CN110854241A - 一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池 - Google Patents
一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110854241A CN110854241A CN201911289187.0A CN201911289187A CN110854241A CN 110854241 A CN110854241 A CN 110854241A CN 201911289187 A CN201911289187 A CN 201911289187A CN 110854241 A CN110854241 A CN 110854241A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- mask layer
- textured
- layer
- selective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 110
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical group F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法，通过在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层；通过选择性抛光溶液对所述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，所述选择性抛光溶液在所述抛光过程中不能蚀穿所述掩膜层；通过表面清洗剂去除所述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。本发明通过在即将设置所述太阳能电池前置物的电极的所述织构化区域设置掩膜，将所述太阳能电池前置物的背表面分为对应电极设置位置的所述织构化区域及无电极设置的所述非织构化区域，工艺难度低，所得太阳能电池转换效率高。本发明还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池。
Description
技术领域
本发明涉及新能源领域，特别是涉及一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池。
背景技术
随着光伏发电技术的不断发展，各种新型高效的太阳能电池前置物层出不穷。尤其随着平价上网时代的到来，如何制作更加高效稳定的电池成为光伏行业的首要任务。
而晶体硅太阳能电池前置物发展至今，在钝化结构上经历了背面无钝化(Al-BSF)、非接触钝化(PERC、PERT、PERL)和接触钝化(TOPCon、HIT)的演进，随着结构的越发完善，晶硅太阳能电池前置物的光电转换效率逐渐接近其理论极限。而就目前来看，其转换率的理论值的绝对值还有一定的提高空间，因此，对于本领域的技术人员来说，如何通过新工艺、新结构进一步简单易行地提升太阳能电池前置物的光电转化效率，是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池，以解决现有技术中太阳能电池前置物内耗高，光电转化效率低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法，包括：
在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层；
通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层；
通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，上述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括：
在上述太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层；
在上述织构化区域对应的上述掩膜层上方设置有机物层；
通过腐蚀剂去除未被上述有机物层覆盖的上述掩膜层；
通过有机物溶解液去除上述有机物层，得到在上述织构化区域设置的掩膜层。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，上述有机物层为石蜡层。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，上述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括：
在上述太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层；
激光刻蚀上述非织构化区域，得到在上述织构化区域设置的掩膜层。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，上述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括：
通过丝网印刷或喷墨打印在上述织构化区域设置上述掩膜层。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，在上述激光刻蚀上述非织构化区域之后，还包括：
通过去氧化剂去除上述激光刻蚀产生的热氧化层。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，具体为：
通过氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液去除上述激光刻蚀产生的热氧化层及上述掩膜层，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，上述表面清洗剂为氢氟酸。
可选地，在上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法中，当上述太阳能电池前置物为钝化接触电池时，上述掩膜层为二氧化硅掩膜层或碳化硅掩膜层或氮化硅掩膜层；
当上述太阳能电池前置物为非钝化接触电池时，上述掩膜层为磷硅玻璃或硼硅玻璃。
本发明还提供了一种太阳能电池，上述太阳能电池为经过如上述任一种上述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法得到的太阳能电池。
本发明所提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，通过在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层；通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层；通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。本发明通过在即将设置上述太阳能电池前置物的电极的上述织构化区域设置掩膜，再对未设置掩膜的上述非织构化区域进行蚀刻抛光的形式，将上述太阳能电池前置物的背表面分为对应电极设置位置的上述织构化区域及无电极设置间的上述非织构化区域，步骤简单，工艺难度低，生产效率高；在上述织构化区域(即背面金属化对应的区域)设置电极，可使得电极与硅片间的接触电阻降低，有利于填充因子FF的上升，提高上述太阳能电池前置物的光电转化效率，另外，因表面抛光变得更加平整，使上述太阳能电池前置物的背面钝化层质量上升，且由于背表面平整度上升，对光线的反射加强，进一步提升了上述太阳能电池前置物的输出电流大小，而高质量间的钝化层结合由于上述电极对应的面积占据了上述太阳能电池前置物背表面的多一半，即表面光滑的上述非织构化区域面积要小于表面粗糙的上述织构化区域这一情况，更能使上述太阳能电池前置物的表面复合大大下降，发电效率进一步提升。本发明还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法的一种具体实施方式的流程示意图；
图2为本发明提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
图3为本发明提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法的又一种具体实施方式的流程示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的核心是提供一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括：
步骤S101：在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层。
步骤S102：通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层。
上述选择性抛光溶液可以不与上述掩膜层发生反应，也可以缓慢的速度与所述掩膜层发生反应，只要满足在抛光过程中不蚀穿上述掩膜层，不破坏上述掩膜层下方的绒面即可。
步骤S103：通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
特别的，上述表面清洗剂为氢氟酸。
更进一步地，当上述太阳能电池前置物为钝化接触电池时，上述掩膜层为二氧化硅掩膜层或碳化硅掩膜层或氮化硅掩膜层；
当上述太阳能电池前置物为非钝化接触电池时，上述掩膜层为磷硅玻璃或硼硅玻璃。当然，也可根据实际情况作调整，只要满足不与上述选择性抛光溶液，且满足致密、能与硅片紧密连接的条件即可。
更进一步地，上述掩膜层的厚度的范围为20纳米至500纳米，如50.0纳米、168.0纳米或500.0纳米中任一个。
上述选择性抛光溶液通常为以碱为主要成分的混合溶液。
本发明所提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，通过在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层；通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层；通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。本发明通过在即将设置上述太阳能电池前置物的电极的上述织构化区域设置掩膜，再对未设置掩膜的上述非织构化区域进行蚀刻抛光的形式，将上述太阳能电池前置物的背表面分为对应电极设置位置的上述织构化区域及无电极设置间的上述非织构化区域，步骤简单，工艺难度低，生产效率高；在上述织构化区域(即背面金属化对应的区域)设置电极，可使得电极与硅片间的接触电阻降低，有利于填充因子FF的上升，提高上述太阳能电池前置物的光电转化效率，另外，因表面抛光变得更加平整，使上述太阳能电池前置物的背面钝化层质量上升，且由于背表面平整度上升，对光线的反射加强，进一步提升了上述太阳能电池前置物的输出电流大小，而高质量间的钝化层结合由于上述电极对应的面积占据了上述太阳能电池前置物背表面的多一半，即表面光滑的上述非织构化区域面积要小于表面粗糙的上述织构化区域这一情况，更能使上述太阳能电池前置物的表面复合大大下降，发电效率进一步提升。
在具体实施方式一的基础上，进一步对上述设置于上述织构化区域的上述掩膜层的设置方式做限定，得到具体实施方式二，其流程示意图如图2所示，包括：
步骤S201：在经过背表面制绒的太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层。
步骤S202：在上述织构化区域对应的上述掩膜层上方设置有机物层。
步骤S203：通过腐蚀剂去除未被上述有机物层覆盖的上述掩膜层。
步骤S204：通过有机物溶解液去除上述有机物层，得到在上述织构化区域设置的掩膜层。
步骤S205：通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层。
步骤S206：通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
本具体实施方式与上述具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式中具体限定了只覆盖上述织构化区域的掩膜层的获得方法，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
本具体实施方式中，通过在需要保留的掩膜层上方再敷设一层有机物，达到对上述掩膜层的掩膜效果，使上述腐蚀剂能精准去除待抛光的上述非织构化区域的掩膜，有机物一般在一定条件下为半流体或凝胶状，容易设置，方便操作，可显著提高生产效率。
更进一步地，上述有机物层为石蜡层，石蜡拥有致密、附着性强、可塑性好及价格低廉的优点，适合作为上述有机物层，当然，也可使用满足上述条件的其他有机物。
在具体实施方式一的基础上，进一步对上述设置于上述织构化区域的上述掩膜层的设置方式做限定，得到具体实施方式三，其流程示意图如图3所示，包括：
步骤S301：在经过背表面制绒的太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层。
步骤S302：激光刻蚀上述非织构化区域，得到在上述织构化区域设置的掩膜层。
步骤S303：通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层。
步骤S304：通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
本具体实施方式与上述具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式中具体限定了只覆盖上述织构化区域的掩膜层的获得方法，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
在本具体实施方式中，使用了激光刻蚀的方式去除待抛光的上述非织构化区域的上述掩膜层，激光刻蚀可控性更强，精度更高，步骤更简单，速度更快，可进一步提升太阳能电池前置物片的生产效率。
除了本具体实施方式中提供的方法外，还可通过丝网印刷或喷墨打印在上述织构化区域设置上述掩膜层，当然，由于丝网印刷或喷墨打印技术的限制，故此种方法对上述掩膜层间的材料要求更高。
作为一种优选方案，在上述激光刻蚀上述非织构化区域之后，还包括：
通过去氧化剂去除上述激光刻蚀产生的热氧化层，上述去氧化剂可为稀氢氟酸。
当然，这一步骤对上述同样需经过高温固化的丝网印刷或喷墨打印同样适用，在高温下硅片本身会被氧化形成二氧化硅层，通过上述去氧化剂去除后可保证后续外延层的生长质量。
在进一步地，具体为：通过氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液去除上述激光刻蚀产生的热氧化层及上述掩膜层，得到具有选择性织构化的太阳能电池。通常被用作上述掩膜层的材料，与二氧化硅一样，同样会被高浓度的氢氧化钠或氢氧化钾腐蚀，因此，使用氢氧化钠或氢氧化钾对经过高温处理的上述硅片清洗，可同时去除因高温产生的二氧化硅层与上述掩膜层，直接得到具有选择性织构化的太阳能电池。
本发明还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池，上述太阳能电池包括通过上述任一种上述表面选择性织构太阳能电池的制造方法得到的太阳能电池。本发明所提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，通过在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层；通过选择性抛光溶液对上述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，上述选择性抛光溶液在上述抛光过程中不能蚀穿上述掩膜层；通过表面清洗剂去除上述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。本发明通过在即将设置上述太阳能电池前置物的电极的上述织构化区域设置掩膜，再对未设置掩膜的上述非织构化区域进行蚀刻抛光的形式，将上述太阳能电池前置物的背表面分为对应电极设置位置的上述织构化区域及无电极设置间的上述非织构化区域，步骤简单，工艺难度低，生产效率高；在上述织构化区域(即背面金属化对应的区域)设置电极，可使得电极与硅片间的接触电阻降低，有利于填充因子FF的上升，提高上述太阳能电池前置物的光电转化效率，另外，因表面抛光变得更加平整，使上述太阳能电池前置物的背面钝化层质量上升，且由于背表面平整度上升，对光线的反射加强，进一步提升了上述太阳能电池前置物的输出电流大小，而高质量间的钝化层结合由于上述电极对应的面积占据了上述太阳能电池前置物背表面的多一半，即表面光滑的上述非织构化区域面积要小于表面粗糙的上述织构化区域这一情况，更能使上述太阳能电池前置物的表面复合大大下降，发电效率进一步提升。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层；
通过选择性抛光溶液对所述太阳能电池前置物的背表面的非织构化区域进行抛光，所述选择性抛光溶液在所述抛光过程中不能蚀穿所述掩膜层；
通过表面清洗剂去除所述掩膜层，设置钝化层与电极，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
2.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括：
在所述太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层；
在所述织构化区域对应的所述掩膜层上方设置有机物层；
通过腐蚀剂去除未被所述有机物层覆盖的所述掩膜层；
通过有机物溶解液去除所述有机物层，得到在所述织构化区域设置的掩膜层。
3.如权利要求2所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述有机物层为石蜡层。
4.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括：
在所述太阳能电池前置物表面整面设置掩膜层；
激光刻蚀所述非织构化区域，得到在所述织构化区域设置的掩膜层。
5.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述在经过背表面制绒的太阳能电池前置物的织构化区域设置掩膜层包括：
通过丝网印刷或喷墨打印在所述织构化区域设置所述掩膜层。
6.如权利要求4或5所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述激光刻蚀所述非织构化区域之后，还包括：
通过去氧化剂去除所述激光刻蚀产生的热氧化层。
7.如权利要求6所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，具体为：
通过氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液去除所述激光刻蚀产生的热氧化层及所述掩膜层，得到具有选择性织构化的太阳能电池。
8.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述表面清洗剂为氢氟酸。
9.如权利要求1所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法，其特征在于，当所述太阳能电池前置物为钝化接触电池时，所述掩膜层为二氧化硅掩膜层或碳化硅掩膜层或氮化硅掩膜层；
当所述太阳能电池前置物为非钝化接触电池时，所述掩膜层为磷硅玻璃或硼硅玻璃。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为经过如权利要求1至9任一项所述的表面选择性织构太阳能电池的制造方法得到的太阳能电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911289187.0A CN110854241A (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911289187.0A CN110854241A (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110854241A true CN110854241A (zh) | 2020-02-28 |
Family
ID=69609227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911289187.0A Pending CN110854241A (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110854241A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113809202A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102947954A (zh) * | 2010-03-03 | 2013-02-27 | 森特瑟姆光伏股份有限公司 | 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法 |
| CN106449803A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片正面电极的制作方法 |
| CN109285897A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 天合光能股份有限公司 | 一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN109346535A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-02-15 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | 激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法 |
-
2019
- 2019-12-13 CN CN201911289187.0A patent/CN110854241A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102947954A (zh) * | 2010-03-03 | 2013-02-27 | 森特瑟姆光伏股份有限公司 | 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法 |
| CN106449803A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片正面电极的制作方法 |
| CN109346535A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-02-15 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | 激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法 |
| CN109285897A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 天合光能股份有限公司 | 一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113809202A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114678446B (zh) | 一种低成本接触钝化全背电极太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110707178A (zh) | N型太阳能电池硼扩se结构的制备方法 | |
| CN102169923A (zh) | 钝化n型硅太阳能电池的p型掺杂层的方法及电池结构 | |
| JP6091458B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| CN105576083A (zh) | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN115020537B (zh) | 一种p型ibc电池及其制备方法 | |
| CN103178159A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法 | |
| TW201310686A (zh) | 具有選擇性射極結構之太陽能電池及其製造方法 | |
| CN115020544A (zh) | 硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法 | |
| CN103022262A (zh) | 一种背面点接触太阳能电池的制备方法 | |
| JP5756352B2 (ja) | 裏面電極型太陽電池の製造方法 | |
| CN111599895A (zh) | 一种晶硅太阳能钝化接触电池的制备方法 | |
| CN115020538B (zh) | 一种p型ibc单晶太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101969082B (zh) | 一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺 | |
| CN112133793A (zh) | 一种背结背接触太阳能电池及其制作方法 | |
| CN111509089A (zh) | 一种双面太阳能电池及其制作方法 | |
| CN103050573B (zh) | 一种背钝化电池的制备方法 | |
| CN110854241A (zh) | 一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池 | |
| JP5817046B2 (ja) | 背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法 | |
| CN106133922B (zh) | 太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 | |
| CN116581197A (zh) | 一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN101499502A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池及其钝化方法 | |
| CN111463306A (zh) | 一种新型异质结电池及其制备方法 | |
| CN115117202A (zh) | 一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池 | |
| CN109461783A (zh) | 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200228 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |