显影后非透光区的光刻胶保留，透光区的光刻胶去除。
基于上述，利用上述的掩膜板13进行掩膜曝光时，在光刻胶薄膜为负性光刻胶的情况下，应选用第一构图区131和第二构图区132为透光区，间隔区133为非透光区的掩膜板13；在光刻胶薄膜为正性光刻胶的情况下，应选用第一构图区131和第二构图区132为非透光区，间隔区为透光区的掩膜板13。附图11和图13均是以光刻胶薄膜为负性光刻胶，第一构图区131和第二构图区132为透光区，间隔区133为非透光区为例进行示意。
本发明实施例提供一种基板10的制备方法，在底板100上形成光刻胶薄膜，利用上述的掩膜板13对光刻胶薄膜进行掩模曝光，显影后形成隔垫物11。在光刻胶薄膜为负性光刻胶的情况下，由于上述的掩膜板13包括第一构图区131、第二构图区132以及间隔区133，第一构图区131和第二构图区132均为透光区，间隔区133为非透光区，利用掩膜板13对负性光刻胶薄膜进行曝光时，光线除了可以通过第一构图区131射到负性光刻胶薄膜外，还可以通过第二构图区132射到光刻胶薄膜上，这样一来，第二构图区132可以对第一构图区131进行光补偿，增加负性光刻胶薄膜曝光区域的面积，从而使得显影后形成的图案靠近掩膜板13的表面的尺寸增加，减小了形成的图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸差异。
在光刻胶薄膜为正性光刻胶的情况下，由于上述的掩膜板13包括第一构图区131、第二构图区132以及间隔区133，第一构图区131和第二构图区132均为非透光区，间隔区133为透光区，利用掩膜板13对正性光刻胶薄膜进行曝光时，除了第一构图区131会阻挡光线射到正性光刻胶薄膜上外，第二构图区132也会阻挡光线射到正性光刻胶薄膜上，这样一来，第二构图区132可以补偿第一构图区131对光线的遮挡，减小了正性光刻胶薄膜曝光区域的面积，从而使得显影后形成的图案靠近掩膜板13的表面的尺寸增加，减小了形成的图案靠近掩膜板13的表面和远离掩膜板13的表面的尺寸差异。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：
在底板上形成光刻胶薄膜，形成所述光刻胶薄膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶；
利用掩膜板对所述光刻胶薄膜进行掩膜曝光，显影后形成隔垫物；
所述掩膜板，包括第一构图区、第二构图区以及设置在所述第一构图区和所述第二构图区之间的间隔区；
所述第二构图区和所述间隔区均为环状，所述第二构图区包围所述第一构图区；
其中，所述第一构图区和所述第二构图区均为透光区，所述间隔区为非透光区；或者，所述第一构图区和所述第二构图区均为非透光区，所述间隔区为透光区；
所述第二构图区的宽度H2为：
Figure FDA0003788207490000011
其中，θ为曝光机的曝光角度，H1为所述间隔区的宽度，L为所述第一构图区的最大尺寸，D为待形成图案的最大尺寸，T为所述掩膜板与待形成图案的基板之间的距离。
2.根据权利要求1所述的基板的制备方法，其特征在于，所述第二构图区边界的形状与所述第一构图区的形状相同；所述间隔区的宽度处处相等；所述第二构图区的宽度处处相等。
3.根据权利要求1-2任一项所述的基板的制备方法，其特征在于，所述间隔区的宽度大于或等于曝光机的分辨率。
4.根据权利要求1-2任一项所述的基板的制备方法，其特征在于，所述第二构图区的宽度小于或等于曝光机的分辨率。
5.根据权利要求1所述的基板的制备方法，其特征在于，所述第一构图区的形状为圆形、四边形、六边形或八边形中的一种。
6.根据权利要求1-2任一项或权利要求5所述的基板的制备方法，其特征在于，
在所述光刻胶薄膜为负性光刻胶的情况下，所述第一构图区和所述第二构图区为透光区，所述间隔区为非透光区；
在所述光刻胶薄膜为正性光刻胶的情况下，所述第一构图区和所述第二构图区为非透光区，所述间隔区为透光区。
7.一种基板，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的基板的制备方法得到，包括：
多个发光区和用于界定多个所述发光区的非发光区；
所述基板包括底板以及设置在所述底板上，且位于所述非发光区的隔垫物；所述隔垫物是由负性光刻胶或正性光刻胶制成的；
所述隔垫物包括靠近所述底板的第一表面和远离所述底板的第二表面；所述第一表面在所述底板上正投影的边界包围所述第二表面在所述底板上正投影的边界，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距a的范围为0＜a≤4.5um。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距a的范围为3um≤a≤3.5um。
9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第一表面的形状和所述第二表面的形状相同，所述第一表面在所述底板上正投影的边界和所述第二表面在所述底板上正投影的边界之间的间距处处相等。
10.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面的形状为圆形、四边形、六边形或八边形中的一种。
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