CN110828504A - 像素结构、制作方法及面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素结构、制作方法及面板，该像素结构包括基板，基板内设有驱动电路，基板上从下至上依次设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素；第一子像素的下表面通过第一电极与驱动电路连接，第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与驱动电路连接，第二子像素的上表面和第三子像素的下表面均通过第三电极与驱动电路连接，第三子像素的上表面通过第四电极与驱动电路连接；第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，驱动电路通过调节第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种像素结构、制作方法及面板。
背景技术
近几年，MicroLED研究非常火热，有机会作为下一代显示技术替代目前的LCD和OLED技术。然而由于侧壁缺陷带来的非辐射复合效应，LED晶粒尺寸从200um减小到5um时，蓝光内量子效率IQE会减少45％，绿光(IOE)会减少70％，红光IQE会减少80％。现有MicroLED技术都为红绿蓝子像素平面铺设排列，当显示屏分辨率较高时，子像素尺寸会变得更小(小于5um)，导致发光效率较低。另外MicroLED的优势在于其蓝光和绿光器件效率高，而红光效率不够，成为制约其性能的关键指标。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明目的之一在于提供一种结构新颖，发光效率高，便于调节的像素结构。其采用如下技术方案：
一种像素结构，其包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面和第三子像素的下表面均通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的上表面通过第四电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、第二子像素和第三子像素之间、第三子像素上表面均填充有绝缘层；
所述第一子像素、第二子像素和第三子像素均为LED，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
一种像素结构的制作方法，用于制作上述的像素结构，其包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
通过上述方法制备第三电极和第四电极并依次将第二子像素和第三子像素与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。
一种像素结构，其包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的下表面设有透明导电层，所述透明导电层的下表面和第二子像素的上表面均通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、所述透明导电层的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层，所述第三子像素的还通过第四电极与所述驱动电路连接；
所述第一子像素和第二子像素均为LED，所述第三子像素为OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
一种像素结构的制作方法，用于制作上述像素结构，其包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
将第二子像素与第二电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第二子像素上制备绝缘层，并在第二子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第三电极，通过刻蚀形成图案；
通过PVD或者溅射形成透明导电层，通过刻蚀形成图案；
在所述透明导电层上蒸镀或涂布第三子像素；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第四电极，最终形成叠层发光二极管。
一种像素结构，其包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面、第二子像素的下表面和第三子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的上表面通过第四电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、第二子像素和第三子像素之间、第三子像素上表面均填充有绝缘层；
所述第一子像素、第二子像素和第三子像素均为LED，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
一种像素结构的制作方法，用于制作上述像素结构，其包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
通过上述方法制备第三电极和第四电极并依次将第二子像素和第三子像素与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。
一种像素结构，其包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面、第二子像素的下表面和第三子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的下表面设有透明导电层，所述透明导电层的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、所述透明导电层的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层，所述第三子像素还通过第四电极与所述驱动电路连接；
所述第一子像素和第二子像素均为LED，所述第三子像素为OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
一种像素结构的制作方法，用于制作上述像素结构，其包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
将第二子像素与第二电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第二子像素上制备绝缘层，并在第二子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第三电极，通过刻蚀形成图案；
通过PVD或者溅射形成透明导电层，通过刻蚀形成图案；
在所述透明导电层上蒸镀或涂布第三子像素；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第四电极，最终形成叠层发光二极管。
本发明目的之一在于提供一种结构新颖，发光效率高，便于调节的面板。
其采用如下技术方案：
一种面板，其包括上述像素结构阵列，每层结构中包括多个相同子像素，所述多个相同子像素形成一个整体。
本发明的有益效果：
本发明叠层像素结构通过将三个子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，并通过分别控制三个子像素上的电压来调节其亮度，从而实现最终白光色坐标和亮度的控制。本发明通过新颖的叠层结构，子像素单元电性独立控制，可最终实现高效高分辨率的MicroLED器件。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明实施例一中像素结构的结构示意图；
图2是本发明实施例二中像素结构的结构示意图；
图3是本发明实施例一和实施例二中像素结构的电路图；
图4是本发明实施例三中像素结构的结构示意图；
图5是本发明实施例四中像素结构的结构示意图；
图6是本发明实施例三和实施例四中像素结构的电路图。
标记说明：100、基板；10、第一子像素；11、第一电极；12、第二电极；13、第三电极；14、第四电极；20、第二子像素；30、第三子像素；40、绝缘层；50、透明导电层；60、半透明导电层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
实施例一
如图1所示，为本发明实施例一中的像素结构，该像素结构包括基板100，基板100内设有驱动电路，基板100上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30。
第一子像素10的下表面通过第一电极11与驱动电路连接，第一子像素10的上表面和第二子像素20的下表面均通过第二电极12与驱动电路连接，第二子像素20的上表面和第三子像素30的下表面均通过第三电极13与驱动电路连接，第三子像素30的上表面通过第四电极14与驱动电路连接，第一子像素10和第二子像素20之间、第二子像素20和第三子像素30之间、第三子像素30上表面均填充有绝缘层40。
第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30均为LED，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，驱动电路通过调节第一电极11、第二电极12、第三电极13和第四电极14上的电压来分别调节第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30的亮度。
在本实施例中，第一电极11为阳极层，具有较高反射率和导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ni/Au/Ti等材料；第二电极12、第三电极13和第四电极14为导电层，具有较高导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ag/Al/NI/Au等材料；绝缘层40为氧化硅、氮化硅等绝缘材料。
一种像素结构的制作方法，用于制作实施例一中的像素结构，其包括以下步骤：
通过PVD或者溅射在基板100上形成第一电极11，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素10与第一电极11有效贴合；具体包括：采用巨量转移或者整面键合加刻蚀工艺等方式将第一子像素10与第一电极11有效贴合。
通过CVD工艺在第一子像素10上制备绝缘层40，并在第一子像素10周边开孔；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第二电极12，通过刻蚀形成图案；
通过上述方法制备第三电极13和第四电极14并依次将第二子像素20和第三子像素30与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。
实施例二
如图2所示，为本发明实施例二中的像素结构，包括基板100，基板100内设有驱动电路，基板100上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30。
第一子像素10的下表面通过第一电极11与驱动电路连接，第一子像素10的上表面和第二子像素20的下表面均通过第二电极12与驱动电路连接，第三子像素30的下表面设有透明导电层50，透明导电层50的下表面和第二子像素20的上表面均通过第三电极13与驱动电路连接，第一子像素10和第二子像素20之间、透明导电层50的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层40，第三子像素30的上表面设有半透明导电层60，半透明导电层60通过第四电极14与驱动电路连接。
第一子像素10和第二子像素20均为LED发光器件，第一子像素10和第二子像素20分别为蓝光LED和绿光LED，或分别为绿光LED和蓝光LED，第三子像素30为OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，驱动电路通过调节第一电极11、第二电极12、第三电极13和第四电极14上的电压来分别调节第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30的亮度。
在本实施例中，第一电极11为阳极层，具有较高反射率和导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ni/Au/Ti等材料；第二电极12、第三电极13和第四电极14为导电层，具有较高导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ag/Al/NI/Au等材料；透明导电层50具有较高导电性和透过率，如ITO；绝缘层为氧化硅、氮化硅等绝缘材料；半透明导电层60为阴极层，为金属或者金属氧化物。
在本实施例中，用OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件替代LED发光器件，弥补了红光LED发光效率低的缺点，使得二极管的整体发光效率更高。
一种像素结构的制作方法，用于制作实施例二中的像素结构，其包括以下步骤：
通过PVD或者溅射在基板100上形成第一电极11，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素10与第一电极11有效贴合；具体包括：采用巨量转移或者整面键合加刻蚀工艺等方式将第一子像素10与第一电极11有效贴合。
通过CVD工艺在第一子像素10上制备绝缘层40，并在第一子像素10周边开孔；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第二电极12，通过刻蚀形成图案；
将第二子像素20与第二电极12有效贴合；
通过CVD工艺在第二子像素20上制备绝缘层40，并在第二子像素20周边开孔；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第三电极13，通过刻蚀形成图案；
通过PVD或者溅射形成透明导电层50，通过刻蚀形成图案；
在透明导电层50上蒸镀或涂布第三子像素30；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第四电极14，最终形成叠层发光二极管。
如图3所示，本发明实施例一和实施例二中像素结构的电路图。在实施例一和实施例二中，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30三者串联，且在实施例一中，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30三者位置可互换，在实施例二中，第一子像素10和第二子像素20位置可互换。
实施例三
如图4所示，为本发明实施例三中的像素结构，其包括基板100，基板100内设有驱动电路，基板100上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30。
第一子像素10的下表面、第二子像素20的下表面和第三子像素30的下表面通过第一电极11与驱动电路连接，第一子像素10的上表面通过第二电极12与驱动电路连接，第二子像素20的上表面通过第三电极13与驱动电路连接，第三子像素30的上表面通过第四电极14与驱动电路连接，第一子像素10和第二子像素20之间、第二子像素20和第三子像素30之间、第三子像素30上表面均填充有绝缘层40。
第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30均为LED发光器件，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，驱动电路通过调节第一电极11、第二电极12、第三电极13和第四电极14上的电压来分别调节第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30的亮度。
在本实施例中，第一电极11为阳极层，具有较高反射率和导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ni/Au/Ti等材料；第二电极12、第三电极13和第四电极14为导电层，具有较高导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ag/Al/NI/Au等材料；绝缘层40为氧化硅、氮化硅等绝缘材料。
一种像素结构的制作方法，用于实施例三中的像素结构，其包括以下步骤：
通过PVD或者溅射在基板100上形成第一电极11，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素10与第一电极11有效贴合；具体包括：采用巨量转移或者整面键合加刻蚀工艺等方式将第一子像素10与第一电极11有效贴合。
通过CVD工艺在第一子像素10上制备绝缘层40，并在第一子像素10周边开孔；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第二电极12，通过刻蚀形成图案；
通过上述方法制备第三电极13和第四电极14并依次将第二子像素20和第三子像素30与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。
实施例四
如图5所示，为本发明实施例四中的像素结构，其包括基板100，基板100内设有驱动电路，基板100上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30。
第一子像素10的下表面、第二子像素20的下表面和第三子像素30的下表面通过第一电极11与驱动电路连接，第一子像素10的上表面通过第二电极12与驱动电路连接，第二子像素20的上表面通过第三电极13与驱动电路连接，第三子像素30的下表面设有透明导电层50，透明导电层50的下表面通过第一电极11与驱动电路连接，第一子像素10和第二子像素20之间、透明导电层50的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层40，第三子像素30的上表面设有半透明导电层60，半透明导电层60通过第四电极14与驱动电路连接。
第一子像素10和第二子像素20均为LED，第三子像素30为OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，驱动电路通过调节第一电极11、第二电极12、第三电极13和第四电极14上的电压来分别调节第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30的亮度。
在本实施例中，第一电极11为阳极层，具有较高反射率和导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ni/Au/Ti等材料；第二电极12、第三电极13和第四电极14为导电层，具有较高导电性，可以为单层或者多层的金属或者合金，如Ag/Al/NI/Au等材料；透明导电层50具有较高导电性和透过率，如ITO；绝缘层为氧化硅、氮化硅等绝缘材料；半透明导电层60为阴极层，为金属或者金属氧化物。
在本实施例中，用OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件替代LED发光器件，弥补了红光LED发光效率低的缺点，使得二极管的整体发光效率更高。
一种像素结构的制作方法，用于实施例四中的像素结构，其包括以下步骤：
通过PVD或者溅射在基板100上形成第一电极11，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素10与第一电极11有效贴合；
通过CVD工艺在第一子像素10上制备绝缘层40，并在第一子像素10周边开孔；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第二电极12，通过刻蚀形成图案；
将第二子像素20与第二电极12有效贴合；
通过CVD工艺在第二子像素20上制备绝缘层40，并在第二子像素20周边开孔；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第三电极13，通过刻蚀形成图案；
通过PVD或者溅射形成透明导电层50，通过刻蚀形成图案；
在透明导电层50上蒸镀或涂布第三子像素30；
通过PVD或者溅射在基板100上形成第四电极14，最终形成叠层发光二极管。
如图6所示，本发明实施例三和实施例四中像素结构的电路图。在实施例三和实施例四中，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30三者并联，且在实施例三中，第一子像素10、第二子像素20和第三子像素30三者位置可互换，在实施例四中，第一子像素10和第二子像素20位置可互换。
实施例五
一种面板，包括实施例一、二、三、四中任一所述的像素结构阵列，每层结构中包括多个相同子像素，多个相同子像素形成一个整体。
本发明叠层像素结构通过将三个子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，并通过分别控制三个子像素上的电压来调节其亮度，从而实现最终白光色坐标和亮度的控制。本发明通过新颖的叠层结构，子像素单元电性独立控制，可最终实现高效高分辨率的MicroLED器件。
以上实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (9)
1.一种像素结构，其特征在于，包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面和第三子像素的下表面均通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的上表面通过第四电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、第二子像素和第三子像素之间、第三子像素上表面均填充有绝缘层；
所述第一子像素、第二子像素和第三子像素均为LED，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
2.一种像素结构的制作方法，用于制作如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
通过上述方法制备第三电极和第四电极并依次将第二子像素和第三子像素与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。
3.一种像素结构，其特征在于，包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的下表面设有透明导电层，所述透明导电层的下表面和第二子像素的上表面均通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、所述透明导电层的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层，所述第三子像素的还通过第四电极与所述驱动电路连接；
所述第一子像素和第二子像素均为LED，所述第三子像素为OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
4.一种像素结构的制作方法，用于制作如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
将第二子像素与第二电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第二子像素上制备绝缘层，并在第二子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第三电极，通过刻蚀形成图案；
通过PVD或者溅射形成透明导电层，通过刻蚀形成图案；
在所述透明导电层上蒸镀或涂布第三子像素；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第四电极，最终形成叠层发光二极管。
5.一种像素结构，其特征在于，包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面、第二子像素的下表面和第三子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的上表面通过第四电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、第二子像素和第三子像素之间、第三子像素上表面均填充有绝缘层；
所述第一子像素、第二子像素和第三子像素均为LED，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
6.一种像素结构的制作方法，用于制作如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
通过上述方法制备第三电极和第四电极并依次将第二子像素和第三子像素与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。
7.一种像素结构，其特征在于，包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素的下表面、第二子像素的下表面和第三子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的下表面设有透明导电层，所述透明导电层的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、所述透明导电层的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层，所述第三子像素还通过第四电极与所述驱动电路连接；
所述第一子像素和第二子像素均为LED，所述第三子像素为OLED、QLED或钙钛矿红色发光器件，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。
8.一种像素结构的制作方法，用于制作如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，包括：
通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；
将第一子像素与第一电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；
将第二子像素与第二电极有效贴合；
通过CVD工艺在所述第二子像素上制备绝缘层，并在第二子像素周边开孔；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第三电极，通过刻蚀形成图案；
通过PVD或者溅射形成透明导电层，通过刻蚀形成图案；
在所述透明导电层上蒸镀或涂布第三子像素；
通过PVD或者溅射在所述基板上形成第四电极，最终形成叠层发光二极管。
9.一种面板，其特征在于，包括如权利要求1、3、5、7任一所述的像素结构阵列，每层结构中包括多个相同子像素，所述多个相同子像素形成一个整体。
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|---|---|---|---|---|
| WO2023102839A1 (zh) * | 2021-12-09 | 2023-06-15 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 叠层发光单元及其制备方法和显示面板 |
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