CN110783379B - 电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

电致发光显示装置。一种电致发光显示装置，包括：基板，包括第一子像素至第三子像素；电路器件层，包括分别位于基板上的所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个中的驱动薄膜晶体管；第一电极，分别位于所述电路器件层上的所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个中；发光层，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发光层上，其中所述第一子像素中的第一电极包括第一下电极和第一上电极，其中所述第二子像素的第一电极包括第二下电极和第二上电极，其中，所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离与所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离不同，并且所述第一下电极和第一上电极通过二者之间的第一接触电极彼此电连接。

Description

电致发光显示装置
技术领域
本发明涉及一种电致发光显示装置，并且更具体地说，涉及一种用于发出白光的电致发光显示装置。
背景技术
电致发光显示装置是其中发光层位于两个电极(例如，阳极电极和阴极电极)之间，并且利用在这两个电极之间产生的电场发光，从而显示图像的装置。发光层可以由有机材料或无机材料形成(诸如量子点)。在发光层中，通过电子和空穴的组合产生激子。当激子从激发态转变为基态时，会发出光。
发光层可以在子像素中发出不同颜色(例如，红色，绿色和蓝色)的光，并且可以在子像素中发出相同颜色的光(例如，白光)。当发光层以子像素为单位发出不同颜色的光时，因为应当使用掩模在子像素中沉积不同的发光层，所以存在另外执行掩模工艺的限制。当掩模未精确对准时，存在难以在每个子像素中沉积发光层的问题。
另一方面，当发光层在子像素中发出相同颜色的光(例如，白光)时，不需要用于形成发光层的掩模。因此，不会发生由掩模工艺所引起的问题。
然而，当发光层实现为发出白光时，应在每个子像素中进一步提供滤色器。从发光层发出的光被滤色器吸收，导致光效率降低。
发明内容
因此，本公开涉及一种电致发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题。
本公开的一个方面是提供一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置包括用于发出白光并且提高光效率的发光层。
附加的特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的发明构思而获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过书面描述中特别指出的结构、或由其衍生的结构、本发明的权利要求以及附图来实现和获得。
为了实现实施和广泛描述的本发明构思的这些和其他方面，提供了一种电致发光显示装置，所述电致发光显示装置包括：基板，所述基板包括：第一子像素；第二子像素；以及第三子像素；电路器件层，所述电路器件层包括分别位于所述基板上的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中的驱动薄膜晶体管；第一电极，所述第一电极分别位于所述电路器件层上的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中；发光层，所述发光层位于所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极位于所述发光层上，其中，所述第一子像素中的第一电极包括：第一下电极；以及第一上电极，其中，所述第二子像素的第一电极包括：第二下电极；以及第二上电极，其中，所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离与所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离不同，并且其中，所述第一下电极和所述第一上电极通过所述第一下电极和所述第一上电极之间的第一接触电极彼此电连接。
在另一方面，提供了一种电致发光显示装置，所述电致发光显示装置包括：第一子像素，所述第一子像素包括：第一发光区；以及第一接触区；第二子像素，所述第二子像素包括：第二发光区；以及第二接触区；第三子像素，所述第三子像素包括：第三发光区；以及第三接触区；位于所述第一发光区中的第一下电极和第一上电极；位于所述第二发光区中的第二下电极和第二上电极；位于所述第三发光区中的第三下电极和第三上电极；位于所述第一接触区中的第一接触电极，第一接触电极电连接到所述第一下电极和所述第一上电极；位于所述第二接触区中的第二接触电极，所述第二接触电极电连接到所述第二上电极；以及位于第三接触区中的第三接触电极，所述第三接触电极电连接到所述第三下电极，其中，所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离小于所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离，并且其中，所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离大于所述第三下电极与所述第三上电极之间的距离。
在研究了下面的附图和详细描述之后，其他***、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或将变得显而易见。旨在将所有这些附加***、方法、特征和优点包括在本说明书内、在本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。本部分中的任何内容均不应视为对这些声明的限制。下面结合本公开的实施方式讨论其他方面和优点。应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述都是示例和解释性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附记1.一种电致发光显示装置，所述电致发光显示装置包括：
基板，所述基板包括：
第一子像素；
第二子像素；以及
第三子像素；
电路器件层，所述电路器件层包括分别位于所述基板上的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中的驱动薄膜晶体管；
第一电极，所述第一电极分别位于所述电路器件层上的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中；
发光层，所述发光层位于所述第一电极上；以及
第二电极，所述第二电极位于所述发光层上，
其中，所述第一子像素中的第一电极包括：
第一下电极；以及
第一上电极，
其中，所述第二子像素的第一电极包括：
第二下电极；以及
第二上电极，
其中，所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离与所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离不同，并且
其中，所述第一下电极和所述第一上电极通过所述第一下电极和所述第一上电极之间的第一接触电极彼此电连接。
附记2.根据附记1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括：
第一下接触电极；以及
第一上接触电极，
所述第一下接触电极位于所述第一下电极与所述第一上接触电极之间，所述第一下接触电极将所述第一下电极电连接到所述第一上接触电极，
所述第一上接触电极位于所述第一下接触电极与所述第一上电极之间，所述第一上接触电极将所述第一下接触电极电连接到所述第一上电极，并且
所述第一下电极通过所述电路器件层中的接触孔电连接到所述第一子像素中的驱动薄膜晶体管。
附记3.根据附记1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二下电极通过第二接触电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管和所述第二上电极，
所述第二接触电极包括：
第二下接触电极；以及
第二上接触电极，
所述第二下接触电极位于所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第二下电极之间，所述第二下接触电极将所述第二下电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，并且
所述第二上接触电极位于所述第二下电极与所述第二上电极之间，所述第二上接触电极将所述第二下电极电连接到所述第二上电极。
附记4.根据附记1所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括位于所述第一下电极与所述第一接触电极之间的第一绝缘层和第二绝缘层，并且其中，
所述第一接触电极包括单个接触层，并且
所述第一下电极通过所述电路器件层中的接触孔电连接到所述第一子像素中的驱动薄膜晶体管。
附记5.根据附记1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二上电极通过第二接触电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，
所述第二接触电极包括：
第二下接触电极；以及
第二上接触电极，
所述第二下接触电极位于所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第二上接触电极之间，所述第二下接触电极将所述第二上接触电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管；
所述第二上接触电极位于所述第二下接触电极与所述第二上电极之间，所述第二上接触电极将所述第二下接触电极电连接到所述第二上电极，并且
第一绝缘层和第二绝缘层位于所述第二下接触电极与所述第二上接触电极之间。
附记6.根据附记5所述的电致发光显示装置，其中，所述第二下电极不与所述第二上电极和所述第二接触电极电连接。
附记7.根据附记5所述的电致发光显示装置，其中，所述第二下电极电连接到所述第二上接触电极的侧表面。
附记8.根据附记1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三子像素的第一电极包括：
第三下电极；以及
第三上电极，
所述第三下电极与所述第三上电极之间的距离与所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离以及所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离不同，并且
所述第三下电极通过第三接触电极电连接到所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管。
附记9.根据附记8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三接触电极包括：
第三下接触电极；以及
第三上接触电极，
所述第三下接触电极位于所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第三上接触电极之间，所述第三下接触电极将所述第三上接触电极电连接到所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管，并且
所述第三上接触电极位于所述第三下接触电极与所述第三下电极之间，所述第三上接触电极将所述第三下接触电极电连接到所述第三下电极。
附记10.根据附记8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三接触电极包括单个接触层，
所述第三接触电极通过所述电路器件层中的接触孔电连接到所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管，并且
第一绝缘层和第二绝缘层位于所述第三接触电极与所述第三下电极之间。
附记11.根据附记8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三上电极包括：
第三下层；以及
第三上层，
所述第三下层具有与所述第三下电极的上表面中的第三下电极的图案相同的图案。
附记12.根据附记11所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
堤层，所述堤层位于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的两个相邻子像素之间的边界中，
其中，所述第三上层具有与所述第三下层的图案相同的图案，并且
其中，所述堤层覆盖所述第三上层的两端。
附记13.根据附记11所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
堤层，所述堤层位于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的两个相邻子像素之间的边界中，
其中，所述第三上层具有与所述第三下层的图案不同的图案，
其中，所述堤层不覆盖所述第三上层的一端，并且
其中，所述发光层与所述第三下层接触。
附记14.根据附记8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一上电极包括：
第一下层；以及
第一上层，
所述第一下层具有与所述第一接触电极的图案相同的图案，并且
所述第一上层具有与所述第一下层的图案不同的图案。
附记15.根据附记14所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括：
第一下接触电极；以及
第一上接触电极，
所述第一下接触电极位于所述第一下电极与所述第一上接触电极之间，
所述第一上接触电极位于所述第一下接触电极与所述第一上电极之间，并且
所述第一下层具有与所述第一上接触电极的上表面中的第一上接触电极的图案相同的图案。
附记16.根据附记8所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
第二接触电极，所述第二接触电极将所述第二上电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，
其中，所述第二上电极包括：
第二下层；以及
第二上层，
其中，所述第二下层具有与所述第二接触电极的图案相同的图案，并且
其中，所述第二上层具有与所述第二下层的图案不同的图案。
附记17.根据附记16所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二接触电极包括：
第二下接触电极；以及
第二上接触电极，
所述第二下接触电极位于所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第二下电极之间；
所述第二上接触电极位于所述第二下电极与所述第二上电极之间，并且
所述第二下层具有与所述第二上接触电极的上表面中的第二上接触电极的图案相同的图案。
附记18.根据附记8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二下电极与所述第二上电极之间的绝缘层的数量小于所述第一下电极与所述第一上电极之间的绝缘层的数量，并且
所述第二下电极与所述第二上电极之间的绝缘层的数量大于所述第三下电极与所述第三上电极之间的绝缘层的数量。
附记19.根据附记1所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
堤层，所述堤层覆盖第一电极的端部，
其中，所述堤层包括在所述第一子像素至所述第三子像素之间的边界区域中的沟槽，并且
其中，所述发光层在所述沟槽中不邻接。
附记20.根据附记1所述的电致发光显示装置，其中，所述第一电极的与所述发光层接触的部分具有一个功函数。
附记21.根据附记1所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
透镜阵列，所述透镜阵列与所述基板间隔开；以及
容纳壳体，所述容纳壳体被配置为容纳所述基板和所述透镜阵列。
附记22.一种电致发光显示装置，所述电致发光显示装置包括：
第一子像素，所述第一子像素包括：
第一发光区；以及
第一接触区；
第二子像素，所述第二子像素包括：
第二发光区；以及
第二接触区；
第三子像素，所述第三子像素包括：
第三发光区；以及
第三接触区；
位于所述第一发光区中的第一下电极和第一上电极；
位于所述第二发光区中的第二下电极和第二上电极；
位于所述第三发光区中的第三下电极和第三上电极；
位于所述第一接触区中的第一接触电极，所述第一接触电极电连接到所述第一下电极和所述第一上电极；
位于所述第二接触区中的第二接触电极，所述第二接触电极电连接到所述第二上电极；以及
位于所述第三接触区中的第三接触电极，所述第三接触电极电连接到所述第三下电极，
其中，所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离小于所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离，并且
其中，所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离大于所述第三下电极与所述第三上电极之间的距离。
附记23.根据附记22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下电极和所述第一上电极延伸到所述第一接触区，
所述第二下电极和所述第二上电极延伸到所述第二接触区，并且
所述第三下电极和所述第三上电极延伸到所述第三接触区。
附记24.根据附记23所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括所述第一下电极与所述第一上电极之间的第一下接触电极和第一上接触电极，
所述第二接触电极包括：
位于所述第二下电极下方的第二下接触电极；以及
位于所述第二下电极与所述第二上电极之间的第二上接触电极，并且
所述第三接触电极包括所述第三下电极下方的第三下接触电极和第三上接触电极。
附记25.根据附记22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下电极和所述第一上电极延伸到所述第一接触区，
所述第二下电极不延伸到所述第二接触区，
所述第二上电极延伸到所述第二接触区，并且
所述第三下电极和所述第三上电极延伸到所述第三接触区。
附记26.根据附记25所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括所述第一下电极与所述第一上电极之间的单个接触层；
所述第二接触电极包括在所述第二上电极下方的第二下接触电极和第二上接触电极，并且
所述第三接触电极包括在所述第三下电极下方的单个接触层。
附记27.根据附记22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一上电极包括：
所述第一接触区中的第一下层；以及
从所述第一接触区延伸到所述第一发光区的第一上层，
所述第二上电极包括：
所述第二接触区中的第二下层；以及
从所述第二接触区延伸到所述第二发光区的第二上层，并且
所述第三上电极包括：
从所述第三接触区延伸到所述第三发光区的第三下层；以及
从所述第三接触区延伸到所述第三发光区的第三上层。
附记28.根据附记27所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下层具有与所述第一接触电极的图案相同的图案，
所述第二下层具有与所述第二接触电极的图案相同的图案，
所述第三下层具有与所述第一下电极的图案相同的图案，
所述第一上层具有与所述第一下层的图案不同的图案，并且
所述第二上层具有与所述第二下层的图案不同的图案。
附记29.根据附记27所述的电致发光显示装置，其中，所述第一发光区中的第一上电极的厚度小于所述第一接触区中的第一上电极的厚度。
附记30.根据附记27所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二发光区中的第二上电极的厚度小于所述第二接触区中的第二上电极的厚度，并且
所述第三发光区中的第三上电极的厚度等于所述第三接触区中的第三上电极的厚度。
附记31.根据附记22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下电极和所述第一上电极通过多个接触孔彼此电连接，并且
所述多个接触孔中的至少一个不与所述多个接触孔中的其它接触孔交叠。
附记32.根据附记22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触区的两侧面向所述第一发光区，并且
所述第一发光区包括：
第一部分，所述第一部分具有相对宽的第一宽度；以及
第二部分，所述第二部分具有相对窄的第二宽度。
附记33.根据附记22所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
堤层，所述堤层覆盖所述第一上电极、所述第二上电极和所述第三上电极中的每一个的端部；以及
发光层，所述发光层位于所述第一上电极、所述第二上电极和所述第三上电极上，
其中，所述堤层包括在所述第一子像素至所述第三子像素之间的边界区域中的沟槽，
其中，所述发光层在所述沟槽中，并且
其中，所述发光层在所述沟槽中不邻接。
附记34.根据附记22所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
透镜阵列，所述透镜阵列与基板间隔开；以及
容纳壳体，所述容纳壳体被配置为容纳所述基板和所述透镜阵列。
附图说明
附图可以被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入且构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式并且与说明书一起用于解释本公开的各种原理。
图1是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图2A至图2C是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图3A是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图3B是沿图3A的线A-B截取的截面图。
图3C是沿图3A的线C-D截取的截面图。
图3D是沿图3A的线E-F截取的截面图。
图4是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图5是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图6是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图7是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图8A是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图8B是沿图8A的线A-B截取的截面图。
图8C是沿图8A的线C-D截取的截面图。
图8D是沿图8A的线E-F截取的截面图。
图9A至图9H是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的工艺截面图。
图10是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置中发光效率降低的可能性的截面图。
图11A至图11C是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图12A至图12H是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的工艺截面图。
图13是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图14是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图15是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图16A是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图16B是沿图16A的线C-D截取的截面图。
图17是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图18是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图19A至图19C例示了根据本公开的实施方式的头戴式显示(HMD)装置。
在整个附图和详细描述中，除非另外描述，否则相同的附图标记应被理解为表示相同的元件、特征和结构。为了清楚，说明和方便起见，可夸大这些元件的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的实施方式，其示例可以在附图中示出。在以下描述中，当确定与本文档相关的公知功能或配置的详细描述不必要地混淆本发明构思的主旨时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进展是一个示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于本文所述的顺序，并且除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外，可以如本领域中已知的那样改变。相同的附图标记始终表示相同的元件。选择在以下说明中使用的相应元件的名称仅仅是为了便于编写说明书，因此可以与实际产品中使用的美年广场不同。
应当理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件进行区分。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“至少一个”应该被理解为包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。而且，术语“连接”应理解为包括“电连接”。
在实施方式的描述中，当一个结构被描述为位于另一结构“上或上方”或“下方或下面”时，该描述应被解释为包括所述结构彼此接触的情况以及第三结构设置在所述结构之间的情况。给出附图中所示的每个元件的尺寸和厚度仅仅是为了便于描述，并且本公开的实施方式不限于此。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地联接到彼此或者彼此组合，并且可以如本领域技术人员可以充分理解的那样彼此不同地互操作并且在技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的实施方式的电致发光显示装置。
图1是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
在图1中，为了方便仅例示了三个子像素，但是实施方式可以不限于此。
如图1所示，根据本公开实施方式的电致发光显示装置可包括基板100、多个第一电极310至330、多个接触电极410至430以及堤层600。多个子像素(例如，第一子像素至第三子像素)P1至P3可以在基板100上。
多个发光区(例如，第一发光区至第三发光区)EA1至EA3和多个接触区(例如，第一至第三接触区)CA1至CA3可以分别在多个子像素P1至P3中。例如，第一发光区EA1和第一接触区CA1可以在第一子像素P1中，第二发光区EA2和第二接触区CA2可以在第二子像素P2中，第三发光区EA3和第三接触区CA3可以在第三子像素P3中。
多个发光区EA1至EA3可以由堤层600限定。例如，多个发光区EA1至EA3可以是可暴露的区域而不被堤层600覆盖。第一发光区EA1可以是红色发光区，第二发光区EA2可以是绿色发光区，第三发光区EA3可以是蓝色发光区。然而，本公开的实施方式不限于此。
多个接触区CA1至CA3可以位于由堤层600覆盖的区域中。因此，多个接触区CA1至CA3中的每一个可以在多个发光区EA1至EA3的相应发光区的一侧之外。例如，第一接触区CA1可以在第一发光区EA1的上部之外，第二接触区CA2可以在第二发光区EA2的上部之外，第三接触区CA3可以在第三发光区EA3的上部之外。然而，本公开的实施方式不限于此。
多个接触孔CH1至CH4、CH21至CH24和CH31至CH34可以分别在多个接触区CA1至CA3中。因此，可能出现台阶高度。因此，当多个接触区CA1至CA3中的每一个的至少一部分暴露而未被堤层600覆盖，并且与多个发光区EA1至EA3中的相应发光区交叠时，由于台阶高度，可能会出现光在发光区EA1至EA3中可能不均匀的问题。因此，在本公开的实施方式中，多个接触区CA1至CA3可以被堤层600覆盖，因此，可以不与多个发光区EA1至EA3交叠。然而，本公开的实施方式不限于此，并且可存在多个接触区CA1至CA3中的每一个的至少一部分可能未被存储体600覆盖的可能性。因此，多个接触区CA1至CA3可以与多个发光区EA1至EA3的相应发光区交叠。
第一电极310至330可以分别在子像素P1至P3中图案化。例如，一个第一电极310可以在第一子像素P1中，另一个第一电极320可以在第二子像素P2中，并且又一个第一电极330可以在第三子像素P3中。第一电极310至330中的每一个可以用作电致发光显示装置的阳极。
第一子像素P1中的第一电极310可以从第一发光区EA1延伸到第一接触区CA1。第一电极310的可以暴露而不被堤层600覆盖的暴露部分可以是第一发光区EA1。第一子像素P1中的第一电极310可以连接到第一接触区CA1中的第一接触电极410。
第二子像素P2中的第一电极320可以从第二发光区EA2延伸到第二接触区CA2。第一电极320的可以暴露而不被堤层600覆盖的暴露部分可以是第二发光区EA2。第二子像素P2中的第一电极320可以连接到第二接触区CA2中的第二接触电极420。
第三子像素P3中的第一电极330可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。第一电极330的可以暴露而不被堤层600覆盖的暴露部分可以是第三发光区EA3。第三子像素P3中的第一电极330可以连接到第三接触区CA3中的第三接触电极430。
接触电极410至430可以分别位于接触区CA1至CA3中。例如，第一接触电极410可以在第一接触区CA1中，第二接触电极420可以在第二接触区CA2中，并且第三接触电极430可以在第三接触区CA3中。
第一接触电极410可以连接到第一电极310，并且可以与第一接触区CA1中的第一子像素P1中的第一电极310交叠。尽管附图将第一接触电极410的水平宽度例示为大于第一电极310的水平宽度，但是实施方式不限于此。例如，第一接触电极410的水平宽度可以等于或小于第一电极310的水平宽度。
第二接触电极420可以连接到第一电极320，并且可以与第二接触区CA2中的第二子像素P2中的第一电极320交叠。尽管附图将第二接触电极420的水平宽度例示为大于第一电极320的水平宽度，但是实施方式不限于此。例如，第二接触电极420的水平宽度可以等于或小于第一电极320的水平宽度。
第三接触电极430可以连接到第一电极330，并且可以与第三接触区CA3中的第三子像素P3中的第一电极330交叠。尽管附图将第三接触电极430的水平宽度例示为大于第一电极330的水平宽度，但是实施方式不限于此。例如，第三接触电极430的水平宽度可以等于或小于第一电极330的水平宽度。
在下文中，将参照截面结构图来详细描述本公开的各种实施方式。
图2A至图2C是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图2A对应于沿图1的线A-B截取的截面图。如图2A所示，根据本公开实施方式的电致发光显示装置可包括基板100、电路器件层200、多个第一电极310至330、多个接触电极410至430、多个绝缘层510至530、堤层600、发光层700、第二电极800、封装层850和滤色器层900。
基板100可包括玻璃或塑料，但不限于此。例如，基板100可以包括半导体材料，诸如硅晶片。基板100可包括透明材料或不透明材料。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以在基板100中。第一子像素P1可以发出红光，第二子像素P2可以发出绿光，第三子像素P3可以发出蓝光。然而，本公开的实施方式不限于此。例如，可以不同地修改子像素P1至P3的排列顺序。
根据本公开的实施方式的电致发光显示装置可以实现为其中光可以朝向上部发出的顶部发光型。因此，基板100的材料可以使用不透明材料以及透明材料。
电路器件层200可以在基板100上。包括各种信号线(薄膜晶体管(TFT)、电容器等)的电路器件可以在每个子像素P1至P3中的电路器件层200中。信号线可以包括选通线、数据线、电源线和参考线。TFT可以包括开关TFT、驱动TFT 250和感测TFT。
开关TFT可以根据通过选通线提供的栅极信号导通，并且可以将通过数据线提供的数据电压传输到驱动TFT。驱动TFT 250可以利用通过开关TFT提供的数据电压导通，并且可以从通过电源线提供的电力产生数据电流，以将数据电流提供给第一电极310至330。
感测TFT可以感测可能导致图像质量下降的驱动TFT的阈值电压偏差，并且可以响应于通过选通线或单独的传感线提供的感测控制信号将驱动TFT的电流提供给参考线。电容器可以在一帧期间保持提供给驱动TFT 250的数据电压，并且可以连接到驱动TFT 250的栅极端子和源极端子。
多个第一接触孔CH11、CH21和CH31可以位于每个子像素P1至P3中的电路器件层200中。因此，驱动TFT 250的源极端子或漏极端子可以通过第一接触孔CH11、CH21和CH31暴露。
第一电极310至330和接触电极(例如，第一至第三接触电极)410至430可以在相应子像素P1至P3中的电路器件层200上图案化。一个第一电极310和第一接触电极410可以在第一子像素P1中。另一个第一电极320和第二接触电极420可以在第二子像素P2中。又一个第一电极330和第三接触电极430可以在第三子像素P3中。
第一电极310至330可以连接(例如，电连接)到电路器件层200中的驱动TFT 250。例如，第一电极310至330可以连接至驱动TFT 250的源极端子或漏极端子。
第一子像素P1中的第一电极310可以包括第一下电极311和第一上电极312。第一下电极311和第一上电极312可以从第一发光区EA1延伸到第一接触区CA1。
第一下电极311可以通过第一子像素P1区中的电路器件层200的第一接触孔CH11连接到驱动TFT 250。根据情况，第一下电极311可以通过填充到第一接触孔CH11中的导电材料连接到驱动TFT250，并且这可以类似地应用于以下实施方式中的任何一个。
第一上电极312可以通过第一子像素P1区中的第三绝缘层530的第四接触孔CH14连接到构成第一接触电极410的第一上接触电极412。
第一子像素P1中的第一接触电极410可以包括第一下接触电极411和第一上接触电极412。第一下接触电极411可以通过第一子像素P1区中的第一绝缘层510的第二接触孔CH12连接到第一下电极311，并且第一上接触电极412可以通过第一子像素P1区中的第二绝缘层520的第三接触孔CH13连接到第一下接触电极411。
在第一子像素P1中，第一下电极311可以直接连接到电路器件层200中的驱动TFT250，并且第一上电极312可以通过第一下接触电极411和第一上接触电极412连接到第一下电极311。因此，第一至第三绝缘层510至530可以位于第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311和第一上电极312之间。
第二子像素P2中的第一电极320可以包括第二下电极321和第二上电极322。第二下电极321和第二上电极322可以从第二发光区EA2延伸到第二接触区CA2。
第二下电极321可以通过第二子像素P2区中的第一绝缘层510的第二接触孔CH22连接到构成第二接触电极420的第二下接触电极421。第二上电极322可以通过第二子像素P2区中的第三绝缘层530的第四接触孔CH24连接到构成第二接触电极420的第二上接触电极422。
第二子像素P2中的第二接触电极420可以包括第二下接触电极421和第二上接触电极422。第二下接触电极421可以通过第二子像素P2区中的电路器件层200的第一接触孔CH21连接到驱动TFT250，并且第二上接触电极422可以通过第二子像素P2区中的第二绝缘层520的第三接触孔CH23连接到第二下电极321。根据情况，第二下接触电极421可以通过填充到第一接触孔CH21中的导电材料连接到驱动TFT250，并且这可以类似地应用于以下实施方式中的任何一个。
在第二子像素P2中，第二下电极321可以通过第二下接触电极421直接连接到电路器件层200中的驱动TFT 250，第二上电极322可以通过第二上接触电极422连接到第二下电极321。因此，第二绝缘层520和第三绝缘层530可以位于第二子像素P2的第二发光区EA2中的第二下电极321和第二上电极322之间。
第三子像素P3中的第一电极330可以包括第三下电极331和第三上电极33。第三下电极331和第三上电极332可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。
第三下电极331可以通过第三子像素P3区中的第二绝缘层520的第三接触孔CH33连接到构成第三接触电极430的第三上接触电极432。第三上电极332可以通过第三子像素P3区中的第三绝缘层530的第四接触孔CH34连接到第三下电极331。
第三子像素P3中的第三接触电极430可以包括第三下接触电极431和第三上接触电极432。第三下接触电极431可以通过第三子像素P3区中的电路器件层200的第一接触孔CH31连接到驱动TFT250，第三上接触电极432可以通过第三子像素P3区中的第一绝缘层510的第二接触孔CH32连接到第三下接触电极431。
在第三子像素P3中，第三下电极331可以通过第三下接触电极431和第三上接触电极432连接到电路器件层200中的驱动TFT 250，并且第三上电极332可以直接连接到第二下电极321。因此，第三绝缘层530可以位于第三子像素P3的第三发光区EA3中的第二下电极321和第二上电极322之间。根据情况，第三下接触电极431可以通过填充到第一接触孔CH31中的导电材料连接到驱动TFT250，并且这可以类似地应用于所有以下实施方式。
如上所述，根据本公开的实施方式，第一子像素P1中的第一下电极311和第一上电极312之间的距离，第二子像素P2中的第二下电极321和第二上电极322之间的距离，以及第三子像素P3中的第三下电极331和第三上电极332之间的距离可以不同地设置。因此，可以获得微腔特性。这将在下面详细描述。
第一绝缘层510可以在电路器件层200上。例如，第一绝缘层510可以在第一下接触电极411、第二下电极321和第三上接触电极432下方。第二接触孔CH12、CH22和CH32可以位于相应子像素P1至P3中的第一绝缘层510中。除了第二接触孔CH12、CH22和CH32之外，第一绝缘层510可以设置在多个子像素P1至P3区的整个区域上方。因此，第一子像素P1中的第一绝缘层510、第二子像素P2中的第二绝缘层510和第三子像素P3中的第一绝缘层510可以彼此连接。
第二绝缘层520可以在第一绝缘层510上。例如，第二绝缘层520可以在第一上接触电极412、第二上接触电极422和第三下电极331下面。第三接触孔CH13、CH23和CH33可以位于相应子像素P1至P3中的第二绝缘层520中。除了第三接触孔CH13、CH23和CH33之外，第二绝缘层520可以设置在多个子像素P1至P3区的整个区域上方。因此，第一子像素P1中的第二绝缘层520、第二子像素P2中的第二绝缘层520和第三子像素P3中的第二绝缘层520可以彼此连接。
第三绝缘层530可以在第二绝缘层520上。例如，第三绝缘层530可以在第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332下面。第四接触孔CH14、CH24和CH34可以位于相应子像素P1至P3中的第三绝缘层530中。
除了第四接触孔CH14、CH24和CH34之外，第三绝缘层530可以设置在多个子像素P1至P3区的整个区域上。因此，第一子像素P1中的第三绝缘层530，第二子像素P2中的第三绝缘层530和第三子像素P3中的第三绝缘层530可以彼此连接。
根据本公开的实施方式的电致发光显示装置可以实现为顶部发光型。因此，第一电极310至330可以将从发光层700发出的光反射到上部。例如，分别设置在具有双层结构的第一电极310至330下方的第一至第三下电极311、321和331中的每一个可以是反射电极；分别设置在第一电极310至330上的第一至第三上电极312、322和332中的每一个可以是透明电极或半透明电极。例如，第一至第三上电极312、322和332可以用作第一子像素至第三子像素P1至P3的相应阳极。
这里，反射电极可以是反射入射光的电极，透明电极可以是透射入射光的电极，半透明电极可以是透射一部分光并反射其它光的电极。反射电极、半透明电极和透明电极可以依次具有良好的透明性，并且透明电极、半透明电极和反射电极可以依次具有良好的反射率。
例如，各自设置在与第一子像素P1的第一下电极311相同的层上的第二子像素P2的第二下接触电极421和第三子像素P3的第三下接触电极431可以包括与第一下电极311的材料相同的材料并且通过相同的工艺图案化。各自设置在与第二子像素P2的第二下电极321相同的层上的第一子像素P1的第一下接触电极411和第三子像素P3的第三上接触电极432，可以包括与第二下电极321的材料相同的材料并且通过相同的工艺图案化。
各自设置在与第三子像素P3的第三下电极331相同的层上的第一子像素P1的第一上接触电极412和第二子像素P2的第二上接触电极422可以包括与第三下电极331相同的材料并且可以通过相同的工艺图案化。均设置在同一层上的第一子像素P1的第一上电极312、第二子像素P2的第二上电极322和第三子像素P3的第三上电极332可以包括相同的材料并且可以是通过相同的工艺图案化。
当第一至第三下电极311、321和331中的每一个是反射电极，并且第一至第三上电极312、322和332中的每一个是透明电极时，从发光层700中发出的光的一部分可以被第一至第三下电极311、321和331反射，可以穿过第一至第三上电极312、322和332，并且可以沿向上方向放电。
当第一至第三下电极311、321和331中的每一个是反射电极，并且第一至第三上电极312、322和332中的每一个是半透明电极时，从发光层700中发出的光的一部分可以被第一至第三下电极311、321和331反射，并且可以沿向上方向放电；从发光层700发出的光的另一部分可以穿过第一至第三上电极312、322和332，可以沿向下方向行进，并且可以由第一至第三下电极311反射。这样，由第一至第三下电极311、321和331中的每一个反射的光的一部分可以穿过第一至第三上电极312、322和332，并且可以沿向上方向放电；并且由第一至第三下电极311、321和331中的每一个反射的光的另一部分可以被第一至第三上电极312、322和332反射，可以沿向下方向行进，并且可以由第一至第三下电极311、321和331再反射。可以重复这种反射过程。如上所述，可以在第一至第三下电极311、321和331与第一至第三上电极312、322和332之间重复光的反射和再反射。因此，可以放大光，从而增强光效。
例如，当第一至第三下电极311、321和331与第一至第三上电极312、322和332之间的距离中的每一个是从每个子像素P1至P3释放的光的半波长(λ/2)的整数倍时，可能出现构造推断。因此，可以进一步放大光。当可以重复上述反射和再反射过程时，可以放大光的程度可连续增加。因此，可以增强光的外部提取效率。这种特性可以称为“微腔”特性。
因此，根据本公开的实施方式，使用第一接触电极410、第二接触电极420和第三接触电极430，第一子像素P1中第一下电极311和第一上电极312之间的第一距离、第二子像素P2中的第二下电极321和第二上电极322之间的第二距离、以及第三子像素P3中的第三下电极331和第三上电极332之间的第三距离可以不同地设置。因此，可以在每个子像素P1至P3中获得微腔特性。
例如，第一子像素P1中的第一距离可以是最长的，其可以释放(discharge)长波长范围的红光，并且第三子像素P3中的第三距离可以较短，其可以释放短波长范围的蓝光。然而，本公开的实施方式不限于此。
此外，根据本公开的实施方式，第一至第三上电极312、322和332与第二电极800之间的距离可以在相应子像素P1至P3中相同，并且第一至第三上电极312、322和332可以在第三绝缘层530上以相同的高度设置。因此，第一至第三上电极312、322和332上的发光层700的下表面可以具有完全均匀的高度。因此，与第一至第三上电极312、322和332设置在不同高度的情况相比，可以更多地改善发光层700的轮廓。在下文中，在各种实施方式中，第一至第三上电极312、322和332与第二电极800之间的距离在相应子像素P1至P3中都是相同的，并且第一至第三上电极312、322和332可以设置在第三绝缘层530上的相同高度处。然而，本公开的实施方式不限于此。
堤层600可以覆盖第三绝缘层530上的第一电极310至330的第一至第三上电极312、322和332的末端。因此，电流可以集中在第一至第三的末端。上电极312、322和332，从而解决了可以降低发光效率的问题。
堤层600可以在多个子像素P1至P3之间的边界中处于矩阵结构中，并且可以在相应子像素P1至P3中限定发光区EA1至EA3。例如，第一至第三上电极312、322和332中可以在没有设置堤层600的情况下暴露的暴露区域可以是相应子像素P1至P3中的发光区EA1至EA3。
例如，堤层600可以与接触区CA1至CA3交叠，其中可以分别提供接触电极410至430。因此，可以是阶梯状的接触区CA1至CA3可以不与发光区EA1至EA3交叠。堤层600可以包括具有相对薄的厚度的无机绝缘层，或者可以包括具有相对厚的厚度的有机绝缘层。
发光层700可以在第一电极310至330的第一至第三上电极312、322和332上。发光层700可以在堤层600上。例如，发光层700可以在子像素P1至P3中以及在子像素P1至P3之间的边界区域中。
发光层700可以发出白光(W)。例如，发光层700可以包括可以发出不同颜色的光的多个叠层。例如，发光层700可以包括用于发出蓝光的第一叠层，用于发出黄绿光的第二叠层以及在第一叠层和第二叠层之间的电荷产生层(CGL:charge generating layer)。作为另一个示例，发光层700可以包括用于发出蓝光的第一叠层、用于发出绿光的第二叠层、用于发出红光的第三叠层、在第一叠层和第二叠层之间的第一电荷产生层、以及第二叠层和第三叠层之间的第二电荷产生层。每个叠层可以包括可以顺序层叠的空穴传输层、有机发光层和电子传输层。发光层700的配置可以改变为如本领域技术人员所理解的各种配置。
第二电极800可以在发光层700上。第二电极800可以用作电致发光显示装置的阴极。类似于发光层700，第二电极800可以在子像素P1至P2中以及子像素P1至P3之间的边界区域中。例如，第二电极800可以在堤层600上。当根据本公开的实施方式的电致发光显示装置被实现为顶部发光型时，第二电极800可以包括用于将从发光层700发出的光透射到上部的透明导电材料。
第二电极800可包括半透明电极。因此，可以在每个子像素P1至P3中获得微腔效应。当第二电极800包括半透明电极时，可以在第二电极800与第一至第三电极310、320和330的第一至第三下电极311、321和331之间重复光的反射和再反射。因此，可以获得微腔效应。而且，可以在第二电极800与第一至第三电极310、320和330的第一至第三上电极312、322和332之间重复光的反射和再反射。因此，微腔效应可以获得。
封装层850可以在第二电极800上并且可以减少或防止外部水分渗透到发光层700中。封装层850可以包括无机绝缘材料，或者可以形成在无机绝缘材料和有机绝缘材料交替层叠的结构中，但不限于此。
滤色器层900可以在封装层850上。滤色器层900可以面向相应子像素P1至P3的发光区EA1至EA3。滤色器层900可以包括第一子像素P1中的红色滤色器、第二子像素P2中的绿色滤色器和第三子像素P3中的蓝色滤色器，但是不限于此。虽然未示出，但是可以在滤色器层900的相邻滤色器之间的边界中进一步提供黑底，并且黑底并且可以减少或防止光泄漏到除了发光区EA1至EA3之外的区域。
图2B是沿图1的线C-D截取的截面图。图2B是示出多个接触区CA1至CA3的截面图。
如图2B的示例所示，包括驱动TFT 250的电路器件层200可以在基板100上。多个第一接触孔CH11、CH21和CH31可以在电路器件层200中以及相应子像素P1至P3中。因此，驱动TFT 250的源极端子或漏极端子可以通过第一接触孔CH11、CH21和CH31暴露。
第一下电极311可以位于电路器件层200上的第一子像素P1中，第二下接触电极421可以位于电路器件层200上的第二子像素P2中，第三下接触电极431可以位于电路器件层200上的第三子像素P3中。第一下电极311、第二下接触电极421和第三下接触电极431可以通过第一接触孔CH11、CH21和CH31连接到驱动TFT250的源极端子或漏极端子。
第一绝缘层510可以位于第一下电极311、第二下接触电极421和第三下接触电极431上。多个第二接触孔CH12、CH22和CH32可以位于第一绝缘层510中。第一下接触电极411可以在第一绝缘层510上的第一子像素P1中，第二下电极321可以在第一绝缘层510上的第二子像素P2中，第三上接触电极432可以在第一绝缘层510上的第三子像素P3中。第一下接触电极411可以通过第二接触孔CH12连接到第一下电极311，第二下电极321可以通过第二接触孔CH22连接到第二下接触电极421，并且第三上接触电极432可以通过第二接触孔CH32连接到第三下接触电极431。
第二绝缘层520可以位于第一下接触电极411、第二下电极321和第三上接触电极432上。多个第三接触孔CH13、CH23和CH33可以位于第二绝缘层520中。
第一上接触电极412可以位于第二绝缘层520上的第一子像素P1中，第二上接触电极422可以位于第二绝缘层520上的第二子像素P2中，第三下电极331可以位于第二绝缘层520上的第三子像素P3中。第一上接触电极412可以通过第三接触孔CH13连接到第一下接触电极411，第二上接触电极422可以通过，第三接触孔CH23连接到第二下电极321，第三下电极331可以通过第三接触孔CH33连接到第三上接触电极432。
第三绝缘层530可以位于第一上接触电极412、第二上电极接触422和第三下接触电极331上。多个第四接触孔CH14、CH24和CH34可以位于第三绝缘层530中。
第一上电极312可以位于第三绝缘层530上的第一子像素P1中，第二上电极322可以位于第三绝缘层530上的第二子像素P2中，第三上电极332可以位于第三绝缘层530上的第三子像素P2中。第一上电极312可以通过第四接触孔CH14连接到第一上接触电极412，第二上电极322可以通过第四接触孔CH24连接到第二上接触电极422，第三上电极332可以通过第四接触孔CH34连接到第三下电极331。
堤层600可以位于第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332中的每一个上，并且可以覆盖第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332中的每一个的两端。发光层700可以位于堤层600上，第二电极800可以位于发光层700上，封装层850可以位于第二电极800上，并且滤色器层900可以位于封装层850上。
图2C是沿图1的线E-F截取的截面图。图2C是示出多个发光区EA1至EA3的截面图。
如图2C示例中所示，电路器件层200可以在基板100上，并且第一下电极311可以在电路器件层200上的第一子像素P1中。第一绝缘层510可以位于第一下电极311上，第二下电极321可以位于第一绝缘层510上的第一子像素P2中。第二绝缘层520可以位于第二下电极321上，并且第三下电极331可以位于第二绝缘层520上的第三子像素P3中。第三绝缘层530可以位于第三下电极331上，第一上电极312可以位于第三绝缘层530上的第一子像素P1中，第二上电极322可以位于第三绝缘层530上的第二子像素P2中，第三上电极332可以位于第三绝缘层530上的第三子像素P3中。
堤层600可以位于第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332中的每一个上，并且可以覆盖第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332中的每一个的两端。发光层700可以位于堤层600上，第二电极800可以位于发光层700上，封装层850可以位于第二电极800上，并且滤色器层900可以在封装层850上。
图3A是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图3A的示例与图1示例的上述电致发光显示装置的不同之处在于：进一步在多个子像素P1至P3之间的边界中设置有沟槽T。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且下面仅描述不同的元件。
如图3A所示，沟槽T可以位于多个子像素P1至P3之间的边界区域中。根据本公开的实施方式，当设置了沟槽T时，可以在彼此相邻的子像素P1至P3之间形成长电流路径。因此，可以减小在彼此相邻的子像素P1至P3之间发生的漏电流。将参照截面结构更详细地描述这一点。
图3B是沿图3A的线A-B截取的截面图。图3C是沿图3A的线C-D截取的截面图。图3D是沿图3A的线E-F截取的截面图。
图3B的示例与图2A的示例的不同之处在于：进一步在堤层600和其下方的第三绝缘层530中设置沟槽T。图3C的示例与图2B的示例的不同之处在于：进一步在堤层600和其下方的第三绝缘层530中设置沟槽T。图3D的示例与图2C的示例的不同之处在于：进一步在堤层600和其下方的第三绝缘层530中设置沟槽T。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且下面仅描述不同的元件。
如图3B至图3D所示，沟槽T可以在子像素P1至P3之间的边界区域中的堤层600和第三绝缘层530中。如上所述，根据本公开的实施方式，当沟槽T在堤层600和第三绝缘层530中时，发光层700可以在沟槽T中。因此，可以在彼此相邻的子像素P1至P3之间形成长电流路径。因此，可以减小在彼此相邻的子像素P1至P3之间发生的漏电流。例如，当密集地设置子像素P1至P3之间的间隔以实现高分辨率时，存在如下可能性：当从子像素P1至P3中的一个中的发光层700发光时，一个子像素的发光层700的电荷可能移动到与其相邻的另一个子像素的发光层700，这可能会引起漏电流。
因此，在本公开的实施方式中，当沟槽T位于子像素P1至P3之间的边界中并且发光层位于沟槽T中时，可以形成相邻子像素之间的长电流路径。因此，电阻可以增加，从而减少漏电流的发生。
沟槽T可以仅在堤层600中。另选地，沟槽T可以延伸到堤层600和第三绝缘层530。此外，沟槽T可以延伸到下方的第二绝缘层520的内部、下方的第一绝缘层510的内部、下方的电路器件层200的内部。
例如，参照图3B的放大视图，发光层700可包括用于发出第一颜色的光的第一叠层710、用于发出第二颜色的光的第二叠层730、以及第一叠层710和第二叠层730之间的电荷产生层720。第一叠层710可以位于沟槽T的内表面上，或者可以位于沟槽T的下表面上。例如，位于沟槽T的内部侧表面上的第一叠层710的一部分与位于沟槽T的内部下表面上的第一叠层710的一部分可以不邻接(例如，断开或不直接接触)。因此，位于沟槽T的内部的一个侧表面(例如，左表面)上的叠层710的一部分与位于沟槽T的内部的另一个侧表面上(例如，左表面)上的第一叠层710的一部分可以不邻接(例如，断开)。因此，电荷可不移动通过第一叠层710并且在其间具有沟槽T的彼此相邻设置的子像素P1至P3之间。应当理解，术语“左”和“右”在本文中用于解释的方便，并且如本领域普通技术人员所理解的那样是可互换的。
电荷产生层720可以在沟槽T的内表面中的第一叠层710上。例如，位于沟槽T的内部的一个侧表面(例如，左表面)上的电荷产生层720的一部分与位于沟槽T的内部的另一个侧表面(例如，左表面)上的电荷产生层720的一部分不邻接(例如，断开)。因此，因此，电荷可不移动通过电荷产生层720并且在其间具有沟槽T的彼此相邻设置的子像素P1至P3之间。
第二叠层730的所有部分可以在电荷产生层720上在彼此相邻地设置且其间具有沟槽T的子像素P1至P3之间彼此邻接(例如，连接或直接接触)。因此，电荷可移动通过第二叠层730并且在其间具有沟槽T的彼此相邻设置的子像素P1至P3之间。然而，本公开的实施方式不限于此。例如，通过适当地选择沟槽T的形状和在发光层700上执行的沉积工艺，第二叠层730的一部分可以在其间具有沟槽T的彼此相邻设置的子像素P1至P3之间彼此不邻接(例如，彼此断开)。例如，仅与电荷产生层720相邻的第二叠层730的下部的一部分可以与子像素P1至P3之间的其他部分不邻接(例如，断开)。
电荷产生层720的导电率可以大于第一叠层710和第二叠层730中的每一个的导电率。例如，构成电荷产生层720的N型电荷产生层可以包括金属材料，因此可以具有大于第一叠层710和第二叠层730中的每一个更大的电导率。因此，可以通过电荷产生层720来执行彼此相邻设置的子像素P1至P3之间的电荷移动，并且移动通过第二叠层730的电荷量可以非常小。
在本公开的实施方式中，当发光层700位于沟槽T中时，发光层700的一部分可以与沟槽T中的其他部分不邻接(例如，断开)。因此，第一叠层710可以与电荷产生层720不邻接(例如，断开)，从而减少或防止在彼此相邻的子像素P1至P3之间发生漏电流。图3A至图3D中所示的沟槽T的配置可以应用于下面描述的各种实施方式。
图4是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图4是沿图1的线A-B截取的截面图。图4示例的电致发光显示装置与图2A示例的电致发光显示装置的不同之处在于未设置第三绝缘层530。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且下面仅描述不同的元件。
如图4所示，根据本公开的实施方式，第一电极310的第一上电极312可以直接设置在第一子像素P1中的第一接触电极410的第一上接触电极412的上表面上，而没有单独的绝缘层。第一电极320的第二上电极322可以直接设置在第二子像素P2中的第二接触电极420的第二上接触电极422的上表面上，而没有单独的绝缘层。第一电极330的第三上电极332可以直接设置在第三子像素P3中的第一电极330的第三下电极331的上表面上，而没有单独的绝缘层。因此，第一绝缘层510和第二绝缘层520在第一子像素P1的第一发光区EA1中可以位于第一下电极311和第一上电极312之间，第二绝缘层520在第二子像素P2的第二发光区EA2中可以位于第二下电极电极321和第二上电极322，并且在第三子像素P3的第三发光区EA3中单独的绝缘层可不在第三下电极331和第三上电极332之间。
图4的示例中的第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311与第一上电极312之间的距离可以短于图2A的结构中的第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311与第一上电极312之间的距离。而且，图4的示例中的第二子像素P2的第二发光区EA2中的第二下电极321和第二上电极322之间的距离可以短于图2A的结构中的第二子像素P2的第二发光区EA2中的第二下电极321和第二上电极322之间的距离。而且，图4的示例中的第三子像素P3的第三发光区EA3中的第三下电极331和第三上电极332之间的距离可以短于图2A的结构中的第三子像素P3的第三发光区EA3中的第三下电极331和和第三上电极332之间的距离。
如上所述，为了获得各个子像素P1至P3中的微腔效应，第一至第三下电极311、321和331与第一至第三上电极312、322和332之间的各个相应距离可以是从各个子像素P1至P3释放的光的半波长(λ/2)的整数倍。因此，为了实现半波长(λ/2)的整数倍，第一至第三下电极311、321和331与第一至第三上电极312、322和332之间的相应距离可以基于图2A或图4的示例中所示的上述结构进行各种修改。
图5是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图5是沿图1的线A-B截取的截面图。在第一电极310至330和接触电极410至430的结构中，图5示例的电致发光显示装置与图2A示例的电致发光显示装置不同。因此，下面将描述与上面参照图2A描述的元件不同的元件。
如图5所示，第一电极310至330和接触电极410至430可以在电路器件层200上的相应子像素P1至P3中被图案化。第一子像素P1中的第一电极310可以包括第一下电极311和第一上电极312。第一下电极311和第一上电极312可以从第一发光区EA1延伸到第一接触区CA1。
第一下电极311可以通过第一子像素P1区中的电路器件层200的第一接触孔CH11连接到驱动TFT 250。第一上电极312可以通过第一子像素P1区中的第三绝缘层530的第三接触孔CH13连接到第一接触电极410。
第一子像素P1中的第一接触电极410可以包括一个接触层。第一接触电极410可以通过各自设置在第一子像素P1区中的第一绝缘层510和第二绝缘层520中的第二接触孔CH12连接到第一下电极311。
在第一子像素P1中，第一下电极311可以直接连接到电路器件层200中的驱动TFT250，并且第一上电极312可以通过第一接触电极410连接到第一下电极311。因此，第一至第三绝缘层510至530可以位于第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311和第一上电极312之间。
第二子像素P2中的第一电极320可以包括第二下电极321和第二上电极322。第二下电极321可以位于第二发光区EA2中，并且可以不延伸到第二接触区CA2。第二上电极322可以从第二发光区EA2延伸到第二接触区CA2。
第二下电极321可以在第一绝缘层510上具有岛结构(island structure)。例如，第二下电极321与第二接触电极420、第二上电极322和驱动TFT 250可以不邻接(例如，可以不连接到第二接触电极420、第二上电极322和驱动TFT 250)。第二上电极322在第二子像素P2区中通过第三绝缘层530的第三接触孔CH23与构成第二接触电极420的第二上接触电极422邻接(例如，可以连接到第二上接触电极422)。
第二子像素P2中的第二接触电极420可以包括第二下接触电极421和第二上接触电极422。第二下接触电极421可以通过第二子像素P2区中的电路器件层200的第一接触孔CH21连接到驱动TFT250，第二上接触电极422可以通过各自设置在第二子像素P2区中的第一绝缘层510和第二绝缘层520中的每一个的第二接触孔CH22连接到第二下电极321。
在第二子像素P2中，第二下电极321可以具有岛结构，并且可以不直接连接到另一导电材料，第二上电极322可以通过第二下接触电极421和第二上接触电极422连接到驱动TFT 250。因此，第二绝缘层520和第三绝缘层530可以在第二子像素P2的第二发光区EA2中在第二下电极321和第二上电极322之间。
第三子像素P3中的第一电极330可以包括第三下电极331和第三上电极332。第三下电极331和第三上电极332可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。
第三下电极331可以通过第三子像素P3区中的第一绝缘层510和第二绝缘层520中的每一个的第二接触孔CH32连接到第三接触电极430。第三上电极332可以通过第三子像素P3区中的第三绝缘层530的第三接触孔CH33连接到第三下电极331。
第三子像素P3中的第三接触电极430可以包括一个接触层。第三接触电极430可以通过第三子像素P3区的电路器件层200中的第一接触孔CH31连接到驱动TFT 250。
在第三子像素P3中，第三下电极331可以通过第三接触电极430连接到电路器件层200中的驱动TFT 250，并且第三上电极332可以直接连接到第二下电极321。因此，第三绝缘层530可以位于第三子像素P3的第三发光区EA3中的第三下电极331和第三上电极332之间。
第一绝缘层510可以在电路器件层200和第二绝缘层520之间。例如，第一绝缘层510可以在第二下电极321下面。多个第二接触孔CH12、CH22、CH32和CH32可以位于相应子像素P1至P3中的第一绝缘层510中。
第二绝缘层520可以在第一绝缘层510上。例如，第二绝缘层520可以在第一接触电极410、第二上接触电极422和第三下电极331下面。多个第二接触孔CH12、CH22和CH32可以位于相应子像素P1至P3中的第二绝缘层520中。
第三绝缘层530可以在第二绝缘层520上。例如，第三绝缘层530可以在第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332下面。多个第三接触孔CH13、CH23和CH33可以位于相应子像素P1至P3中的第三绝缘层530中。
在图2A的上述结构中，单独的第二接触孔CH12、CH22和CH32可以在第一绝缘层510中，并且单独的第二接触孔CH13、CH23和CH33可以在第二绝缘层520中。另一方面，在图5的结构中，第二接触孔CH12、CH22和CH32可以直线并同时穿过第一绝缘层510和第二绝缘层520。因此，在图5的结构中，第一电极320的第二下电极321可以不与第二接触区CA2交叠以形成第二接触孔CH22，该第二接触孔CH22可以直线并同时穿过第二子像素P2中的第一绝缘层510和第二绝缘层520。例如，第一电极320的第二下电极321可以不与第二子像素P2中的第二接触区CA2的第二接触电极420交叠。因此，与图2A的示例相比，图5的示例可以减少形成接触孔的过程的数量。
图6是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图6是沿图1的线A-B截取的截面图。图6示例的电致发光显示装置与图5示例的电致发光显示装置的不同之处在于未设置第三绝缘层530。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且下面仅描述不同的元件。
如图6所示，根据本公开的实施方式，第一电极310的第一上电极312可以直接设置在第一子像素P1中的第一接触电极410的上表面上，而没有单独的绝缘层；第一电极320的第二上电极322可以直接设置在第二子像素P2中的第二接触电极420的第二上接触电极422的上表面上，而没有单独的绝缘层；第一电极330的第三上电极332可以直接设置在第三子像素P3中的第一电极330的第三下电极331的上表面上，而没有单独的绝缘层。
因此，第一绝缘层510和第二绝缘层520可以在第一子像素P1的第一发光区EA1中位于第一下电极311和第一上电极312之间，第二绝缘层520可以在第二子像素P2的第二发光区EA2中位于第二下电极321和第二上电极322之间，并且单独的绝缘层可以不在第三子像素P3的第三发光区EA3中位于第三下电极331和第三上电极332之间。
图6的示例中的第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311和第一上电极312之间的距离可以短于图5的示例中的第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311和第一上电极312之间的距离。而且，图6的示例中的第二子像素P2的第二发光区EA2中的第二下电极321和第二上电极322之间的距离可以短于图5的示例中的第二子像素P2的第二发光区EA2中的第二下电极321和第二上电极322之间的距离。而且，图6的示例中的第三子像素P3的第三发光区EA3中的第三下电极331和第三上电极332之间的距离可以短于图5的示例中的第三子像素P3的第三发光区EA3中的第三下电极331和第三上电极332之间的距离。
如上所述，为了获得每个子像素P1至P3中的微腔效应，第一至第三下电极311、321和331与第一至第三上电极312、322和332之间的每个相应距离可以是从每个子像素P1至P3释放的光的半波长(λ/2)的整数倍。因此，为了实现半波长(λ/2)的整数倍，第一至第三下电极311、321和331与第一至第三上电极312、322和332之间的相应距离可以基于图5或图6的示例中所示的上述结构进行各种修改。
图7是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图7是沿图1的线A-B截取的截面图。图7的示例的电致发光显示装置与图5的示例的电致发光显示装置的不同之处在于第二子像素P2中的第一电极310的第二下电极321的配置。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且下面将仅描述不同的元件。
在图5的上述示例中，第二子像素P2中的第一电极320的第二下电极321可以在第一绝缘层510上具有岛结构。例如，第二下电极321可以不与第二接触区CA2交叠，因此可以不连接到第二接触电极420、第二上电极322和驱动TFT250。
另一方面，在图7的示例中，第二子像素P2中的第一电极320的第二下电极321可以与第二接触区CA2交叠，因此可以连接到第二接触电极420(例如，第二接触电极420的第二上接触电极422的侧表面)。在图7中，可以同时穿过第一绝缘层510和第二绝缘层520的第二接触孔CH22可以在第二子像素P2中。
与图5的示例相比，图7的示例可以增加第二子像素P2中的第一电极320的第二下电极321的面积，从而提高光效率。尽管未示出，但是图7示例的结构可以应用于图6示例的上述结构。
图8A是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。图8B是沿图8A的线A-B截取的截面图。图8C是沿图8A的线C-D截取的截面图。图8D是沿图8A的线E-F截取的截面图。
图8A至图8D的每个示例的电致发光显示装置分别与图3A至图3D的每个示例的电致发光显示装置的不同之处在于未设置第三绝缘层530和第四接触孔CH14、CH24和CH34。
参照图8B，根据本公开的实施方式，第一电极310的第一上电极312可以直接设置在在第一子像素P1中的第一接触电极410的第一上接触电极412的上表面上，而没有单独的绝缘层；第一电极320的第二上电极322可以直接设置在第二子像素P2中的第二接触电极420的第二上接触电极422的上表面上，而没有单独的绝缘层；第一电极330的第三上电极332可以直接设置在第三子像素P3中的第一电极330的第三下电极331的上表面上，而没有单独的绝缘层。因此，第一绝缘层510和第二绝缘层520可以位于第一子像素P1的第一发光区EA1中的第一下电极311和第一上电极312之间，第二绝缘层520可以位于第二子像素P2的第二发光区EA2中的第二下电极321和第二上电极322之间，并且在第三子像素P3的第三发光区EA3中的第三下电极331和第三上电极332之间可以没有单独的绝缘层。
图9A至图9H是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的工艺截面图。
图9A至图9H对应于沿图8A的线A-B截取的截面图。首先，如图9A示例所示，可以在基板100上设置包括有驱动TFT 250的电路器件层200；多个第一接触孔CH11、CH21和CH31可以在相应子像素P1至P3中设置在电路器件层200中；第一下电极311、第二下接触电极421和第三下接触电极431可以设置在电路器件层200上。第二下接触电极421和第三下接触电极431可以通过第一接触孔CH11、CH21和CH31连接到驱动TFT 250的源极端子或漏极端子。
随后，如图9B的示例所示，可以在第一下电极311、第二下接触电极421和第三下接触电极431上设置第一绝缘层510；多个第二接触孔CH12、CH22和CH32可以设置在第一绝缘层510中，并且第一下接触电极411、第二下电极321和第三上接触电极432可以设置在第一绝缘层510上。第一下接触电极411可以通过第二接触孔CH12连接到第一下电极311，第二下电极321可以通过第二接触孔CH22连接到第二下接触电极421，并且第三上接触电极432可以通过第二接触孔CH32连接到第三下接触电极431。
随后，如图9C的示例所示，可以在第一下接触电极411、第二下电极321和第三上接触电极432上设置第二绝缘层520；多个第三接触孔CH13、CH23和CH33可以设置在第二绝缘层520中，并且第一上接触电极412，第二上接触电极422和第三下电极331可以设置在第二绝缘层520上。第一上接触电极412可以通过第三接触孔CH13连接到第一下接触电极411，第二上接触电极422可以通过第三接触孔CH23连接到第二下电极321，并且第三下电极331可以通过第三接触孔CH33连接到第三上接触电极432。
随后，如图9D的示例所示，可以在第一上接触电极412上设置第一上电极312；可以在第二上接触电极422上设置第二上电极322；并且可以在第三上电极332上设置第三上电极332。随后，如图9E的示例所示，可以在第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332上设置堤层600。堤层600可以覆盖第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332中的每一个的两端。
随后，如图9F的示例所示，可以在子像素P1至P3之间的边界区域中的堤层600和第二绝缘层520中设置沟槽T。另选地，沟槽T可以仅设置在堤层600中。此外，沟槽T可以延伸到堤层600和第三绝缘层530，而且可以延伸到其下方的第二绝缘层520的内部、其下方的第一绝缘层510的内部、或其下方的电路器件层200的内部。
随后，如图9G的示例所示，可以在堤层600上设置发光层700。随后，如图9H的示例所示，可以在发光层700上设置第二电极800，可以在第二电极800上设置封装层850，并且可以在封装层850上设置滤色器层900。
图10是示出在根据本公开的实施方式的电致发光显示装置中发光效率降低的可能性的截面图。
图10示出了第三上电极332例如由于工艺误差(诸如掩模未对准)不具有与在图9D的上述过程中的第三下电极331相同的图案的示例。这样，堤层600不覆盖图9E的上述示例性过程中的第三上电极332的一端。
如图10所示，当堤层600不覆盖第三上电极332的一端时，可能出现其中发光层700直接接触第三下电极331的区域X。例如，发光层700可以接触第三下电极331而不接触区X中的第三上电极332。然而，在其他区域中，发光层700可以接触第三上电极332。
当第三下电极331的功函数不同于第三上电极332的功函数时，发光层700的与第三下电极331接触的部分的发光强度可以不同于发光层700的与第三上电极332接触的部分的发光强度。发光层700与。这样，可能无法实现均匀的发光，并且可能降低发光效率。例如，第三下电极331可以是反射电极，并且可以包括铝(Al)或银(Ag)。例如，Al的功函数可以是约4.28eV，Ag的功函数可以是约4.26eV。另一方面，第三上电极332可以是透明电极，并且可以包括氮化钛(TiN)或氧化铟锡(ITO)。例如，TiN的功函数可以是约4.33eV，并且ITO的功函数可以是约4.89eV。
在下文中，将详细描述根据本公开的实施方式的用于解决上述问题的电致发光显示装置。
图11A至图11C是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图11A是沿图8A的线A-B截取的截面图。图11B是沿图8A的线C-D截取的截面图。图11C是沿图8A的线E-F截取的截面图。如图11A至图11C的示例所示，根据本公开的实施方式的电致发光显示装置可以包括基板100、电路器件层200、多个第一电极310至330、多个接触电极参照图410至430、多个绝缘层510至530、堤层600、发光层700、第二电极800、封装层850和滤色器层900。
基板100、电路器件层200、接触电极410至430、绝缘层510至530、堤层600、发光层700、第二电极800、封装层850和滤色器层900可以基本上类似于上面参照图8B至8D描述的元件。因此，不再重复它们的详细描述。在下文中，将仅描述第一电极310至330中的每一个的配置。
第一子像素P1中的第一电极310可以包括第一下电极311和第一上电极312。第一下电极311可以通过第一子像素P1区中的电路器件层200的第一接触孔CH11连接(例如，电连接)到驱动TFT 250。
第一上电极312在第一子像素P1区中可以在构成第一接触电极410的第一上接触电极412的上表面上，并且可以直接连接到第一上接触电极412。例如，第一上电极312可以形成为包括第一下层312a和第一上层312b的双层结构。第一下层312a可以具有与第一上接触电极412的上表面中的第一上接触电极412的图案相同的图案。第一上层312b可以具有与第一下层312a、第一上接触电极412和第一下层312a的上表面中的第一下接触电极411中的每一个的图案不同的图案。例如，第一上层312b可以从第一发光区EA1延伸到第一接触区CA1。因此，在第一发光区EA1中，仅第一上层312b可以被暴露并且可以接触发光层700。例如，发光层700可以仅接触在第一发光区EA1中具有特定功函数的第一上层312b。因此，可以实现均匀的发光。第一下层312a和第一上层312b可以包括具有相同功函数的材料。例如，第一下层312a和第一上层312b可以包括相同的材料，但不限于此，并且可以包括具有相同功函数的不同材料。
因此，第一下电极311和第一上电极312中的每一个可以从第一发光区EA1延伸到第一接触区CA1。例如，第一发光区EA1中的第一上电极312的厚度可以小于第一接触区CA1中的第一上电极312的厚度。
第二子像素P2中的第一电极320可以包括第二下电极321和第二上电极322。第二下电极321可以通过第二子像素P2区中的第一绝缘层510的第二接触孔CH22连接到构成第二接触电极420的第二下接触电极421。
第二上电极322可以位于第二子像素P2区中的构成第二接触电极420的第二上接触电极422的上表面上，并且可以直接连接到第二上接触电极422。例如，第二上电极322可以形成为包括第二下层322a和第二上层322b的双层结构。第二下层322a可以具有与第二上接触电极422的上表面中的第二上接触电极422的图案相同的图案。第二上层322b可以具有与第二下层322a、第二上接触电极422和第二下层322a的上表面中的第二下接触电极421中的每一个的图案不同的图案。例如，第二上层322b可以从第二发光区EA2延伸到第二接触区CA2。因此，在第二发光区EA2中，仅第二上层322b可以被暴露并且可以接触发光层700。例如，发光层700可以仅接触在第二发光区EA2中具有特定功函数的第二上层322b。因此，可以实现均匀的发光。第二下层322a和第二上层322b可以包括具有相同功函数的材料。例如，第二下层322a和第二上层322b可以包括相同的材料，但不限于此，并且可以包括具有相同功函数的不同材料。
因此，第二下电极321和第二上电极322中的每一个可以从第二发光区EA2延伸到第二接触区CA2。例如，第二发光区EA2中的第二上电极322的厚度可以小于第二接触区CA2中的第二上电极322的厚度。
第三子像素P3中的第一电极330可以包括第三下电极331和第三上电极332。第三下电极331可以通过第三子像素P3区中的第二绝缘层520的第三接触孔CH33连接到构成第三接触电极430的第三上接触电极432。
第三上电极332可以在第三下电极331的上表面上，并且可以直接连接到第三下电极331。例如，第三上电极332可以形成为包括第三下层332a和第三上层332b的两层结构。第三下层332a可以具有与第三下电极331的上表面中的第三下电极331相同的图案，并且可以具有与第三上接触电极432和第三下接触电极431中的每一个不同的图案。因此，第三下电极331和第三下层332a可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。而且，第三上层332b可以具有与第三下层332a的上表面中的第三下层332a的图案相同的图案，并且可以具有与第三上接触电极432和第三下接触电极431中的每一个的图案不同的图案。因此，第三上层332b也可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。因此，在第三发光区EA3中，仅第三上层332b可以被暴露并且可以接触发光层700。例如，发光层700可以仅接触在第三发光区EA3中具有特定功函数的第三上层332b。因此，可以实现均匀的发光。
例如，在第一发光区EA1处暴露以接触发光层700的第一上层312b、在第二发光区EA2处暴露以接触发光层700的第二上层322b以及在第三发光区EA3处暴露以接触发光层700的第三上层332b可以包括具有相同功函数的材料。例如，可以在第一发光区EA1至第三发光区EA3中实现均匀的发光。
然而，第三上层332b可以具有与第三下层332a的图案不同的图案。第三下层332a和第三上层332b可以包括具有相同功函数的材料。例如，第三下层332a和第三上层332b可以包括相同的材料，但不限于此，并且可以包括具有相同功函数的不同材料。
因此，第三下电极331和第三上电极332中的每一个可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。例如，第三发光区EA3中的第三上电极322的厚度可以等于第三接触区CA3中的第三上电极332的厚度。
图12A至图12H是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的工艺截面图。
图12A至图12H的示例对应于沿图8A的线A-B截取的截面图。首先，如图12A所示，可以在基板100上设置包括驱动TFT250的电路器件层200；多个第一接触孔CH11、CH21和CH31可以在相应子像素P1至P3中设置在电路器件层200中；第一下电极311、第二下接触电极421和第三下接触电极431可以设置在电路器件层200上。第二下接触电极421和第三下接触电极431可以通过第一接触孔CH11、CH21和CH31连接到驱动TFT 250的源极端子或漏极端子。
随后，如图12B的示例所示，可以在第一下电极311、第二下接触电极421和第三下接触电极431上设置第一绝缘层510；多个第二接触孔CH12、CH22和CH32可以设置在第一绝缘层510中；并且第一下接触电极411、第二下电极321和第三上接触电极432可以设置在第一绝缘层510上。第一下接触电极411可以通过第二接触孔CH12连接到第一下电极311，第二下电极321可以通过第二接触孔CH22连接到第二下接触电极421，第三上接触电极432可以通过第二接触孔CH32连接到第三下接触电极431。
随后，如图12C的示例所示，可以在第一下接触电极411、第二下电极321和第三上接触电极432上设置第二绝缘层520；多个第三接触孔CH13、CH23和CH33可以设置在第二绝缘层520中。随后，第一上接触电极412和第一下层312a可以同时设置在第二绝缘层520上，并且可以有相同的图案；第二上接触电极422和第二下层322a可以同时设置，并且可以具有相同的图案；第三下电极331和第三下层332a可以同时设置，并且可以具有相同的图案。第一上接触电极412可以通过第三接触孔CH13连接到第一下接触电极411，第二上接触电极422可以通过第三接触孔CH23连接到第二下电极321，第三下电极331可以通过第三接触孔CH33连接到第三上接触电极432。
随后，如图12D的示例所示，可以通过在第一下层312a上设置第一上层312b来完成第一上电极312，可以通过在第二下层322a上设置第二上层322b来完成第二上电极322，并且可以通过在第三下层332a上设置第三上层332b来完成第三上电极332。随后，如图12E的示例所示，可以在第一上层312b、第二上层322b和第三上层332b上设置堤层600。堤层600可以覆盖第一上电极312、第二上电极322和第三上电极332中的每一个的两端。
随后，如图12F的示例所示，可以在子像素P1至P3之间的边界区域中的堤层600和第二绝缘层520中设置沟槽T。沟槽T可以仅设置在堤层600中。另选地，沟槽T可以延伸到堤层600和第三绝缘层530，而且可以延伸到其下方的第二绝缘层520的内部，其下方的第一绝缘层510的内部或其下方的电路器件层200的内部。
随后，如图12G的示例所示，可以在堤层600上设置发光层700。随后，如图12H的示例所示，可以在发光层700上设置第二电极800，封装层850可以设置在第二电极800上，并且滤色器层900可以设置在封装层850上。
在通过图12A至图12H的示例的工艺制造的电致发光显示装置中，即使发生诸如掩模未对准的工艺误差，也可以不降低发光效率。这将在下面参照图13的示例进行描述。
图13是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图13示出了其中第三上层332b可以例如由于诸如掩模未对准的处理误差不形成为具有与图12D的示例的上述过程中的第三下层332a的图案相同的图案的示例。这样，堤层600不覆盖在图12E的示例的上述过程中的第三上层332b的一端。
如图13的示例中所示，当堤层600不覆盖第三上层332b的一端时，可出现其中发光层700直接接触第三下层332a的区域X。在本公开的实施方式中，第三上电极332可以由第三下层332a和第三上层332b的组合配置。因此，尽管堤层600可以不覆盖第三上层332b的一端，但堤层600可以覆盖第三下层332a的一端。因此，发光层700可以不直接接触第三下电极331。
因此，发光层700可以接触用作区域X中的阳极的第三上电极332，但是可以不接触其下方的第三下电极331。因此，可以在区域X中发光，从而解决了如上述实施方式中可降低发光效率的问题。
图14是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图14是沿图8A的示例的线A-B截取的截面视图的示例。图14的示例的电致发光显示装置与图11A的示例的电致发光显示装置的不同之处在于第一电极310至330和接触电极410至430中的每一个的结构。在下文中，将描述与上面参照图11A描述的元件不同的元件。
如图14所示，第一电极310至330和接触电极410至430可以在电路器件层200上的相应子像素P1至P3中被图案化。第一子像素P1中的第一电极310可以包括第一下电极311和第一上电极312。第一下电极311和第一上电极312可以从第一发光区EA1延伸到第一接触区CA1。
第一下电极311可以通过第一子像素P1区中的电路器件层200的第一接触孔CH11连接到驱动TFT 250。第一上电极312可以连接到第一子像素P1区中的第一接触电极410。第一子像素P1中的第一接触电极410可以包括一个单个接触层。第一接触电极410可以通过第一绝缘层510中的第二接触孔CH12和第一子像素P1区中的第二绝缘层520中的第三接触孔CH3连接到第一下电极311。
第二子像素P2中的第一电极320可以包括第二下电极321和第二上电极322。第二下电极321可以在第二发光区EA2中，并且可以不延伸到第二接触区CA2。第二上电极322可以从第二发光区EA2延伸到第二接触区CA2。
第二下电极321可以在第一绝缘层510上具有岛结构。例如，第二下电极321可以不连接到第二接触电极420，第二上电极322和驱动TFT 250。第二上电极322可以在第二子像素P2区中连接到构成第二接触电极420的第二上接触电极422。
第二子像素P2中的第二接触电极420可以包括第二下接触电极421和第二上接触电极422。第二下接触电极421可以通过第二子像素P2区中的电路器件层200的第一接触孔CH21连接到驱动TFT250。第二上接触电极422可以通过各自在在第二子像素P2区中的第一绝缘层510的第二接触孔CH22和第二绝缘层520的第三接触孔CH23连接到第二下电极321。在第二子像素P2中，第二下电极321可以具有岛状结构，并且可以不连接到另一种导电材料，第二上电极322可以通过第二下接触电极421和第二上接触电极422连接到驱动TFT250。
第三子像素P3中的第一电极330可以包括第三下电极331和第三上电极332。第三下电极331和第三上电极332可以从第三发光区EA3延伸到第三接触区CA3。
第三下电极331可以通过各自在第三子像素P3区中的第一绝缘层510的第二接触孔CH32和第二绝缘层520的第三接触孔CH33连接到第三接触电极430。第三上电极332可以连接到第三子像素P3区中的第三下电极331。
第三子像素P3中的第三接触电极430可以包括一个单个接触层。第三接触电极430可以通过第三子像素P3区中的电路器件层200的第一接触孔CH31连接到驱动TFT 250。
在图11A的上述示例中，第一绝缘层510中的第二接触孔CH12、CH22和CH32可以不与第二绝缘层520中的第二接触孔CH13、CH23和CH33连通或连接。另一方面，在图14的结构中，第一绝缘层510中的第二接触孔CH12、CH22和CH32可以与第二绝缘层520中的第二接触孔CH13、CH23和CH33连通或连接。
因此，在图14的结构中，第一电极320的第二下电极321可以不与第二接触区CA2的第二接触孔CH22和第三接触孔CH23交叠，以形成第二接触孔CH22和第三接触孔CH23，该第二接触孔CH22和第三接触孔CH23可以直线并同时穿过第二子像素P2中的第一绝缘层510和第二绝缘层520。因此，第一电极320的第二下电极321可以不与第二子像素P2中的第二接触区CA2的第二接触电极420交叠。因此，与图11A的示例相比，图14的示例可以减少形成接触孔的工艺的数量。
图15是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图15是沿图8A的示例的线A-B截取的截面视图的示例。图15的示例的电致发光显示装置与图14的示例的电致发光显示装置的不同之处在于第二子像素P2中的第一电极310的第二下电极321的配置。
在图14的上述示例中，第二子像素P2中的第一电极320的第二下电极321可以在第一绝缘层510上具有岛结构。例如，第二下电极321可以不与第二接触区CA2交叠，因此可以不连接到第二接触电极420、第二上电极322和驱动TFT250。
另一方面，在图15的示例中，设置在第二子像素P2中的第一电极320的第二下电极321可以与第二接触区CA2交叠，因此，可以连接到第二接触区CA2(例如，第二接触电极420的第二上接触电极422的侧表面)。在图15中，可以同时穿过第一绝缘层510和第二绝缘层520的第二接触孔CH22可以在第二子像素P2中。与图14的示例相比，图15的示例可以增加第二子像素P2中的第一电极320的第二下电极321的面积，从而提高光效率。
图16A是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。图16B是沿图16A的线C-D截取的截面图。
图16A和图16B中的每个示例的电致发光显示装置与图8A至图8D中的每个示例的电致发光显示装置的不同之处在于可以修改多个接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33中的每一个的配置。参照上述图8A至图8D的示例，第一子像素P1中的第一接触孔CH11、第二接触孔CH12和第三接触孔CH13可以彼此交叠；第二子像素P2中的第一接触孔CH21、第二接触孔CH22和第三接触孔CH23可以彼此交叠；第三子像素P3中的第一接触孔CH31、第二接触孔CH32和第三接触孔CH33可以彼此交叠。另一方面，参照图16A和16B的示例，第一接触孔CH11可以与第二接触孔CH12交叠，但是可以不与第一子像素P1中的第三接触孔CH13交叠；第一接触孔CH21可以与第二接触孔CH22交叠，但是可以不与第二子像素P2中的第三接触孔CH23交叠；第一接触孔CH31可以与第二接触孔CH32交叠，但是可以不与第三子像素P3中的第三接触孔CH33交叠。
虽然未示出，但是第一接触孔CH11可以与第三接触孔CH13交叠，但是可以不与第一子像素P1中的第二接触孔CH12交叠；第一接触孔CH21可以与第三接触孔CH23交叠，但是可以不与第二子像素P2中的第二接触孔CH22交叠；第一接触孔CH31可以与第三接触孔CH33交叠，但是可以不与第三子像素P3中的第二接触孔CH32交叠。第一接触孔CH11、第二接触孔CH12和第三接触孔CH13均不在第一子像素P1中交叠；第一接触孔CH21、第二接触孔CH22和第三接触孔CH23均不在第二子像素P2中交叠；第一接触孔CH31、第二接触孔CH32和第三接触孔CH33均不在第三子像素P3中交叠。
与所有第一接触孔CH11、CH21和CH31，第二接触孔CH12、CH22和CH32以及第三接触孔CH13、CH23和CH33交叠的情况相比，当至少一个接触孔不与其他接触孔交叠时，可以更容易地执行形成接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33的过程，并且可以减小各个接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33的尺寸。
图16A的示例中所示的各个接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33的结构可以应用于上述图1和图4A的每个示例的结构。例如，在图1和图4A中，第四接触孔CH14、CH24和CH34可以与相同的子像素P1至P3中的第一接触孔CH11、CH21和CH31、第二接触孔CH12、CH22和CH32以及第三接触孔CH13、CH23和CH33至少一个交叠或不交叠。
图17是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图17示例的电致发光显示装置与图8A示例的电致发光显示装置的不同之处在于多个发光区EA1至EA3和多个接触区CA1至CA3中的每一个的结构可以是被修改。
参照图8A，仅第一接触区CA1的一侧可以面向第一发光区EA1，仅第二接触区CA2的一侧可以面向第二发光区EA2，并且仅第三接触区CA3可以面向第三发光区EA3。另一方面，参照图17，第一接触区CA1的两侧(例如，下侧和右侧)可以面向第一发光区EA1，第二接触区CA2的两侧(例如，下侧和右侧)可以面向第二发光区EA2，并且第三接触区CA3的两侧(例如，下侧和右侧)可以面向第三发光区EA3。
因此，在图17中，第一发光区EA1至第三发光区EA3可以各自第一部分和第二部分，该第一部分包括可以在第一至第三接触区CA1至CA3下方，并且可以具有可相对宽的第一宽度W1，该第二部分可以设置在第一至第三接触区CA1至CA3的右侧，并且可以具有可以相对窄的第二宽度W2。
在图8A中，当接触区CA1至CA3在发光区EA1至EA3的上部位置处沿宽度方向以长结构设置时，可能存在减小每个接触区CA1至CA3的宽度方向宽度的限制。即使每个接触区CA1至CA3的宽度方向宽度小于每个发光区EA1至EA3的宽度方向宽度，但是当每个接触区CA1至CA3旁边的空白空间小时，也可能难以在接触区CA1至CA3旁边形成发光区EA1至EA3。这样，即使每个接触区CA1至CA3的宽度方向宽度大大或最大地减小，也可能难以增加每个发光区EA1至EA3的尺寸。
另一方面，在图17中，当接触区CA1至CA3以长结构设置时，发光区EA1至EA3可以形成在接触区CA1至CA3的右侧。例如，当每个接触区CA1至CA3的长度方向宽度减小时，每个发光区EA1至EA3的尺寸可以少量增加，并且可以增强孔径比。
在第一子像素P1中，第一接触电极410的上侧和左侧可以是不匹配的，或者可以与第一电极310的上侧和左侧匹配。类似地，在第二子像素P2中，第二接触电极420的上侧和左侧可以是不匹配的，或者可以与第一电极320的上侧和左侧匹配。此外，在第三子像素P3中，第三接触电极430的上侧和左侧可以是不匹配的，或者可以与第一电极330的上侧和左侧匹配。
接触区(例如，第一至第三接触区)CA1至CA3可以分别设置在发光区(例如，第一发光区至第三发光区)EA1至EA3的右上端。因此，第一接触区CA1的下侧和左侧可以面向第一发光区EA1，第二接触区CA2的下侧和左侧可以面向第二发光区EA2，并且下侧和第三接触区CA3的左侧可以面向第三发光区EA3。图17的示例中所示的每个接触区CA1至CA3和发光区EA1至EA3的结构可以应用于上述图1和图4A的每个示例的结构。
图18是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的截面图。
图18的示例的电致发光显示装置与图17的示例的电致发光显示装置的不同之处在于多个接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33中的每一个的配置可以是被修改。
参照图18的示例，第一接触孔CH11可以与第二接触孔CH12交叠，但是可以不与第一子像素P1中的第三接触孔CH13交叠；第一接触孔CH21可以与第二接触孔CH22交叠，但是可以不与第二子像素P2中的第三接触孔CH23交叠；第一接触孔CH31可以与第二接触孔CH32交叠，但是可以不与第三子像素P3中的第三接触孔CH33交叠。尽管未示出，但是第一接触孔CH11可以与第三接触孔CH13交叠，但是可以不与第一子像素P1中的第二接触孔CH12交叠；第一接触孔CH21可以与第三接触孔CH23交叠，但是可以不与第二子像素P2中的第二接触孔CH22交叠；第一接触孔CH31可以与第三接触孔CH33交叠，但是可以不与第三子像素P3中的第二接触孔CH32交叠。
此外，第一接触孔CH11第二接触孔CH12和第三接触孔CH13均不在第一子像素P1中交叠；第一接触孔CH21第二接触孔CH22和第三接触孔CH23均不在第二子像素P2中交叠；第一接触孔CH31第二接触孔CH32和第三接触孔CH33均不在第三子像素P3中交叠。与所有第一接触孔CH11、CH21和CH31，第二接触孔CH12、CH22和CH32以及第三接触孔CH13、CH23和CH33交叠的情况相比，当至少一个接触孔时不与其他接触孔交叠，可以更容易地执行形成接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33的过程，并且可以减少每个接触孔CH11至CH13、CH21至CH23和CH31至CH33的尺寸。
图19A至图19C示出了根据本公开的实施方式的头戴式显示器(HMD)装置。
图19A是透视图。图19B是虚拟现实(VR)结构的平面图。图19C是增强现实(AR)结构的截面图。
如图19A的示例所示，根据本公开的实施方式的HMD装置可以包括容纳壳体10和头戴式带30。容纳壳体10可以容纳诸如显示装置、透镜阵列和目镜透镜的元件。
头戴式带30可以固定到容纳壳体10。头戴式带30被示出为围绕用户的两个侧表面的上表面，但是不限于此。例如，头戴式带30可以将HMD装置固定到用户的头部，并且可以由眼镜框架型结构或头盔型结构代替。
如图19B的示例所示，根据本公开的实施方式的具有VR结构的HMD装置可以包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13左眼目镜透镜20a和右眼目镜透镜20b。左眼显示装置12，右眼显示装置11，透镜阵列13，左眼目镜透镜20a和右眼目镜透镜20b可以容纳在容纳壳体10中。
左眼显示装置12和右眼显示装置11可以显示相同的图像，并且例如，用户可以观看二维(2D)图像。另选地，左眼显示装置12可以显示左眼图像，右眼显示装置11可以显示右眼图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以被配置为图1至图18的任何示例中的电致发光显示装置。例如，在图1至图18的示例中，与显示图像的表面向应的上部(例如，滤色器层900)可以面向透镜阵列13。
透镜阵列13可以与左眼目镜透镜20a和左眼显示装置12中的每一个间隔开，并且可以在左眼目镜透镜20a和左眼显示装置12之间。例如，透镜阵列13可以设置在左眼目镜透镜20a的前面并且设置在左眼显示装置12的后面。另外，透镜阵列13可以与右眼目镜透镜20b和右眼显示装置11中的每一个间隔开，并且可以位于右眼目镜透镜20b和右眼显示装置11之间。例如，透镜阵列13可以设置在右眼目镜透镜20b的前面并且可以设置在右眼显示装置11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。使用透镜阵列13，由左眼显示装置12或右眼显示装置11显示的图像可以以特定放大率放大。因此，用户可以看到放大的图像。
用户的左眼LE可以位于左眼目镜透镜20a处。用户的右眼RE可以位于右眼目镜透镜20b处。
如图19C的示例所示，根据本公开的实施方式的具有AR结构的HMD装置可以包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜透镜20a、透射反射部分14和透射窗15。在图19C中，为了方便起见，仅示出了左眼元件，并且右眼元件可以与左眼元件相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜透镜20a、透射反射部分14和透射窗15可以容纳在容纳壳体10中。左眼显示装置图12可以设置在透射反射部分14的一侧(例如，上侧)，而不覆盖透射窗15。因此，左眼显示装置12可以向透射反射部分14提供图像，而不覆盖通过透射窗15看到的外部背景。
左眼显示装置12可以被配置为图1至图18的任何示例中的电致发光显示装置。例如，在图1至图18的示例中，与显示图像的表面向应的上部(例如，滤色器层900)可以面向透射反射部分14。
透镜阵列13可以在左眼目镜透镜20a和透射反射部分14之间。用户的左眼可以位于左眼目镜透镜20a处。
透射反射部分14可以在透镜阵列13和透射窗15之间。透射反射部分14可以包括反射表面14a，该反射表面14a可以透射光的一部分并且可以反射光的另一部分。可以设置反射表面14a，使得由左眼显示装置12显示的图像可以行进到透镜阵列13。因此，用户可以通过透射窗15看到所有外部背景和所显示的图像。例如，用户可以看到一幅图像，其可以包括真实背景和虚拟图像。因此，可以实现AR。透射窗15可以设置在透射反射部分14的前面。
根据本公开的实施方式，当第一子像素中的第一下电极和第一上电极之间的第一距离、第二子像素中的第二下电极和第二上电极之间的第二距离、以及在第三子像素中的第三下电极和第三上电极之间的第三距离不同时，可以在每个子像素中获得微腔特性，从而提高光效率。例如，根据本公开的实施方式，当第一接触电极在第一子像素中、第二接触电极在第二子像素中并且第三接触电极在第三子像素中时，可以通过第一接触电极至第三接触电极容易地设置第一距离到第三距离。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的技术构思或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，可以预期本公开的实施方式涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本公开的修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月31日提交的韩国专利申请No.10-2018-0089425、2018年10月30日提交的韩国专利申请No.10-2018-0131057和2019年4月17日提交的韩国专利申请No.10-2019-0045038的权益和优先权，通过引用将该韩国专利申请的全部内容并入本文。

Claims (32)

1.一种电致发光显示装置，所述电致发光显示装置包括：
基板，所述基板包括：
第一子像素；
第二子像素；以及
第三子像素；
电路器件层，所述电路器件层包括分别位于所述基板上的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中的驱动薄膜晶体管；
第一电极，所述第一电极分别位于所述电路器件层上的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中；
发光层，所述发光层位于所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极位于所述发光层上；
堤层，所述堤层覆盖所述第一电极的端部；以及
绝缘层，所述绝缘层位于所述堤层下方，
其中，所述第一子像素中的第一电极包括：
第一下电极；以及
第一上电极，
其中，所述第二子像素的第一电极包括：
第二下电极；以及
第二上电极，
其中，所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离与所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离不同，
其中，所述第一下电极和所述第一上电极通过所述第一下电极与所述第一上电极之间的第一接触电极彼此电连接，
其中，所述堤层包括在所述第一子像素至所述第三子像素之间的边界区域中的沟槽，并且所述发光层在所述沟槽中不邻接，所述沟槽穿过所述堤层并延伸到所述绝缘层，
其中，所述发光层包括用于发出第一颜色的光的第一叠层、用于发出第二颜色的光的第二叠层以及所述第一叠层和所述第二叠层之间的电荷产生层，
其中，所述第一叠层的位于所述沟槽的第一内部侧表面上的部分、所述第一叠层的位于所述沟槽的第二内部侧表面上的部分以及所述第一叠层的位于所述沟槽的内部下表面上的部分彼此不邻接，
其中，所述电荷产生层的位于所述沟槽的第一内部侧表面上的部分和所述电荷产生层的位于所述沟槽的第二内部侧表面上的部分彼此不邻接，并且
其中，所述第二叠层从所述沟槽的第一内部侧表面上方到所述沟槽的第二内部侧表面上方是邻接的。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括：
第一下接触电极；以及
第一上接触电极，
所述第一下接触电极位于所述第一下电极与所述第一上接触电极之间，所述第一下接触电极将所述第一下电极电连接到所述第一上接触电极，
所述第一上接触电极位于所述第一下接触电极与所述第一上电极之间，所述第一上接触电极将所述第一下接触电极电连接到所述第一上电极，并且
所述第一下电极通过所述电路器件层中的接触孔电连接到所述第一子像素中的驱动薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二下电极通过第二接触电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管和所述第二上电极，
所述第二接触电极包括：
第二下接触电极；以及
第二上接触电极，
所述第二下接触电极位于所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第二下电极之间，所述第二下接触电极将所述第二下电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，并且
所述第二上接触电极位于所述第二下电极与所述第二上电极之间，所述第二上接触电极将所述第二下电极电连接到所述第二上电极。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括位于所述第一下电极与所述第一接触电极之间的第一绝缘层和第二绝缘层，
其中，所述第一接触电极包括单个接触层，并且
所述第一下电极通过所述电路器件层中的接触孔电连接到所述第一子像素中的驱动薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二上电极通过第二接触电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，
所述第二接触电极包括：
第二下接触电极；以及
第二上接触电极，
所述第二下接触电极位于所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第二上接触电极之间，所述第二下接触电极将所述第二上接触电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，
所述第二上接触电极位于所述第二下接触电极与所述第二上电极之间，所述第二上接触电极将所述第二下接触电极电连接到所述第二上电极，并且
第一绝缘层和第二绝缘层位于所述第二下接触电极与所述第二上接触电极之间。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中，所述第二下电极不与所述第二上电极和所述第二接触电极电连接。
7.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中，所述第二下电极电连接到所述第二上接触电极的侧表面。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三子像素的第一电极包括：
第三下电极；以及
第三上电极，
所述第三下电极与所述第三上电极之间的距离与所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离以及所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离不同，并且
所述第三下电极通过第三接触电极电连接到所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三接触电极包括：
第三下接触电极；以及
第三上接触电极，
所述第三下接触电极位于所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第三上接触电极之间，所述第三下接触电极将所述第三上接触电极电连接到所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管，并且
所述第三上接触电极位于所述第三下接触电极与所述第三下电极之间，所述第三上接触电极将所述第三下接触电极电连接到所述第三下电极。
10.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三接触电极包括单个接触层，
所述第三接触电极通过所述电路器件层中的接触孔电连接到所述第三子像素中的驱动薄膜晶体管，并且
第一绝缘层和第二绝缘层位于所述第三接触电极与所述第三下电极之间。
11.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第三上电极包括：
第三下层；以及
第三上层，
所述第三下层具有与所述第三下电极的上表面中的第三下电极的图案相同的图案。
12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，
其中，所述堤层位于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的两个相邻子像素之间的边界中，
其中，所述第三上层具有与所述第三下层的图案相同的图案，并且
其中，所述堤层覆盖所述第三上层的两端。
13.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，
其中，所述堤层位于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的两个相邻子像素之间的边界中，
其中，所述第三上层具有与所述第三下层的图案不同的图案，
其中，所述堤层不覆盖所述第三上层的一端，并且
其中，所述发光层与所述第三下层接触。
14.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一上电极包括：
第一下层；以及
第一上层，
所述第一下层具有与所述第一接触电极的图案相同的图案，并且
所述第一上层具有与所述第一下层的图案不同的图案。
15.根据权利要求14所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括：
第一下接触电极；以及
第一上接触电极，
所述第一下接触电极位于所述第一下电极与所述第一上接触电极之间，
所述第一上接触电极位于所述第一下接触电极与所述第一上电极之间，并且
所述第一下层具有与所述第一上接触电极的上表面中的第一上接触电极的图案相同的图案。
16.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
第二接触电极，所述第二接触电极将所述第二上电极电连接到所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管，
其中，所述第二上电极包括：
第二下层；以及
第二上层，
其中，所述第二下层具有与所述第二接触电极的图案相同的图案，并且
其中，所述第二上层具有与所述第二下层的图案不同的图案。
17.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二接触电极包括：
第二下接触电极；以及
第二上接触电极，
所述第二下接触电极位于所述第二子像素中的驱动薄膜晶体管与所述第二下电极之间；
所述第二上接触电极位于所述第二下电极与所述第二上电极之间，并且
所述第二下层具有与所述第二上接触电极的上表面中的第二上接触电极的图案相同的图案。
18.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二下电极与所述第二上电极之间的绝缘层的数量小于所述第一下电极与所述第一上电极之间的绝缘层的数量，并且
所述第二下电极与所述第二上电极之间的绝缘层的数量大于所述第三下电极与所述第三上电极之间的绝缘层的数量。
19.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述第一电极的与所述发光层接触的部分具有一个功函数。
20.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
透镜阵列，所述透镜阵列与所述基板间隔开；以及
容纳壳体，所述容纳壳体被配置为容纳所述基板和所述透镜阵列。
21.一种电致发光显示装置，所述电致发光显示装置包括：
第一子像素，所述第一子像素包括：
第一发光区；以及
第一接触区；
第二子像素，所述第二子像素包括：
第二发光区；以及
第二接触区；
第三子像素，所述第三子像素包括：
第三发光区；以及
第三接触区；
位于所述第一发光区中的第一下电极和第一上电极；
位于所述第二发光区中的第二下电极和第二上电极；
位于所述第三发光区中的第三下电极和第三上电极；
覆盖所述第一上电极、所述第二上电极和所述第三上电极中的每一个的端部的堤层；
位于所述堤层下方的绝缘层；
位于所述第一上电极、所述第二上电极和所述第三上电极上的发光层；
位于所述第一接触区中的第一接触电极，所述第一接触电极电连接到所述第一下电极和所述第一上电极；
位于所述第二接触区中的第二接触电极，所述第二接触电极电连接到所述第二上电极；以及
位于第三接触区中的第三接触电极，所述第三接触电极电连接到所述第三下电极，
其中，所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离小于所述第一下电极与所述第一上电极之间的距离，
其中，所述第二下电极与所述第二上电极之间的距离大于所述第三下电极与所述第三上电极之间的距离，
其中，所述堤层包括在所述第一子像素至所述第三子像素之间的边界区域中的沟槽，所述沟槽穿过所述堤层并延伸到所述绝缘层，
其中，所述发光层在所述沟槽中，并且所述发光层在所述沟槽中不邻接，
其中，所述发光层包括用于发出第一颜色的光的第一叠层、用于发出第二颜色的光的第二叠层以及所述第一叠层和所述第二叠层之间的电荷产生层，
其中，所述第一叠层的位于所述沟槽的第一内部侧表面上的部分、所述第一叠层的位于所述沟槽的第二内部侧表面上的部分以及所述第一叠层的位于所述沟槽的内部下表面上的部分彼此不邻接，
其中，所述电荷产生层的位于所述沟槽的第一内部侧表面上的部分和所述电荷产生层的位于所述沟槽的第二内部侧表面上的部分彼此不邻接，并且
其中，所述第二叠层从所述沟槽的第一内部侧表面上方到所述沟槽的第二内部侧表面上方是邻接的。
22.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下电极和所述第一上电极延伸到所述第一接触区，
所述第二下电极和所述第二上电极延伸到所述第二接触区，并且
所述第三下电极和所述第三上电极延伸到所述第三接触区。
23.根据权利要求22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括所述第一下电极与所述第一上电极之间的第一下接触电极和第一上接触电极，
所述第二接触电极包括：
位于所述第二下电极下方的第二下接触电极；以及
位于所述第二下电极与所述第二上电极之间的第二上接触电极，并且所述第三接触电极包括所述第三下电极下方的第三下接触电极和第三上接触电极。
24.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下电极和所述第一上电极延伸到所述第一接触区，
所述第二下电极不延伸到所述第二接触区，
所述第二上电极延伸到所述第二接触区，并且
所述第三下电极和所述第三上电极延伸到所述第三接触区。
25.根据权利要求24所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触电极包括所述第一下电极与所述第一上电极之间的单个接触层；
所述第二接触电极包括在所述第二上电极下方的第二下接触电极和第二上接触电极，并且
所述第三接触电极包括在所述第三下电极下方的单个接触层。
26.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一上电极包括：
所述第一接触区中的第一下层；以及
从所述第一接触区延伸到所述第一发光区的第一上层，
所述第二上电极包括：
所述第二接触区中的第二下层；以及
从所述第二接触区延伸到所述第二发光区的第二上层，并且
所述第三上电极包括：
从所述第三接触区延伸到所述第三发光区的第三下层；以及
从所述第三接触区延伸到所述第三发光区的第三上层。
27.根据权利要求26所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下层具有与所述第一接触电极的图案相同的图案，
所述第二下层具有与所述第二接触电极的图案相同的图案，
所述第三下层具有与所述第一下电极的图案相同的图案，
所述第一上层具有与所述第一下层的图案不同的图案，并且
所述第二上层具有与所述第二下层的图案不同的图案。
28.根据权利要求26所述的电致发光显示装置，其中，所述第一发光区中的第一上电极的厚度小于所述第一接触区中的第一上电极的厚度。
29.根据权利要求26所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二发光区中的第二上电极的厚度小于所述第二接触区中的第二上电极的厚度，并且
所述第三发光区中的第三上电极的厚度等于所述第三接触区中的第三上电极的厚度。
30.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一下电极和所述第一上电极通过多个接触孔彼此电连接，并且
所述多个接触孔中的至少一个不与所述多个接触孔中的其它接触孔交叠。
31.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，其中，
所述第一接触区的两侧面向所述第一发光区，并且
所述第一发光区包括：
第一部分，所述第一部分具有相对宽的第一宽度；以及
第二部分，所述第二部分具有相对窄的第二宽度。
32.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，所述电致发光显示装置还包括：
透镜阵列，所述透镜阵列与基板间隔开；以及
容纳壳体，所述容纳壳体被配置为容纳所述基板和所述透镜阵列。
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