CN110854268B - 一种消除有机场效应晶体管光响应的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种消除有机场效应晶体管光响应的方法。该方法包括下述步骤：1)选取具有低缺陷密度的绝缘层修饰材料；其中，所述修饰材料为目前广泛应用的廉价聚合物绝缘层材料；2)将步骤1)处理后的基片，生长或转移高结晶质量的晶体制备晶体管器件。本发明制备消除有机场效应晶体管光响应的器件结构，还可用于制备有机功能器件如有机场效应晶体管驱动有机发光二极管、有源矩阵发光二极管阵列，及有机逻辑电路，以及应用到大规模的集成电路中。

Description

一种消除有机场效应晶体管光响应的方法

技术领域

本发明属于半导体领域，涉及一种消除有机场效应晶体管光响应的方法。

背景技术

场效应晶体管的光响应特性被认为是半导体材料本征性能的表达，而在晶体管驱动有机显示电路当中，这种光响应引起的场效应晶体管的阈值电压的偏移以及输出电流的改变将会直接影响发光二极管的亮度。在目前工业化的晶体管驱动有机显示电路中，尤其是晶体管与二极管以重叠的空间方式串联时，一般需要引入厚度高达～100nm左右的电极材料来作为遮光层，避免二极管与晶体管的相互影响。

经过三十多年的发展，有机场效应晶体管在迁移率，循环测试稳定性及保存寿命等方面得到了显著提高，已经达到了作为有机发光二极管驱动的指标。但有机场效应晶体管的薄膜器件迁移率分布较宽，且大部分有机半导体材料都存在一定的光响应，这两者是限制有机场效应晶体管在有机显示电路中应用的主要因素。

在过去的研究中，一直认为有机场效应晶体管的光响应是材料的本征性能的表达。但有机材料所具有的激子束缚能较无机材料高出一个量级，说明激子不易分离成自由电子和空穴，这说明有机半导体材料的电学性质不易受到光的影响，与以往的实验中所观察到的现象是相悖的。查找有机场效应晶体管光响应的起因，并消除这些因素，对制备具有良好光稳定性的有机场效应晶体管至关重要，并会促进有机场效应晶体管在超柔、超薄、透明有机显示电路中的应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种消除有机场效应晶体管光响应的方法，并对该方法的普适性进行证明，以推动有机场效应晶体管在超薄、超柔、透明有机显示电路中的应用。

本发明提供的消除有机场效应晶体管光响应的方法，包括：

1)将栅电极清洗吹干；

2)在步骤1)处理后的栅电极上制备高分子绝缘层；

3)在步骤2)所得高分子绝缘层上制备活性半导体层或采用物理转移的方法将制得的活性半导体层转移到步骤2)所得高分子绝缘层上；

所述活性半导体层为单晶；

4)在所述活性半导体层上制备源电极和漏电极，完成所述有机场效应晶体管光响应的消除。

上述方法的步骤1)清洗步骤中，所用清洗剂选自去离子水、浓硫酸、双氧水和有机溶剂中的至少一种；所述有机溶剂具体选自丙酮和异丙醇中至少一种；所述浓硫酸和双氧水的体积比具体可为7：3；所述清洗具体为依次用去离子水、丙酮和异丙醇进行清洗；清洗的方式具体为超声清洗；

