CN110798152B - 一种低噪声放大器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5；所述第一级放大器2为源极带有串联电感反馈的共源放大结构；所述第一级放大器2包括第一场效应器件Q1和第一串联网络9，所述第一串联网络9连接于第一场效应器件Q1的源极并接地。本发明的低噪声放大器在串联反馈共源场效应器件和并联反馈共源场效应器件之间的级间网络综合使用了并联RC和串联RC的有耗频率补偿匹配网络，保证信号最大能量传输以及改善平带内增益平坦度、提高电路的稳定性，该低噪声放大器在2～4GHz频段内具有27dB的电路增益，增益平坦度为±0.22dB，反射系数在‑10dB以下，电路噪声系数小于1dB。

Description

一种低噪声放大器

技术领域

本发明涉及微波电路技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器(Low-Noise Amplifier，LNA)用于对天线接收到的空间信号进行放大，是微波接收***的关键电路。目前，随着通信容量和通信频段的增加，***工作频率和工作带宽进一步提升，对放大器提出了宽带要求，同时为了保持***的接收灵敏度，又要求放大器具有低噪声系数，这给电路设计带来新的难度。

目前，宽带低噪声放大器主要有有耗匹配宽带放大器、分布式宽带放大器、有源匹配宽带放大器和反馈式宽带放大器。有耗匹配宽带放大器会影响电路的噪声系数，分布式宽带放大器增益较低，有源匹配放大器一般输入级器件采用共栅放大器，但是在高频会出现明显的负阻特性，给电路带来潜在的不稳定问题。反馈式宽带放大器可以得到平坦的增益响应，并可在很宽频带内降低输入、输出电压驻波，但由于反馈电阻的引入，往往增加了电路的噪声系数。因此有必要研究一种新的宽带低噪声放大器。有鉴于目前低噪声放大器存在的缺陷，本发明人进行研究创新，提出一种兼具低噪声、高平坦度、低反射损耗的低噪声放大器，使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是提供一种兼具低噪声、高增益、高平坦度、低驻波、高稳定性的低噪声放大器。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5；所述第一级放大器2为源极带有串联电感反馈的共源放大结构；所述第一级放大器2包括第一场效应器件Q1和第一串联网络9，所述第一串联网络9连接于第一场效应器件Q1的源极并接地。

所述第二级放大器4包括第二场效应器件Q2、并联反馈网络10和第二串联网络12；所述并联反馈网络10连接于第二场效应器件Q2的栅极与漏极之间；

所述级间网络3，包含级间匹配网络6、第一偏置网络7和第二偏置网络8；所述级间匹配网络6连接于第一级放大器2与第二级放大器4之间，其作用在于信号阻抗匹配、并改善平带内增益平坦度以及保证电路稳定；所述第一偏置网络7和第二偏置网络8分别对第一场效应器件Q1的漏端和第二场效应器件Q2栅端进行直流供电。

在一个实施例中，级间匹配网络6包括三个电阻：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三个电容：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，以及第一电感L1。所述第一电容C1与第一电阻R2并联构成并联电路，所述第一电阻R1串联所述并联电路，所述第一电阻R1一端连接第一级放大器2，另一端连接所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成的并联电路，所述并联电路的另一端连接第三电容C3，所述第三电容C3串联第一电感L1，第一电感L1的另一端连接第二级放大器4，在所述第一电容C1与第二电阻R2构成的并联电路与第三电容C3之间并联第三电阻R3，所述第三电阻R3串联第二电容C2后接地。由第二电阻R2和第一电容C1组成的并联电路串联于RF通路调整带内平坦度，由第三电阻R3和第二电容C2组成的串联电路并联于RF通路，进一步调整带内平坦度和高频段电路稳定性。第一电感L1用以改善增益，第一电容C1取较小值，用以改善输入级器件的稳定性。

在一个实施例中，所述第二级放大器4还包括电感M1和电感M2构成；所述并联反馈网络10采用第八电阻R8和第七电容C7串联构成，第八电阻R8另一端连接于级间网络3，第七电容C7的另一端连接于输出级匹配网络5；电感M1采用第六电感L6构成，并一端连接于第二场效应器件Q2的栅极，另一端连接于级间网络3；电感M2采用第七电感L7构成，并一端连接于第二场效应器件Q2的漏极，另一端连接于输出级匹配网络5。

在一个实施例中，所述第一串联网络9包括第六电容C6与第七电阻R7并联后与第四电感L4串联连接于第一场效应器件Q1的源极。所述第四电感L4一端连接第一场效应器件Q1的源极，另一端与第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路连接，所述第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路的另一端接地。

在一个实施例中，所述第一偏置网络7包括第六电阻R6、第四电容C4和第二电感L2。所述第二电感L2的一端连接第一级放大器2，另一端连接偏置电压源VD1。所述第六电阻R6一端与偏置电压源VD1连接，另一端与第四电容C4连接，所述第四电容C4另一端接地。

在一个实施例中，所述第二偏置网络8包括第三电感L3和第五电容C5。所述第三电感L3一端连接第二级放大器4，另一端连接偏置电压源VG2，所述第五电容C5的一端连接偏置电压源VG2，另一端接地。

在一个实施例中，所述低噪声放大器在2～4GHz频带内，电路增益达到27.8dB，反射系数在-12dB以下，电路噪声系数为0.85～0.96dB。

在一个实施例中，所述低噪声放大器还包括第二级间网络和第三级放大器，所述第二级间网络连接于所述第二级放大器和第三级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输出级匹配网络之间，所述第二级间网络与级间网络3的结构相同，所述第三级放大器与第二级放大器4结构相同。

在一个实施例中，所述低噪声放大器还包括第二级间网络和第三级放大器，所述第二级间网络连接于所述第三级放大器与第一级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输入级匹配网络之间，所述第二级间网络与级间网络3的结构相同，所述第三级放大器与第一级放大器2结构相同。

在一个实施例中，所述低噪声放大器还包括第二级间网络、第三级间网络、第三级放大器和第四级放大器，所述第二级间网络连接于所述第三级放大器与第一级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输入级匹配网络之间，所述第三级间网络连接于所述第二级放大器和第四级放大器之间，所述第四级放大器连接于所述第二级间网络与输出级匹配网络之间，所述第三级放大器与第一级放大器1结构相同，所述第四级放大器与第二级放大器4结构相同，所述第二、三级间网络与级间网络3结构相同。

本发明提供了新的电路结构，如图1所示，图中放大器核心100部分构成了本发明的核心部分，放大器核心100由第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4组成。其中，第一级放大器2如图2所示，采用串联反馈的共源放大器，在第一场效应晶体管Q1源端增加第一串联网络9，调整电路的噪声和输入驻波；第二级放大器4如图4所示，采用并联反馈的共源放大器，在场效应晶体管Q2输出和输入端之间增加并联反馈网络10，在场效应晶体管Q2输入端连接M1电感13，在场效应晶体管Q2输出端连接M2电感14，在场效应晶体管Q2源端连接第二串联网络12。通过并联反馈网络10，调整带内平坦度，通过M1电感13，M2电感14提升高频段增益，通过第二串联网络12改善第二级器件输出稳定性。

级间网络3如图3所示，包括级间匹配网络6、第一偏置网络7和第二偏置网络8，所述级间匹配网络6起到信号阻抗匹配、保证信号最大能量传输、改善平带内增益平坦度以及保证电路稳定的作用。所述级间匹配网络6包括三个电阻：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三个电容：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，以及第一电感L1。所述第一电容C1与第二电阻R2构成并联电路，第一电阻R1一端连接第一级放大器2，另一端连接所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成的并联电路，所述并联电路的另一端连接第三电容C3，所述第三电容C3串联第一电感L1，第一电感L1的另一端连接第二级放大器4，在所述并联电路与第三电容C3之间并联第三电阻R3，所述第三电阻R3串联第二电容C2后接地。由第二电阻R2和第一电容C1组成的并联电路串联于RF通路调整带内平坦度，由第三电阻R3和第二电容C2组成的串联电路并联于RF通路，进一步调整带内平坦度和高频段电路稳定性。第一电感L1用以改善增益，第一电容C1取较小值，用以改善输入级器件的稳定性。

输入级匹配网络1用以对第一级器件输入阻抗进行匹配或者是获得第一级器件所需要的源阻抗，输出级匹配网络5用以对输出级器件的输出阻抗进行匹配，保证放大器具有良好的低驻波特性。输入级匹配网络1和输出级匹配网络5包含了场效应晶体管馈电通路，由电感、电容、电阻和传输线其中一种或几种组合而成。

在一个实施例中，该低噪声放大器在2～4GHz频段内具有27dB的电路增益，增益平坦度±0.22dB，反射系数在-10dB以下，电路噪声系数小于1dB。

与现有技术相比，本发明的发明点在于：

1.本发明的低噪声放大器采用了双级或多级的结构，第一级采用源极带有串联电感反馈的共源放大电路结构，末级采用带有并联反馈的共源放大电路结构。

2.本发明在串联反馈共源场效应器件和并联反馈共源场效应器件之间的级间网络综合使用了并联RC和串联RC的有耗频率补偿匹配网络，保证信号最大能量传输以及改善平带内增益平坦度、提高电路的稳定性。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明低噪声放大器电路结构示意图；

图2是本发明低噪声放大器中第一级放大器结构示意图；

图3是本发明低噪声放大器级间网络结构示意图；

图4是根据本发明第一实施例的低噪声放大器电路结构示意图；

图5是根据本发明第一实施例的低噪声放大器电路增益及反射系数测试曲线；

图6是根据本发明第一实施例的低噪声放大器噪声系数测试曲线；

图7是根据本发明第二实施例的低噪声放大器电路结构示意图；

图8是根据本发明第三实施例的低噪声放大器电路结构示意图；

图9是根据本发明第四实施例的低噪声放大器电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图对本发明作进一步地详细说明。

第一实施例

图4是本发明第一实施例的低噪声放大器电路结构示意图。下面结合图4对本实施例进行说明。

本实施例的低噪声放大器包括输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5。

所述输入级匹配网络1保证射频信号的能量传递和将信号源阻抗匹配到器件的最佳噪声阻抗附件，以获得低噪声特性。L9和C11一起起到阻抗匹配作用，其中L19同时起到馈电作用，C11同时起到直流隔值作用，C12对射频信号旁路到地。

所述第一级放大器2为源极带有串联电感反馈的共源放大结构，包括第一场效应器件Q1、第一串联网络9，第一串联网络9连接于第一场效应器件Q1的源极并接地。其中，第六电容C6与第七电阻R7并联后与第四电感L4串联连接于第一场效应器件Q1的源极。所述第四电感L4一端连接第一场效应器件Q1的源极，另一端与第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路连接，所述第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路的另一端接地。所述第四电感L4起到负反馈电感的作用，能够改善噪声和输入匹配。第七电阻R7起到电阻负反馈作用，可改善电路的高低温特性，同时也可降低工艺变化影响，当第一场效应器件Q1为耗尽型器件时，结合偏置网络可起到自偏置作用，省去器件栅压VG的外部馈电。第六电容C6起到射频旁路的作用。

所述级间网络3，包含级间匹配网络6、第一偏置网络7和第二偏置网络8。所述级间匹配网络6起到信号阻抗匹配，保证信号最大能量传输、改善平带内增益平坦度、保证电路稳定不振荡的作用。其中，级间匹配网络6包括三个电阻：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三个电容：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，以及第一电感L1。所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成并联电路，所述第一电阻R1串联所述并联电路，所述第一电阻R1一端连接第一级放大器2，另一端连接所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成的并联电路，所述并联电路的另一端连接第三电容C3，所述第三电容C3串联第一电感L1，第一电感L1的另一端连接第二级放大器4，在所述第一电容C1与第二电阻R2构成的并联电路与第三电容C3之间并联第三电阻R3，所述第三电阻R3串联第二电容C2后接地。由第二电阻R2和第一电容C1组成的并联电路串联于RF通路调整带内平坦度，由第三电阻R3和第二电容C2组成的串联电路并联于RF通路，进一步调整带内平坦度和高频段电路稳定性。第一电感L1用以改善增益，第一电容C1取较小值，用以改善输入级器件的稳定性。

所述第一偏置网络7包括第六电阻R6、第四电容C4和第二电感L2。所述第二电感L2的一端连接第一级放大器2，另一端连接偏置电压源VD1。所述第六电阻R6一端与偏置电压源VD1连接，另一端与第四电容C4连接，所述第四电容C4另一端接地。

所述第二偏置网络8包括第三电感L3和第五电容C5。所述第三电感L3一端连接第二级放大器4，另一端连接偏置电压源VG2，所述第五电容C5的一端连接偏置电压源VG2，另一端接地。

第一偏置网络7和第二偏置网络8实现了对第一场效应器件Q1的漏端和第二场效应器件Q2栅端的直流供电，第一场效应器件Q1的漏极偏置网络，即第一偏置网络7和第二场效应器件Q2的栅极偏置网络，即第二偏置网络8，以及级间匹配网络6共同形成输入级和输出级之间的级间网络，在实现信号匹配的同时，也起到允许直流通过和DC/RF隔离的作用。

所述第二级放大器4包括第二场效应器件Q2、并联反馈网络10、输出级匹配网络11、第二串联网络12、电感M1和电感M2构成。其中，并联反馈网络10包括第八电阻R8和第七电容C7串联构成。M1采用第六电感L6构成，并一端连接于第二场效应器件Q2的栅极，另一端连接于级间网络3。M2采用第七电感L7构成，并一端连接于第二场效应器件Q2的漏极，另一端连接于输出级匹配网络5。所述并联反馈网络第八电阻R8与第七电容C7串联，R8另一端连接于级间网络3，C7的另一端连接于输出级匹配网络5。

所述第二串联网络12包括第九电阻R9、第八电容C8和第五电感L5。第八电容C8与第九电阻R9并联后与第五电感L5串联连接于第二场效应器件Q2的源极。所述第5电感L5一端连接第二场效应器件Q2的源极，另一端与第八电容C8与第九电阻R9构成的并联电路连接，所述第八电容C8与第九电阻R9构成的并联电路的另一端接地。

在本实施例中，M1电感13和M2电感14即可以使用电感，也可以使用微带线，其作用是用来展宽频带和调整增益。M1电感13和M2电感14可同时存在或选择其一使用。当选择其一时候，另一个直接短路即可，在电路布图实现时可用一短截微带线来实现。并联反馈网络10可采用RC串联电路，也可以或R-C-L串联电路构成。但并联反馈网络10、M1电感13和M2电感14中至少有一处需含有串联电感。并联反馈网络10、M1电感13和M2电感14共同作用，在频率低端形成负反馈，在频率高端靠近正反馈，从而抑制低频增益，提高高频增益，展宽带宽和改善平坦度。

所述输出级匹配网络5将第二级放大器4输出阻抗匹配到50欧姆负载阻抗。L8和C9一起起到阻抗匹配作用，其中L8同时起到馈电作用，C9同时起到直流隔值作用，C10对射频信号旁路到地，R10起到稳定和改善匹配的作用。

本实施例中的场效应管可以是GaAs pHEMT、InPHEMT或GaNHEMT，也可以是MOSFET以及其他具有微波信号放大作用的半导体场效应晶体管，器件可以是增强型，也可以是耗尽型。当采用耗尽型器件时，输入级匹配网络VG1馈电支路和第二偏置网络8可直流接地。

图5所示为本实施例的低噪声放大器电路增益及反射系数实验测试数据结果，从图中可知，本实施例的低噪声放大器在2～4GHz频带内，电路增益达到27dB以上，反射系数在-10dB以下。本实施例的低噪声放大器噪声系数如图6所示，在2～4GHz频带内，电路噪声系数优于1dB，电路全频带工作稳定。实测结果表明，本实施例的低噪声放大器具有优良的低噪声、高平坦度、低驻波特性。

第二实施例

图7所示为本发明二实施例的低噪声放大器电路结构示意图，本实施例的低噪声放大器采用三级放大结构，其中包括输入级匹配网络201、第一级放大器202、第一级间网络203、第二级放大器204、第二级间网络205、第三级放大器206、输出级匹配网络207。其中所述输入级匹配网络201、第一级放大器202、第一级间网络203、第二级放大器204、输出级匹配网络207分别与第一实施例中的输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5相同，其中所述第二级间网络205、第三级放大器206与第一实施例中的级间网络3、第二级放大器4相同，在此不再赘述。

第三实施例

图8所示为本发明第三实施例的低噪声放大器电路结构示意图，本实施例的低噪声放大器采用三级放大结构，其中包括输入级匹配网络301、第一级放大器302、第一级间网络303、第二级放大器304、第二级间网络305、第三级放大器306、输出级匹配网络307。其中所述输入级匹配网络301、第一级放大器302、第一级间网络303、第二级放大器304、输出级匹配网络307分别与第一实施例中的输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5相同，其中所述第三级放大器305、第三级间网络306分别与第一实施例中的第一级放大器2和级间网络3相同，在此不再赘述。

第四实施例

图9所示的本发明的第四实施例的低噪声放大器电路结构示意图，本实施例的低噪声放大器采用四级放大结构，其中包括输入级匹配网络401、第一级放大器402、第一级间网络403、第二级放大器404、第二级间网络405、第三级放大器406、第三级间网络407、第四级放大器408、输出级匹配网络409。其中所述输入级匹配网络401、第一级放大器402、第一级间网络403、第二级放大器404、输出级匹配网络409分别与第一实施例中的输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5相同；

所述第三级放大器406、第二级间网络405分别与第一实施例中的第一级放大器2、级间网络3相同，所述第三级间网络407、第四级放大器408分别与第一实施例中的级间网络3、第二级放大器4相同，在此不再赘述。

以上所述，仅为本发明的具体实施案例，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术的技术人员在本发明所述的技术规范内，对本发明的修改或替换，都应在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括输入级匹配网络1、第一级放大器2、级间网络3、第二级放大器4、输出级匹配网络5；所述第一级放大器2为源极带有串联电感反馈的共源放大结构；所述第一级放大器2包括第一场效应器件Q1和第一串联网络9，所述第一串联网络9连接于第一场效应器件Q1的源极并接地；

所述第二级放大器4包括第二场效应器件Q2、并联反馈网络10和第二串联网络12；所述并联反馈网络10连接于第二场效应器件Q2的栅极与漏极之间；

所述级间网络3，包含级间匹配网络6、第一偏置网络7和第二偏置网络8；所述级间匹配网络6连接于第一级放大器2与第二级放大器4之间，其作用在于信号阻抗匹配，并改善平带内增益平坦度以及保证电路稳定；所述第一偏置网络7和第二偏置网络8分别对第一场效应器件Q1的漏端和第二场效应器件Q2栅端进行直流供电；

级间匹配网络6包括三个电阻：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三个电容：第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，以及第一电感L1；所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成并联电路，所述第一电阻R1串联所述并联电路，所述第一电阻R1一端连接第一级放大器2，另一端连接所述第一电容C1与第二电阻R2并联构成的并联电路，所述并联电路的另一端连接第三电容C3，所述第三电容C3串联第一电感L1，第一电感L1的另一端连接第二级放大器4，在所述第一电容C1与第二电阻R2构成的并联电路与第三电容C3之间并联第三电阻R3，所述第三电阻R3串联第二电容C2后接地；由第二电阻R2和第一电容C1组成的并联电路串联于RF通路调整带内平坦度，由第三电阻R3和第二电容C2组成的串联电路并联于RF通路，用于调整带内平坦度和高频段电路稳定性；第一电感L1用以改善增益。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大器4还包括第六电感L6和第七电感L7构成；所述并联反馈网络10采用第八电阻R8和第七电容C7串联构成，第八电阻R8另一端连接于级间网络3，第七电容C7 的另一端连接于输出级匹配网络5；第六电感L6一端连接于第二场效应器件Q2的栅极，另一端连接于级间网络3；第七电感L7一端连接于第二场效应器件Q2的漏极，另一端连接于输出级匹配网络5。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一串联网络9包括第六电容C6与第七电阻R7并联后与第四电感L4串联连接于第一场效应器件Q1的源极， 所述第四电感L4一端连接第一场效应器件Q1的源极，另一端与第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路连接，所述第六电容C6与第七电阻R7构成的并联电路的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一偏置网络7包括第六电阻R6、第四电容C4和第二电感L2；所述第二电感L2的一端连接第一级放大器2，另一端连接偏置电压源VD1；所述第六电阻R6一端与偏置电压源VD1连接，另一端与第四电容C4连接，所述第四电容C4另一端接地。

5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二偏置网络8包括第三电感L3和第五电容C5；所述第三电感L3一端连接第二级放大器4，另一端连接偏置电压源VG2，所述第五电容C5的一端连接偏置电压源VG2，另一端接地。

6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器在2～4GHz频带内，电路增益达到27.dB以上，反射系数在-10dB以下，电路噪声系数小于1dB。

7.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二级间网络和第三级放大器，所述第二级间网络连接于所述第二级放大器和第三级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输出级匹配网络之间，所述第二级间网络与级间网络3的结构相同，所述第三级放大器与第二级放大器4结构相同。

8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二级间网络和第三级放大器，所述第二级间网络连接于所述第三级放大器与第一级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输入级匹配网络之间，所述第二级间网络与级间网络3的结构相同，所述第三级放大器与第一级放大器2结构相同。

9.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二级间网络、第三级间网络、第三级放大器和第四级放大器，所述第二级间网络连接于所述第三级放大器与第一级放大器之间，所述第三级放大器连接于所述第二级间网络与输入级匹配网络之间，所述第三级间网络连接于所述第二级放大器和第四级放大器之间，所述第四级放大器连接于所述第二级间网络与输出级匹配网络之间，所述第三级放大器与第一级放大器1结构相同，所述第四级放大器与第二级放大器4结构相同，所述第二、三级间网络与级间网络3结构相同。

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