CN110858630A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示设备。所述显示设备包括：基底，包括显示区域和位于显示区域外侧的***区域；无机绝缘层，堆叠在基底上并且位于显示区域和***区域中；有机绝缘层，位于无机绝缘层上；贯穿部分，位于显示区域中并且穿透基底、无机绝缘层和有机绝缘层；以及至少一个凹槽，围绕贯穿部分，其中，无机绝缘层的端部在所述至少一个凹槽的外侧处被有机绝缘层覆盖，所述端部面对贯穿部分。

Description

显示设备
本申请要求于2018年8月24日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0099429号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备可以在前表面上没有物理按钮以增大用于显示图像的显示区域。诸如照相机的附加构件可以布置在显示设备的显示区域中。为了在显示区域中定位诸如照相机的附加构件，在显示区域中设置其中可以定位有附加构件的凹槽或贯穿部分。然而，凹槽或贯穿部分会充当外部湿气可通过其进入显示区域中的湿气渗透路径。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域和位于显示区域外侧的***区域；无机绝缘层，堆叠在基底上并且位于显示区域和***区域中；有机绝缘层，位于无机绝缘层上；贯穿部分，位于显示区域中并且穿透基底、无机绝缘层和有机绝缘层；以及至少一个凹槽，围绕贯穿部分，其中，无机绝缘层的端部在所述至少一个凹槽的外侧处被有机绝缘层覆盖，所述端部面对贯穿部分。
所述至少一个凹槽可以包括围绕贯穿部分的第一凹槽以及与第一凹槽分隔开并围绕第一凹槽的第二凹槽，第一区域位于显示区域与第二凹槽之间，第二区域位于第一凹槽与第二凹槽之间，并且第三区域位于第一凹槽与贯穿部分之间，并且在第一区域中，无机绝缘层的所述端部可以被有机绝缘层覆盖。
显示设备可以包括薄膜晶体管，薄膜晶体管在显示区域中位于基底上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，其中，无机绝缘层可以包括第一无机绝缘层和第二无机绝缘层中的至少一个，第一无机绝缘层位于半导体层与栅电极之间，第二无机绝缘层位于栅电极与源电极和漏电极之间。
显示设备还可以包括薄膜晶体管和显示器件，其中，薄膜晶体管在显示区域中位于基底上，并且显示器件电连接到薄膜晶体管，其中，有机绝缘层可以包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的至少一个，其中，第一有机绝缘层覆盖薄膜晶体管，并且第二有机绝缘层位于第一有机绝缘层上。
在第一区域中，无机绝缘层的远离第一有机绝缘层突出的所述端部可以被第二有机绝缘层覆盖。
显示器件可以包括中间层、像素电极和对电极，并且第二有机绝缘层可以使像素电极的至少一部分暴露。
无机绝缘层可以位于第一区域和第三区域中，并且可以不位于第二区域中。
包括与有机绝缘层中包括的材料相同的材料的阻挡部分可以位于第二区域中。
基底还可以包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层，第一凹槽和第二凹槽可以均从第二阻挡层延伸到第二基体层的一部分，并且第二阻挡层可以包括一对第一尖端和一对第二尖端，所述一对第一尖端在第一凹槽的敞开的上部处彼此面对并朝向彼此延伸，并且所述一对第二尖端在第二凹槽的敞开的上部处彼此面对并朝向彼此延伸。
显示设备还可以包括位于有机绝缘层上的封装层，其中，封装层可以包括第一无机封装层、第二无机封装层和位于第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层，有机封装层可以填充第二凹槽，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在第一凹槽中彼此接触。
根据本发明构思的示例性实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域和位于显示区域外侧的***区域；薄膜晶体管和显示器件，薄膜晶体管在显示区域中位于基底上，并且显示器件电连接到薄膜晶体管；至少一个贯穿部分，位于显示区域中并且垂直地穿透基底和堆叠在基底上的多个层；以及至少一个凹槽，围绕所述至少一个贯穿部分，其中，薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，所述多个层包括位于半导体层与栅电极之间的第一无机绝缘层、位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二无机绝缘层以及位于薄膜晶体管上的有机绝缘层，并且第一无机绝缘层的端部和第二无机绝缘层的端部被有机绝缘层覆盖，第一无机绝缘层的所述端部和第二无机绝缘层的所述端部在所述至少一个凹槽的外侧处面对所述至少一个贯穿部分。
所述至少一个凹槽可以包括彼此分隔开的第一凹槽和第二凹槽，第一区域位于显示区域与第二凹槽之间，第二区域位于第一凹槽与第二凹槽之间，并且第三区域位于第一凹槽与所述至少一个贯穿部分之间，并且在第一区域中，有机绝缘层的端部可以比第一无机绝缘层的面对所述至少一个贯穿部分的所述端部和第二无机绝缘层的面对所述至少一个贯穿部分的所述端部更靠近第二凹槽。
基底可以包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层，第一凹槽和第二凹槽均可以从第二阻挡层延伸到第二基体层的一部分，并且第一凹槽的敞开的上部的宽度可以小于第一凹槽的内部的宽度，并且第二凹槽的敞开的上部的宽度可以小于第二凹槽的内部的宽度。
第二阻挡层可以包括一对第一尖端和一对第二尖端，所述一对第一尖端具有在第一凹槽的敞开的上部处彼此面对的悬臂形状，并且所述一对第二尖端具有在第二凹槽的敞开的上部处彼此面对的悬臂形状。
显示设备还可以包括位于有机绝缘层上的封装层，封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和位于第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层，其中，有机封装层可以填充第二凹槽，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在第一凹槽中彼此接触。
显示器件可以包括中间层、像素电极和对电极，并且有机绝缘层可以包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，第一有机绝缘层覆盖薄膜晶体管，第二有机绝缘层位于第一有机绝缘层上并使像素电极的至少一部分暴露。
在第一区域中，第一无机绝缘层的所述端部和第二无机绝缘层的所述端部可以被第一有机绝缘层覆盖。
在第一区域中，第一无机绝缘层的所述端部和第二无机绝缘层的所述端部可以远离第一有机绝缘层突出，并且第一无机绝缘层的远离第一有机绝缘层突出的所述端部和第二无机绝缘层的远离第一有机绝缘层突出的所述端部可以被第二有机绝缘层覆盖。
阻挡部分可以位于第二区域中，阻挡部分可以包括第一层和第二层中的至少一个，其中，第一层可以包括与第一有机绝缘层的材料相同的材料，第二层可以包括与第二有机绝缘层的材料相同的材料。
第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和有机绝缘层可以位于第一区域和第三区域中，并且不位于第二区域中。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的平面图；
图2是根据本发明构思的示例性实施例的沿图1中的线I-I’和线II-II’截取的剖视图；
图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中的部分A的放大图的平面图；
图4是根据本发明构思的示例性实施例的图3的贯穿部分的平面图；
图5是根据本发明构思的示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图；
图6是根据本发明构思的另一示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图；