所述吹干为氮气吹干。

对于有栅电极的基底而言，可直接按照上述步骤进行清洗；

对于不具有栅极的材料，可先通过蒸镀等常规方法将栅极电极图案化，再按照上述步骤进行清洗。

也即，所述方法还包括：在所述步骤1)之前在基底上制备栅电极；

所述制备栅电极的方法具体为蒸镀法、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积等各种沉积方法。

构成所述栅电极的材料具体可为各种具有低电阻的材料，如可选自金、银、铝、铜等各种金属及合金材料以及金属氧化物(如氧化铟锡)导电材料中至少一种。

制备栅电极时所用衬底可为硬质衬底或柔性衬底；具体可选自玻璃、硅片、柔性玻璃、胶带、PEN、PI、PMMA和PS中任意一种；具体可为二氧化硅/硅基底；

所述步骤2)中，构成所述高分子绝缘层的材料为低缺陷材料；具体选自CYTOP、BCB、PMMA、PS、PSS、PI、perylene和PVA中至少一种；

制备高分子绝缘层的步骤包括旋涂和退火；

所述高分子绝缘层的厚度为20-500nm；具体可为200-300nm或60nm；所述步骤3)中，构成所述活性半导体层的材料选自并苯类、酞菁类、卟啉类、苯并噻吩类和苝酰亚胺类化合物中至少一种；所述并苯类具体选自并五苯、并四苯、红荧烯、2，6-二苯基蒽和2，6-二苯乙烯基蒽中至少一种；所述酞菁类具体选自酞菁铜，全氟酞菁铜，酞菁锌，酞菁氧钛中至少一种；所述卟啉类具体选自苯并卟啉、金属取代苯并卟啉、烷基取代卟啉、芳炔基取代卟啉及锌取代的芳炔基取代卟啉中至少一种；

制备所述活性半导体层的方法为各种常规方法，如蒸镀法、旋涂法、物理气相沉积法或溶液法；所述溶液法具体为各种常规的滴注法、提拉法或剪切法；

所述活性半导体层的厚度为20-100nm；具体为25nm或25-40nm或40-60nm。

所述物理转移为常规方法，具体可为通过探针微操作将单晶转移到目标基底上。

上述获得单晶的活性半导体层的方法均为常规方法。

所述步骤4)中，可利用各种常规的有机线掩模法或贴金膜的方法制备源、漏电极。

本发明还要求保护一种有机场效应晶体管，其由下至上依次包括衬底、栅电极、高分子绝缘层、活性半导体层和位于所述活性半导体层上的源漏电极。

上市有机场效应晶体管中，所述衬底选自玻璃、硅片、柔性玻璃、胶带、PEN、PI、PMMA和PS中任意一种；

构成所述高分子绝缘层的材料为低缺陷材料；具体选自CYTOP、BCB、PMMA、PS、PSS、PI、perylene和PVA中至少一种；

所述高分子绝缘层的厚度为20-500nm；具体可为200-300nm或60nm；

构成所述活性半导体层的材料选自并苯类、酞菁类、卟啉类、苯并噻吩类和苝酰亚胺类化合物中至少一种；所述并苯类具体选自并五苯、并四苯、红荧烯、2，6-二苯基蒽、2，6-二苯乙烯基蒽和C8-BTBT中至少一种；所述酞菁类具体选自酞菁铜、全氟酞菁铜、酞菁锌和酞菁氧钛中至少一种；所述卟啉类具体选自苯并卟啉、金属取代苯并卟啉、烷基取代卟啉、芳炔基取代卟啉及锌取代的芳炔基取代卟啉中至少一种；

所述活性半导体层的厚度为20-100nm；具体为25nm或25-40nm或40-60nm。

另外，上述本发明提供的消除有机场效应晶体管光响应的方法在制备有机场效应晶体管、有机场效应晶体管驱动有机发光二极管、有源矩阵发光二极管阵列、有机逻辑电路和大规模集成电路中至少一种中的应用及上述制备而得的有机场效应晶体管驱动有机发光二极管、有源矩阵发光二极管阵列、有机逻辑电路和大规模集成电路，也属于本发明的保护范围。

所述有机场效应晶体管的特点是均具有光稳定性。

本发明具有以下特点和优点：

1、高分子绝缘层所用材料为常用聚合物介电层材料，廉价易得，制备简单；

活性半导体层所用单晶种类丰富，制备方法多样，加工方便；

2、方法简单普适性好；机理具有普适性；

3、对有机场效应晶体管在有机显示电路中的应用提供了良好的技术支撑。

附图说明

图1为本发明实例中涉及的有机材料2，6-二苯基蒽(DPA)薄膜在二氧化硅基底上以不同的蒸镀速度获得的晶体管器件的光响应特性。

图2为本发明实例中涉及的有机材料2，6-二苯基蒽(DPA)薄膜在不同修饰过的基底上的光响应特性。

图3为不同修饰的绝缘层基底上薄膜晶体管器件的光响应特性。

图4为本发明所涉及的发光二极管的各活性半导体层材料结构、器件结构及电至发光光谱。

图5为本发明制备的不同基底上的单晶器件的光响应特性。

图6为本发明制备的不同串联方式的晶体管器件驱动发光二极管器件，并在一定的条件下获得了平行结构和叠层结构一致的光输出。

图7为物理气相传输法制备的全氟酞菁铜在不同基底上的单晶器件的光响应特性。

图8为溶液滴注法制备的全氟酞菁铜在不同基底上的单晶器件的光响应特性。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步阐述，但本发明并不限于以下实施例。所述方法如无特别说明均为常规方法。所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径获得。

本发明提供的消除有机场效应晶体管光响应的方法，不但可以用于制备具有良好光照稳定性的有机场效应晶体管，而且也可以用于制备基于有机场效应晶体管驱动的有机发光二极管，并且这种能够消除有机场效应晶体管光响应的方法还可以在柔性显示电路中得到广泛的应用。有源矩阵有机发光二极体就是基于场效应晶体管与发光二极管的集成。本发明提供的方法可以获得具有良好光稳定性的晶体管器件的制备，以保证稳定的电流输出，而作为驱动管的晶体管器件的稳定工作也保证了发光二极管稳定的光强的输出。

所述有机场效应晶体管包括衬底、栅电极、绝缘层、源漏电极和有机半导体层。

所述有机场效应晶体管驱动发光二极管包括衬底、栅电极、绝缘层、源漏电极、有机半导体层、互连导线以及发光二极管所涉及的衬底，阳极，空穴传输层，发光层，电子传输层，阴极。

所述有机场效应晶体管，其衬底均由下述任意一种材料制成：玻璃、陶瓷、聚合物和硅片。

所述有机场效应晶体管，其栅极电极均由具有低电阻的材料构成，包括金、银、铝、铜等各种金属及合金材料，石墨类、碳管类、导电聚合物等有机导电材料以及金属氧化物(如氧化铟锡)导电材料。在衬底上制备栅极电极的方法可采用真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积等各种沉积方法。

所述有机场效应晶体管驱动有机发光二极管，其绝缘层均由具有良好的介电性能和表面性能的绝缘材料构成。制备方式是通过旋涂有机聚合物等方式。发光二极管的活性层材料均通过真空蒸镀制备。

所述有机场效应晶体管与晶体管驱动二极管，其晶体管部分的有机半导体层均由具有场效应性能的有机半导体材料构成，包括有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们混合物。成膜方式可以是真空蒸镀、甩膜、滴膜、印刷、物理气相沉积等技术。

所述有机场效应晶体管中的源漏电极的制备以及有机场效应晶体管驱动有机发光二极管中的栅电极、源、漏电极是通过真空蒸镀或者物理转移的方法制备获得的，发光二极管部分的电极材料为真空蒸镀获得。两种器件的电极互联是通过银胶点线连接铜丝实现的。

本发明中所述消除有机场效应晶体管光响应的方法方法，包括下述步骤：

第一步：带有栅电极衬底的清洗及其栅电极的图案化

对于有栅电极的基底而言，将沉积有栅电极的衬底依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗后氮气吹干。

对于不具有栅极的材料，先通过蒸镀等方法将栅极电极图案化，然后再将具有图案化栅极电极的衬底，依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗后氮气吹干。

第二步：高分子绝缘层的制备和处理

在第一步清洗干净的衬底的栅极电极上用一定的转速旋涂聚合物溶液，然后加热退火处理，得到连续均匀的绝缘层。

第三步：制备有机半导体层

1)将有机半导体活性材料置于真空蒸镀腔室中，真空蒸镀50nm厚度的活性材料；2)可溶液加工的聚合物材料可以采用旋涂的方法，调节合适的浓度与转速，制备50nm厚度的活性层；3)在基底上通过物理气相传输的方法原位生长或者物理转移有机小分子材料的单晶作为活性层。4)通过溶液法，例如滴注法，剪切法，提拉法等原位制备有机小分子材料的单晶作为活性层。

第四步：源漏电极的制备

利用模板掩模的方法，对于薄膜类活性层采用真空蒸镀的方法实现源漏电极的制备；对于单晶类活性层采用有机线掩模蒸镀或者贴电极的方法制备源漏电极。

第五步：发光二极管的制备

利用真空蒸镀的方法，依次在ITO玻璃上蒸镀10nm的HATCN，50nm的HTL1，5nm的HTL2，20nm的BH:BD(97:3),30nm的ET:Liq(50：50)，1nm的Liq和100nm的铝电极。

第六步：场效应晶体管与发光二极管的互连

通过将晶体管器件的漏电极和发光二极管的阳极延长，点银胶链接铜线，将两电极进行连接。

第七步：器件测试

将制备好的有机场效应晶体管和互连的场效应晶体管驱动发光二极管器件，在大气环境下(10⁵Pa)室温(298K)测试。

所述有机场效应管和有场效应晶体管驱动发光二极管的制备方法，其所述第一步,衬底是ITO玻璃，硅、或柔性3M胶带等衬底。其上的绝缘层有机高分子薄膜可以采用旋涂成膜方法制备。第三步中，根据材料类型的不同，可以通过真空蒸镀，旋涂、物理气相传输或溶液法等方法制备。第四步源漏电极的制备可以通过真空蒸镀或者贴电极的方法制备；第五步是采用目前已经商业化的发光二极管的器件结构，依次采用真空蒸镀的方法获得各活性层。第六步，通过显微镜的辅助点银胶连铜线将两种器件结构串联起来。

下面通过具体实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于此。

下述实施例中所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法；所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。

实施例1

本实施例对具有绝缘层和栅电极的二氧化硅(300nm)/硅衬底，所选用的介电层修饰材料为OTS(对比修饰层)以及PS、PMMA、CYTOP(厚度在20-500nm范围)，半导体基于2，6-二苯蒽(简称DPA)薄膜(对比试验)。

第一步：带有栅电极基底的清洗

对于有机场效应晶体管而言，将带有表面氧化层(厚度300nm)的二哥氧化硅/硅衬底，依次用去离子水、浓硫酸：双氧水(7：3)、去离子水、异丙醇超声清洗后氮气吹干。

对于有机发光二极管，直接将商业购买的ITO玻璃(氧化层150nm)依次用去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗后氮气吹干。

第二步：高分子绝缘层的制备和处理

在第一步清洗干净的衬底的表面上抽真空加热90℃，保持90min，冷至室温后，在培养皿中滴入一滴OTS，真空加热120℃，保持120min，冷至室温。修饰后的衬底依次用正己烷、三氯甲烷、异丙醇超声洗涤，获得OTS修饰的衬底。

以2000rmp的转速在基底上旋涂1：3的CYTOP，旋涂50s。之后在氮气氛围中加热120℃，保持15min，获得CYTOP(200nm)修饰的衬底。

配置80mg/mL的PMMA氯苯溶液，以6000rmp的转速旋涂50s，之后真空80℃，保持60min，获得PMMA(300nm)修饰的衬底。

配置40mg/mL的PS甲苯溶液，以8000rmp的转速旋涂50s，之后真空80℃，保持60min，获得PS(300nm)修饰的衬底。

第三步:制备有机半导体层

将半导体活性材料置于石英舟中，放置在真空蒸镀腔室里。将真空抽至8×10^-4Pa，之后通过加热将活性材料沉积到基底上，并通过晶振片监测沉积的活性层厚度。

具体制备的条件如下：通过控制电流实现对蒸镀速度的控制，实现以

等不同蒸速在裸二氧化硅/硅基底上获得50nm厚度的半导体活性层。又通过

的蒸速，在OTS、PS、PMMA、CYTOP基底上获得了50nm厚度的半导体活性层。

第四步：源漏电极的制备

利用真空蒸镀的方式，通过掩模版(长80μm，宽30μm)掩模，直接在半导体活性层上制备源漏电极。

第五步：器件的光响应测试。

我们发现DPA在SiO₂介电层上制备的OFET(图1中a)具有很强的光响应，图1中b，1c，1d为不同光强照射下OFET的转移曲线，当入射光强由0.1mW/cm²到0.6mW/cm²变化时，光电流随之变大，而阈值电压V_T的绝对值随之变小。光电流的变化是由于在不同光照下DPA分子生成的光生载流子数量有所不同。我们发现，在暗态下OFET的阈值电压较大。除了光敏值(P光生电流/暗态电流)外，阈值电压的漂移ΔV_T也是OFET光响应的一个重要体现方式，而也是这一参数对场效应晶体管的输出电流会有较大影响，从而影响发光二极管的光强输出。

我们发现改变DPA蒸镀速度，光响应强度会随之改变。对DPA薄膜进行XRD测试可以表现出薄膜内部的结晶程度，即分子排布的有序度，如图1中f，FWHM越窄表明薄膜有序度越高，可以观察到不同蒸速的薄膜有序度高低关系与图1中e所示迁移率大小关系是相符的，蒸速为

时薄膜有序度最高，同时也有最小的P与ΔV_T。

不仅如此，我们发现，蒸镀条件相同而介电层不同的OFET光响应具有极大的差异。例如图2中a，b，c，d显示了在OTS、PS、PMMA、CYTOP等具有不同修饰层的衬底上，然后以相同条件蒸镀DPA活性层制备OFET。ΔV_T和P与介电层界面的关系如图3所示，可以看出ΔV_T和P的变化规律基本上是相符的，体现了OFET的光响应强弱。在OTS基底上制备的器件光响应非常强，在0.6mW/cm²白光照射下ΔV_T达到了91V，最大光敏值P达到了9.76×10⁵；PS、PMMA、CYTOP的器件光响应变弱，在0.6mW/cm²白光照射下ΔV_T分别为6V、16V、10V，最大光敏值P分别达到109、380、20。

因此我们得到如下结论，在具有低缺陷密度上制备的高有序度薄膜可以有效的减小场效应晶体管器件的光响应。而降低基底与半导体层界面的缺陷，提高活性层的有序度可以减小甚至消除场效应晶体管的光响应。

实施例2

本实施例对具有绝缘层和栅电极的二氧化硅(300nm)/硅衬底，所选用的高分子薄膜层材料为OTS(对比修饰层)以及PS、PMMA、CYTOP(厚度在20-500nm范围)，活性半导体层基于2，6-二苯蒽单晶(厚度在20-100nm范围内)。

第一步：带有栅电极基底的清洗

对于有机场效应晶体管而言，将带有表面氧化层(厚度300nm)的二哥氧化硅/硅衬底，依次用去离子水、浓硫酸：双氧水(7：3)、去离子水、异丙醇超声清洗后氮气吹干。

第二步：高分子绝缘层的制备和处理

在第一步清洗干净的衬底的表面上抽真空加热90℃，保持90min，冷至室温后，在培养皿中滴入一滴OTS，真空加热120℃，保持120min，冷至室温。修饰后的衬底依次用正己烷、三氯甲烷、异丙醇超声洗涤，获得OTS修饰的衬底。

以2000rmp的转速在基底上旋涂1：3的CYTOP，旋涂50s。之后在氮气氛围中加热120℃，保持15min，获得CYTOP(200nm)修饰的衬底。

配置80mg/mL的PMMA氯苯溶液，以6000rmp的转速旋涂50s，之后真空80℃，保持60min，获得PMMA(300nm)修饰的衬底。

配置40mg/mL的PS甲苯溶液，以8000rmp的转速旋涂50s，之后真空80℃，保持60min，获得PS(300nm)修饰的衬底。

第三步:制备活性半导体层

通过物理气相传输的方法，将2，6-二苯蒽的粉末样品置于管式炉的高温区，将衬底置于低温沉积区。抽真空通惰性气体，真空度范围为2Pa-50 Pa；惰性气体可以为氩气、氮气；流量可以为5sccm-40sccm；高温区温度范围为150℃-200℃，保持时常为1小时-6小时。

第四步：源漏电极的制备

利用有机线掩模的方式，以有机线作为牺牲模板，真空蒸镀40nm的金，之后将有机线剔除，获得源漏电极对；或者通过物理转移的方法，将沉积的两条厚度为100nm-130nm的金膜放置到晶体上，获得源漏电极对。

第五步：对于有机发光二极管，直接将商业购买的ITO玻璃(氧化层150nm)依次用去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗后氮气吹干。然后放置在真空蒸镀的腔室中，依次蒸镀10nm的HATCN，50nm的HTL1，5nm的HTL2，20nm的BH:BD(97:3),30nm的ET:Liq(50：50)，1nm的Liq和100nm的铝电极(如图4所示)。

第六步：场效应晶体管与发光二极管的互连

通过将晶体管器件的漏电极和发光二极管的阳极延长，点银胶链接铜线，将两电极进行连接。

第七步：器件的光响应测试。

由于有机单晶内部分子排布是长程有序的，内部缺陷少，而且通过物理转移，绝缘层对其分子排布几乎不造成影响，因此不同绝缘层上制备的2，6-二苯蒽的单晶器件，活性层对其光响应的影响是统一的。图5展示了不同界面的2，6-二苯蒽单晶晶体管器件在不同光照条件下的转移曲线。基于OTS界面的单晶器件，虽然活性层为高度有序的DPA单晶，但在0.6mW cm^-2光强下的P_max仍然高达2.4×10⁴A W^-1，ΔV_T达到19.2V(V_DS为-40V的恒压)；而基于聚合物绝缘层的单晶器件，其光响应变得极其微弱，P_max均不到20，而且阈值电压几乎不发生偏移。而当将晶体管器件与发光二极管器件进行互连时，尤其两种器件构型为叠层类型是，聚合物基底上的器件具有更好的光稳定性，即更稳定的发光强度的输出，如图5所示。

实施例3

本实施例所采用方法与实施例2相同，所用活性半导体层材料为全氟酞菁铜，厚度为40-60nm。

图7展示了不同基底上的全氟酞菁铜单晶晶体管在暗态和0.6mW cm^-2光强下的转移曲线，表明在聚合物绝缘层上，该器件的光响应得到了有效消除。

实施例4

本实施例对具有绝缘层和栅电极的二氧化硅(300nm)/硅衬底，所选用的高分子薄膜层的材料为BCB，活性半导体层基于C8-BTBT。

第一步：带有栅电极基底的清洗

对于有机场效应晶体管而言，将带有表面氧化层(厚度300nm)的二哥氧化硅/硅衬底，依次用去离子水、浓硫酸：双氧水(7：3)、去离子水、异丙醇超声清洗后氮气吹干。

第二步：高分子绝缘层的制备和处理

在手套箱中，以2000rmp的转速在基底上旋涂BCB的均三甲苯溶液，旋涂60s。之后在氮气氛围中加热260℃，保持1h，获得BCB(厚度60nm)修饰的衬底。

第三步:制备活性半导体层

通过滴注法以40度的基板温度，滴注制备C8-BTBT的晶体，厚度在25-40nm范围内。

第四步：源漏电极的制备

利用有机线掩模的方式，以有机线作为牺牲模板，真空蒸镀40nm的金，之后将有机线剔除，获得源漏电极对；或者通过物理转移的方法，将沉积的两条厚度为100nm-130nm的金膜放置到晶体上，获得源漏电极对。

其他步骤与实施例2相似。

图8展示了所制备的基于聚合物衬底的C8-BTBT的晶体管与基于OTS的晶体管器件在暗态和0.6mW cm^-2光强下的转移曲线，表明在该聚合物绝缘层上，该器件的光响应得到了有效消除。

Claims (7)

1.一种消除有机场效应晶体管光响应的方法，包括：

1)将栅电极清洗吹干；

2)在步骤1)处理后的栅电极上制备高分子绝缘层；

所述步骤2)中，构成所述高分子绝缘层的材料为低缺陷材料，选自CYTOP、BCB、PMMA、PS、PSS、PI、perylene和PVA中至少一种；

3)在步骤2)所得高分子绝缘层上制备活性半导体层或采用物理转移的方法将制得的活性半导体层转移到步骤2)所得高分子绝缘层上；

所述活性半导体层为单晶；

4)在所述活性半导体层上制备源电极和漏电极，完成所述有机场效应晶体管光响应的消除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)清洗步骤中，所用清洗剂选自去离子水、浓硫酸、双氧水和有机溶剂中的至少一种；所述有机溶剂具体选自丙酮和异丙醇中至少一种；所述清洗具体为依次用去离子水、丙酮和异丙醇进行清洗；清洗的方式具体为超声清洗；

所述吹干为氮气吹干。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述方法还包括：在所述步骤1)之前在基底上制备栅电极。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，

制备高分子绝缘层的步骤包括旋涂和退火；

所述高分子绝缘层的厚度为20-500nm。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，构成所述活性半导体层的材料选自并苯类、酞菁类、卟啉类、苯并噻吩类和苝酰亚胺类化合物中至少一种；

制备所述活性半导体层的方法为蒸镀法、旋涂法、物理气相沉积法或溶液法；

所述活性半导体层的厚度为20-100nm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述并苯类选自并五苯、并四苯、红荧烯、2，6-二苯基蒽和2，6-二苯乙烯基蒽中至少一种；所述酞菁类选自酞菁铜，全氟酞菁铜，酞菁锌，酞菁氧钛中至少一种；所述卟啉类选自苯并卟啉、金属取代苯并卟啉、烷基取代卟啉、芳炔基取代卟啉及锌取代的芳炔基取代卟啉中至少一种；

所述溶液法为滴注法、提拉法或剪切法；

所述活性半导体层的厚度为25nm。

7.权利要求1-6任一所述方法在制备具有光稳定性的有机场效应晶体管、有机场效应晶体管驱动有机发光二极管、有源矩阵发光二极管阵列、有机逻辑电路和大规模集成电路中至少一种中的应用。

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