CN110872691A - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

一种等离子体处理装置可根据旋转体表面的经过速度不同的位置，来对通过旋转体而循环搬送的工件进行所期望的等离子体处理。其包括：搬送部，具有设置于真空容器内且搭载工件而旋转的旋转体，并以圆周的搬送路径循环搬送工件；划定部，具有侧壁部及开口，侧壁部划定导入有反应气体的气体空间的一部分，开口与搬送路径相向；气体供给部，将反应气体供给至气体空间；及等离子体源，使反应气体产生用来对工件进行等离子体处理的等离子体，气体供给部从旋转体的表面经过进行等离子体处理的处理区域的时间不同的多个供给部位供给反应气体，且具有根据经过处理区域的时间，对多个供给部位的每单位时间的反应气体的供给量个别地进行调节的调节部。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及一种等离子体(plasma)处理装置。

背景技术

在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜的情况。薄膜可通过相对于工件而形成金属等的膜的成膜、对所形成的膜进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理等而制作。

成膜或膜处理可利用各种方法来进行，作为其中之一，有使用等离子体的方法。在成膜时，将惰性气体导入至配置有靶材(target)的腔室(chamber)内，并施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞靶材，使从靶材撞出的材料堆积于工件而进行成膜。在膜处理时，将工艺气体(process gas)导入至配置有电极的腔室内，并对电极施加高频电压。使经等离子体化的工艺气体的离子、自由基等活性种碰撞工件上的膜，由此进行膜处理。

存在一种等离子体处理装置，其在一个腔室的内部安装有作为旋转体的旋转平台(table)，在旋转平台上方的周方向上配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元，以便可连续地进行此种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1)。如上所述，将工件保持于旋转平台上来搬送，并使其在成膜单元与膜处理单元的正下方经过，由此形成光学膜等。

在使用旋转平台的等离子体处理装置中，作为膜处理单元，有时使用上端被封闭且下端具有开口部的筒形的电极(以下，称为“筒形电极”)。在使用筒形电极的情况下，在腔室的上部设置开口部，将筒形电极的上端介隔绝缘物而安装于所述开口部。筒形电极的侧壁在腔室的内部延伸存在，且下端的开口部介隔微小的间隙而面向旋转平台。腔室接地，筒形电极作为阳极(anode)而发挥功能，腔室与旋转平台作为阴极(cathode)而发挥功能。将工艺气体导入至筒形电极的内部并施加高频电压，从而产生等离子体。所产生的等离子体中所含的电子流入至作为阴极的旋转平台侧。使被旋转平台保持的工件在筒形电极的开口部之下经过，由此通过等离子体而生成的离子、自由基等活性种碰撞工件来进行膜处理。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第4428873号公报

[专利文献2]日本专利特开2011-103257号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

近年来，作为处理对象的工件大型化，另外，也要求提高处理效率，因此有产生等离子体来进行成膜、膜处理的区域扩大的倾向。但是，在对筒形电极施加电压来产生等离子体的情况下，有时难以产生广范围、高密度的等离子体。

因此，开发了一种等离子体处理装置，其产生线状且高密度的均匀的等离子体，使工件在与等离子体源的长度方向正交的方向上扫描而可对大型的工件进行膜处理(例如，参照专利文献2)。此种等离子体处理装置在导入有工艺气体的气体空间中，通过等离子体源产生等离子体来进行膜处理。

在如上所述的使用旋转平台的等离子体处理装置中，考虑如下情况：作为膜处理单元，使用利用电子回旋共振(ECR：Electron Cyclotron Resonance)等离子体的膜处理部。在所述情况下，也考虑使旋转平台的周方向上的进行膜处理的范围、即处理区域的宽度在沿着旋转平台的径向的方向上平行地形成。然而，在旋转平台的内周侧与外周侧，在旋转平台的表面的经过处理区域的速度方面产生不同。即，同一距离内的经过速度在旋转平台的外周侧快，在内周侧慢。在如上所述处理区域的宽度在沿着旋转平台的径向的方向上平行地形成的情况下，旋转平台的表面的外周侧与内周侧相比，会以更短时间经过处理区域。因此，进行了一定时间处理后的膜处理速率在外周侧小，在内周侧大。

如此，例如，在对由成膜部形成的铌或硅的膜进行作为膜处理的氧化处理或氮化处理来生成化合物膜的情况下，在旋转平台的内周侧与外周侧，铌或硅的膜的氧化或氮化的程度会大不相同。因此，难以实现欲对工件的整体进行均匀处理的情况、或难以改变工件的所期望的位置处的处理的程度。

例如，在将作为工件的半导体等的晶片在旋转平台上沿周方向排成一列来进行等离子体处理时，也会产生所述问题。进而，当从处理的效率化等观点出发，设为在径向上也排列多个来进行等离子体处理时，成为更显著的问题。具体而言，若旋转平台的半径超过1.0m，且旋转平台的半径方向上的处理区域的宽度大而达到0.5m的程度，则内周侧与外周侧的处理速率的差会变得非常大。

本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，其可根据旋转体的表面的经过速度不同的位置，来对通过旋转体而循环搬送的工件进行所期望的等离子体处理。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器，能够将内部设为真空；搬送部，具有设置于所述真空容器内且保持工件而旋转的旋转体，并通过使所述旋转体旋转而以圆周的搬送路径循环搬送所述工件；划定部，具有侧壁部以及开口，所述侧壁部划定导入有反应气体的气体空间的一部分，所述开口与所述真空容器的内部的所述搬送路径相向；气体供给部，将所述反应气体供给至所述气体空间；以及等离子体源，使导入有所述反应气体的所述气体空间中产生等离子体，所述等离子体用来对经过所述搬送路径的所述工件进行等离子体处理，所述气体供给部从所述旋转体的表面经过进行所述等离子体处理的处理区域的时间不同的多个供给部位供给所述反应气体，且具有调节部，所述调节部根据所述经过时间，来对所述多个供给部位的每单位时间的所述反应气体的供给量个别地进行调节。

所述调节部可根据与所述搬送路径交叉的方向上的位置，来调节从各供给部位导入的所述反应气体的供给量。

所述多个供给部位可配设于所述气体空间中的相向的位置，且配设于沿着所述搬送路径的方向上。

所述调节部可根据形成于所述工件的膜的膜厚和所述经过时间，来调节从各供给口供给的所述反应气体的供给量。

所述工件可在进行所述等离子体处理的处理对象面具有凸部，在所述划定部的所述侧壁部中的与所述旋转体相向的面和所述旋转体之间，可具有被所述旋转体保持的所述工件能够经过的间隙，所述侧壁部可具有沿着所述工件的凸部的凹部。

保持所述工件的多个托盘可被所述旋转体保持，在所述划定部的所述侧壁部中的与所述旋转体相向的面和所述托盘之间，可具有被所述托盘保持的所述工件能够经过的间隙，所述托盘可具有沿着所述侧壁部的凹部的凸部。所述旋转体中的与所述划定部相向的面和多个所述托盘中的与所述划定部相向的面可具有沿着所述圆周的轨迹而连续地成为同一面的部分。

所述旋转体可在设置所述真空容器的设置面侧保持所述工件，所述划定部的所述开口可从所述设置面侧与所述工件相向。

所述等离子体源可以是使所述气体空间中产生电子回旋共振等离子体的装置。

所述等离子体源可以是使所述气体空间中产生电感耦合等离子体的装置。

[发明的效果]

根据本发明，可根据旋转体的表面的经过速度不同的位置，来对通过旋转体而循环搬送的工件进行所期望的等离子体处理。

附图说明

图1是实施方式的等离子体处理装置的透视立体图。

图2是实施方式的等离子体处理装置的透视底视图。

图3是图2的A-A线剖面图。

图4是图2的B-B线剖面图。

图5(A)～图5(C)是工件的侧视图(A)、平面图(B)、立体图(C)。

图6(A)～图6(C)是托盘的侧视图(A)、平面图(B)、立体图(C)。

图7是表示成膜部的屏蔽构件的立体图。

图8(A)、图8(B)是表示工件与屏蔽构件的间隔的放大剖面图(A)、表示工件与划定部的间隔的放大剖面图(B)。

图9是表示工艺气体的流路的示意图。

图10是表示实施方式的控制装置的构成的框图。

图11是表示托盘的变形例的立体图。

图12是表示托盘的变形例的立体图。

图13是表示托盘的变形例的立体图。

图14是表示托盘和旋转体的变形例的剖面图。

图15(A)、图15(B)是表示托盘的变形例的剖面图，图15(A)是工件具有凸部的情况，图15(B)是工件为平板状的情况。

[符号的说明]

1：托盘

4：溅射源

5：处理单元

6：电源部

8：屏蔽构件

11：相向面

11a：凸部

11b：嵌入部

12：斜面

13：内周面

14：外周面

15：伸出部

16：开口

16a：***部

16b：保持部

20：真空容器

20a：底面

20b：顶板

20c：内周面

21：真空室

21a：安装孔

21b：O形环

22：排气口

23：排气部

24：导入口

25：气体供给部30：搬送部

31：旋转体

31a：开口

31c：下表面

31d：凹口

31e：载置部

32：马达

33：保持部

33a：开口

33b：搭载部

40、40A～40C：成膜部

41、41A～41C：靶材

42：背板

43：电极

50、50A、50B：膜处理部

51：划定部

51a：开口

51b：凹部

51c：侧壁部

52：窗部

52a：窗孔

52b：窗构件

52c：O形环

53：气体供给部

53a：配管

54：调节部

54a：MFC

55：等离子体源

55a：波导管

55b：线圈

56：冷却部

56a：配管

56b：空腔

60：负载锁部

70：控制装置

71：机构控制部

72：电源控制部

73：气体控制部

74：存储部

75：设定部

76：输入输出控制部

77：输入装置

78：输出装置

80：开口

81：凹部

82：底面部

82a：靶材孔

83：侧面部

83a：外周壁

83b：内周壁

83c、83d：分隔壁

100：等离子体处理装置

531、531A～531D、531a～531d：供给口

C：冷却水

Cp：凸部

D1、D2：间隔

E：排气

F：成膜区域

G：反应气体

G1：溅射气体

G2：工艺气体

M1、M3：膜处理部位

M2、M4、M5：成膜部位

R：气体空间

Rp：凹部

S：成膜室

Sp：处理对象面

T：搬送路径

W：工件

X1：相向部

X2：支撑部

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式(以下，称为本实施方式)进行具体说明。

[概要]

图1所示的等离子体处理装置100是利用等离子体而在各个工件W的表面形成化合物膜的装置。即，如图1～图4所示，等离子体处理装置100中，若旋转体31旋转，则被旋转体31保持的托盘1上的工件W以圆周的轨迹移动。通过所述移动，工件W反复经过与成膜部40A、成膜部40B或成膜部40C相向的位置。每次所述经过时，通过溅射而使靶材41A～靶材41C的粒子附着于工件W的表面。

另外，工件W反复经过与膜处理部50A或膜处理部50B相向的位置。每次所述经过时，附着于工件W的表面的粒子与所导入的工艺气体G2中的物质进行化合而形成化合物膜。图1是等离子体处理装置100的透视立体图，图2是透视底视图，图3是图2的A-A线剖面图，图4是图2的B-B线剖面图。此外，在以下的说明中，将顺应重力的方向设为下方，将与此相反地对抗重力的方向设为上方。在等离子体处理装置100的真空容器20以建筑物的楼板面或地面等相对于真空容器20而存在于顺应重力的方向上的面作为设置面来设置的情况下，在真空容器20的内部，以设置面侧为下，以设置面侧的相反侧为上。

[工件]

如图5(A)的侧视图、图5(B)的平面图、图5(C)的立体图所示，工件W是在与处理部相向的面、即作为处理对象的面(以下，设为处理对象面Sp)具有凸部Cp，且在与凸部Cp为相反侧的面具有凹部Rp的板状的构件。所谓凸部Cp，是指在处理对象面Sp中曲率中心位于处理对象面Sp的相反侧的弯曲部分，或者在处理对象面Sp由角度不同的多个平面构成的情况下，是指将不同的平面彼此连结的部分。即，凸部Cp不仅包括具有弯曲部分的情况，还包括具有角部分的情况。凹部Rp是指凸部Cp的相反侧的部分。

在本实施方式中，工件W是长方形的基板，且利用形成于一短边侧的弯曲部分而在处理对象面Sp形成了凸部Cp。即，在本实施方式中，通过弯曲而伸长的一侧是凸部Cp，通过弯曲而伸缩的一侧是凹部Rp。另外，从工件W的凸部Cp至另一短边的处理对象面Sp成为平坦面。

[托盘]

如图6(A)的侧视图、图6(B)的平面图、图6(C)的立体图所示，托盘1是保持工件W的构件。托盘1是大致扇形形状的板状体，其中一面成为与作为处理部的成膜部40、膜处理部50相向的相向面11。在本实施方式中，当托盘1搭载于旋转体31时，如图3及图4所示，相向面11朝向下侧。但是，图6(A)～图6(C)是以相向面11侧为上进行了表示。此处，将托盘1的具有相向面11的一侧设为相向部X1，将所述相向面11的相反面的一侧设为支撑部X2。

更具体而言，相向部X1具有沿着V字的一对侧面即斜面12。一对斜面12接近的一侧的端部由沿着直线的内周面13连结。在托盘1的一对斜面12远离的一侧的端部连接有外周面14，所述外周面14沿着将俯视时正交的边组合而成的凸形。

另外，相向部X1的相向面11具有向作为处理部的成膜部40及膜处理部50侧***的凸部11a。所述凸部11a成为沿着后述的屏蔽构件8的凹部81、划定部51中的侧壁部51c的凹部51b的形状。沿着凹部81、凹部51b是指为仿照凹部81、凹部51b的形状。托盘1的凸部11a以非接触方式与凹部81、凹部51b相向(参照图3)。

如图6(A)所示，凸部11a也是模仿工件W的凹部Rp的曲面。如图6(B)所示，凸部11a在俯视时是沿着将一对斜面12的中央连结的圆弧状而形成。托盘1的相向面11中，隔着凸部11a，内周面13侧成为接近旋转体31的平坦面，外周面14侧成为远离旋转体31的平坦面。相对于此种相向面11，经由双面粘合带等粘合材料，使工件W的凹部Rp侧的面以模仿凸部11a的方式贴附，由此保持工件W。

托盘1所保持的工件W的数量不限于特定的数量。在本实施方式中，在一个托盘1保持三个工件W。另外，作为保持工件W的手段，并不限定于粘合材料。也可在托盘1设置以下保持机构：用来装卸自如地保持工件W的卡盘机构等保持机构；或利用可通过嵌入工件W来保持工件W的爪构件等进行夹持的保持机构。

支撑部X2的外形形状与相向部X1的外形形状大致相同，但支撑部X2的尺寸比相向部X1大一圈。因此，托盘1中，与相向部X1的外周相比，支撑部X2的外周具有在整周上更向外侧伸出的伸出部15。

作为托盘1的材质，优选设为导热性高的材质，例如设为金属。在本实施方式中，将托盘1的材质设为SUS。此外，托盘1的材质例如也可设为导热性良好的陶瓷或树脂、或者它们的复合材料。

[等离子体处理装置]

如图1～图3所示，等离子体处理装置100具有真空容器20、搬送部30、成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B、负载锁部60、控制装置70。

[真空容器]

真空容器20是可将内部设为真空的容器，即所谓的腔室。真空容器20在内部形成真空室21。真空室21是由真空容器20的内部的底面20a、顶板20b和内周面20c包围而形成的圆柱形的密闭空间。真空室21具有气密性，且可通过减压而设为真空。此外，真空容器20的底面20a以可开闭的方式构成。另外，真空容器20在轴大致垂直的方向上，经由支架而设置于未图示的设置面。此时，底面20a侧成为下方，即设置面侧。

向真空室21的内部的规定区域导入反应气体G。反应气体G包含成膜用的溅射气体G1、膜处理用的工艺气体G2(参照图3、图4)。在以下的说明中，在不对溅射气体G1、工艺气体G2加以区别的情况下，有时称为反应气体G。溅射气体G1是用来使通过施加电力而产生的等离子体所产生的离子碰撞靶材41A～靶材41C，从而使靶材41A～靶材41C的材料堆积于工件W的表面的气体。例如，可将氩气等惰性气体用作溅射气体G1。

工艺气体G2是用来使利用微波而产生的等离子体所产生的活性种浸透至堆积于工件W的表面的膜，从而形成化合物膜的气体。以下，有时将此种利用等离子体的表面处理即不使用靶材41A～靶材41C的处理称为逆溅射。工艺气体G2可根据处理的目的而适当变更。例如，在进行膜的氮氧化的情况下，使用氧气O₂与氮气N₂的混合气体。

如图3所示，真空容器20具有排气口22、导入口24。排气口22是用来确保真空室21与外部之间的气体流通而进行排气E的开口。所述排气口22例如形成于真空容器20的侧面。在排气口22连接有排气部23。排气部23具有配管和未图示的泵、阀等。通过利用所述排气部23进行的排气处理，而将真空室21内减压。

导入口24是用来将溅射气体G1导入至各成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C的开口。所述导入口24例如设置于真空容器20的底部。在所述导入口24连接有气体供给部25。气体供给部25不仅具有配管，还具有未图示的溅射气体G1的气体供给源、泵、阀等。通过所述气体供给部25而将溅射气体G1从导入口24导入至后述的屏蔽构件8内。此外，在真空容器20的底面20a，设置有供后述的膜处理部50A、膜处理部50B***的安装孔21a。

[搬送部]

对搬送部30的概略进行说明。搬送部30具有设置于真空容器20内的旋转体31。旋转体31保持工件W。搬送部30是通过使旋转体31旋转而以圆周的搬送路径T循环搬送工件W的装置。所谓将工件W保持于旋转体31，只要以随着旋转体31的旋转而循环搬送工件W的方式规定了工件W相对于旋转体31的位置即可。因此，工件W可直接保持于旋转体31，工件W也可经由托盘1等其他构件间接地保持于旋转体31，以上两种情况均包含在保持于旋转体31的情况内。

另外，工件W可保持于旋转体31的下侧，也可保持于上侧。工件W的处理对象面Sp只要保持于旋转体31中的与膜处理部50或成膜部40相向的面即可。在旋转体31上或托盘1上载置有工件W的情况也包含在保持有工件W的情况内。在本实施方式中，工件W被保持于旋转体31所保持的托盘1而被循环搬送。

循环搬送是指使工件W以圆周的轨迹反复环绕移动。搬送路径T是通过搬送部30而使工件W或后述的托盘1移动的轨迹。图2所示的搬送路径T为线状，但实际为环状的具有宽度的圆环。以下，对搬送部30的详细情况进行说明。

本实施方式的旋转体31是圆形的板状的旋转平台。旋转体31例如可设为在不锈钢的板状构件的表面喷镀有氧化铝而成。以下，在简称为“周方向”时，是指“旋转体31的周方向”，在简称为“半径方向”时，是指“旋转体31的半径方向”。

搬送部30不仅具有旋转体31，还具有马达32、保持部33。马达32是对旋转体31提供驱动力而使旋转体31以圆的中心为轴进行旋转的驱动源。保持部33是对通过搬送部30而搬送的托盘1加以保持的构成部。在旋转体31的表面，多个保持部33以圆周等配位置构成。关于本实施方式中所述的旋转体31的表面，当旋转体31的旋转平面在水平方向上延伸存在时，为朝向下方的面，即下表面。例如，各保持部33保持托盘1的区域是以与旋转体31的周方向上的圆的切线平行的朝向来形成，且在周方向上等间隔地设置。

在本实施方式中，设置有六个保持部33。因此，在旋转体31上以60°的间隔保持六个托盘1。但是，保持部33可为一个，也可为多个。旋转体31循环搬送搭载有工件W的托盘1，并使搭载有工件W的托盘1反复经过与成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C、膜处理部50A、膜处理部50B相向的位置。

更具体而言，保持部33是设置于旋转体31的开口33a。开口33a是设置于旋转体31的载置各托盘1的圆周等配位置的贯通孔。开口33a是与托盘1的支撑部X2的外形大致相同的形状，且比支撑部X2的外形稍大，因此支撑部X2可***。

在开口33a的内周设有搭载部33b。搭载部33b是开口33a的内周以与相向部X1的外形大致相同的形状且以稍大于相向部X1的外径的方式突出的部分。因此，相向部X1可***至搭载部33b。即，当使载置有工件W的托盘1的支撑部X2与开口33a嵌合时，由搭载部33b来支撑伸出部15。而且，相向面11贯通开口33a而露出至旋转体31的下侧。由此，保持于相向面11的工件W的处理对象面Sp朝向下方。

[成膜部]

成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C是设置于与在搬送路径T上循环搬送的工件W相向的位置且通过溅射而使成膜材料堆积于工件W来形成膜的处理部。以下，在不对多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C加以区别的情况下，以成膜部40的形式进行说明。如图3所示，成膜部40具有溅射源4、电源部6、屏蔽构件8。

(溅射源)

溅射源4是通过溅射而使成膜材料堆积于工件W来进行成膜的成膜材料的供给源。如图2及图3所示，溅射源4具有靶材41A、靶材41B、靶材41C、背板(backing plate)42、电极43。靶材41A、靶材41B、靶材41C是由堆积于工件W而成为膜的成膜材料形成，配置于与搬送路径T相隔离地相向的位置。

在本实施方式中，如图2所示，三个靶材41A、靶材41B、靶材41C设置于俯视时在三角形的顶点上排列的位置。从靠近旋转体31的旋转中心处朝向外周，以靶材41A、靶材41B、靶材41C的顺序配置。以下，在不对靶材41A、靶材41B、靶材41C加以区别的情况下，以靶材41的形式进行说明。靶材41的表面与通过搬送部30而移动的工件W相隔离地相向。

此外，可通过三个靶材41A、靶材41B、靶材41C来附着成膜材料的区域大于半径方向上的托盘1的大小。如上所述，与由成膜部40成膜的区域对应，将沿着搬送路径T的圆环状的区域设为成膜区域F(以图2的点线表示)。成膜区域F的半径方向上的宽度长于半径方向上的托盘1的宽度。另外，在本实施方式中，三个靶材41A～靶材41C配置成可在成膜区域F的半径方向上的整个宽度区域内无间隙地附着成膜材料。

作为成膜材料，例如使用铌、硅等。但是，只要是通过溅射而进行成膜的材料，则可应用各种材料。另外，靶材41例如为圆柱形。但是，也可为长圆柱形、角柱形等其他形状。

背板42是对各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地予以保持的构件。电极43是用来从真空容器20的外部对各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地施加电力的导电性构件。对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力可个别地改变。此外，在溅射源4中，视需要而适当包括磁铁、冷却机构等。

(屏蔽构件)

如图3及图7的立体图所示，屏蔽构件8是与载置于托盘1的工件W空开间隔而相向的构件。本实施方式的屏蔽构件8在工件W经过的一侧具有开口80，且形成由成膜部40进行成膜的成膜室S。即，屏蔽构件8形成导入有溅射气体G1来产生等离子体的空间，且抑制溅射气体G1和成膜材料向真空容器20内的泄漏。

屏蔽构件8具有底面部82、侧面部83。底面部82是形成成膜室S的底面的构件。如图3和图7所示，底面部82是与旋转体31的平面平行地配置的大致扇形的板状体。在底面部82，在与各靶材41A、靶材41B、靶材41C对应的位置形成有与靶材41A、靶材41B、靶材41C的大小和形状相同的靶材孔82a，以使各靶材41A、靶材41B、靶材41C在成膜室S内露出。底面部82以靶材41A、靶材41B、靶材41C从靶材孔82a露出的方式安装于真空容器20的底面20a。

侧面部83是形成成膜室S的周围的构件。侧面部83具有外周壁83a、内周壁83b、分隔壁83c、分隔壁83d。外周壁83a和内周壁83b是以圆弧状弯曲的长方体形，且是在与旋转体31的旋转平面正交的方向上直立的板状体。外周壁83a的下缘安装于底面部82的外周缘。内周壁83b的下缘安装于底面部82的内周缘。分隔壁83c、分隔壁83d是平坦的长方体形，且是在与旋转体31的平面正交的方向上直立的板状体。分隔壁83c、分隔壁83d的下缘分别安装于底面部82的一对半径方向上的缘部。

如上所述的底面部82与侧面部83的接合部经气密地密封。此外，可一体地、即由共同的材料连续地形成底面部82与侧面部83。通过此种屏蔽构件8，构成如下的成膜室S：下部和周缘的侧面由底面部82和侧面部83覆盖，且在朝向工件W的上部具有开口80。在成膜室S中，气体供给部25的前端延伸至靶材41A、靶材41B、靶材41C的附近。

屏蔽构件8俯视时呈从旋转体31的半径方向上的中心侧朝向外侧扩径的大致扇形。此处所说的大致扇形是指扇子的扇面部分的形状。屏蔽构件8的开口80也同样为大致扇形。保持于旋转体31下的工件W在开口80之上经过的速度在旋转体31的半径方向上越朝向中心侧越慢，越朝向外侧越快。因此，若开口80在俯视时为长方形或正方形，则在半径方向上的中心侧与外侧，工件W经过开口80的上方的时间会产生差异。

在本实施方式中，通过使开口80从半径方向上的中心侧朝向外侧扩径，可使工件W经过开口80的时间一定，从而可使后述的等离子体处理均等。但是，若经过时间的差为不会造成产品方面的问题的程度，则在俯视时也可为长方形或正方形。作为屏蔽构件8的材质，例如可使用铝或SUS。

如图8(A)所示，在分隔壁83c、分隔壁83d的上端与旋转体31之间，形成有旋转的旋转体31下的工件W可经过的间隔D1。即，分隔壁83c、分隔壁83d的高度设定成使得在屏蔽构件8的上缘与工件W之间产生微小的间隙。

更具体而言，屏蔽构件8的开口80具有沿着被托盘1保持的工件W的凸部Cp的凹部81。所谓沿着凸部Cp，是指模仿凸部Cp形状。在本实施方式中，凹部81是沿着凸部Cp的弯曲的曲面。但是，凹部81与凸部Cp之间如上所述空出了间隔D1。即，在包含凹部81的分隔壁83c、分隔壁83d的上缘，形成了非接触地沿着工件W的处理对象面Sp的形状。工件W的处理对象面Sp与屏蔽构件8的间隔D1(也包括凸部Cp与凹部81的间隔)优选设为1mm～15mm。这是为了允许工件W经过，并且维持内部的成膜室S的压力。

如图2所示，通过此种屏蔽构件8，利用溅射源4而工件W进行成膜的成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5、进行膜处理的膜处理部位M1、膜处理部位M3被隔开。通过屏蔽构件8，可抑制成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的溅射气体G1和成膜材料扩散至真空室21。

成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的水平方向上的范围成为由各屏蔽构件8划分出的区域。此外，通过旋转体31而循环搬送的工件W反复经过成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的与靶材41相向的位置，由此成膜材料以膜的形式堆积于工件W的表面。

由成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5的各屏蔽构件8划出的成膜室S是进行成膜的大半部分的区域。然而，即使在成膜室S以外的区域，也存在来自成膜室S的成膜材料的泄漏。因此，并非完全不存在膜的堆积。即，在成膜部40中进行成膜的成膜区域F成为比由屏蔽构件8划出的成膜室S稍广的区域。

此种成膜部40通过在多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C中使用相同的成膜材料同时进行成膜，可提高一定时间内的成膜量，即成膜速率。另外，通过在多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C中使用彼此不同种类的成膜材料同时或依次进行成膜，也可形成包含多种成膜材料的层的膜。

(电源部)

电源部6是对靶材41施加电力的构成部。通过利用所述电源部6对靶材41施加电力，从而产生经等离子体化的溅射气体G1。而且，通过由等离子体产生的离子碰撞靶材41，可使从靶材41撞出的成膜材料堆积于工件W。因此，电源部6可理解成产生用来对工件W进行等离子体处理的等离子体的等离子体源。对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力可个别地改变。

在本实施方式中，电源部6是施加高电压的直流(direct current，DC)电源。此外，在为进行高频溅射的装置的情况下，也可设为射频(radio frequency，RF)电源。另外，电源部6可针对每个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C而设置，也可针对多个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C而仅设置一个。在设置仅一个电源部6的情况下，切换使用电力的施加。旋转体31与经接地的真空容器20为相同电位，通过对靶材41侧施加高电压而产生了电位差。

在本实施方式中，如图2所示，在搬送路径T的搬送方向上，在与膜处理部50A、膜处理部50B之间配设有三个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C。成膜部位M2、成膜部位M4、成膜部位M5与三个成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C相对应。膜处理部位M1、膜处理部位M3与两个膜处理部50A、膜处理部50B相对应。

[膜处理部]

膜处理部50A、膜处理部50B是对堆积于通过搬送部30而搬送的工件W的材料进行膜处理的处理部。所述膜处理是不使用靶材41的逆溅射。以下，在不对膜处理部50A、膜处理部50B加以区别的情况下，以膜处理部50的形式进行说明。膜处理部50具有处理单元5。

如图3及图8(B)所示，处理单元5具有划定部51。划定部51是具有侧壁部51c以及开口51a的构成部，所述侧壁部51c划定导入有工艺气体G2的气体空间R的一部分，所述开口51a与真空容器20的内部的搬送路径T相向。气体空间R是形成于被侧壁部51c包围的空间即划定部51的内部与旋转体31之间的空间，通过旋转体31循环搬送的工件W反复经过此空间。即，气体空间R不仅包括划定部51的内部空间，还包括开口51a的端面，即划定部51的与旋转体31相向的相向面和旋转体31之间的空间。所谓“划定气体空间R的一部分”，是指形成气体空间R的一部分的边界。因此，划定部51并非以形成气体空间R的全部的方式覆盖，划定部51的相向面与旋转体31之间的气体空间R未经覆盖。

本实施方式的划定部51是由侧壁部51c包围的水平剖面为圆角长方形的筒状体。此处所述的圆角长方形是田径运动的跑道形状。跑道形状是指如下形状：使一对部分圆以使凸侧相反的方向相隔离地相向，并利用彼此平行的直线将各自的两端连结而成的形状。划定部51设为与旋转体31相同的材质。

划定部51以其长径与旋转体31的半径方向平行的方式配置。此外，不需要为严格的平行，也可有一些倾斜。划定部51的内部空间的与轴正交的截面从作为开口51a的端面的相向面到内底面为止，是与划定部51的外径相似形状的圆角长方形。所述空间构成气体空间R的一部分。因此，作为进行等离子体处理、即膜处理的区域的处理区域成为与划定部51的开口51a相似形状的圆角长方形。如此，处理区域的旋转方向上的长度在半径方向上大致相同。

划定部51的上缘的开口51a是与旋转体31侧相隔离地朝向旋转体31侧，且与搬送路径相向。即，如图8(B)所示，在划定部51中的与旋转体31相向的面和旋转体31之间，形成有被旋转体31保持的工件W可经过的间隔D2。即，划定部51的侧壁部51c的高度设定成使得在划定部51的上缘与工件W之间产生微小的间隙。

更具体而言，与屏蔽构件8的凹部81同样地，划定部51的侧壁部51c具有沿着被托盘1保持的工件W的凸部Cp的凹部51b。所谓沿着凸部Cp，是指模仿凸部Cp的形状。在本实施方式中，凹部51b是沿着凸部Cp的弯曲的曲面。但是，凹部51b与凸部Cp之间如上所述空出了间隔D2。即，在包含凹部51b的划定部51的上缘，形成了非接触地沿着工件W的处理对象面Sp的形状。工件W的处理对象面Sp与划定部51的间隔D2(也包括凸部Cp与凹部51b的间隔)优选设为1mm～15mm。这是为了允许工件W经过，并且维持划定部51的内部的压力。在划定部51的内部，通过微波的导入而产生等离子体。

如图3所示，划定部51的侧壁部51c的大半部分被收容于真空室21内。但是，划定部51的底面向下方突出，且***至设置于真空容器20的底面20a的安装孔21a。划定部51与真空容器20之间由O形环21b密封。另外，在划定部51的底面设置有窗部52。窗部52是将划定部51内的气体空间R与外部之间隔开，并且使得能够导入微波的构成部。

本实施方式的窗部52具有窗孔52a、窗构件52b。窗孔52a是形成于划定部51的底面的贯通孔。窗孔52a可利用其形状来改变所产生的等离子体的分布形状。换句话说，等离子体的分布形状可由窗孔52a的形状决定。在本实施方式中，通过将窗孔52a设为水平剖面为圆角长方形，能够产生与气体空间R的水平剖面大致相似形状的等离子体。此外，在形成窗孔52a的材质、即划定部51的材质为石英等电介质的情况下，等离子体的分布形状可由后述的波导管55a的形状决定。窗构件52b被收进划定部51的内部，且为用来封闭窗孔52a的平板。窗构件52b载置于嵌入至划定部51的内底的窗孔52a周围的O形环52c上，从而对窗孔52a进行气密密封。此外，窗构件52b可为氧化铝等电介质，也可为硅等半导体。

进而，处理单元5具有气体供给部53、调节部54(参照图10)、等离子体源55、冷却部56。如图3、图4及图9所示，气体供给部53将工艺气体G2供给至气体空间R。气体供给部53是从旋转体31的表面经过处理区域的时间不同的多个供给部位供给工艺气体G2的装置。所述多个供给部位沿着划定部51的位于长边方向、即旋转体31的半径方向上的且相向的一对内壁而等间隔地设置。因此，多个供给部位设置于气体空间R中的相向的位置，同时也设置于沿着搬送路径T的方向上。沿着搬送路径T的方向是与搬送路径T大致平行的方向或搬送路径T的切线方向。

气体供给部53具有未图示的泵等工艺气体G2的供给源、以及与供给源连接的多个配管53a。工艺气体G2例如是氧和氮。各配管53a分支，且与氧的供给源和氮的供给源连接。多个配管53a的端部在划定部51内的长边方向上排列设置，由此构成了作为所述供给部位的多个供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d。

此处，若将旋转体31所保持的工件W的旋转体31的旋转中心侧(内周侧)与外周侧加以比较，则旋转体31的表面的点所行走的圆周的长度、即周长不同。因此，旋转体31的表面的点在经过一定距离的速度方面产生差。而且，在本实施方式中，划定部51以开口51的长径与旋转体31的半径方向平行的方式配置。而且，形成有多个供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d的开口51a的直线部分在半径方向上彼此平行。此外，以下，在不对供给口531A～531D、供给口531a～供给口531d加以区别的情况下，以供给口531的形式进行说明。

若为此种构成，则关于工件W经过划定部51上方的一定距离的时间，旋转体31的外周侧短于内周侧。因此，膜处理的速率在内周侧与外周侧不同。多个供给口531设置于旋转体31的表面经过进行等离子体处理的处理区域的时间不同的多个部位。多个供给口531所排列设置的方向与搬送路径T交叉。进而，供给口531配设于隔着气体空间R而相向的位置。在气体空间R中，相向的供给口531的排列方向沿着搬送路径T。

更具体而言，各配管53a在划定部51的其中一个内壁与另一内壁相向的位置分支，且各自的端部成为工艺气体G2的供给口531A～531D、供给口531a～531d。供给口531A～531D沿着划定部51的长边方向上的其中一个内壁而等间隔地排列设置。供给口531a～531d沿着划定部51的长边方向上的另一内壁而等间隔地排列设置。

供给口531A～531D从内周侧朝向外周侧而以供给口531A、供给口531B、供给口531C、供给口531D的顺序排列。同样地，供给口531a～供给口531d从内周侧朝向外周侧而以供给口531a、供给口531b、供给口531c、供给口531d的顺序排列。供给口531A～供给口531D配置于搬送路径T的下游侧，供给口531a～供给口531d配置于搬送路径T的上游侧。而且，供给口531A与供给口531a、供给口531B与供给口531b、供给口531C与供给口531c、供给口531D与供给口531d分别在下游侧与上游侧相向。

进而，在本实施方式中，最内周的供给部位、最外周的供给部位位于成膜区域F外。即，供给口531A、供给口531a配置于比成膜区域F的内周更靠内侧处，供给口531D、供给口531d配置于比成膜区域F的外周更靠外侧处。

如图9所示，调节部54根据与搬送路径T交叉的方向上的位置来对气体供给部53所导入的工艺气体G2的供给量进行调节。与搬送路径T交叉的方向是不与搬送路径T平行的方向，不限定于与搬送路径T正交的方向。即，调节部54根据旋转体31的表面经过处理区域的时间来对气体供给部53的多个部位的每单位时间的工艺气体G2的供给量个别地调节。调节部54具有分别设置于配管53a的一对路径的质流控制器(mass flow controller，MFC)54a。MFC 54a是具有测量流体的流量的质量流量计与控制流量的电磁阀的构件。

如图3、图4所示，等离子体源55是使导入有工艺气体G2的气体空间R中产生用来对经过搬送路径T的工件W进行处理的等离子体的构成部。等离子体源55具有波导管55a、线圈55b。波导管55a是一端与未图示的微波发送器连接、另一端配置于气体空间R的外部且为窗部52的附近的管。波导管55a将来自微波发送器的微波引导至窗部52。微波经由窗部52的窗构件52b而导入至气体空间R。

线圈55b是通过从未图示的电源施加电压而使气体空间R内产生磁场的构件。在导入有工艺气体G2的气体空间R内，通过线圈55b来产生磁场，并且导入微波。若使绕磁场进行圆周运动的电子的频率与微波的频率一致，则通过共振而电子进行高速旋转运动，电子与气体分子碰撞，由此生成高密度的等离子体。由此，在气体空间R中产生电子、离子及自由基等活性种。

冷却部56是对划定部51进行冷却的构成部。冷却部56具有配管56a、空腔(cavity)56b。虽未图示，但配管56a是与作为循环供给冷却水C的冷却水循环装置的冷却器连接而供冷却水C循环的循环路径。空腔56b是形成于划定部51的侧壁部51c的内部而供冷却水C流通的空间，配管56a的供给侧与排出侧连通。经冷却器冷却的冷却水C反复进行从供给侧被供给、在空腔内流通、从排水侧排出的操作，由此划定部51被冷却而抑制加热。

[负载锁部]

负载锁部60是在维持真空室21的真空的状态下，通过未图示的搬送设备，从外部将搭载有未处理的工件W的托盘1搬入至真空室21，并将搭载有处理完的工件W的托盘1搬出至真空室21的外部的装置。所述负载锁部60可应用周知的结构，因此省略说明。

[控制装置]

控制装置70是对等离子体处理装置100的各部进行控制的装置。所述控制装置70例如可由专用的电子电路或者以规定的程序运行的计算机等来构成。即，关于与溅射气体G1及工艺气体G2朝真空室21的导入和排气相关的控制、电源部6的控制、旋转体31的旋转的控制、与等离子体源55中的微波的导入、磁场的生成相关的控制、与冷却部56中的冷却水C相关的控制等，其控制内容已程序化。控制装置70通过可编程逻辑控制器(programmablelogic controller，PLC)或中央处理器(central processing unit，CPU)等处理装置来执行所述程序，可对应于多种多样的等离子体处理的规格。

若列举具体经控制的对象，则为如下所述。即，马达32的旋转速度、等离子体处理装置100的初始排气压力、溅射源4的选择、对靶材41和线圈55的施加电力、微波的发送器的输出、溅射气体G1和工艺气体G2的流量、种类、导入时间和排气时间、成膜和膜处理的时间、冷却水C的流量和温度等。

尤其，在本实施方式中，控制装置70通过控制对于成膜部40的靶材41的电力的施加、来自气体供给部25的溅射气体G1的供给量，来控制成膜速率。另外，控制装置70通过控制微波的输出、来自气体供给部53的工艺气体G2的供给量，来控制膜处理速率。

参照假想的功能框图即图10，对用来以上述方式执行各部的运行的控制装置70的构成进行说明。即，控制装置70具有机构控制部71、电源控制部72、气体控制部73、存储部74、设定部75、输入输出控制部76。

机构控制部71是对排气部23、气体供给部25、气体供给部53、调节部54、马达32、冷却部56的冷却器、负载锁部60等的驱动源、电磁阀、开关、电源等进行控制的处理部。电源控制部72是控制电源部6、等离子体源55的微波的发送器和线圈55b的电源等的处理部。

例如，电源控制部72个别地控制对靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力。在欲使成膜速率在工件W的整体中均匀的情况下，考虑所述内周侧与外周侧的速度差而以靶材41A＜靶材41B＜靶材41C的方式依次提高电力。即，只要和内周侧与外周侧的速度成比例地决定电力即可。

但是，成比例的控制是一例，只要以速度越大越提高电力，从而使处理速率变得均匀的方式设定即可。另外，针对欲加厚形成于工件W的膜厚的部位，只要提高对靶材41的施加电力即可，针对欲减薄膜厚的部位，只要减低对靶材41的施加电力即可。

气体控制部73是控制利用调节部54的工艺气体G2的导入量的处理部。例如，对来自各供给口531的工艺气体G2的每单位时间的供给量个别地进行控制。在欲使膜处理速率在工件W的整体中均匀的情况下，考虑所述内周侧与外周侧的速度差，从内周侧朝向外周侧依次增加来自各供给口531的供给量。具体而言，将供给量设为供给口531A＜供给口531B＜供给口531C＜供给口531D、供给口531a＜供给口531b＜供给口531c＜供给口531d。即，只要和内周侧与外周侧的速度成比例地决定供给量即可。

另外，根据形成于工件W的膜厚来对从各供给口531供给的工艺气体G2的供给量进行调节。即，针对要加厚膜厚的部位，增加工艺气体G2的供给量，以使膜处理的量变多。而且，针对要减薄膜厚的部位，减少工艺气体G2的供给量，以使膜处理的量变少。

另外，例如，在对以越靠近内周侧膜厚越厚的方式形成的膜进行膜处理的情况下，也能够以越靠近内周侧，使工艺气体G2的供给量越多的方式设定。由此，再结合与所述速度的关系，结果也存在来自各供给口531的供给量变得均匀的情况。即，调节部54也可根据形成于工件W的膜厚和旋转体31经过处理区域的时间，来调节从各供给口531供给的工艺气体G2的供给量。此外，气体控制部73也控制溅射气体G1的导入量。

存储部74是存储本实施方式的控制中所需的信息的构成部。存储于存储部74的信息包含排气部23的排气量、对各靶材41施加的电力、溅射气体G1的供给量、对线圈55b施加的电力、微波的发送器的输出、每个供给口531的工艺气体G2的供给量。设定部75是将从外部输入的信息设定于存储部74的处理部。

进而，也可使对靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力与来自供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d的工艺气体G2的供给量相关联。即，在将旋转体31的旋转速度(rpm)设为一定，且利用设定部设定了对靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力的情况下，也可与所述对靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力成比例地设定来自各供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d的供给量。另外，在将旋转体31的旋转速度(rpm)设为一定，且利用设定部设定了来自各供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d的供给量的情况下，也可与所述来自各供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d的供给量成比例地设定对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力。

此种设定例如能够以如下方式进行。首先，预先通过实验等来求出膜厚与此膜厚所对应的施加电力或工艺气体G2的供给量的关系、施加电力与此施加电力所对应的工艺气体G2的供给量的关系。然后，将这些中的至少一个加以表化并存储于存储部74。然后，设定部75根据所输入的膜厚、施加电力或供给量，并参照表来决定施加电力或供给量。

(运算处理)

在欲以大面积形成膜厚均匀且膜质均匀的膜的情况下，当对工艺气体G2的供给量进行调节时，必须考虑的条件为以下四条。

[1]在旋转体旋转一次的期间，由成膜部成膜的膜厚

[2]旋转体的半径方向上的所形成的膜的膜厚分布

[3]旋转体的内周与外周的速度差

[4]等离子体的产生区域的宽度(处理区域的宽度)

此处，关于[2]的条件，若对成膜部40的各靶材41A、靶材41B、靶材41C个别地施加电力而形成均匀的膜厚，则可从条件中去除。另外，如所述实施方式，通过将气体空间R设为从平面方向观察时为圆角长方形的外形，处理区域的宽度从成膜区域F的最内周至最外周变得相同。因此，在所述宽度的范围内可设为相同的等离子体密度，因此[4]的条件也可从条件中去除。

因此，可根据[1]、[3]的条件来决定各供给口531的供给量。即，作为[1]的条件，预先通过事先试验等来求出成膜区域F的最内周或最外周的膜厚的任一者、与适合于所述膜厚的最佳供给量。而且，[3]的内周与外周的速度差和内周与外周的半径有关系(成比例)，因此可根据多个供给口531的半径方向上的位置(距旋转中心的距离)、与所述膜厚和最佳供给量，来决定多个供给口531的各自的供给量。此外，关于成膜区域F的最内周在旋转体31旋转一次的期间所形成的膜的膜厚、成膜区域F的最外周在旋转体31旋转一次的期间所形成的膜的膜厚、适合于所述膜厚的最佳供给量、各供给口531的半径方向上的位置，包含于存储部74所存储的信息中。

例如，将相对于由成膜部40形成的膜的规定的膜厚而言的最内周的供给口531的最佳供给量设为a、将最内周的半径设为Lin、将最外周的半径设为Lou、将最外周的供给口531的最佳供给量设为A。首先，对得知最内周的供给口531的最佳供给量a的情况进行说明。供给量运算部从存储部74获取最内周的最佳供给量a、经过最内周的供给口531的圆的半径Lin、经过最外周的供给口531的圆的半径Lou，并基于以下式来求出最外周的最佳供给量A。

A＝a×Lou/Lin

同样地，其他供给口531的最佳供给量也可根据半径的比来求出。即，当将供给口531的最佳供给量设为Ax、将经过所述供给口531的圆的半径设为Px时，可基于以下式来求出最佳供给量Ax。

Ax＝a×Px/Lin

与此相反，在得知最外周的供给口531的最佳供给量A的情况下，可根据经过所述供给口531的圆的半径Px，并基于以下式来求出各供给口531的最佳供给量Ax。

Ax＝A×Px/Lou

如上所述，只要得知[1]在旋转体旋转一次的期间由成膜部40形成的膜的膜厚，则可自动决定来自多个供给口531的供给量。因此，与作为来自各供给口531的供给量的所假定的模式而保持多种数据的情况相比，可减少由存储部74保持的数据量。例如，在如SiON般根据组成而折射率发生变化的膜的情况下，根据成膜区域F的最内周或最外周的膜厚来自动决定各供给口531的供给量，因此只要调整N₂与O₂的混合比率，则可获得所期望的折射率的膜。

输入输出控制部76是对与作为控制对象的各部之间的信号的转换或输入输出进行控制的接口(interface)。进而，在控制装置70连接有输入装置77、输出装置78。输入装置77是用来供操作员经由控制装置70来操作等离子体处理装置100的开关、触摸屏、键盘、鼠标等输入设备。例如，可通过输入设备来输入所使用的成膜部40、膜处理部50的选择、所期望的膜厚、各靶材41A～靶材41C的施加电力、来自各供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d的工艺气体G2的供给量等。

输出装置78是将用来确认装置的状态的信息设为操作员可视认的状态的显示器、灯、仪表(meter)等输出设备。例如，输出装置78可显示来自输入装置77的信息的输入画面。所述情况下，也可利用示意图来显示靶材41A、靶材41B、靶材41C、各供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d，并使得能够选择各自的位置来输入数值。进而，还可利用示意图来显示靶材41A、靶材41B、靶材41C、各供给口531A～供给口531D、供给口531a～供给口531d，并以数值显示各自所设定的值。

[动作]

以下，参照所述图1～图10来对如上所述的本实施方式的动作进行说明。此外，虽未进行图示，但在等离子体处理装置100中，通过输送机、机械臂等搬送设备来进行保持有工件W的托盘1的搬入、搬送、搬出。

多个托盘1通过负载锁部60的搬送设备而依次搬入至真空容器20内。旋转体31使空的保持部33依次移动至从负载锁部60搬入的搬入部位。保持部33对通过搬送设备而搬入的托盘1分别个别地予以保持。如此，如图2及图3所示，保持有作为成膜对象的工件W的托盘1全部保持于旋转体31上。

相对于如上所述导入至等离子体处理装置100的工件W来形成膜的处理以如下方式进行。此外，如仅成膜部40A和仅膜处理部50A的所述般，以下动作是从成膜部40与膜处理部50中，使各自一个工作来进行成膜及膜处理的示例。但是，也可使多组成膜部40、膜处理部50工作来提高处理速率。另外，利用成膜部40和膜处理部50的成膜和膜处理的示例是形成氮氧化硅的膜的处理。形成氮氧化硅的膜是通过如下方式来进行：每次使硅以原子水平附着于工件W时，一边循环搬送工件W一边反复进行使氧离子及氮离子浸透的处理。

首先，真空室21通过排气部23而始终进行排气减压。然后，真空室21达到规定的压力后，如图2及图3所示，旋转体31旋转。由此，被保持部33保持的工件W沿着搬送路径T移动并在成膜部40A、成膜部40B、成膜部40C及膜处理部50A、膜处理部50B之上经过。旋转体31达到规定的旋转速度后，继而，成膜部40的气体供给部25将溅射气体G1供给至靶材41的周围。此时，膜处理部50的气体供给部53也将工艺气体G2供给至气体空间R。

在成膜部40中，电源部6对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加电力。由此，溅射气体G1等离子体化。在溅射源4中，通过等离子体而产生的离子等活性种碰撞靶材41来射出成膜材料的粒子。因此，在经过成膜部40的工件W的表面，在每次所述经过时，成膜材料的粒子堆积而生成膜。在所述示例中，形成硅层。

通过电源部6对各靶材41A、靶材41B、靶材41C施加的电力以随着从旋转体31的内周侧向外周侧靠近而依次变大的方式设定于存储部74。电源控制部72依据设定于所述存储部74的电力而输出指示，以使电源部6控制对各靶材41施加的电力。由于所述控制，从内周侧越靠近外周侧，利用溅射的每单位时间的成膜量越多，但从内周侧越靠近外周侧，旋转体31的经过速度越快。结果，工件W的整体膜厚变得均匀。

此外，工件W即便经过未工作的成膜部40或膜处理部50，也不进行成膜或膜处理，因此未被加热。在所述未被加热的区域中，工件W放出热。此外，所谓未工作的成膜部40，例如为成膜部位M4、成膜部位M5。另外，所谓未工作的膜处理部50，例如为膜处理部位M3。

另一方面，进行了成膜的工件W经过处理单元5中的与划定部51的开口51a相向的位置。如图8(B)所示，在处理单元5中，从气体供给部53经由供给口531而将作为工艺气体G2的氧气和氮气供给至气体空间R内，通过对线圈55b通电而形成磁场，并且经由窗部52导入来自波导管55a的微波，由此在气体空间R生成等离子体。通过所生成的等离子体而产生的氧离子及氮离子碰撞进行了成膜的工件W的表面，由此浸透至膜材料。

从供给口531导入的工艺气体G2的每单位时间的流量以越靠近旋转体31的内周侧越少、越靠近外周侧越多的方式设定于存储部74。气体控制部73依据设定于所述存储部74的流量而输出指示，以使调节部54控制在各配管53a中流通的工艺气体G2的流量。因此，关于在气体空间R中产生的每单位体积的离子等活性种的量，外周侧多于内周侧。因此，关于受活性种的量影响的膜处理量，从内周侧越靠近外周侧越多。

但是，进行膜处理的处理区域是与划定部51的开口51a为相似形状的圆角长方形。因此，处理区域的宽度即旋转方向上的宽度在整个半径方向上相同。即，处理区域在半径方向上为一定宽度。另一方面，从内周侧越靠近外周侧，工件W经过处理区域的速度越快。因此，从内周侧越靠近外周侧，工件W经过处理区域的时间越短。通过使工艺气体G2的供给量越靠近外周侧越多，从而越靠近外周侧，膜处理量越多，因此可弥补处理区域的经过时间短。结果，工件W整体的膜处理量变得均匀。

另外，在如氮氧化处理，使用两种以上的工艺气体G2来进行膜处理的情况下，需要在旋转体31旋转一次的期间，使由成膜部40形成的膜完全成为化合物膜，同时也需要使膜的组成在成膜面整体中均匀。本实施方式适合于使用两种以上的工艺气体G2来进行膜处理的等离子体处理。例如，欲形成将氮氧化硅(SiO_xN_y)的x与y的比设为1：1的膜。如此，需要对所形成的膜充分成为化合物膜时的活性种的量、与所述活性种中所含的氧与氮的比例这两者进行控制。在本实施方式中，可将工艺气体G2的供给部位设为多个，并且针对每种工艺气体G2来调节各供给部位中的工艺气体G2的供给量，因此容易对量与比例这两者进行控制。

在如上所述的形成膜的处理的期间，旋转体31继续旋转并持续循环搬送保持有工件W的托盘1。如上所述，使工件W循环而反复进行成膜与膜处理，由此形成化合物膜。在本实施方式中，在工件W的表面形成氮氧化硅的膜作为化合物膜。

经过了氮氧化硅的膜成为所期望的膜厚的规定的处理时间后，停止成膜部40和膜处理部50的工作。即，停止利用电源部6的对靶材41的电力施加、来自供给口531的工艺气体G2的供给、对线圈55b的通电、来自波导管55a的微波的导入。

如上所述，形成膜的处理完成后，搭载有工件W的托盘1通过旋转体31的旋转而依次定位于负载锁部60，并通过搬送设备而向外部搬出。

此外，也可不使位于成膜区域F外的最外周的供给口531D、供给口531d的工艺气体G2的流量成为最大而少于供给口531B、供给口531C、供给口531b、供给口531c。即，以成为供给口531A＜供给口531D＜供给口531B＜供给口531C、供给口531a＜供给口531d＜供给口531b＜供给口531c的方式设定流量。

在成膜区域F以外的位置处，工件W不会经过，因此无需供给工艺气体G2。但是，如图9所示，当划定部51在成膜区域F外富余地形成时，若完全不向成膜区域F的外侧供给工艺气体G2，则在成膜区域F的内周端附近或外周端附近，产生工艺气体G2向成膜区域F外的扩散。结果，在成膜区域F的内周端附近或外周端附近，处理速率降低。因此，优选为也预备性地向成膜区域F外供给工艺气体G2。此时的工艺气体G2可为弥补由扩散所导致的减少量的量，因此根据与成为所述富余量的区域的大小的关系，只要为可防止扩散的程度的量即可。但是，也有时产生使供给量多于供给口531C、供给口531c的需要。

如上所述，位于成膜区域F外的供给口531A、供给口531a、供给口531D、供给口531d可从根据经过时间且利用调节部54来进行的工艺气体G2的调节对象中排除。

另外，关于位于成膜区域F外的供给口531D、供给口531d，参与膜处理的程度低，无需将工艺气体G2的流量设为最大，但即便少量，也会供给工艺气体G2，由此可进一步使膜处理的程度均匀。认为所述情况对于内周侧的供给口531A、供给口531a而言也相同。即，通过将供给口531设置于成膜区域F外，也可获得使膜处理的程度均匀化等效果。

[作用效果]

(1)本实施方式包括：真空容器20，能够将内部设为真空；搬送部30，具有设置于真空容器20内且搭载工件W而旋转的旋转体31，并通过使旋转体31旋转而以圆周的搬送路径T循环搬送工件W；划定部51，具有侧壁部51c以及开口51a，侧壁部51c划定导入有工艺气体G2的气体空间R的一部分，开口51a与真空容器20的内部的搬送路径T相向；气体供给部53，将工艺气体G2供给至气体空间R；以及等离子体源55，使导入有工艺气体G2的气体空间R中产生等离子体，所述等离子体用来对经过搬送路径T的工件W进行等离子体处理，气体供给部53从旋转体31的表面经过进行等离子体处理的处理区域的时间不同的多个供给部位供给工艺气体G2，且具有调节部54，所述调节部54根据经过处理区域的时间，来对多个供给部位的每单位时间的工艺气体G2的供给量个别地进行调节。

因此，可根据旋转体31的表面的经过速度不同的位置，来调节对通过旋转体31而循环搬送的工件W进行的等离子体处理的程度。因此，可使对工件W进行的处理的程度均匀化，或改变所期望的位置的处理程度等，来进行所期望的等离子体处理。关于所述情况，旋转体31的直径越大且成膜区域F的宽度越大，即成膜区域F的内周侧与外周侧的圆周速度之差越大越有效。

(2)调节部54根据与搬送路径T交叉的方向上的位置，来调节从各供给部位导入的工艺气体G2的供给量。因此，可根据旋转体31的表面的经过速度不同的位置，来对多个供给部位的工艺气体G2的供给量个别地进行调节。

(3)多个供给部位配设于气体空间R中的相向的位置，且配设于沿着搬送路径T的方向上。因此，可在短时间内使工艺气体G2遍布于气体空间R内。

(4)调节部54根据形成于工件W的膜的膜厚和旋转体31的表面经过进行等离子体处理的处理区域的时间，来调节从各供给部位供给的工艺气体G2的供给量。因此，可进行与膜厚相适应的膜处理。

(5)本实施方式具有被旋转体31保持且保持工件W的多个托盘1，在托盘1的与划定部51相向的面和划定部51的侧壁部51c中的与旋转体31相向的面之间，具有被托盘1保持的工件W能够经过的间隙，且侧壁部51c具有凹部51b，所述凹部51b沿着工件W的设置于与划定部51相向的面的凸部Cp。

因此，当工件W经过划定部51的相向面与旋转体31之间时，可减小相向面与旋转体31之间的间隔，可防止由工艺气体G2的泄漏导致的压力的下降。另外，通过将多个工件W以减小相互的间隔的方式配置，在一个工件W经过后，下一个工件W立即到达，并使划定部51与旋转体31之间的间隙连续变窄，因此工艺气体G2更难以泄漏。另外，可防止由溅射气体G1流入气体空间R引起的污染，从而可防止膜处理速率的降低。进而，可防止从气体空间R流出的工艺气体G2流入成膜部40而导致污染，从而防止利用靶材41的反应的成膜速率的降低、电弧的产生、粒子的产生。

(6)旋转体31在设置真空容器20的设置面侧保持工件W，划定部51的开口51a从设置面侧与工件W相向。因此，由于工件W的处理对象面Sp朝向设置面侧，故可防止灰尘、尘土、附着于装置内的成膜材料等因重力而落下并附着于工件W。此外，此处所说的设置面是楼板面或地面等相对于真空容器20而存在于顺应重力的方向上的面。

(7)供给口531设置于与成膜部40形成膜的区域对应且沿着搬送路径T的圆环状的区域即成膜区域F内，并且也设置于成膜区域F外，设置于成膜区域F外的供给口531从利用调节部54的工艺气体G2的供给量的调节对象中排除。

如上所述，即便为成膜区域F外，也供给工艺气体G2，由此可防止成膜区域F的端部中的工艺气体G2的流量不足。例如，即便最外周的供给口531或最内周的供给口531为成膜区域F外，也供给工艺气体G2，由此可实现膜处理的均匀化。但是，关于最外周的成膜区域F外，即便不设为最大流量，也不会导致成膜区域F内的流量不足，因此可节约流量。即，成膜区域F外的工艺气体G2的供给部位作为弥补成膜区域F内的工艺气体G2的流量的辅助供给部位、辅助供给口而发挥功能。

[变形例]

本发明的实施方式也包含如下变形例。

(1)工艺气体G2的供给口531也可设置于划定部51。例如，也可使气体供给部53中的各配管53a的前端延伸设置至形成于划定部51的供给口531。也可将配管53a的前端的直径减小而设为喷嘴状。在所述情况下，不仅在成膜区域F中，还可在成膜区域F外也配设配管53a，从而也作为弥补成膜区域F的工艺气体G2的流量的辅助供给口、辅助供给喷嘴而发挥功能。

(2)气体供给部53供给工艺气体G2的部位的数量、供给口531的数量只要是旋转体的表面的经过速度不同的多个部位即可，并不限定于以上所例示的数量。通过在成膜区域F内一列设置三个以上，可进行与处理位置对应的更细微的流量控制。另外，越增加供给部位、供给口531的数量，则使气体流量的分布越接近线性，可防止局部的处理偏差。也可将供给口531设为任意的一列，而不设置于划定部51的相向的两列中。另外，也可将供给口531排列于在高度方向上错开的位置，而不排列于直线上。

(3)调节部54的构成并不限定于所述示例。也可为在各配管53a设置手动的阀而通过手动来进行调节的实施方式。只要可调节工艺气体G2的供给量即可，因此可将压力设为一定而通过阀的开关来进行调节，也可使压力升降。也可通过供给口531来实现调节部54。例如，也可根据旋转体的表面的经过速度不同的位置，设置不同直径的供给口531，从而调节工艺气体G2的供给量。也可将供给口531更换为直径不同的喷嘴。另外，也可通过挡板(shutter)等来变更供给口531的直径。

(4)速度是每单位时间所移动的距离，因此可根据与在径向上经过处理区域所需的时间的关系，来设定来自各供给口的工艺气体G2的供给量。

(5)划定部51、窗部52的形状也不限定于所述实施方式中所例示的形状。水平剖面也可为方形、圆形、椭圆形。但是，在为内周侧与外周侧的间隔相等的形状的情况下，由于内周侧与外周侧的工件W的经过时间不同，因此更容易与处理时间的差对应地调节工艺气体G2的供给量。

(6)通过将多个托盘1保持于旋转体31，多个托盘1的相向面11可形成为具有沿着圆周的轨迹连续地成为同一面的部分。此处，所谓多个托盘1的相向面11成为同一面，是指各托盘1的相向面11中的对应的部位彼此成为实质上同一高度的情况。例如，如图11所示，托盘1和旋转体31以如下方式形成：当将托盘1的相向部X1嵌入至保持部33的开口31a时，托盘1的相向面11和旋转体31的与划定部51相向的面沿着圆周的轨迹连续地成为同一面。在所述情况下，在开口31a与相向面11的边界处可形成有微小的槽。

由此，与工件W的表面和划定部51或屏蔽构件8之间的间隔相比，可防止托盘1的表面和划定部51或屏蔽构件8之间的间隔极端地扩大，从而进一步抑制反应气体G的泄漏。另外，在包含使用不同的反应气体G的处理部的情况下，可进一步防止由反应气体G的泄漏引起的相互污染。

进而，工件W的处理对象面Sp与托盘1的相向面11也可形成为具有沿着圆周的轨迹连续地成为同一面的部分。例如，如图12所示，在托盘1，可设置供工件W嵌入的嵌入部11b。嵌入部11b是埋入工件W的厚度方向上的一部分或全部的凹口。以托盘1的表面与工件W的处理对象面Sp成为同一面的方式设定嵌入部11b的深度。

由此，可减少工件W的处理对象面Sp与托盘1的表面的高低差，防止工件W以外的托盘1的表面与屏蔽构件8、划定部51的间隙扩大，从而进一步抑制反应气体G的泄漏。

另外，也可不使用托盘1，而通过旋转体31或设置于旋转体31的保持部来直接保持工件W。在所述情况下，例如如图13所示，也将工件W嵌入至形成于旋转体31的下表面31c的凹口31d中，由此工件W与旋转体31也可形成为具有沿着圆周的轨迹连续地成为同一面的部分。

(7)托盘1的形状、旋转体31的形状不限定于所述形状。例如，也可将托盘1的形状设为沿着工件W的凹凸的形状。即，在所述示例中，托盘1具有简单的沿着凹部Rp的凸部11a，但在工件W具有凹凸的情况下，可将托盘1的相向面11设为沿着工件W的凹凸的形状，从而可稳定地保持工件W。

(8)也可不在托盘1、旋转体31设置沿着工件W的形状的凹凸。即，只要是能够稳定地保持工件W的构成，则也可使托盘1、旋转体31的工件W的保持面平坦。例如，如图14所示，也可使托盘1的相向面11平坦，并将工件W保持于所述相向面11。

(9)也可设为通过在托盘1设置支承工件W的缘部的保持部，来保持工件W的构成。例如，如图15(A)、图15(B)所示，在托盘1形成沿上下方向贯通的多个开口16。图15(A)是具有凸部Cp的工件W的情况的示例，图15(B)是平板状的工件W的情况的示例。此处，开口16的支撑部X2侧比相向部X1侧大一圈。更具体而言，开口16的支撑部X2侧成为可将工件W放入托盘1的内部的大小的***部16a。

另外，开口16的相向部X1侧成为向内侧***而可保持托盘1的保持部16b。保持部16b的内周是与工件W的外形大致相同的形状，但比工件W小一圈，因此保持从***部16a***的工件W的处理对象面Sp的外周。此外，在此种示例中，托盘1的自重由保持部16b支承，因此不需要设置用来保持工件W的复杂的机构。此外，也可设为将此种保持部16b形成于旋转体31中所设置的开口，从而利用旋转体31保持工件W的构成。

(10)由搬送部同时搬送的托盘1、工件W的数量、对它们加以保持的保持部33、保持部16b的数量只要为至少一个即可，并不限定于所述实施方式中所例示的数量。即，可为循环搬送一个工件W的实施方式，也可为循环搬送两个以上的工件W的实施方式。还可为将工件W在径向上排列两列以上并循环搬送的实施方式。

(11)在所述实施方式中，将旋转体31设为旋转平台，但旋转体31并不限定于平台形状。也可为在从旋转中心呈放射状延伸的臂上保持托盘或工件并旋转的旋转体31。真空容器20的设置面不限定于楼板面或地面，也可位于顶板等上侧。另外，成膜部40和膜处理部50也可位于真空容器20的顶板侧，成膜部40和膜处理部50与旋转体31的上下关系也可相反。在所述情况下，当旋转体31的旋转平面在水平方向上延伸存在时，配设有保持部33的旋转体31的表面为朝向上方的面，即上表面。屏蔽构件8的开口80、划定部51的开口51a朝向下方。

在所述实施方式中，说明了在水平配置的旋转体31的下表面设置保持部33，使所述旋转体31在水平面内旋转，在所述旋转体31的下方配置成膜部40和膜处理部50的情况，但并不限定于此。例如，旋转体31的配置并不限于水平，也可垂直地配置，还可相对于垂直或水平而倾斜地配置。另外，保持部33也可设置于旋转体31的两个面。即，本发明中，旋转体31的旋转平面的方向可为任意方向，保持部33的位置、成膜部40、膜处理部50的位置只要处于成膜部40、膜处理部50与被保持部33保持的工件W相向的位置即可。

(12)作为等离子体源55，并不限定于所述装置。不仅可为利用ECR等离子体的装置，还可为利用其他原理而使气体空间R中产生等离子体的装置。例如，也可以是使气体空间R中产生电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)的装置。此种装置在气体空间R的外部且为窗部52的附近具有天线。通过对天线施加电力，气体空间R的工艺气体G2电离，产生等离子体。利用所述等离子体对经过搬送路径T的工件W进行处理。

(13)进行等离子体处理的工件W的种类、形状和材料并不限定于特定的种类、形状和材料。例如，可使用在与成膜部40、膜处理部50相向的处理对象面Sp具有凹部的工件W。另外，也可使用在处理对象面Sp具有凹凸部的工件W。在此种情况下，可将屏蔽构件8、划定部51的与工件W相向的一侧设为沿着工件W的凹部或凹凸部的形状。

进而，如上所述，也可使用处理对象面Sp为平坦面的工件W。另外，也可使用包含金属、碳等导电性材料的工件、包含玻璃或橡胶等绝缘物的工件、包含硅等半导体的工件。另外，进行等离子体处理的工件W的数量也不限定于特定的数量。保持部33可为保持托盘1的槽、突起、夹具、固定器等，也可由机械卡盘、粘合卡盘等构成。

(14)关于成膜材料，可应用能够通过溅射来成膜的各种材料。例如，可应用钽、钛、铝等。作为用来形成化合物的材料，不仅可应用氮、氧，还可应用各种材料。

(15)成膜部40中的靶材41的数量不限定于三个。可将靶材41设为一个，也可设为两个，还可设为四个以上。通过增加靶材41的数量来调节施加电力，可实现更细微的膜厚控制。

(16)成膜部40、膜处理部50的数量不限定于特定的数量。可将成膜部40、膜处理部50分别设为一个，也可设为两个，还可设为四个以上。可增加成膜部的数量来提高成膜速率。与此对应，也增加膜处理部50的数量，可提高膜处理速率。在具有多个膜处理部50的情况下，可通过各个调节部54以如上方式调节气体流量。进而，也可在径向上配置多个膜处理部50。

(17)成膜部40中的屏蔽构件8也可理解成划定部，所述划定部划定导入有溅射气体G1的气体空间的一部分，且具有与真空容器20的内部的搬送路径T相向的开口。所述情况下的气体空间是形成于屏蔽构件8的内部与旋转体31之间的空间，通过旋转体31循环搬送的工件W反复经过此空间。即，气体空间不仅包括屏蔽构件8的内部的空间，还包括与和开口80相向的旋转体31之间的空间。关于成膜部40的气体供给部25，也可设为如下构成：从旋转体31的表面经过进行等离子体处理的处理区域的时间不同的多个供给部位供给溅射气体G1，且具有调节部，所述调节部根据经过时间，来对多个供给部位的每单位时间的溅射气体G1的供给量个别地进行调节。

(18)本发明可具有成膜部40，也可不具有成膜部40。即，并不限定于进行成膜的等离子体处理装置100。另外，并不限定于进行膜处理的等离子体处理装置100，也可广泛应用于利用由等离子体产生的活性种来对处理对象进行处理的等离子体处理装置100。例如，也可构成为如下等离子体处理装置100：在所述实施方式的基础上、或者省略成膜部和膜处理部两者或其中一者，而具有使气体空间内产生等离子体，来进行蚀刻、灰化等表面改性、清洁等的处理单元。在所述情况下，例如，可将处理单元设为线性离子源。另外，例如，可考虑将氩气等惰性气体设为工艺气体G2。

(19)真空容器20的形状并不限定于圆筒形。也可为长方体形等多边筒形。

(20)以上，对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但所述实施方式或各部的变形例作为一例而提出，并不意图限定发明的范围。上述的这些新颖的实施方式可以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内可进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或主旨内，并且包含于权利要求所记载的发明内。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

真空容器，能够将内部设为真空；

搬送部，具有设置于所述真空容器内且保持工件而旋转的旋转体，并通过使所述旋转体旋转而以圆周的搬送路径循环搬送所述工件；

划定部，具有侧壁部以及开口，所述侧壁部划定导入有反应气体的气体空间的一部分，所述开口与所述真空容器的内部的所述搬送路径相向；

气体供给部，将所述反应气体供给至所述气体空间；以及

等离子体源，使导入有所述反应气体的所述气体空间中产生等离子体，所述等离子体用来对经过所述搬送路径的所述工件进行等离子体处理，

所述气体供给部从所述旋转体的表面经过进行所述等离子体处理的处理区域的时间不同的多个供给部位供给所述反应气体，且

具有调节部，所述调节部根据所述经过时间，来对所述多个供给部位的每单位时间的所述反应气体的供给量个别地进行调节。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中

所述调节部根据与所述搬送路径交叉的方向上的位置，来调节从各供给部位导入的所述反应气体的供给量。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中

所述多个供给部位配设于所述气体空间中的相向的位置，且配设于沿着所述搬送路径的方向上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中

所述调节部根据形成于所述工件的膜的膜厚和所述经过时间，来调节从各供给口供给的所述反应气体的供给量。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中

所述工件在进行所述等离子体处理的处理对象面具有凸部，

在所述划定部的所述侧壁部中的与所述旋转体相向的面和所述旋转体之间，具有被所述旋转体保持的所述工件能够经过的间隙，

所述侧壁部具有沿着所述工件的所述凸部的凹部。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中

保持所述工件的多个托盘被所述旋转体保持，

在所述划定部的所述侧壁部中的与所述旋转体相向的面和所述托盘之间，具有被所述托盘保持的所述工件能够经过的间隙，

所述托盘具有沿着所述侧壁部的凹部的凸部。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中

所述旋转体中的与所述划定部相向的面和多个所述托盘中的与所述划定部相向的面具有沿着所述圆周的轨迹而连续地成为同一面的部分。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其中

所述旋转体在设置所述真空容器的设置面侧保持所述工件，

所述划定部的所述开口从所述设置面侧与所述工件相向。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其中所述等离子体源是使所述气体空间中产生电子回旋共振等离子体的装置。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其中

所述等离子体源是使所述气体空间中产生电感耦合等离子体的装置。

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