图7是根据本发明构思的另一示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图；以及
图8是根据本发明构思的另一示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图来描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。
除非以单数形式使用的表达在上下文中具有清楚地不同的含义，否则以单数形式使用的表达包含复数形式的表达。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接形成在所述另一层、区域或组件上，或者可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。另外，在整个说明书中，同样的附图标记可以指同样的元件。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示设备10的平面图，图2是根据本发明构思的示例性实施例的沿图1的线I-I’和线II-II’截取的剖视图。
参照图1和图2，根据本实施例的显示设备10包括用于显示图像的显示区域DA和位于显示区域DA的外部上的***区域PA。基底100包括显示区域DA和***区域PA。
显示器件位于显示区域DA中，***区域PA可以包括电附着有各种电子器件、印刷电路板等的垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)区域。
电连接到显示器件的薄膜晶体管210可以位于显示区域DA中。图2示出了有机发光器件300作为显示器件位于显示区域DA中。有机发光器件300电连接到薄膜晶体管210可以表示有机发光器件300的像素电极310电连接到薄膜晶体管210。
至少一个贯穿部分H可以位于显示区域DA中。贯穿部分H可以是用于容纳附加构件的空间。附加构件可以用于执行显示设备10的功能或者为显示设备10添加新功能。例如，可以在显示区域DA中设置多个贯穿部分H，并且诸如传感器、光源、照相机模块等的附加构件可以位于贯穿部分H中。
由于贯穿部分H是在竖直方向上穿透基底100和堆叠在基底100上的多个层的区域，因此外部湿气或氧会通过显示设备10的在贯穿部分H中暴露的竖直剖面进入显示设备10中。然而，根据本实施例，围绕贯穿部分H的至少一个凹槽被设置，因此可以防止湿气的渗透。将参照图3等详细描述贯穿部分H，并且下面将参照图2描述显示设备10的构造。
基底100可以包括各种材料。当显示设备10是其中穿过基底100显示图像的底发射型时，基底100包括透明材料。然而，在显示设备10是其中在与基底100相对的方向上显示图像的顶发射型的情况下，基底100可以不具有透明材料。在这种情况下，基底100可以包括金属。当基底100包括金属时，基底100可以包括铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、因科镍合金(Inconel alloy)或可伐合金(Kovar alloy)。
作为示例，基底100可以包括其中第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104顺序地堆叠的多层结构。
第一基体层101和第二基体层103可以包括例如包括SiO2作为主要成分的透明玻璃材料。然而，第一基体层101和第二基体层103不限于此，换言之，第一基体层101和第二基体层103可以包括透明塑料材料。塑料材料可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)等。
第一基体层101和第二基体层103的厚度可以彼此相同或不同。例如，第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚酰亚胺，并且可以具有约3μm至约20μm的厚度。
第一阻挡层102和第二阻挡层104防止外部异物通过基底100渗透到显示设备10中，并且可以具有包括诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层结构或多层结构。例如，第一阻挡层102可以具有多层结构，该多层结构包括用于增大相邻层之间的粘合力的非晶硅层以及氧化硅层，第二阻挡层104可以包括氧化硅层。另外，第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以具有约至约的厚度，但是不限于此。
缓冲层可以进一步布置在基底100上。缓冲层可以在基底100的上部上提供平坦表面，并且可以阻挡通过基底100渗透的杂质或湿气。例如，缓冲层可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等的无机材料或者诸如聚酰亚胺、聚酯、亚克力等的有机材料，并且可以具有包括选自于上述材料的多种材料的堆叠结构。在本发明构思的一些实施例中，基底100的第二阻挡层104可以是具有多层结构的缓冲层的一部分。
薄膜晶体管210布置在基底100的显示区域DA中，并且电连接到薄膜晶体管210的显示器件也布置在显示区域DA中。图2示出了有机发光器件300作为显示器件。薄膜晶体管也可以布置在基底100的***区域PA中。位于***区域PA中的薄膜晶体管可以是例如用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路的一部分。
薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217，半导体层211包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。另外，当缓冲层布置在基底100上时，半导体层211可以位于缓冲层上。
栅电极213布置在半导体层211上，并且源电极215和漏电极217根据施加到栅电极213的信号彼此电连接。栅电极213可以包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或更多种，并且可以具有单层或多层结构。这里，为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘性质，包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料的第一无机绝缘层120可以置于半导体层211与栅电极213之间。
第二无机绝缘层130可以布置在栅电极213上，第二无机绝缘层130可以包括包含诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料的单层或多层结构。
源电极215和漏电极217布置在第二无机绝缘层130上。源电极215和漏电极217经由形成在第二无机绝缘层130和第一无机绝缘层120中的接触孔电连接到半导体层211。考虑到导电性质，源电极215和漏电极217可以包括例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的一种或更多种，并且可以具有单层或多层结构。
用于覆盖薄膜晶体管210的保护层可以被布置为保护具有上述结构的薄膜晶体管210。保护层可以包括例如诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。保护层可以具有单层或多层结构。
第一有机绝缘层140可以布置在薄膜晶体管210上。例如，如图2中所示，当有机发光器件300布置在比薄膜晶体管210高的位置处时，第一有机绝缘层140覆盖薄膜晶体管210，以使由薄膜晶体管210形成的弯曲平坦化。第一有机绝缘层140可以包括例如诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机绝缘材料。在图2中，第一有机绝缘层140具有单层结构，但是第一有机绝缘层140可以具有多层结构。根据本实施例的显示设备10可以包括保护层和第一有机绝缘层140两者，或者可以仅包括第一有机绝缘层140。
在基底100的显示区域DA中，有机发光器件300包括像素电极310、对电极330以及在像素电极310与对电极330之间的具有发射层的中间层320。有机发光器件300布置在第一有机绝缘层140上。
第一有机绝缘层140包括用于使薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217中的至少一个暴露的开口。像素电极310布置在第一有机绝缘层140上，像素电极310通过经由开口接触源电极215和漏电极217中的一个而电连接到薄膜晶体管210。
像素电极310可以是半透明电极或反射电极。当像素电极310是半透明电极时，像素电极310可以包括例如ITO、IZO、In2O3、IGO或AZO。当像素电极310是反射电极时，像素电极310可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、其混合物等的反射层以及包含ITO、IZO、In2O3、IGO或AZO的层。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，像素电极310可以包括各种材料，并且可以具有各种结构，例如单层或多层结构。
第二有机绝缘层150可以布置在第一有机绝缘层140上。第二有机绝缘层150包括对应于每个子像素的开口(换言之，至少使像素电极310的中心暴露的开口)以限定像素。另外，在如图2中所示的示例中，第二有机绝缘层150增大了像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧。第二有机绝缘层150可以包括例如有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、HMDSO等。
有机发光器件300的中间层320包括发射层。发射层可以包括发射预定颜色光的聚合物或低分子量有机材料。另外，中间层320可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的至少一个功能层。功能层可以包括有机材料。另外，包括在中间层320中的多个层中的一些层(例如，功能层)可以遍布多个有机发光器件300一体地设置。
对电极330可以覆盖显示区域DA。对电极330遍布多个有机发光器件300一体地设置以对应于多个像素电极310。对电极330可以是半透明电极或反射电极。当对电极330是半透明电极时，对电极330可以包括包含小逸出功的金属(换言之，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其混合物)的层以及半透明导电层，半透明导电层包括ITO、IZO、ZnO、In2O3等。当对电极330是反射电极时，对电极330可以包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其混合物的层。由于可以进行各种修改，因此包括在对电极330中的结构和材料不限于上述示例。
为了使显示设备10显示图像，将预先设定的电信号施加到对电极330。为此，电压线420位于***区域PA中，以将预先设定的电信号传输到对电极330。电压线420可以是共电源电压(ELVSS)线。
可以通过使用与显示区域DA中的各种导电层的材料相同的材料来形成电压线420。另外，电压线420可以与导电层同时形成。在图2中，与在显示区域DA中薄膜晶体管210的位于第二无机绝缘层130上的源电极215和漏电极217一样，电压线420在***区域PA中位于第二无机绝缘层130上。在这种情况下，当在第二无机绝缘层130上布置显示区域DA中的薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217时，通过使用与源电极215和漏电极217的材料相同的材料，在***区域PA中也在第二无机绝缘层130上布置电压线420。因此，电压线420可以具有与源电极215和漏电极217的结构相同的结构。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，可以通过使用与栅电极213的材料相同的材料，在第一无机绝缘层120上与栅电极213同时布置电压线420。
对电极330可以直接接触电压线420，或者可以如图2中所示经由导电保护层421电连接到电压线420。导电保护层421位于第一有机绝缘层140上并且在电压线420上方延伸以电连接到电压线420。因此，对电极330在***区域PA中与导电保护层421接触，导电保护层421也可以在***区域PA中接触电压线420。
由于如图2中所示导电保护层421位于第一有机绝缘层140上，因此，可以通过使用与显示区域DA中的第一有机绝缘层140上的组件的材料相同的材料，与所述组件同时布置导电保护层421。例如，当像素电极310布置在显示区域DA中的第一有机绝缘层140上时，可以通过使用与像素电极310的材料相同的材料，同时在***区域PA中的第一有机绝缘层140上布置导电保护层421。因此，导电保护层421可以具有与像素电极310的结构相同的结构。如图2中所示，导电保护层421可以覆盖电压线420的被暴露的而未被第一有机绝缘层140覆盖的部分。如此，在布置第一限制坝610或第二限制坝620的工艺期间，可以防止对暴露于第一有机绝缘层140外部的电压线420的损坏。
另外，为了防止诸如外部氧或湿气的杂质通过第一有机绝缘层140渗透到显示区域DA中，如图2中所示，第一有机绝缘层140可以在***区域PA中具有开口140b。开口140b可以围绕显示区域DA。另外，当布置导电保护层421时，开口140b可以填充有导电保护层421。如此，可以防止渗透到***区域PA中的第一有机绝缘层140中的杂质渗透到显示区域DA中的第一有机绝缘层140。
用于提高从有机发光器件300发射的光的效率的盖层160位于对电极330上。盖层160覆盖对电极330，并且延伸到对电极330的外部以接触位于对电极330下方的导电保护层421。对电极330覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA的外部，因此，盖层160也覆盖显示区域DA并且在显示区域DA的外部上延伸到***区域PA。盖层160包括有机材料。
如上所述，盖层160提高了从有机发光器件300发射的光的效率。例如，可以提高对外部的光提取效率。由于盖层160引起的效率提高可以在整个显示区域DA中均匀地存在。另外，盖层160可以具有与其下层的上表面的弯曲对应的上表面。换言之，如图2中所示，当盖层160位于对电极330上时，盖层160的上表面可以具有与对电极330的上表面的弯曲对应的形状。
封装层500位于盖层160上。封装层500保护有机发光器件300免受外部湿气或氧的影响。为此，封装层500在显示区域DA的外部上延伸到***区域PA，并且覆盖有机发光器件300所在的显示区域DA。封装层500可以具有多层结构。例如，如图2中所示，封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
第一无机封装层510覆盖盖层160，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如图2中所示，由于第一无机封装层510沿封装层500的下部结构布置，因此第一无机封装层510可以具有不平坦的上表面。有机封装层520覆盖第一无机封装层510并且具有足够大的厚度，使得有机封装层520的上表面可以遍及整个显示区域DA基本是平坦的。有机封装层520可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的一种或更多种。第二无机封装层530覆盖有机封装层520，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层530延伸到有机封装层520的外部以接触第一无机封装层510，因此，有机封装层520不暴露于外部。
如上所述，由于封装层500包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530，因此即使在封装层500中出现裂纹时，裂纹也可以在第一无机封装层510与有机封装层520之间或者在有机封装层520与第二无机封装层530之间断开。如此，可以防止或减少外部湿气或氧通过其进入显示区域DA的渗透路径的产生。
在布置封装层500的同时，封装层500之下的结构会破裂。例如，第一无机封装层510可以通过化学气相沉积方法产生，并且当通过化学气相沉积方法来产生第一无机封装层510时，会损坏第一无机封装层510正下方的层。因此，当第一无机封装层510直接布置在盖层160上时，会损坏可增加从有机发光器件300发射的光的效率的盖层160，并且显示设备10的光效率会降低。因此，为了防止在布置封装层500的同时对盖层160的损坏，可以在盖层160与封装层500之间设置保护层170。保护层170可以包括LiF。
如上所述，盖层160在显示区域DA的外部上延伸到***区域PA，并且覆盖显示区域DA。因此，保护层170延伸到盖层160的外部以不允许盖层160和封装层500彼此直接接触。在这种情况下，保护层170覆盖盖层160的末端160a，因此保护层170的末端170a位于第一有机绝缘层140上。例如，如图2中所示，保护层170的末端170a直接接触第一有机绝缘层140上的导电保护层421。
因此，封装层500中的最下面的层(换言之，第一无机封装层510)不接触包括有机材料的盖层160。相反，第一无机封装层510接触包括诸如LiF的无机材料的保护层170，因此，可以保持封装层500与封装层500下方的层之间的粘合力。如此，在显示设备10的制造期间或在其制造后使用显示设备10时，可以防止或减少封装层500与其下方的层的分离。
另外，当布置封装层500(具体地，布置有机封装层520)时，用于形成有机封装层520的材料位于预设区域内。为此，如图2中所示，第一限制坝610可以位于***区域PA中。例如，如图2中所示，第一有机绝缘层140以及第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130可以位于基底100的***区域PA中和显示区域DA中。第一限制坝610位于***区域PA中并且与第一有机绝缘层140分隔开。
第一限制坝610可以具有多层结构。换言之，第一限制坝610可以包括在背离基底100的方向上的第一层611和第二层613。第一层611可以通过使用与第一有机绝缘层140的材料相同的材料来与显示区域DA中的第一有机绝缘层140同时布置。第二层613可以通过使用与第二有机绝缘层150的材料相同的材料来与显示区域DA中的第二有机绝缘层150同时布置。
如图2中所示，除了第一限制坝610之外，第二限制坝620可以设置在第一限制坝610与第一有机绝缘层140的末端140a之间。第二限制坝620可以位于电压线420上的导电保护层421上。第二限制坝620也位于***区域PA中并且与第一有机绝缘层140分隔开。第二限制坝620与第一限制坝610一样也可以具有多层结构，但是与第一限制坝610相比可以具有较少的层。在这种情况下，第二限制坝620距离基底100的高度可以小于第一限制坝610距离基底100的高度。图2示出了第二限制坝620通过使用与第一限制坝610中的第二层613的材料相同的材料与第二层613同时布置。
因此，有机封装层520的位置被第二限制坝620限制，并且可以防止用于形成有机封装层520的材料溢出超过第二限制坝620。即使当用于形成有机封装层520的材料部分地溢出超过第二限制坝620时，由于第一限制坝610，使得用于形成有机封装层520的材料也不会进一步移到基底100的边缘100a。与有机封装层520不同，如图2中所示，通过化学气相沉积方法产生的第一无机封装层510和第二无机封装层530布置为延伸超过第一限制坝610并且覆盖第二限制坝620和第一限制坝610两者。
另外，如图2中所示，裂纹防止坝630位于***区域PA中。裂纹防止坝630可以沿基底100的边缘100a的至少一部分延伸。例如，裂纹防止坝630可以具有环绕显示区域DA的形状。在一些部分中，裂纹防止坝630可以具有不连续的形状。当由于在显示设备10的制造期间切割母基底时或在使用显示设备10时的冲击而导致在第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中出现裂纹时，裂纹防止坝630可以防止所述裂纹传递到显示区域DA。
裂纹防止坝630可以具有各种形状，如图2中所示，裂纹防止坝630可以通过使用与显示区域DA中的一些组件的材料相同的材料来与这些组件同时布置，并且可以具有多层结构。在图2中，裂纹防止坝630具有包括下层630'和位于下层630'上的上层630”的多层结构。例如，在图2中，裂纹防止坝630包括下层630'和上层630”，下层630'包括与第一无机绝缘层120的材料相同的材料，上层630”包括与第二无机绝缘层130的材料相同的材料。当缓冲层位于基底100上时，裂纹防止坝630可以包括具有与缓冲层的材料相同的材料的层。另外，如图2中所示，可以存在彼此分隔开的多个裂纹防止坝630。
裂纹防止坝630可以通过部分地去除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130来产生。换言之，如图2中所示，通过去除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130形成的凹槽在裂纹防止坝630的至少一侧上产生。裂纹防止坝630可以由与凹槽相邻的第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的剩余部分构成。
如图2中所示，裂纹防止坝630被覆盖层650覆盖。覆盖层650可以通过使用与在显示区域DA中的第一有机绝缘层140的材料相同的材料来与第一有机绝缘层140的形成同时布置。换言之，覆盖层650可以包括有机材料，用于覆盖包括无机材料的裂纹防止坝630。覆盖层650可以在朝向基底100的边缘100a的方向上覆盖第一无机绝缘层120和/或第二无机绝缘层130的末端，并且还可以覆盖裂纹防止坝630。
图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1中的部分A的放大图的平面图，图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的图3中的贯穿部分的示例的平面图，图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的示例的剖视图。
图3示出了贯穿部分H和贯穿部分H的***。参照图3，连接到多条数据线DL的多个有机发光器件300在贯穿部分H周围布置在显示区域DA中，并且贯穿部分H与显示区域DA之间的空间可以被称为非显示区域PA2，在该非显示区域PA2中不显示图像。
数据线DL在第一方向上延伸以电连接到数据驱动器1100。作为示例，面板上芯片(COP)类型的数据驱动器1100可以布置在***区域PA(见图1)中，或者可以布置在柔性印刷电路板上，该柔性印刷电路板电连接到包括在***区域PA(见图1)中的端子。
另外，由于布置在显示区域DA中的贯穿部分H，使得在第一方向上延伸的一些数据线DL不会沿第一方向笔直地形成。在这种情况下，这些数据线DL被构造为绕过贯穿部分H，并且绕过贯穿部分H的数据线DL在贯穿部分H周围位于非显示区域PA2中。
另外，扫描线可以沿与第一方向交叉的第二方向延伸，使得扫描线与数据线DL交叉，并且一些扫描线可以被构造为在其中形成有贯穿部分H的区域中绕过贯穿部分H。作为另一示例，显示设备10(见图1)包括布置在显示区域DA的相对侧处的两个扫描驱动器，使得扫描线可以不绕过贯穿部分H。换言之，电连接到布置在贯穿部分H的左侧处的有机发光器件300的扫描线和电连接到布置在贯穿部分H的右侧处的有机发光器件300的扫描线可以连接到不同的扫描驱动器。
参照详细示出了贯穿部分H的图4和图5，至少一个凹槽可以设置在沿竖直方向穿透基底100和堆叠在基底100上的多个层INL和OL的贯穿部分H的周围。在图4和图5中，第一凹槽G1和第二凹槽G2围绕贯穿部分H，但是本发明构思不限于此。换言之，可以设置一个凹槽或者三个或更多个凹槽。在下文中，将描述其中两个凹槽G1和G2设置在贯穿部分H周围的示例。第一凹槽G1比第二凹槽G2更靠近贯穿部分H。作为示例，当在贯穿部分H周围仅设置一个凹槽时，第二凹槽G2可以是设置的唯一凹槽。
第一凹槽G1围绕贯穿部分H并且与贯穿部分H分隔开。第一凹槽G1可以具有底切结构。例如，第一凹槽G1可以从第二阻挡层104延伸到基底100的第二基体层103的一部分，在基底100中顺序地堆叠有第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。第二阻挡层104可以包括在第一凹槽G1的敞开的上端处彼此面对并朝向彼此延伸的一对第一尖端T1。
第一凹槽G1可以例如通过如下步骤来形成：使第二阻挡层104图案化以形成开口，并通过使用第二阻挡层104作为掩模在第二阻挡层104上照射激光或执行干法蚀刻以去除第二基体层103。因此，第二基体层103可以被去除以具有比第二阻挡层104的开口大的宽度。这里，第一凹槽G1的宽度是在与第一凹槽G1的长度方向垂直的方向上测量的距离。例如，当第一凹槽G1具有圆环形状时，第一凹槽G1的宽度是在与圆环的圆周方向垂直的方向上测量的距离。
换言之，在第一凹槽G1中，在开口的上端处的宽度可以小于第一凹槽G1的内部或底部的宽度。另外，第二阻挡层104的一对第一尖端T1在第一凹槽G1的开口的上端处可以具有彼此面对的悬臂形状。
另外，由于如上所述包括在中间层320中的多个层中的一些层(例如，功能层)可以遍布多个有机发光器件300(见图2)一体地设置，因此功能层可以布置在非显示区域PA2以及显示区域DA中。然而，由于一对第一尖端T1的底切结构，使得中间层320不会布置在第一凹槽G1的内壁上。这里，中间层320可以仅布置在第一凹槽G1中的底表面的一部分上。因此，包括在中间层320中的有机层会由于第一凹槽G1而断开，因此，可以防止通过贯穿部分H引入的外部湿气或氧沿有机层渗透到显示区域DA中。
第二凹槽G2在与第一凹槽G1分隔开的区域中围绕第一凹槽G1。第二凹槽G2可以具有与第一凹槽G1的构造相同的构造。换言之，在第二凹槽G2的开口的上端处，第二阻挡层104包括一对第二尖端T2，第二凹槽G2可以具有底切结构。因此，包括在中间层320中的有机层会由于第二凹槽G2而断开。
封装层500位于有机绝缘层OL上。如上所述，尽管中间层320由于第一凹槽G1和第二凹槽G2的底切结构而未布置在第一凹槽G1和第二凹槽G2的内壁上，但是封装层500的第一无机封装层510共形地布置在其下面的结构上，因此，第一无机封装层510可以布置在第一尖端T1和第二尖端T2的下表面上以及第一凹槽G1和第二凹槽G2的内壁上。换言之，第一无机封装层510可以连续地布置而没有被断开。
有机封装层520可以填充第二凹槽G2。因此，可以分散集中在第二尖端T2上的应力，并且可以防止对第二尖端T2的损坏，第二尖端T2具有其中堆叠有诸如第二阻挡层104和第一无机封装层510的无机层的结构。因此，可以防止由第二尖端T2的损坏导致的对第一无机封装层510和第二无机封装层530的损坏。另外，由于用于形成有机封装层520的材料填充在第二凹槽G2中，因此可以防止用于形成有机封装层520的材料朝向第一凹槽G1溢出。
第二无机封装层530可以与第一无机封装层510类似地布置。例如，第二无机封装层530和第一无机封装层510在最靠近贯穿部分H的第一凹槽G1中彼此接触，因此，可以有效地防止外部湿气和氧的渗透。
另外，非显示区域PA2可以相对于第一凹槽G1和第二凹槽G2被分隔为第一区域D1、第二区域D2和第三区域D3。第一区域D1是第二凹槽G2与显示区域DA之间的空间，换言之，从第二尖端T2的在显示区域DA的侧边附近的末端到显示区域DA的空间。数据线DL的绕过贯穿部分H的部分可以布置在第一区域D1中。第二区域D2是第一凹槽G1与第二凹槽G2之间的空间，并且是从与第一凹槽G1相邻的第二尖端T2的末端到与第二凹槽G2相邻的第一尖端T1的末端的空间。第三区域D3是从与贯穿部分H相邻的第一尖端T1的末端到贯穿部分H的区域，并且用作用来确保在产生贯穿部分H时的切割余量的区域。
如上所述，可以位于***区域PA(见图1)中以及显示区域DA中的无机绝缘层INL(诸如，第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130)也可以位于第一区域D1、第二区域D2和第三区域D3中。这里，在最靠近显示区域DA的第一区域D1中的无机绝缘层INL的面对贯穿部分H的端部可以被有机绝缘层OL覆盖。换言之，有机绝缘层OL的末端E2比无机绝缘层INL的末端E1更靠近第二凹槽G2，因此，无机绝缘层INL的端部不会突出到有机绝缘层OL外部。因此，在第二尖端T2的上表面上不产生由无机绝缘层INL引起的台阶，因此，可以防止由于台阶而导致在第一无机封装层510中出现诸如裂纹的缺陷。
无机绝缘层INL可以包括第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中的至少一个，有机绝缘层OL可以包括第一有机绝缘层140和第二有机绝缘层150中的至少一个。例如，由于包括第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的无机绝缘层INL的端部被第一有机绝缘层140覆盖，因此可以增大无机绝缘层INL的台阶覆盖以防止由于台阶而导致的对第一无机封装层510的损坏。
位于第二区域D2和第三区域D3中的无机绝缘层INL的端部也被有机绝缘层OL覆盖，使得它们不会突出到有机绝缘层OL外部。因此，可以防止对第一无机封装层510的损坏。另外，当缓冲层进一步位于基底100上时，缓冲层可以具有与第二阻挡层104的形状相同的形状。
图6是根据本发明构思的另一示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图。
参照图6，第一凹槽G1在与贯穿部分H分隔开的位置处围绕贯穿部分H，并且第二凹槽G2在与第一凹槽G1分隔开的位置处围绕第一凹槽G1。第一凹槽G1和第二凹槽G2可以通过部分地去除其中顺序地堆叠有第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104的基底100的第二阻挡层104和第二基体层103而产生。
另外，第二阻挡层104包括在第一凹槽G1的敞开的上端处彼此面对并且朝向彼此延伸的一对第一尖端T1。第二阻挡层104还包括在第二凹槽G2的敞开的上端处彼此面对并且朝向彼此延伸的一对第二尖端T2。换言之，第一凹槽G1和第二凹槽G2可以均具有底切结构，因此，中间层320可以不连续地形成到贯穿部分H，并且可以防止外部湿气等通过包括在中间层320中的有机层(例如，功能层)渗透到显示区域DA(见图1)中。
另外，包括第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中的至少一个的无机绝缘层INL在第一区域D1中的端部可以被有机绝缘层OL覆盖。例如，第一有机绝缘层140和第二有机绝缘层150可以布置在无机绝缘层INL上，从第一有机绝缘层140突出的无机绝缘层INL的末端E1可以被第二有机绝缘层150覆盖。换言之，第二有机绝缘层150的末端E3比无机绝缘层INL的末端E1更靠近第二凹槽G2，因此，无机绝缘层INL不会突出到第二有机绝缘层150外部。
因此，由无机绝缘层INL造成的台阶不出现在第二尖端T2的上表面上，并且可以防止对布置在第一区域D1中的第二有机绝缘层150上的封装层500的第一无机封装层510的损坏。由于上面描述了有机封装层520和第二无机封装层530，因此省略其描述。
另外，位于第二区域D2和第三区域D3中的无机绝缘层INL的端部也可以被有机绝缘层OL覆盖，以不突出到有机绝缘层OL外部，因此，可以防止对第一无机封装层510的损坏。这里，位于第二区域D2和第三区域D3中的无机绝缘层INL的端部可以被第一有机绝缘层140或被第二有机绝缘层150覆盖。
图7是根据本发明构思的另一示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图。
参照图7，第一凹槽G1和第二凹槽G2围绕贯穿部分H，并且第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每个可以通过部分地去除其中顺序地堆叠有第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104的基底100的第二阻挡层104和第二基体层103来形成。
此外，包括第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中的至少一个的无机绝缘层INL在第一区域D1中的端部可以被有机绝缘层OL覆盖。换言之，由于有机绝缘层OL的末端E2比无机绝缘层INL的末端E1更靠近第二凹槽G2，因此防止了无机绝缘层INL的末端E1突出到有机绝缘层OL外部。因此，在第二凹槽G2的外部上不会出现由无机绝缘层INL造成的台阶。图7示出了无机绝缘层INL的端部如图5中一样被第一有机绝缘层140覆盖；然而，无机绝缘层INL的端部可以如图6中所示被第二有机绝缘层150覆盖。另外，位于第三区域D3中的无机绝缘层INL也可以如在第一区域D1中一样被有机绝缘层OL覆盖。
在第二区域D2中，可以去除无机绝缘层INL。换言之，在第二区域D2中位于第二阻挡层104上的包括在中间层320中的功能层可以具有与第二阻挡层104的面积相同的面积和与第二阻挡层104的形状相同的形状。因此，在第二区域D2中不出现由于无机绝缘层INL造成的台阶，因此，可以防止在第二区域D2中以及在第一区域D1中由于台阶而导致的对封装层500的第一无机封装层510的损坏。
图8是根据本发明构思的另一示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图。
参照图8，第一凹槽G1和第二凹槽G2围绕贯穿部分H，并且第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每个可以通过部分地去除其中顺序地堆叠有第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104的基底100的第二阻挡层104和第二基体层103来形成。
另外，包括第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中的至少一个的无机绝缘层INL在第一区域D1中的端部可以被有机绝缘层OL覆盖。换言之，由于有机绝缘层OL的末端E2比无机绝缘层INL的末端E1更靠近第二凹槽G2，因此防止了无机绝缘层INL的末端E1突出到有机绝缘层OL外部。因此，在第二凹槽G2附近不会出现由无机绝缘层INL造成的台阶。图8示出了无机绝缘层INL的端部如图5中一样被第一有机绝缘层140覆盖；然而，无机绝缘层INL的端部可以如图6中所示被第二有机绝缘层150覆盖。另外，位于第三区域D3中的无机绝缘层INL也可以如在第一区域D1中一样被有机绝缘层OL覆盖。
阻挡部分660可以位于第二区域D2中。当沉积有机封装层520时，阻挡部分660可以阻挡用于形成有机封装层520的材料溢出到第一凹槽G1。作为示例，阻挡部分660可以具有多层结构。换言之，阻挡部分660可以包括在背离基底100的方向上的第一层661和第二层663。第一层661可以通过使用与第一有机绝缘层140的材料相同的材料与第一有机绝缘层140同时布置，第二层663可以通过使用与第二有机绝缘层150的材料相同的材料与第二有机绝缘层150同时布置。阻挡部分660也可以具有单层结构。当阻挡部分660具有单层结构时，阻挡部分660可以仅包括第一层661或第二层663。
根据本发明构思的示例性实施例，显示设备10包括其中布置有诸如照相机等的附加构件的贯穿部分H以及围绕贯穿部分H的至少一个凹槽(G1或G2)。因此，可以在增大用于显示图像的显示区域的同时防止外部湿气等通过贯穿部分H渗透。
另外，由于显示设备10的无机绝缘层INL的端部被凹槽(G1或G2)的***区域中的有机绝缘层OL覆盖，因此可以涂覆由无机绝缘层INL造成的台阶，并且可以防止由于台阶导致的对封装层500的损坏。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和位于所述显示区域的外侧的***区域；
无机绝缘层，堆叠在所述基底上，并且位于所述显示区域和所述***区域中；
有机绝缘层，位于所述无机绝缘层上；
贯穿部分，位于所述显示区域中，并且穿透所述基底、所述无机绝缘层和所述有机绝缘层；以及
至少一个凹槽，围绕所述贯穿部分，
其中，所述无机绝缘层的端部在所述至少一个凹槽的外侧处被所述有机绝缘层覆盖，并且所述端部面对所述贯穿部分。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个凹槽包括围绕所述贯穿部分的第一凹槽以及与所述第一凹槽分隔开并围绕所述第一凹槽的第二凹槽，
第一区域位于所述显示区域与所述第二凹槽之间，第二区域位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间，并且第三区域位于所述第一凹槽与所述贯穿部分之间，并且
在所述第一区域中，所述无机绝缘层的所述端部被所述有机绝缘层覆盖。
3.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述基底上且位于所述显示区域中，并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
其中，所述无机绝缘层包括第一无机绝缘层和第二无机绝缘层中的至少一个，所述第一无机绝缘层位于所述半导体层与所述栅电极之间，所述第二无机绝缘层位于所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间。
4.根据权利要求2所述的显示设备，所述显示设备还包括薄膜晶体管和显示器件，其中，所述薄膜晶体管位于所述基底上且位于所述显示区域中，并且所述显示器件电连接到所述薄膜晶体管，
其中，所述有机绝缘层包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的至少一个，其中，所述第一有机绝缘层覆盖所述薄膜晶体管，并且所述第二有机绝缘层位于所述第一有机绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，在所述第一区域中，所述无机绝缘层的远离所述第一有机绝缘层突出的所述端部被所述第二有机绝缘层覆盖。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述显示器件包括中间层、像素电极和对电极，并且
所述第二有机绝缘层使所述像素电极的至少一部分暴露。
7.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层位于所述第一区域和所述第三区域中，并且不位于所述第二区域中。
8.根据权利要求2所述的显示设备，其中，阻挡部分位于所述第二区域中，所述阻挡部分包括与所述有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
9.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述基底还包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层，
所述第一凹槽和所述第二凹槽均从所述第二阻挡层延伸到所述第二基体层的一部分，并且
所述第二阻挡层包括一对第一尖端和一对第二尖端，所述一对第一尖端在所述第一凹槽的敞开的上部处彼此面对并朝向彼此延伸，并且所述一对第二尖端在所述第二凹槽的敞开的上部处彼此面对并朝向彼此延伸。
10.根据权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述有机绝缘层上的封装层，
其中，所述封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和位于所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层，
所述有机封装层填充所述第二凹槽，并且
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
11.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和位于所述显示区域的外侧的***区域；
薄膜晶体管和显示器件，所述薄膜晶体管位于所述基底上且位于所述显示区域中，并且所述显示器件电连接到所述薄膜晶体管；
至少一个贯穿部分，位于所述显示区域中并且垂直地穿透所述基底和堆叠在所述基底上的多个层；以及
至少一个凹槽，围绕所述至少一个贯穿部分，
其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
所述多个层包括位于所述半导体层与所述栅电极之间的第一无机绝缘层、位于所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的第二无机绝缘层以及位于所述薄膜晶体管上的有机绝缘层，并且
所述第一无机绝缘层的端部和所述第二无机绝缘层的端部被所述有机绝缘层覆盖，所述第一无机绝缘层的所述端部和所述第二无机绝缘层的所述端部在所述至少一个凹槽的外侧处面对所述至少一个贯穿部分。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述至少一个凹槽包括彼此分隔开的第一凹槽和第二凹槽，第一区域位于所述显示区域与所述第二凹槽之间，第二区域位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间，并且第三区域位于所述第一凹槽与所述至少一个贯穿部分之间，并且
在所述第一区域中，所述有机绝缘层的端部比所述第一无机绝缘层的面对所述至少一个贯穿部分的所述端部和所述第二无机绝缘层的面对所述至少一个贯穿部分的所述端部更靠近所述第二凹槽。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述基底包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层，
所述第一凹槽和所述第二凹槽均从所述第二阻挡层延伸到所述第二基体层的一部分，并且
所述第一凹槽的敞开的上部的宽度小于所述第一凹槽的内部的宽度，并且所述第二凹槽的敞开的上部的宽度小于所述第二凹槽的内部的宽度。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第二阻挡层包括一对第一尖端和一对第二尖端，所述一对第一尖端具有在所述第一凹槽的所述敞开的上部处彼此面对的悬臂形状，并且所述一对第二尖端具有在所述第二凹槽的所述敞开的上部处彼此面对的悬臂形状。
15.根据权利要求13所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述有机绝缘层上的封装层，所述封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和位于所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层，
其中，所述有机封装层填充所述第二凹槽，并且
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
16.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述显示器件包括中间层、像素电极和对电极，并且
所述有机绝缘层包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，所述第一有机绝缘层覆盖所述薄膜晶体管，并且所述第二有机绝缘层位于所述第一有机绝缘层上并使所述像素电极的至少一部分暴露。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，在所述第一区域中，所述第一无机绝缘层的所述端部和所述第二无机绝缘层的所述端部被所述第一有机绝缘层覆盖。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，在所述第一区域中，所述第一无机绝缘层的所述端部和所述第二无机绝缘层的所述端部远离所述第一有机绝缘层突出，并且所述第一无机绝缘层的远离所述第一有机绝缘层突出的所述端部和所述第二无机绝缘层的远离所述第一有机绝缘层突出的所述端部被所述第二有机绝缘层覆盖。
19.根据权利要求16所述的显示设备，其中，阻挡部分位于所述第二区域中，并且
所述阻挡部分包括第一层和第二层中的至少一个，其中，所述第一层包括与所述第一有机绝缘层的材料相同的材料，并且所述第二层包括与所述第二有机绝缘层的材料相同的材料。
20.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层和所述有机绝缘层位于所述第一区域和所述第三区域中，并且不位于所述第二区域中。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403627A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111725424A (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN112018262A (zh) * 2020-08-06 2020-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN113555396A (zh) * 2021-07-08 2021-10-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
WO2022001405A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN114464754A (zh) * 2022-01-25 2022-05-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6606432B2 (ja) * 2016-01-06 2019-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102522591B1 (ko) * 2018-02-05 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102602191B1 (ko) 2018-08-24 2023-11-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
KR20200060594A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US11818912B2 (en) * 2019-01-04 2023-11-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels with moisture blocking structures
CN110148678A (zh) * 2019-04-29 2019-08-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 辅助电极转移结构及显示面板的制作方法
CN110335964B (zh) * 2019-06-26 2020-11-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN111162097B (zh) * 2020-01-03 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20210105469A (ko) * 2020-02-18 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4160681A4 (en) * 2020-05-27 2024-05-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. MATRIX SUBSTRATE, CORRESPONDING PREPARATION METHOD AND DISPLAY PANEL
KR20210156373A (ko) * 2020-06-17 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2022018846A1 (ja) * 2020-07-22 2022-01-27 シャープ株式会社 表示装置
US11502107B2 (en) 2020-08-19 2022-11-15 Innolux Corporation Crack stopper structure in electronic device
US20230413615A1 (en) * 2020-09-23 2023-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
TWI727900B (zh) * 2020-10-06 2021-05-11 友達光電股份有限公司 顯示面板

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120019973A (ko) * 2010-08-27 2012-03-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20130137455A (ko) * 2012-06-07 2013-12-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자
US20140061618A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US20170148856A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR20170063326A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106887523A (zh) * 2015-11-20 2017-06-23 三星显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
US20170237038A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof
CN107275363A (zh) * 2016-04-05 2017-10-20 三星显示有限公司 显示装置
CN107546245A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN111033782A (zh) * 2017-08-09 2020-04-17 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5151739B2 (ja) * 2008-07-02 2013-02-27 カシオ計算機株式会社 指針盤用発光パネル及び指針盤用発光パネルの製造方法
US8947627B2 (en) 2011-10-14 2015-02-03 Apple Inc. Electronic devices having displays with openings
US20170026553A1 (en) 2015-07-24 2017-01-26 Apple Inc. Displays With Camera Window Openings
KR102465379B1 (ko) 2015-12-02 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9793334B2 (en) 2015-12-31 2017-10-17 Lg Display Co., Ltd. Electronic device with flexible display panel including polarization layer with undercut portion and micro-coating layer
JP2018124501A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10636996B2 (en) * 2017-03-29 2020-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, production method of display device, production device of display device, and film formation device
KR102520696B1 (ko) * 2017-06-02 2023-04-12 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR102602191B1 (ko) 2018-08-24 2023-11-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120019973A (ko) * 2010-08-27 2012-03-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20130137455A (ko) * 2012-06-07 2013-12-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자
US20140061618A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US20170148856A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
CN106887523A (zh) * 2015-11-20 2017-06-23 三星显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
KR20170063326A (ko) * 2015-11-30 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20170237038A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof
CN107275363A (zh) * 2016-04-05 2017-10-20 三星显示有限公司 显示装置
CN107546245A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN111033782A (zh) * 2017-08-09 2020-04-17 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403627A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111403627B (zh) * 2020-03-26 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111725424A (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
WO2022001405A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113937236A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113937236B (zh) * 2020-06-29 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112018262A (zh) * 2020-08-06 2020-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN113555396A (zh) * 2021-07-08 2021-10-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN114464754A (zh) * 2022-01-25 2022-05-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

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KR102602191B1 (ko) 2023-11-15
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US20200067017A1 (en) 2020-02-27
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