CN110880444B - 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置 - Google Patents

一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110880444B
CN110880444B CN201911192401.0A CN201911192401A CN110880444B CN 110880444 B CN110880444 B CN 110880444B CN 201911192401 A CN201911192401 A CN 201911192401A CN 110880444 B CN110880444 B CN 110880444B
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical device
case
etching
side wall
channel steel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911192401.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110880444A (zh
Inventor
朱巧芬
刘秀红
张雷
席思星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hebei University of Engineering
Original Assignee
Hebei University of Engineering
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hebei University of Engineering filed Critical Hebei University of Engineering
Priority to CN201911192401.0A priority Critical patent/CN110880444B/zh
Publication of CN110880444A publication Critical patent/CN110880444A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110880444B publication Critical patent/CN110880444B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32889—Connection or combination with other apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32908—Utilities

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，它包括由右往左依次设置的光学器件正反面蚀刻装置、光学器件冷却装置和光学器件烘干及收集装置，所述光学器件正反面蚀刻装置包括机箱、设置于机箱顶部的顶盖、设置于机箱左右侧壁上的左输送装置和右输送装置；机箱内还设置有用于翻转光学器件的翻面机构，翻转机构位于左输送装置和右输送装置之间，翻面机构包括步进电机、筒体和固定板；光学器件冷却装置包括水箱、水泵、出水管、滚筒和弯折板。本发明的有益效果是：结构紧凑、极大提高光学器件生产效率、实现了在线刮除上下层保护膜、减轻工人劳动强度、能够对光学器件的正反面进行蚀刻。

Description

一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置
技术领域
本发明涉及在光学器件上蚀刻的技术领域，特别是一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置。
背景技术
光学器件包括滤波器、透镜、偏振片等，是组成电子产品不可或缺的重要组成部分之一。大多数光学器件的表面上均蚀刻有用于安装电路、导线或其他小型电子原件的凹槽，为加工凹槽通常采用等离子蚀刻装置进行蚀刻加工，具体加工方法是先将不需要蚀刻部分的表面上粘接保护膜42，以将待蚀刻部分43暴露出如图8～9所示，然后将光学器件44放入到等离子体蚀刻装置内，等离子体蚀刻装置内产生的等离子体与待蚀刻部分43发生化学反应而被去除，最终得到所需形状的凹槽。然而，当光学器件的上下两面均需要蚀刻时，工人先在光学器件44的顶面和反面均粘接保护膜42，进行蚀刻时，由于光学器件44是平放着的，等离子蚀刻装置只能先蚀刻光学器件的顶表面，经一段时间蚀刻后将装置停机，然后工人将光学器件的底面翻面，重新打开装置，装置便可对光学器件的底面进行蚀刻，这种等离子蚀刻装置存在蚀刻效率低的缺陷。此外现有的等离子蚀刻装置还存在以下缺陷：1、光学器件在蚀刻中产生大量热量，当取出已蚀刻的光学器件后，需要进行空冷，而空冷时间长，这无疑是降低了光学器件的蚀刻效率。2、等离子体蚀刻装置在固定时间内只能蚀刻一件光学器件，且每次蚀刻一件光学器件时，都需要人工拿放和拿放光学器件，这无疑是降低了光学器件的蚀刻效率。3、附着于光学器件正反面上的保护膜均需要人工刮除，这无疑是增加了工人的劳动强度，进一步降低了光学器件的生产效率。因此亟需一种极大提高光学器件生产效率、减轻工人劳动强度、能够对光学器件的正反面进行蚀刻的装置。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种结构紧凑、极大提高光学器件生产效率、实现了在线刮除上下层保护膜、减轻工人劳动强度、能够对光学器件的正反面进行蚀刻的基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，它包括由右往左依次设置的光学器件正反面蚀刻装置、光学器件冷却装置和光学器件烘干及收集装置，所述光学器件正反面蚀刻装置包括机箱、设置于机箱顶部的顶盖、设置于机箱左右侧壁上的左输送装置和右输送装置，所述右输送装置包括电机、皮带、主动皮带轮、从动皮带轮、水平槽钢、开设于机箱右侧壁上的通槽，所述水平槽钢焊接于通槽内，水平槽钢的凹槽朝上设置，且与通槽之间留有便于光学器件穿过通槽的间隙I，水平槽钢的右端部延伸于机箱外部，水平槽钢的左端部延伸于机箱内，水平槽钢的凹槽内位于其左右端均经转轴旋转安装有从动皮带轮和主动皮带轮，从动皮带轮和主动皮带轮之间安装有皮带，电机固定安装于水平槽钢的外壁上，且电机的输出轴贯穿水平槽钢且与主动皮带轮的转轴经联轴器连接，所述机箱内还设置有用于翻转光学器件的翻面机构，翻转机构位于左输送装置和右输送装置之间，翻面机构包括步进电机、筒体和固定板，所述筒体的两端分别旋转安装于机箱的前后侧壁上，筒体的外壁上沿其周向均匀焊接有四个固定板，步进电机固定安装于机箱后壁上，且其输出轴贯穿机箱且与筒体的一转轴经联轴器连接，该光学器件正反面蚀刻装置还包括设置于机箱外部的高频电源、截止阀、气瓶、开关和天线，天线设置于顶盖上且伸入于机箱内，气瓶的出口端与机箱之间连接有截止阀，高频电源与天线之间经导线连接有开关；所述光学器件冷却装置包括水箱、水泵、出水管、滚筒和弯折板，弯折板的斜板焊接于左输送装置的水平槽钢的左端部，弯折板的水平板位于斜板的左侧，弯折板的外部设置有水箱，水箱内设置有位于弯折板正上方的出水管，出水管的底表面上且沿其长度方向设置有多个喷头，出水管的一端封闭，另一端贯穿水箱且与水泵的出水口径管卡连接，弯折板上设置有多个漏水孔，滚筒设置于水箱内，滚筒的两端旋转安装于水箱的前后侧壁上，滚筒位于水平板的正上方，且与水平板、之间留有便于光学器件通过的间隙II，滚筒的外部套有干布层，所述光学器件烘干及收集装置包括收集箱、水平气缸和电阻丝，所述收集箱的开口位于水平板、的下方，收集箱的内壁上设置有多根电阻丝，水平气缸固定安装于收集箱的右侧壁上，水平气缸的活塞杆贯穿收集箱且延伸端上焊接有推板。
所述左输送装置和右输送装置左右对称设置。
所述筒体的前后端焊接有圆盘，所述固定板位于两个圆盘之间。
所述顶盖的底表面上设置有温度传感器和压力传感器。
所述顶盖上设置有泄压阀。
所述水箱的底表面向右倾斜向下设置，水箱的右侧设置有水回收箱。
所述机箱的左外侧壁和后侧壁内均设置有保护膜刮除装置，位于左外侧壁上的保护膜刮除装置设置于左输送装置的皮带的正上方，且位于通槽上方，位于后侧壁上的保护膜刮除装置设置于右输送装置的皮带的正上方。
所述保护膜刮除装置均包括垂向气缸、支架、压轮和刮刀，所述垂向气缸均固定安装于机箱上，支架焊接于垂向气缸活塞杆的作用端，压轮纵向设置且其两端均经转轴旋转安装于支架上，刮刀焊接于支架上且位于压轮的左侧，所述刮刀的底表面与压轮的底表面平齐。
所述机箱的前侧设置有观察窗，所述顶盖经螺钉固定于机箱上。
还包括PLC控制器，所述PLC控制器与开关、截止阀、泄压阀、电机、步进电机、垂向气缸、温度传感器和压力传感器、水平气缸和水泵电连接。
本发明具有以下优点：
1、本发明的护膜刮除装置均包括垂向气缸、支架、压轮和刮刀，所述垂向气缸均固定安装于机箱上，支架焊接于垂向气缸活塞杆的作用端，压轮纵向设置且其两端均经转轴旋转安装于支架上，刮刀焊接于支架上且位于压轮的左侧，所述刮刀的底表面与压轮的底表面平齐。通过右侧的保护膜刮除装置能够刮除光学器件上层的保护膜，通过左侧的保护膜刮除装置能够刮除光学器件下层的保护膜，因此无需人工用手刮除上保护膜，极大减轻了劳动强度，提高了光学器件的生产效率。
2、本发明翻面机构包括步进电机、筒体和固定板，所述筒体的两端分别旋转安装于机箱的前后侧壁上，筒体的外壁上沿其周向均匀焊接有四个固定板，步进电机固定安装于机箱后壁上，且其输出轴贯穿机箱且与筒体的一转轴经联轴器连接，滚筒上的两个固定板将进入到其内的光学器件转运到左输送装置的皮带的顶表面上，从而将光学器件的下保护膜朝上摆设，而已蚀刻的面与皮带接触，从而实现了光学器件的翻面操作；因此无需人工翻面，极大减轻了工人的劳动强度，同时提高了光学器件的生产效率。
3、本发明连续不断的得到成品光学器件，相比传统的等离子体蚀刻装置只能单件蚀刻，只需一个工人在机箱的一侧放置待蚀刻光学器件即可在另一侧获得成品光学器件，不仅节省了人力成本，而且还极大的提高了光学器件的生产效率。
4、本发明的光学器件冷却装置包括水箱、水泵、出水管、滚筒和弯折板，弯折板的斜板焊接于左输送装置的水平槽钢的左端部，弯折板的水平板位于斜板的左侧，弯折板的外部设置有水箱，水箱内设置有位于弯折板正上方的出水管，出水管的底表面上且沿其长度方向设置有多个喷头；水泵将清水泵入到出水管中，在水压下，清水从喷头中向下喷出，喷出的清水作用到向下滑动的光学器件上，以达到降低光学器件表面温度的目的，相比传统空冷的方式冷却光学器件，该装置极大的提高了光学器件的生产效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为图1的主剖视图；
图3为图2的A-A剖视图；
图4为图2的B-B剖视图；
图5为图2的C向视图；
图6为图2的I部局部放大视图；
图7为本发明实施例二的结构示意图；
图8为光学器件上粘接保护膜后的结构示意图；
图9为图8的主视图；
图中，1-机箱，2-顶盖，3-左输送装置，4-右输送装置，5-电机，6-皮带，7-主动皮带轮，8-从动皮带轮，9-水平槽钢，10-通槽，11-步进电机，12-筒体，13-固定板，14-高频电源，15-截止阀，16-气瓶，17-开关，18-天线，19-水箱，20-水泵，21-出水管，22-滚筒，23-弯折板，24-喷头，25-漏水孔，26-干布层，27-收集箱，28-水平气缸，29-电阻丝，30-推板，31-圆盘，32-温度传感器，33-压力传感器，34-泄压阀，35-水回收箱，36-保护膜刮除装置，37-垂向气缸，38-支架，39-压轮，40-刮刀，41-PLC控制器，42-保护膜，43-蚀刻部分，44-光学器件。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的描述，本发明的保护范围不局限于以下所述：
实施例一：如图1～6所示，一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，它包括由右往左依次设置的光学器件正反面蚀刻装置、光学器件冷却装置和光学器件烘干及收集装置，所述光学器件正反面蚀刻装置包括机箱1、设置于机箱1顶部的顶盖2、设置于机箱1左右侧壁上的左输送装置3和右输送装置4，机箱1的前侧设置有观察窗，所述顶盖2经螺钉固定于机箱1上，顶盖2上设置有泄压阀34，左输送装置3和右输送装置4左右对称设置，所述右输送装置包括电机5、皮带6、主动皮带轮7、从动皮带轮8、水平槽钢9、开设于机箱1右侧壁上的通槽10，所述水平槽钢9焊接于通槽10内，水平槽钢9的凹槽朝上设置，且与通槽10之间留有便于光学器件穿过通槽10的间隙I，水平槽钢9的右端部延伸于机箱1外部，水平槽钢9的左端部延伸于机箱1内，水平槽钢9的凹槽内位于其左右端均经转轴旋转安装有从动皮带轮8和主动皮带轮7，从动皮带轮8和主动皮带轮7之间安装有皮带6，电机5固定安装于水平槽钢9的外壁上，且电机5的输出轴贯穿水平槽钢9且与主动皮带轮7的转轴经联轴器连接，所述机箱1内还设置有用于翻转光学器件的翻面机构，翻转机构位于左输送装置3和右输送装置4之间，翻面机构包括步进电机11、筒体12和固定板13，所述筒体12的两端分别旋转安装于机箱1的前后侧壁上，筒体12的外壁上沿其周向均匀焊接有四个固定板13，步进电机11固定安装于机箱1后壁上，且其输出轴贯穿机箱1且与筒体12的一转轴经联轴器连接，该光学器件正反面蚀刻装置还包括设置于机箱1外部的高频电源14、截止阀15、气瓶16、开关17和天线18，天线18设置于顶盖2上且伸入于机箱1内，气瓶16的出口端与机箱1之间连接有截止阀15，高频电源14与天线18之间经导线连接有开关17。
所述光学器件冷却装置包括水箱19、水泵20、出水管21、滚筒22和弯折板23，弯折板23的斜板焊接于左输送装置3的水平槽钢9的左端部，弯折板23的水平板位于斜板的左侧，弯折板23的外部设置有水箱19，水箱19内设置有位于弯折板23正上方的出水管21，出水管21的底表面上且沿其长度方向设置有多个喷头24，出水管21的一端封闭，另一端贯穿水箱19且与水泵20的出水口径管卡连接，弯折板23上设置有多个漏水孔25，滚筒22设置于水箱19内，滚筒22的两端旋转安装于水箱19的前后侧壁上，滚筒22位于水平板的正上方，且与水平板、之间留有便于光学器件通过的间隙II，滚筒22的外部套有干布层26，所述光学器件烘干及收集装置包括收集箱27、水平气缸28和电阻丝29，所述收集箱27的开口位于水平板、的下方，收集箱27的内壁上设置有多根电阻丝29，水平气缸28固定安装于收集箱27的右侧壁上，水平气缸28的活塞杆贯穿收集箱27且延伸端上焊接有推板30。
如图2和3所示，所述筒体12的前后端焊接有圆盘31，所述固定板13位于两个圆盘31之间，通过两个圆盘31的限制，能够防止运动到两个固定板13之间的光学器件沿轴向脱落，起到了很好的安全保护作用。
如图1～2所示，所述顶盖2的底表面上设置有温度传感器32和压力传感器33。所述水箱19的底表面向右倾斜向下设置，水箱19的右侧设置有水回收箱35，通过水回收箱35能够收集经换热后的温水。
如图2所示，所述机箱1的左外侧壁和后侧壁内均设置有保护膜刮除装置36，位于左外侧壁上的保护膜刮除装置36设置于左输送装置3的皮带6的正上方，且位于通槽10上方，位于后侧壁上的保护膜刮除装置36设置于右输送装置4的皮带6的正上方。所述保护膜刮除装置36均包括垂向气缸37、支架38、压轮39和刮刀40，所述垂向气缸37均固定安装于机箱1上，支架38焊接于垂向气缸37活塞杆的作用端，压轮39纵向设置且其两端均经转轴旋转安装于支架38上，刮刀40焊接于支架38上且位于压轮39的左侧，所述刮刀40的底表面与压轮39的底表面平齐。通过右侧的保护膜刮除装置36能够刮除光学器件44上层的保护膜，通过左侧的保护膜刮除装置36能够刮除光学器件44下层的保护膜，因此无需人工用手刮除上保护膜，极大减轻了劳动强度，提高了光学器件的生产效率。
本发明的工作过程如下：
S1、工人在光学器件44的顶表面和底表面上均粘接保护膜42，以将待蚀刻部分43暴露出；
S2、打开右输送装置4的电机5，电机5带动主动皮带轮7转动，主动皮带轮7带动皮带6做逆时针转动；同时打开左输送装置3的电机5，电机5带动主动皮带轮7转动，主动皮带轮7带动皮带6做逆时针转动；
S3、工人打开截止阀15和开关17，气瓶16内的六氟化硫在气压下经截止阀15进入到机箱1内，同时高频电源14对天线18输入高频电力，从而在机箱1内产生以六氟化硫为原料的等离子体；
S4、工人在机箱1的右侧将光学器件44平放在暴露于机箱1外部的皮带6的表面上，右侧的皮带6带动光学器件44进入到机箱1内，六氟化硫等离子体腐蚀掉光学器件44上表面的待蚀刻部分43，从而实现了光学器件上表面的蚀刻；
S5、右侧的皮带6继续带动光学器件44朝左运动，当从观察窗处观察到光学器件44即将到达右侧保护膜刮除装置36的压轮39的正下方时，工人控制垂向气缸37的活塞杆向下伸出，压轮39相切在光学器件44的保护膜上，随着光学器件44的继续运动，刮刀40将上层保护膜42从光学器件44上刮下；因此无需人工用手刮除上保护膜，极大减轻了劳动强度，提高了光学器件的生产效率；
S6、当全部刮下上层保护膜42后，光学器件44随着右侧皮带6朝筒体12方向运动，当从观察窗处观察到光学器件44进入到两个固定板13时，工人打开步进电机11，步进电机11带动滚筒22做逆时针转动，滚筒22上的两个固定板13将进入到其内的光学器件44转运到左输送装置3的皮带6的顶表面上，从而将光学器件44的下保护膜42朝上摆设，而已蚀刻的面与皮带6接触，从而实现了光学器件的翻面操作；因此无需人工翻面，极大减轻了工人的劳动强度，同时提高了光学器件的生产效率；
S7、左侧的皮带6将其上的光学器件44朝左侧的保护膜刮除装置36方向运动，在输送过程中，六氟化硫等离子体腐蚀掉光学器件44下表面的待蚀刻部分43，从而实现了光学器件下表面的蚀刻，因此实现了在线进行蚀刻光学器件的上下表面，无需停机进行翻面，极大的提高了光学器件的蚀刻效率；
S8、左侧的皮带6继续带动光学器件44朝左运动，当从观察窗处观察到光学器件44即将到达左侧保护膜刮除装置36的压轮39的正下方时，工人控制垂向气缸37的活塞杆向下伸出，压轮39相切在光学器件44的保护膜上，随着光学器件44的继续运动，刮刀40将下层保护膜42从光学器件44上刮下；因此无需人工用手刮除上保护膜，极大减轻了劳动强度，提高了光学器件的生产效率；
S9、当全部刮下下层保护膜42后，光学器件44随着左侧皮带6落入到弯折板23的斜板上，带有热量的光学器件44沿着斜板向下滑动；此时打开水泵20，水泵20将清水泵入到出水管21中，在水压下，清水从喷头24中向下喷出，喷出的清水作用到向下滑动的光学器件44上，以达到降低光学器件表面温度的目的，相比传统空冷的方式冷却光学器件，该装置极大的提高了光学器件的生产效率；而热交换后的热水则穿过漏水孔25进入到水回收箱内收集；
S10、步骤S9中冷却后的光学器件44在自身惯性力下穿过弯折板23的水平板、间隙II落入到收集箱27中，当穿过间隙II时，干布层26擦去光学器件44表面上的水；当落入到收集箱27后工人控制水平气缸28的活塞杆向左伸出，活塞杆带动推板30向左运动，推板30推动收集箱27内的光学器件44向左运动，此时向电阻丝29中通入电流，电阻丝29通电后发出热量，从而使收集箱27内温度升高，逐渐升高的温度加热光学器件44，从而在推动光学器件44的同时进行烘干，增大光学器件的受热面积，提高了光学器件的烘干效率。
S11、如此往复的重复S4～S10，即可连续不断的得到成品光学器件，相比传统的等离子体蚀刻装置只能单件蚀刻，只需一个工人在机箱1的一侧放置待蚀刻光学器件即可在另一侧获得成品光学器件，不仅节省了人力成本，而且还极大的提高了光学器件的生产效率。
实施例二：如图7所示，一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，本实施例与实施例一的区别在于：还包括PLC控制器41，所述PLC控制器41与开关17、截止阀15、泄压阀34、电机5、步进电机11、垂向气缸37、温度传感器32和压力传感器33、水平气缸28和水泵20电连接。温度传感器32能够时刻检测机箱1内的温度，并将温度信号转换为电信号传递给PLC控制器41，而压力传感器33能够实时检测机箱1内的压力，并将压力信号转换为电信号传递给PLC控制器41，此外通过PLC控制器41还能控制水平气缸28和垂向气缸37活塞杆的伸出或缩回，通过PLC控制器41控制水泵20、电机5和步进电机11的启动或关闭，方便了工人的操作，具有自动化程度高的特点。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：它包括由右往左依次设置的光学器件正反面蚀刻装置、光学器件冷却装置和光学器件烘干及收集装置，所述光学器件正反面蚀刻装置包括机箱(1)、设置于机箱(1)顶部的顶盖(2)、设置于机箱(1)左右侧壁上的左输送装置(3)和右输送装置(4)，所述右输送装置包括电机(5)、皮带(6)、主动皮带轮(7)、从动皮带轮(8)、水平槽钢(9)、开设于机箱(1)右侧壁上的通槽(10)，所述水平槽钢(9)焊接于通槽(10)内，水平槽钢(9)的凹槽朝上设置，且与通槽(10)之间留有便于光学器件穿过通槽(10)的间隙I，水平槽钢(9)的右端部延伸于机箱(1)外部，水平槽钢(9)的左端部延伸于机箱(1)内，水平槽钢(9)的凹槽内位于其左右端均经转轴旋转安装有从动皮带轮(8)和主动皮带轮(7)，从动皮带轮(8)和主动皮带轮(7)之间安装有皮带(6)，电机(5)固定安装于水平槽钢(9)的外壁上，且电机(5)的输出轴贯穿水平槽钢(9)且与主动皮带轮(7)的转轴经联轴器连接，所述机箱(1)内还设置有用于翻转光学器件的翻面机构，翻转机构位于左输送装置(3)和右输送装置(4)之间，翻面机构包括步进电机(11)、筒体(12)和固定板(13)，所述筒体(12)的两端分别旋转安装于机箱(1)的前后侧壁上，筒体(12)的外壁上沿其周向均匀焊接有四个固定板(13)，步进电机(11)固定安装于机箱(1)后壁上，且其输出轴贯穿机箱(1)且与筒体(12)的一转轴经联轴器连接，该光学器件正反面蚀刻装置还包括设置于机箱(1)外部的高频电源(14)、截止阀(15)、气瓶(16)、开关(17)和天线(18)，天线(18)设置于顶盖(2)上且伸入于机箱(1)内，气瓶(16)的出口端与机箱(1)之间连接有截止阀(15)，高频电源(14)与天线(18)之间经导线连接有开关(17)；所述光学器件冷却装置包括水箱(19)、水泵(20)、出水管(21)、滚筒(22)和弯折板(23)，弯折板(23)的斜板焊接于左输送装置(3)的水平槽钢(9)的左端部，弯折板(23)的水平板位于斜板的左侧，弯折板(23)的外部设置有水箱(19)，水箱(19)内设置有位于弯折板(23)正上方的出水管(21)，出水管(21)的底表面上且沿其长度方向设置有多个喷头(24)，出水管(21)的一端封闭，另一端贯穿水箱(19)且与水泵(20)的出水口径管卡连接，弯折板(23)上设置有多个漏水孔(25)，滚筒(22)设置于水箱(19)内，滚筒(22)的两端旋转安装于水箱(19)的前后侧壁上，滚筒(22)位于水平板的正上方，且与水平板、之间留有便于光学器件通过的间隙II，滚筒(22)的外部套有干布层(26)，所述光学器件烘干及收集装置包括收集箱(27)、水平气缸(28)和电阻丝(29)，所述收集箱(27)的开口位于水平板、的下方，收集箱(27)的内壁上设置有多根电阻丝(29)，水平气缸(28)固定安装于收集箱(27)的右侧壁上，水平气缸(28)的活塞杆贯穿收集箱(27)且延伸端上焊接有推板(30)。
2.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述左输送装置(3)和右输送装置(4)左右对称设置。
3.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述筒体(12)的前后端焊接有圆盘(31)，所述固定板(13)位于两个圆盘(31)之间。
4.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述顶盖(2)的底表面上设置有温度传感器(32)和压力传感器(33)。
5.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述顶盖(2)上设置有泄压阀(34)。
6.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述水箱(19)的底表面向右倾斜向下设置，水箱(19)的右侧设置有水回收箱(35)。
7.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述机箱(1)的左外侧壁和后侧壁内均设置有保护膜刮除装置(36)，位于左外侧壁上的保护膜刮除装置(36)设置于左输送装置(3)的皮带(6)的正上方，且位于通槽(10)上方，位于后侧壁上的保护膜刮除装置(36)设置于右输送装置(4)的皮带(6)的正上方。
8.根据权利要求7所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述保护膜刮除装置(36)均包括垂向气缸(37)、支架(38)、压轮(39)和刮刀(40)，所述垂向气缸(37)均固定安装于机箱(1)上，支架(38)焊接于垂向气缸(37)活塞杆的作用端，压轮(39)纵向设置且其两端均经转轴旋转安装于支架(38)上，刮刀(40)焊接于支架(38)上且位于压轮(39)的左侧，所述刮刀(40)的底表面与压轮(39)的底表面平齐。
9.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：所述机箱(1)的前侧设置有观察窗，所述顶盖(2)经螺钉固定于机箱(1)上。
10.根据权利要求1所述的一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置，其特征在于：还包括PLC控制器(41)，所述PLC控制器(41)与开关(17)、截止阀(15)、泄压阀(34)、电机(5)、步进电机(11)、垂向气缸(37)、温度传感器(32)和压力传感器(33)、水平气缸(28)和水泵(20)电连接。
CN201911192401.0A 2019-11-28 2019-11-28 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置 Active CN110880444B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911192401.0A CN110880444B (zh) 2019-11-28 2019-11-28 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911192401.0A CN110880444B (zh) 2019-11-28 2019-11-28 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110880444A CN110880444A (zh) 2020-03-13
CN110880444B true CN110880444B (zh) 2022-04-12

Family

ID=69730780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911192401.0A Active CN110880444B (zh) 2019-11-28 2019-11-28 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110880444B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114879332B (zh) * 2022-05-26 2023-08-18 星浪光学科技(江苏)有限公司 一种滤波片生产用智能无尘烘烤设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5090443B2 (ja) * 2007-05-14 2012-12-05 株式会社アルバック ドライエッチング方法
CN109310010B (zh) * 2018-10-29 2019-12-20 南京溧航仿生产业研究院有限公司 一种具有自动清理及防误碰功能的智能蚀刻机
CN109371398A (zh) * 2018-11-27 2019-02-22 胡旭燕 一种具有双面雕刻结构的可调节智能雕刻蚀刻设备
CN110113883B (zh) * 2019-05-10 2024-04-02 无锡睿龙新材料科技有限公司 一种双面蚀刻装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110880444A (zh) 2020-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103990620B (zh) 一种基膜脱铝的方法及设备
CN103008283B (zh) 一种电子元器件清洗装置
CN215032032U (zh) 一种变性淀粉反应釜喷酸清洁装置
CN110880444B (zh) 一种基于等离子体蚀刻的连续双面蚀刻光学器件的装置
CN113963858A (zh) 一种用于扁平漆包线生产加工的缺陷监控装置
CN209143787U (zh) 一种锂电池用铜箔的表面处理设备
CN111085480A (zh) 一种碳纤维汽车引擎盖加工一体化装置
CN209363105U (zh) 一种全自动通过式喷淋清洗设备
CN209039588U (zh) 一种减小腐蚀余量的金属件蚀刻装置
CN116967091A (zh) 一种铝箔梯度涂覆装置及其工作方法
CN210138917U (zh) 一种六氟磷酸锂包装桶高效节能自动清洗装置
CN216925043U (zh) 一种铝箔腐蚀生产线用刮水装置
CN111790680A (zh) 一种通过式超声波清洗机
CN216745357U (zh) 一种用于加工高纯度氧化铝粉料的循环加工设备
CN206168617U (zh) 一种制片机
CN113857119A (zh) 一种铝型材表面油污去除设备
CN113774370A (zh) 一种电解铜箔防氧化处理装置及防氧化工艺
CN210711667U (zh) 一种可控温的箱式淬火炉
CN208984544U (zh) 荧光检测线
CN208087769U (zh) 一种铝合金型材电泳上漆设备
CN208359455U (zh) 一种伸缩管制管机
CN205889659U (zh) 模具清洗设备
CN215390303U (zh) 一种水浴加热套管的表面处理装置
CN217888446U (zh) 一种管道加工用喷涂装置
CN204874768U (zh) 湿法电解金属全自动生产***

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Zhu Qiaofen

Inventor after: Zhang Ruoya

Inventor after: Luo Yuehao

Inventor after: Liu Xiuhong

Inventor after: Zhang Lei

Inventor after: Xi Sixing

Inventor before: Zhu Qiaofen

Inventor before: Liu Xiuhong

Inventor before: Zhang Lei

Inventor before: Xi Sixing

CB03 Change of inventor or designer information
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20200313

Assignee: Hebei Rongzhong Information Technology Co.,Ltd.

Assignor: HEBEI University OF ENGINEERING

Contract record no.: X2023980041429

Denomination of invention: A device for continuous double-sided etching of optical devices based on plasma etching

Granted publication date: 20220412

License type: Common License

Record date: 20230907

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract