CN110797372A - 可挠显示器 - Google Patents
可挠显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110797372A CN110797372A CN201810940044.0A CN201810940044A CN110797372A CN 110797372 A CN110797372 A CN 110797372A CN 201810940044 A CN201810940044 A CN 201810940044A CN 110797372 A CN110797372 A CN 110797372A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive
- along
- layer
- metal layer
- conductive interconnects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWZCSSOOCJGFTI-UHFFFAOYSA-N tricyanosilylformonitrile Chemical compound N#C[Si](C#N)(C#N)C#N QWZCSSOOCJGFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005479 Lucite® Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCFDVEHYSAUQGL-UHFFFAOYSA-J fluoro-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-]P([O-])(F)=O.[O-]P([O-])(F)=O GCFDVEHYSAUQGL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000005303 fluorophosphate glass Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本揭露是关于一种可挠显示器,该可挠显示器包含一可挠基板,及一电路层。该电路层沿一X方向设置于该可挠基板上。该电路层包括一介电层及位于该介电层中的至少一导线,该导线由复数个导电互连件电连接而成,并且沿相异于该X方向的一Y方向延伸,其中相邻的导电互连件彼此错位排列。
Description
技术领域
本揭露是关于一种显示器,特别是关于一种可挠显示器。
背景技术
电子器件通常包括显示器,诸如包含有机发光二极管层的显示器。若将显示器设置于可挠基板上,则该显示器为可挠曲的。
弯曲可挠显示器会导致该可挠显示器的结构内部产生应力。其中,当弯曲的金属导线因受到应力而造成损坏,诸如断裂,将不利于可挠显示器的可靠度。
发明内容
本揭露的实施例提供一种可挠显示器。可挠显示器包含一可挠基板及一电路层。该电路层沿一X方向堆迭于该可挠基板上。该电路层包括一介电层及位于介电层中至少一导线。该导线由复数个导电互连件电连接而成,并且沿相异于X方向的一Y方向延伸,其中相邻的导电互连件彼此错位排列。
在一些实施例中,每一导电互连件沿该Y方向的长度为100um至500um。
在一些实施例中,该电路层更包括复数个导电插塞,各个导线插塞沿X方向对应连接于相邻的导电互连件之间。
在一些实施例中,每一导电互连件至少有一部分设置为经由导电插塞与相邻的导电互连件彼此电连接的连接区域,而其他未设置用来与相邻的导电互连件彼此电连接的未连接区域大致为介电层所包覆。
在一些实施例中,每一导电互连件有两处彼此分离的连接区域。
在一些实施例中,相邻的导电互连件相对应的一端沿X方向彼此部分重迭。
在一些实施例中,每一导电互连件至少有一部分设置为与相邻的导电互连件沿该X方向彼此重迭且电连接的重迭区域,而其他未设置用来与相邻的导电互连件电连接的未连接区域大致为该介电层所包覆。
在一些实施例中,更包括一有机发光层,该有机发光层包括沿该X方向设置于该电路层上的一像素电极,及沿该X方向设置于该像素电极上的一像素界定层。
在一些实施例中,该介电层中具有沿该X方向堆迭的至少两个次介电层。
在一些实施例中,该电路层包括复数个导线,分别设置于该等次介电层中。
在一些实施例中,该导线中更包含复数个金属层,每一金属层沿该X方向分别位于不同水平面上,且分别包含至少一个导电互连件。
在一些实施例中,该导线中更包含一第一金属层、一第二金属层和一第三金属层,依序远离该可挠基板沿该X方向设置。
在一些实施例中,该第一金属层包含复数个导电互连件的一部分,该第二金属层或该第三金属层包含复数个导电互连件的其余部分。
在一些实施例中,该第二金属层包含复数个导电互连件的另一部分,该第三金属层包含复数个导电互连件的其余部分。
附图说明
为协助读者达到最佳理解效果,建议在阅读本揭露时同时参考附件图示及其详细文字叙述说明。请注意为遵循业界标准作法,本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中,尺寸可能刻意放大或缩小,以协助读者清楚了解其中的讨论内容。
图1为示意图,例示本揭露实施例的显示器。
图2为剖面图,例示本揭露实施例的显示器。
图3为示意图,例示本揭露实施例的导电互连件。
图4为示意图,例示本揭露实施例的导电互连件。
图5为示意图,例示本揭露实施例的导电互连件。
图6为示意图,例示本揭露实施例的导电互连件。
图7为俯视图,例示本揭露实施例的相邻的导电互连件。
图8为剖面图,例示本揭露实施例的显示器。
图9为俯视图,例示本揭露实施例的相邻的导电互连件。
图10为剖面图,例示本揭露实施例的显示器。
图11为俯视图,例示本揭露实施例的相邻的导电互连件。
图12为剖面图,例示本揭露实施例的显示器。
图13为剖面图,例示本揭露实施例的显示器。
图14为示意图,例示本揭露实施例的导电互连件。
图15为示意图,例示本揭露实施例的导电互连件。
图16为俯视图,例示本揭露实施例的相邻的导电互连件。
图17为俯视图,例示本揭露实施例的相邻的导电互连件。
图18为俯视图,例示本揭露实施例的相邻的导电互连件。
图19为剖面图,例示本揭露实施例的显示器。
【符号说明】
1 可挠基板
2 电路层
3 有机发光层
4 缓冲层
5 封装层
6 保护层
11 上表面
21 介电层
22 导线
23 导线插塞
24 金属层
31 像素电极
32 像素界定层
81 连接区域
82 未连接区域
83 重迭区域
85 边缘
211 次介电层
212 次介电层
213 次介电层
221 导电互连件
241 第一金属层
242 第二金属层
243 第三金属层
X X方向
Y Y方向
Z Z方向
具体实施方式
本揭露提供了数个不同的实施方法或实施例,可用于实现本发明的不同特征。为简化说明起见,本揭露也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范,而非予以任何限制。举例而言,在以下说明第一特征如何在第二特征上或上方的叙述中,可能会包括某些实施例,其中第一特征与第二特征为直接接触,而叙述中也可能包括其他不同实施例,其中第一特征与第二特征中间另有其他特征,以致于第一特征与第二特征并不直接接触。此外,本揭露中的各种范例可能使用重复的参考数字和/或文字注记,以使文件更加简单化和明确,这些重复的参考数字与注记不代表不同的实施例与/或配置之间的关联性。
再者,应理解当称元件「连接至」或「耦合至」另一元件时,其可直接连接或耦合至另一元件,或是可有其他中间元件存在。
另外,本揭露在使用与空间相关的叙述词汇,如「在...之下」、「低」、「下」、「上方」、「之上」、「下」、「顶」、「底」和类似词汇时,为便于叙述,其用法均在于描述图示中一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的相对关系。除了图示中所显示的角度方向外,这些空间相对词汇也用来描述该装置在使用中以及操作时的可能角度和方向。该装置的角度方向可能不同(旋转90度或其它方位),而在本揭露所使用的这些空间相关叙述可以同样方式加以解释。
在本揭露中,例如「第一」、「第二」以及「第三」用语描述各种元件、组件、区域、层与/或区块,这些元件、区域、层与/或区块不应受限于这些用语。这些用语可以仅用以区分一元件、区域、层或区与另一元件、区域、层或区。除非内文清楚表示,否则本揭露中的「第一」、「第二」以及「第三」用语并非意指序列或顺序。
在本揭露的实施例中,提供一显示器。该显示器包含可挠基板、电路层,及有机发光层。该可挠基板具有一上表面,该电路层沿一X方向堆迭于该可挠基板的该上表面上,该电路层包括介电层及导线。该有机发光层沿该X方向设置于该电路层上。该导线沿一Y方向延伸,该Y方向垂直于该X方向,且该导线由位于该介电层中的复数个导电互连件电连接而成,相邻的导电互连件在沿该X方向与该可挠基板之该上表面的的距离彼此相异。相较于一体成形的导线,由复数个导电互连件电连接而成的导线有助于在该显示器被挠曲时,显著降低导线内部产生的拉伸应力,从而使该导线较不易断裂且更加耐用,进而提升该显示器的可靠度。
本揭露的显示器不受限于下述实施例,并且可具有其他不同的实施例。为了简化说明且便于比较本揭露的各个实施例,以下各个实施例之相同元件系以相同元件符号标示。为了更易于比较实施例之间的差异,以下说明将详述不同实施例之间的差异,并且不再赘述相同的特征。
图1为例示本揭露实施例的显示器1的示意图,例示显示器沿一个方向弯曲的状态。如图1所示,显示器以一Z方向为轴心弯折,在本实施例是以显示画面成为凸面的方式弯曲,但并不以此弯曲方式为限。在另一实施例中,该显示器以显示画面为凹面的方式弯曲。在另一实施例中,一X方向垂直于该Z方向,一Y方向与Z方向彼此垂直,或以一大于0的夹角设置,该显示器以Y方向为轴心弯折。
图2为例示本揭露实施例的显示器部分结构的剖面图。如图2所示,显示器包含一可挠基板1、一电路层2,及一有机发光层3。在一些实施例中,该电路层2可包含一电晶体电路。该可挠基板具有一上表面11。该电路层2沿一X方向堆迭于该可挠基板1的该上表面11上,例如沿着垂直于可挠基板1的方向堆迭,该电路层2包括介电层21及导线22。该有机发光层3沿该X方向设置于该电路层2上。该导线22沿一Y方向延伸,该Y方向与该X方向相异,例如该Y方向垂直于该X方向,而沿着可挠基板1的水平方向延伸。该导线22包含复数个导电互连件221,各导电互连件221可依需要设计成相同或不同的尺寸、形状与线宽,并且可包含相同或不同的导电材料,而在本实施例中是以长条状设置。在本实施例中,各导电互连件221彼此大致沿相同方向排列。在一些实施例中,各导电互连件221可部分沿Y方向排列,部分沿Z方向排列,或同时沿Y方向及Z方向两个方向排列,其中Y方向与Z方向可以彼此垂直,或以一大于0的夹角设置。
在一些实施例中,相邻的导电互连件221在沿该X方向与该可挠基板1之该上表面11之间的距离彼此相异。相较于选用一体成形的导线,本发明透过由该等导电互连件221电连接而成该导线22,使该导线22经多次挠曲仍不易断裂。透过控制该等导电互连件221沿该Y方向的长度,可使该导线22更加适合在被反复挠曲的环境下工作。在一些实施例中,每一导电互连件221沿该Y方向的长度为100um至500um。
在一些实施例中,该电路层2包括至少一导电插塞23,沿X方向电连接相邻的导电互连件221。在一些实施例中,该电路层2包括复数个导电插塞23,该等导线插塞23是沿X方向电连接相邻的该等导电互连件221,使该等导电互连件221相互连接而构成该导线22。在一些实施例中,该等导电插塞23可依需要设计成具有相同或不同的尺寸与形状,并且相邻的导电互连件可包含相同或不同的导电材料。该导电材料可例如但不限于金属或金属合金。在一些实施例中,该等导电互连件221可视需求再与一半导体元件连接,该半导体元件可例如但不限于包含多晶硅。
图3显示本实施例其中一导电互连件221的示意图。在一实施例中,每一导电互连件221至少有一部分设置为经由导电插塞23与相邻的导电互连件221彼此电连接的连接区域81,而其他未设置用来与相邻的导电互连件221彼此电连接的未连接区域82大致为介电层21所包覆。
在一实施例中,远离显示器相对二侧的每一导电互连件221有两处连接区域81,以及介于两处连接区域81之间的未连接区域82。在一实施例中,该等连接区域81彼此分离。在一些实施例中,每一导电互连件221的两处该等连接区域81可以具有相同或不同的面积及形状,并可设置于该导电互连件221的同面或不同面。
如图3所示,在一实施例中,该等连接区域81位于该导电互连件221的同一面的两端,其余为未连接区域82。
以该等导电互连件221是长条状为例,每一导电互连件221的该等连接区域81及该未连接区域82于该导电互连件221的同一面的配置方式还可例如图4至图6所示,但不以该等例示为限。该等连接区域81可设置于该导电互连件221的两端以外之处。如图4所示,该导电互连件221的两端为未连接区域82,该等连接区域81是彼此分离的设置于两端之间,各连接区域81与该导电互连件221的边缘85保持一大于0的距离。如图5所示,该导电互连件221的一端为一连接区域81,另一端为未连接区域82,另一连接区域81设置于该导电互连件221的两端之间并与边缘85保持一大于0的距离。如图6所示,该导电互连件221的两端为未连接区域82,该导电互连件221的两个连接区域81设置于两端之间并与边缘85保持一大于0的距离,且两个连接区域81具有不同面积及形状,且窄于该导电互连件221的线宽。
在一些实施例中,构成该导线22的该等导电互连件221的该等连接区域81与该未连接区域82的配置方式可为相同或不同,可视需求调整每一导电互连件221的该等连接区域81与该未连接区域82配置方式。
图7显示对应于图2所示的相邻的导电互连件221透过该等导电插塞23电连接之俯视图。以下参照图2、图3及图7进行说明。在本实施例中,该等导电插塞23沿X方向设置,并夹置于相邻的该等导电互连件221的连接区域81之间,该等导电插塞23电连接相邻的导电互连件221的连接区域81。在一实施例中,每一导电互连件221的该等连接区域81位于该导电互连件221的同一面的两端,类似于图3所示态样。在一实施例中,相邻的导电互连件221具有相同线宽。
相邻的导电互连件221透过该导电插塞23彼此电连接的方式还可以例如图8至图11所示,但不以该等例示为限。图8例示本揭露实施例的显示器部分结构的剖面图,图9显示对应于图8所示的相邻的导电互连件221透过导电插塞23电连接之俯视图。图10例示本揭露实施例的显示器部分结构的剖面图,图11显示对应于图10所示的相邻的导电互连件221透过该等导电插塞23电连接的俯视图。在一些实施例中,如图8至图11所示,相邻的导电互连件221具有不同线宽。
如图8及图9所示,在一实施例中,该等导电互连件221的连接区域81及未连接区域82的配置方式包含类似于如图3及图4所示的两种。在一实施例中,该等导电插塞23沿Z方向的最大宽度大于部分导电互连件221的线宽。以俯视观之,位于下方的导电互连件221在沿Z方向的最大宽度小于上方的导电互连件221沿Z方向的最大宽度,且下方的导电互连件221在Y方向进一步突出(虚线部分)导电插塞23与该等连接区域81。
如图10及图11所示,在一实施例中,该等连接区域81是彼此分离的设置于每一导电互连件221的两端之间并与边缘85保持一大于0的距离。在一实施例中,该等导电互连件221的连接区域81及未连接区域82的配置方式包含类似于图4及图6所示的两种。在一实施例中,该等导电插塞23的沿Z方向的最大宽度窄于部分导电互连件221的线宽。以俯视观之,位于下方的导电互连件221的两个连接区域81具有不同面积及形状,且在沿Z方向的最大宽度小于上方的导电互连件221沿Z方向的最大宽度。上方及下方的导电互连件221皆在Y方向进一步突出(虚线部分)导电插塞23与该等连接区域81。
在一些实施例中,该导线22中更包含复数个金属层,每一金属层沿该X方向分别位于不同水平面上,且分别包含至少一导电互连件221。
图12为例示本揭露实施例的显示器部分结构的剖面图。如图12所示,在一实施例中,该导线22中包含的复数个金属层24分别为第一金属层241、一第二金属层242和一第三金属层243。该第一金属层241、该第二金属层242及该第三金属层243分别包含至少一导电互连件221,也就是分别包含该导线22的一部分,且是依序往远离该可挠基板1沿该X方向设置,换句话说,第一金属层241、第二金属层242及第三金属层243沿该X方向分别位于不同水平面上。该导线22所包含的金属层24数目并没有特别限制,可依据实际需求调整。例如,在一些实施例中,该第一金属层241包含该等导电互连件221的一部分,该第二金属层242或该第三金属层243包含该等导电互连件221的其余部分。又例如,在一实施例中,该第一金属层241包含该等导电互连件221的一部分,该第二金属层242包含该等导电互连件221的另一部分,该第三金属层243包含该等导电互连件221的其余部分。
在一些实施例中,位于不同金属层的导电互连件221包含不同材料。在一些实施例中,位于该第一金属层241的导电互连件221包含第一金属材料、位于该第二金属层242的导电互连件221包含第二金属材料,及位于该第三金属层243的导电互连件221包含第三金属材料,其中,该第一金属材料、第二金属材料及第三金属材料可视需要包含相同或不同的金属或合金。
在一些实施例中,相邻的导电互连件221彼此部分重迭,使该等导电互连件221电连接,而构成该导线22。该等导电互连件221的重迭方式并没有特别限制,只要电连接成该导线22即可。
图12为例示本揭露实施例的显示器部分结构的剖面图,图13及14显示每一导电互连件221的示意图,图15至17显示对应于图12所示的相邻的导电互连件221沿X方向彼此部分重迭而电连接的俯视图。
如图12所示,在一实施例中,相邻的该等导电互连件221彼此部分重迭呈阶梯状。在一实施例中,该等导电互连件221沿该X方向与该可挠基板1的该上表面11有3种不同距离。
在一实施例中,每一导电互连件221与相邻两个导电互连件221电连接,每一导电互连件221至少有一部分设置为与相邻的导电互连件221沿该X方向彼此重迭且电连接的重迭区域83,而其他未设置用来与相邻的导电互连件221电连接的未连接区域82大致为介电层21所包覆。
在一实施例中,每一导电互连件221有两处重迭区域83,其余为未连接区域82。在一实施例中,该等重迭区域83彼此分离且分别设置于该导电互连件221的两端。在一些实施例中,每一导电互连件221的该等重迭区域83可以具有相同或不同的面积及形状,且可设置于该导电互连件221的同面或不同面。以导电互连件221是长条状为例,每一导电互连件221的重迭区域83及未连接区域82于该导电互连件221的同一面的配置方式可例如图13及14所示,但不以该等例示为限。在本实施例中,每一导电互连件221为长条状,每一重迭区域83具有一沿Y方向的长度L及一沿Z方向的宽度B,其中L是大于0且小于等于相邻的导电互连件221任一者的沿Y方向的长度,B是大于0且小于等于相邻的导电互连件221任一者的沿Z方向的宽度。在一些实施例中,每一导电互连件221的该等重迭区域83的长度L及宽度B皆可视需要调整为相同或不同。
如图13所示,该等重迭区域83沿Y方向的长度L大于0,沿Z方向的宽度B与该导电互连件221的线宽相同。在一实施例中,该等重迭区域83设置于该导电互连件221的同一面的两端,其余为未连接区域82。如图14所示,该导电互连件221的两个重迭区域83设置于该导电互连件221的同一面的两端,且沿Z方向的宽度B小于该导电互连件221的线宽,两个重迭区域83具有不同的面积及形状。
在一实施例中,如图15所示,相邻的导电互连件221具有相同线宽,该等重迭区域83的沿Z方向的宽度B等于该导电互连件221的线宽。以俯视观之,就沿X方向设置于不同阶梯层的两个导电互连件221之间的导电互连件221来说,其两个重迭区域83分别设置于该导电互连件221相对应的两面。
在一些实施例中,相邻的导电互连件221可能具有彼此不同的线宽或是彼此错位排列。在一实施例中,如图16所示,相邻的导电互连件221具有不同线宽。在一些实施例中,一部分导电互连件221的每一重迭区域83的沿Z方向的宽度B是小于与该导电互连件221的线宽,另一部分导电互连件221的每一重迭区域83的沿Z方向的宽度B是等于该导电互连件221的线宽。以俯视观之,就沿X方向设置于上方及下方两个导电互连件221之间的导电互连件221来说,该导电互连件221在沿Z方向的宽度B小于上方及下方的导电互连件221。每一重迭区域83的沿Z方向的宽度B小于沿X方向位于上方及下方的导电互连件221的线宽,该宽度B等于沿X方向设置于中间的导电互连件221的线宽。
在一些实施例中,如图17所示,相邻的导电互连件221具有相同线宽且是沿Y方向及Z方向错位排列。在一些实施例中,部分导电互连件221的两个重迭区域83分别设置于该导电互连件221相对应的两面。以俯视观之,沿X方向设置于上方及下方两个导电互连件221之间的导电互连件221的两个重迭区域83是分别设置于该导电互连件221的上表面及下表面的对角处,两个重迭区域83沿Z方向的宽度B皆小于该导电互连件221的线宽。
该可挠基板1可在受到外力而弯折一角度的同时仍正常使用。在一些实施例中,该可挠基板1随着其组成材料与形成结构的不同而具有不同的弯折能力,并且可以根据不同的情况而以不同的材料制成。制备该可挠基板11的材料可例如但不限于聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、硅酮(silicone)、聚酰亚胺(PI)、聚丙烯(PP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酯(PES)、环烯烃共聚合体(COC)及其复合材料。在一些实施例中,该可挠基板1的材料为聚酰亚胺。
在一些实施例中,该电路层2中的电晶体电路可包含但不限于非晶硅薄膜电晶体(a-Si TFT)、多晶硅薄膜电晶体(poly-Si TFT)、或氧化物薄膜电晶体(oxide TFT)。
在一些实施例中,该介电层21可包含但不限于二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化铪(HfO2)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、三氧化二钇(Y2O3)、氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、二氧化铅(PbO2)、三氧化钨(WO3)、氧化钒(VOx)、氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlN)、硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、碳化硅(SiC)、氰化硅(SiCN)、氟化镁(MgF)、二氟化钙(CaF2)、氟化钠(NaF)、二氟化钡(BaF2)、二氟化铅(PbF2)、氟化锂(LiF)、三氟化镧(LaF3)、磷化镓(GaP)及其复合材料中的至少之一。
图18为例示本揭露实施例的显示器部分结构的剖面图。在一实施例中,如图18所示,该有机发光层3包括像素电极31沿该X方向设置于该电路层2上,及一像素界定层32沿该X方向设置于该像素电极31上。在一实施例中,该显示器1包括缓冲层4。该缓冲层4沿该X方向设置于该可挠基板1的该上表面11与该电路层2间,用于防止杂质元素渗透通过该可挠基板1以及使该可挠基板1表面平坦化。在一实施例中,该显示器1包括封装层5,该封装层5沿该X方向设置于该有机发光层3上。在一实施例中,该显示器包括保护层6,该保护层6沿该X方向设置于该封装层5上。在一实施例中,该介电层21中具有沿该X方向堆迭的复数个次介电层211、212、213。
在一实施例中,该电路层2包括复数个导线22,该等导线22的电连接方式、尺寸、方向可为相同或不同,均可视需求调整。在一些实施例中,该等导线22不限制是设置于该等次介电层211、212、213之中或之间。在一些实施例中,每一金属导线22不限制是设置于一个或复数个次介电层211、212、213中,只要是每一导线22都大致为介电层21所包覆即可。在一些实施例中,每一次介电层211、212、213中可以有一个或复数个导线22通过,也可以不设置导线22。
在一些实施例中,该像素电极31可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO),但不限于此。在一些实施例中,该像素界定层32可以是任何被用来界定像素的物理结构。在一些实施例中,该像素界定层32可由经图案化的光可成像的聚合物形成,该聚合物可例如但不限于聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸、苯并环丁烯、及苯酚树脂等有机绝缘材料。
在一些实施例中,该缓冲层4可由各种材料形成,包含无机材料、有机材料或其堆迭。该无机材料可例如但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛。该有机材料可例如但不限于聚酰亚胺、聚酯或聚丙烯。在一些实施例中,该缓冲层14为可挠缓冲层。
在一些实施例中,该封装层5沿该Y方向将该有机发光层3完全覆盖,从而防止外部湿气或氧气渗入该显示器。在一些实施例中,该封装层5可由无机材料形成,该无机材料可例如但不限于锡氟磷酸玻璃、琉属玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、及磷酸盐玻璃。
在一些实施例中,该保护层6用于防止该封装层5免受外力伤害。
在本揭露的一些实施例中,该显示器包含由该等导电互连件221电连接而成的该导线22,使该导线22能经多次挠曲仍不易断裂,有效提升该显示器的可靠性。
前述内容概述一些实施方式的特征,因而熟知此技艺之人士可更加理解本揭露之各方面。熟知此技艺之人士应理解可轻易使用本揭露作为基础,用于设计或修饰其他制程与结构而实现与本申请案所述之实施例具有相同目的与/或达到相同优点。熟知此技艺之人士亦应理解此均等架构并不脱离本揭露揭示内容的精神与范围,并且熟知此技艺之人士可进行各种变化、取代与替换,而不脱离本揭露之精神与范围。
Claims (10)
1.一种可挠显示器,包含:
一可挠基板;以及
一电路层,沿一X方向设置于该可挠基板上,该电路层包括一介电层及位于该介电层中的至少一导线,该导线由复数个导电互连件电连接而成,并且沿相异于该X方向的一Y方向延伸,其中相邻的导电互连件彼此错位排列。
2.如请求项1所述之可挠显示器,其中,每一该导电互连件沿该Y方向的长度为100um至500um。
3.如请求项1所述之可挠显示器,其中,该电路层更包括复数个导电插塞,各个该导线插塞沿该X方向对应连接于相邻的导电互连件之间。
4.如请求项1所述之可挠显示器,其中,该相邻的导电互连件相对应的一端沿该X方向彼此部分重迭。
5.如请求项1所述之可挠显示器,更包括一有机发光层,其包括沿该X方向设置于该电路层上的一像素电极,及沿该X方向设置于该像素电极上的一像素界定层。
6.如请求项1所述之可挠显示器,其中,该介电层中具有沿该X方向堆迭的至少两个次介电层,且该电路层包括复数个导线,分别设置于该等次介电层中。
7.如请求项1所述之可挠显示器,其中,该导线中更包含复数个金属层,每一金属层沿该X方向分别位于不同水平面上,且分别包含至少一个该导电互连件。
8.如请求项1所述之可挠显示器,其中,该导线中更包含一第一金属层、一第二金属层和一第三金属层,依序往远离该可挠基板沿该X方向设置,且分别包含至少一个该导电互连件。
9.如请求项8所述之可挠显示器,其中,该第一金属层包含该等导电互连件的一部分,该第二金属层或该第三金属层包含该等导电互连件的其余部分。
10.如请求项8所述之可挠显示器,其中,该第二金属层包含该等导电互连件的一部分,该第三金属层包含该等导电互连件的其余部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107126708 | 2018-08-01 | ||
TW107126708 | 2018-08-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110797372A true CN110797372A (zh) | 2020-02-14 |
Family
ID=69227861
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810940044.0A Pending CN110797372A (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-17 | 可挠显示器 |
CN201910649969.4A Pending CN110797374A (zh) | 2018-08-01 | 2019-07-18 | 显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910649969.4A Pending CN110797374A (zh) | 2018-08-01 | 2019-07-18 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200044007A1 (zh) |
CN (2) | CN110797372A (zh) |
TW (1) | TWI711177B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090055772A (ko) * | 2007-11-29 | 2009-06-03 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
CN106206545A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 |
CN106206613A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-07 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4603190B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2010-12-22 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
KR100546346B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 재배선 범프 형성방법 및 이를 이용한 반도체 칩과 실장구조 |
CN101656263A (zh) * | 2008-07-08 | 2010-02-24 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备 |
WO2010111601A2 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby |
US9209207B2 (en) * | 2013-04-09 | 2015-12-08 | Apple Inc. | Flexible display with bent edge regions |
CN104123021B (zh) * | 2013-04-23 | 2017-04-12 | 中华大学 | 触控面板及其制备方法 |
TWI532162B (zh) * | 2013-06-25 | 2016-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式顯示面板及其製造方法 |
US9367094B2 (en) * | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
US9318475B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
KR102241248B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2021-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 곡면형 표시 장치 |
CN107134259B (zh) * | 2017-06-28 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路、驱动方法、显示模组、驱动方法和显示装置 |
CN108091679B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板弯折区的走线结构、柔性oled显示面板 |
-
2018
- 2018-08-17 CN CN201810940044.0A patent/CN110797372A/zh active Pending
-
2019
- 2019-04-24 TW TW108114392A patent/TWI711177B/zh active
- 2019-04-25 US US16/394,333 patent/US20200044007A1/en not_active Abandoned
- 2019-07-18 CN CN201910649969.4A patent/CN110797374A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090055772A (ko) * | 2007-11-29 | 2009-06-03 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
CN106206545A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 |
CN106206613A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-07 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200044007A1 (en) | 2020-02-06 |
TW202008578A (zh) | 2020-02-16 |
CN110797374A (zh) | 2020-02-14 |
TWI711177B (zh) | 2020-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11980073B2 (en) | Display device | |
KR102560102B1 (ko) | 표시 장치 | |
US11588001B2 (en) | Display device having an encapsulation layer and power line in non-display area | |
US10916728B2 (en) | Display device | |
US9871089B2 (en) | Display device | |
CN105742321A (zh) | 显示装置 | |
KR20180085398A (ko) | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US11730042B2 (en) | Display device including wirings electrically connecting oxide conductive layer and sensor electrode | |
CN109546002A (zh) | 有机电致发光显示面板及显示装置 | |
CN114830343A (zh) | 显示装置 | |
KR20210106053A (ko) | 표시 장치 | |
KR20210018687A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
KR20210011529A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
US20240251606A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US12009291B2 (en) | Electronic device including semiconductor layer with width variation design | |
EP4246574A1 (en) | Wiring substrate and display device including the same | |
CN110797372A (zh) | 可挠显示器 | |
EP4047660A1 (en) | Display device | |
US9754975B2 (en) | Flexible display device | |
US20230197764A1 (en) | Display device | |
US20230317734A1 (en) | Display device | |
US20220085246A1 (en) | Display device | |
CN117098416A (zh) | 发光元件 | |
KR20240049728A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230128179A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200214 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |