CN110783216B - 半导体制造方法 - Google Patents

半导体制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110783216B
CN110783216B CN201910696376.3A CN201910696376A CN110783216B CN 110783216 B CN110783216 B CN 110783216B CN 201910696376 A CN201910696376 A CN 201910696376A CN 110783216 B CN110783216 B CN 110783216B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thickness
resist layer
light
intensities
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910696376.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110783216A (zh
Inventor
杨青海
高耀寰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN110783216A publication Critical patent/CN110783216A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110783216B publication Critical patent/CN110783216B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G01B11/0633—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection using one or more discrete wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

提供一种半导体制造方法，包括在基板上形成材料层；使用光照射材料层的至少一区域；记录从所述至少一区域反射的光的强度；以及根据所述光的强度，决定材料层在所述至少一区域的厚度。

Description

半导体制造方法
技术领域
本公开实施例涉及一种半导体制造方法。
背景技术
半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业经历了指数增长。集成电路材料及设计的技术改进已产生了数个世代的集成电路，每一世代的集成电路都具有比上一世代更小及更复杂的电路。在集成电路进化过程中，功能密度(即，单位芯片面积的互联装置数量)通常随着几何尺寸(即，使用制造工艺可以创建的最小元件或线)下降而增加。这种微缩化的过程通常可提高生产效率和降低相关成本。
半导体制造设备的领域中发生了许多半导体的技术进步。用于形成集成电路的半导体工艺需要一系列工艺步骤和各种设备。这些工艺步骤包括各种材料层(例如绝缘层、多晶硅层、金属层等)的沉积和图案化。通常使用图案化的阻剂层(resist layer)(例如光刻胶层(photoresist layer)或三层阻剂堆叠(tri-layer resist stack))作为在材料层上图案化的蚀刻掩模(罩幕)以将材料层图案化。通过旋转涂布(spin coating)将阻剂层沉积到所需的厚度。在一些实施例中，然后通过光罩(photomask)或倍缩光罩(reticle)使阻剂层经受单色(monochromatic)辐射(光)，然后在显影剂中显影以形成蚀刻掩模。随着半导体电路的最小特征尺寸减小到亚微米(submicron)尺寸，有必要更精确地控制临界尺寸(critical dimensions，CDs)。然而，临界尺寸取决于许多工艺参数，例如阻剂材料成分、辐射的剂量、显影时间、和阻剂层厚度。因此，为了精确控制临界尺寸，必须准确地确定阻剂层厚度。现今的半导体制造设备和制造方法虽然在许多方面是合适的，但是可能难以满足期望的性能和可靠性标准，例如在大量生产期间快速控制阻剂层厚度。因此，需要在此领域进行进一步改进。
发明内容
在一些示意性实施例中提供一种半导体制造方法，包括在基板上形成材料层；使用光照射材料层的至少一区域；记录从所述至少一区域反射的光的强度；以及根据所述光的强度，决定材料层在所述至少一区域的厚度。
在一些示意性实施例中提供一种半导体制造方法，包括：在基板上涂覆阻剂层；扫描阻剂层的多个区域，其中扫描操作包括：对所述区域进行成像；以及在对区域进行成像的操作时，记录所述区域的每一者的反射光的强度；使用记录的强度计算阻剂层的平均厚度；以及基于平均厚度，调整涂覆阻剂层的操作的工艺条件。
在一些示意性实施例中提供一种半导体制造方法，包括：使用旋转涂布工艺在基板上方形成阻剂层；捕获阻剂层的图像，图像包括阻剂层的多个预定位置；从图像获得所述预定位置的每一者的颜色的强度；基于颜色的强度，计算对应于预定位置的厚度；通过对厚度进行平均以获得平均厚度；以及根据平均厚度调整旋转涂布工艺的旋转速度。
附图说明
以下将配合说明书附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。
图1示出根据一些实施例的用于在半导体基板上旋转涂布阻剂层的设备。
图2示出根据本公开一些实施例的显示在旋转涂布阻剂层期间的阻剂层厚度作为旋转速度的函数的图表。
图3A和图3B示出根据一些实施例的通过测量一系列监控晶圆(monitor wafer)所得的阻剂层厚度与光强度的关系。
图4示出根据一些实施例的对应于阻剂层厚度和红/绿/蓝光强度关系的一系列一次多项式函数(first-degree polynomial functions)。
图5示出根据本公开一些实施例的创建数据库的方法，上述数据库记录用于厚度测量的阻剂材料和对应的光波长以及相关的多项式函数或对映表(mapping table)。
图6A和图6B示出根据一些实施例的通过图5的方法存储在数据库中的索引表(index table)。
图7示出根据本公开一些实施例的通过测量阻剂层的厚度以调整旋转涂布工艺条件的方法。
图8示出根据一些实施例的通过图7的方法从半导体晶圆的图像中获得原色的光强度。
图9示出根据一些实施例的通过图7的方法以晶圆级(wafer scale)产生全局(global)厚度图。
附图标记说明：
100 旋转涂布设备
102 阻剂材料
104 基板
106 阻剂层
108 涂布杯
110 旋转平台
112 轴
114 阻剂材料排除管
116 分配器
118 表面
120 缺陷
130 光学感测器
132 发光装置
134 光学接收器
136 光(激光光束)
140 处理器
142 控制器
202 曲线
302 线
304 监控晶圆
304a、304b、304c、304d 晶圆
306、306a、306b、306c、306d 阻剂层
336 光
500、700 方法
502、504、506、508、510、512、702、704、706、708、710、712、714、716 操作
600 数据库
802a 中心区域
802b 中间区域
802c 边缘区域
804 切割道
T 阻剂层厚度
S 旋转速度
具体实施方式
以下公开了许多不同的实施方法或是范例，以实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本公开。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此来限定本公开的范围。举例来说，在说明书中若提到第一特征部件形成于第二特征部件之上，其包括第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征部件与第二特征部件之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征部件与第二特征部件并非直接接触。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在……下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。此外，当使用“约”、“大约”等来描述数量或数量范围时，除非另有说明，否则此用词旨在包括在所述数字的+/-10％内的数字。举例来说，用词“约5nm”包括4.5nm至5.5nm的尺寸范围。
总的来说，本公开涉及半导体设备及其制造方法。更具体来说，本公开涉及用于在半导体基板上形成阻剂层(resist layer)的旋转涂布设备和在原位(in-situ)测量阻剂层厚度以反馈到装置的方法，用于调节工艺条件(例如旋转速度)，以实现不同的阻剂层厚度。
图1示出用于在基板104(例如半导体晶圆)上分配阻剂材料102以形成阻剂层106的旋转涂布设备100的剖面图。旋转涂布设备100包括涂布杯(coater cup)108和位于涂布杯108中心且用于支撑基板104的旋转平台110(例如真空吸座)。旋转平台110可以通过轴112进行旋转，轴112连接到电动马达(未示出)。涂布杯108设置有用过的阻剂材料排除管114。阻剂材料排除管114用于排出在涂布操作期间从基板104剥离的阻剂材料102。
在图1的旋转涂布设备100的操作期间，首先在旋转平台110的顶部装载基板104。然后，分配器116接近基板104的中心，并将预定量的阻剂材料102施加到基板104的中心。在各种实施例中，阻剂材料102为液体。然后旋转平台110进行旋转来分散阻剂材料102以均匀地覆盖基板104的顶表面。额外的阻剂材料102会从基板表面被抛出，并通过阻剂材料排除管114排出。
通过在涂覆或沉积阻剂材料的期间改变旋转平台110的旋转速度(以“S”表示)以实现基板104上阻剂层厚度(以“T”表示)的变化。参照图2，沿着Y轴的阻剂层厚度T的变化绘制成沿着X轴的以每分钟转数(revolutions per minute，rpm)为单位的旋转速度S的函数，如曲线202所示。阻剂材料的粘度(viscosity，以“centi-Pose”或“cP”表示)是影响阻剂层厚度T的另一个因素。需要适当的粘度cP才能达到目标厚度和均匀度。阻剂层厚度T、旋转速度S、和黏度cP之间的关系可以大致用公式S2*T*cP＝k来表示，其中k是常数。上述公式表示阻剂层厚度T与旋转速度S之间的反比关系。若使用相同的阻剂材料(即固定cP)，当旋转速度S越快，则所得的阻剂层厚度T越薄，反之亦然。
再次参考图1，光学感测器130安装在阻剂层106附近并隔开一距离。光学感测器130配置成对在光学感测器130下方的区域中的阻剂层106的厚度进行感测。在所示的实施例中，光学感测器130包括发光装置132和光学接收器134。发光装置132将光136发射到阻剂层106的表面118上。因此，光136被表面118反射并随后由光学接收器134接收。在一些实施例中，发光装置132发射具有可见分量的光(例如可见光谱中的光)，如包括不同颜色的光的组合的白光。在一些实施例中，发光装置132发射单色(monotone color)光，例如原色之一(primary colors，例如红色、蓝色、或绿色)。在一些实施例中，发光装置132发射可见光谱之外的光，例如具有红外线波长或紫外线波长的光。在又一些实施例中，发光装置132包括发射激光光束136的激光光源。
光学接收器134配置成对光136的波长灵敏。光学接收器134记录从光学感测器130下方的区域反射的光136的强度。光136的强度(strength)也称为光强度(lightintensity)，单位为烛光(candela)。在一些实施例中，光学接收器134是电荷耦合装置(charge-coupled device，CCD)。在一些实施例中，光学感测器130不具有发光装置132。举例来说，电荷耦合装置可利用环境光来捕获表面118的图像，而无需发光装置132的帮助。在一些实施例中，光学感测器130是共轭焦激光扫描显微镜(confocal laser scanningmicroscopy，CLSM)或垂直扫描光学干涉测量仪(vertical scanning opticalinterferometry，VSOI)。
光学感测器130能够沿着悬挂在表面118上方的齿轨或轨道***(未示出)移动并进行表面扫描或线扫描。如果需要扫描和感测表面118上的预定位置，则采用扫描图案的布置。在一些实施例中，光学感测器130首先沿表面118的X方向完成扫描一个条带(strip)，然后沿Y方向前进一段距离以沿X方向完成扫描相邻的条带，然后以之字形的方式(zig-zagpattern)重复移动进而扫描表面118的连续区域。在一些实施例中，光学感测器130可进一步沿Z方向移动以调整高度或相对于表面118的法线方向倾斜一角度。光学接收器134收集在扫描期间从表面118反射的光信号。阻剂层106的厚度分布是通过反射的光信号来测量，随后将进一步详细说明。
光学感测器130还具有将模拟(类比，analog)的光信号转换成电信号的转换器(未示出)。在一些实施例中，转换器内建在光学感测器130中。转换器与处理器140耦接，而处理器140存储可对电信号进行处理以确定感测位置厚度值的演算法。在一些实施例中，处理器140与控制器142进行通信。控制器142可为旋转涂布设备100的一部分或者为旋转涂布设备100外部的生产管理***(production management system，PMS)。根据来自控制器142的命令使光学感测器130进行操作。举例来说，光学感测器130从控制器142接收命令以调整角度或位置，以获得表面118的预定位置的图像。
光学感测器130整合在旋转涂布设备100中，并且在实时(real-time)模式下执行扫描操作，而不用将旋转涂布设备100切换成离线。举例来说，光学感测器130能够在基板104仍然装载在旋转平台110上的同时在原位(in-situ)扫描表面118。在不中断旋转涂布设备100的情况下产生线上(in-line)厚度轮廓。因此，光学感测器130能够在基板104刚刚完成涂覆或在涂覆后的烘烤工艺的同时执行实时厚度监控。在一些实施例中，旋转涂布工艺在旋转周期之间可以具有间隔，其允许光学感测器130扫描静止的表面118，并且在一或多个预定位置处实时地通过控制器142向旋转涂布设备100反馈厚度，以在持续旋转周期的时候调整旋转速度。控制器142还可以与其他半导体制造设备进行通信，例如与微影(光刻)蚀刻器通信以基于厚度轮廓来预先调整蚀刻速率的设定。
在一些实施例中，光学感测器130配置成执行全域扫描(full scan)或局部扫描(local scan)。对于全域扫描来说，光学感测器130捕获表面118的整个区域的图像。对于局部扫描，光学感测器130仅捕获表面118上的一或多个预定区域。处理器140与光学感测器130耦接，并且能够处理捕获的图像并识别表面118上的不同区域。处理器140根据光学感测器130捕获的反射光学信号强度以计算每个区域的厚度。此外，还可以通过处理器140对从全局扫描或局部扫描所获取的图像进行处理以感测缺陷。缺陷120可包括在阻剂层中的灰尘、气泡、或金属杂质。缺陷120可能在阻剂层显影时引起问题。处理器140还配置成从所获取的图像光学地识别缺陷120。在一些实施例中，处理器140作为集成元件而内建在光学感测器130中。
当入射光从阻剂层反射时，光被阻剂层调幅(modulate)而改变反射光的强度。反射光的强度与阻剂层的厚度和包括折射率的阻剂材料的其他光学性质相关。不同的阻剂材料具有在阻剂层厚度和反射光强度之间具有不同的相关性。因此通过确定某种阻剂材料的相关性，可以通过获取反射的光强度来确定阻剂层的厚度。图3A和图3B示出在特定实施例中，在一系列基板304上的反射光强度的测量结果与预定的阻剂层厚度的关系。
参考图3A，一系列监控晶圆304(例如晶圆304a至304d)分别涂覆有一系列不同厚度的阻剂层306(例如阻剂层306a至306d)。已经通过计量方法(metrological method)决定在预定区域(例如监控晶圆的中心)中的每个阻剂层306的厚度，例如通过恒定角度反射-干涉光谱仪(constant-angle reflection-interference spectrometer，CARIS)以进行决定。具有特定波长的光336(例如可见光，或更具体来说是原色的光)投射在预定区域上并随后被反射掉。由光学感测器记录来自每个监控晶圆的反射光336的强度。
参考图3B，通过在坐标轴线图中标记每个监控晶圆的一对阻剂层厚度和相应的反射光强度(例如所示用相应的阻剂层标号表示的菱形标记)，发明人观察到了可以在回归(regression)处理中产生阻剂层厚度和光强度的关联性的线302。可以通过多项式函数以表示线302。在所示的实施例中，上述多项式函数是一阶多项式函数，且线302是线性的线。一次多项式函数可表示为y＝-ax+b，其中x和y分别是反射光强度和阻剂层厚度。可以通过多项式函数的决定系数(coefficient of determination)(R2)来测量线302与一系列图示的菱形标记的符合程度。在一些实施例中，多项式函数是二次多项式函数或甚至是更高次方的多项式函数。上述多项式函数表示阻剂层厚度与反射光强度之间的关系。一旦确定了多项式函数，就可以通过将测量的反射光强度作为多项式函数中的变数来计算阻剂层的厚度。
对于相同的阻剂材料来说，如果光的波长不同，则其回归(regressed)多项式函数也会跟着变化。图4示出在使用白光对监控晶圆进行成像并从捕获的图像中获得原色(例如红色、蓝色、和绿色)强度之后，进行回归所得的一系列多项式函数。对应于各个原色的每个多项式函数具有不同的斜率和不同的决定系数(R2)。根据光的波长，上述多项式函数的斜率可为正值或负值。一些多项式函数的厚度对光强度的关联性比其他的多项式函数更好(即具有更高的R2)。
图5示出根据一些实施例的用于挑选多项式函数和构建用于记录这种信息的数据库的方法500的流程图。方法500仅为一个范例，且并不意旨于将本公开限制为超出本申请相关申请文件中明确记载的内容。可以在方法500之前、之中及之后提供额外的操作，并且对于上述方法的额外实施例，可以替换或删除随后描述的一些操作。以下结合图3A至图6B描述方法500。
在操作502，方法500用相同的阻剂材料涂覆一系列的监控晶圆304，以形成具有不同厚度的阻剂层306，如图3A所示。在一些实施例中，操作502涂覆五个或七个监控晶圆，其阻剂层厚度在其厚度中间值约1±3％的范围内。在进一步的实施例中，操作502涂覆五个具厚度中间值约为200nm的监控晶圆，其中五种不同的阻剂层厚度包括194nm((1-3％)×200nm)、197nm((1-1.5％)×200nm)、200nm、203nm((1+1.5％)×200nm)、和206nm((1+3％)×200nm)。
在操作504，方法500用光学感测器捕获每个监控晶圆304的图像。为了对监控晶圆304成像，操作504可以用入射光336照射监控晶圆304，如图3A所示。可以由一或多个发光二极管(Light-emitting diode，LED)产生入射光336。在一些实施例中，入射光336是白光或原色的单调光。在一些实施例中，操作504不照射监控晶圆304，而是使用环境光。
在操作506，方法500获得一些预定波长的光强度。如果在操作504使用如蓝光的单调光，则可以直接使用由光学感测器记录的强度。如果在操作504中使用的光包括不同波长的分量，例如白光、涵盖可见光谱的一部分的其他颜色的光、或环境光，则从上述光中获得预定波长的分量，并记录各自的强度。举例来说，可以从用白光或环境光拍摄而捕获的图像中获得或分解三原色(例如红色、蓝色、和绿色)的子图像。
在操作508，方法500针对每个预定波长的光产生光强度对阻剂层厚度的关系的多项式函数。在一些实施例中，通过与一系列阻剂层厚度与不同波长的相应反射光强度的关联性相关的回归处理来生成多项式函数。在操作508之后，产生了一系列的多项式函数。
在操作510，方法500检查由操作508产生的一系列多项式函数，并决定哪个多项式函数最准确符合(fit)阻剂层厚度和光强度之间的关系。在特定的实施例中，在操作506记录原色光，如图4所示，其中蓝光多项式函数具有约0.99的R2和约-1.6的斜率，绿光多项式函数具有约0.97的R2和约-2.3的斜率，红光多项式函数具有约0.66的R2和约3.8的斜率。操作510比较R2值并且选择具有最大R2值的多项式函数，例如具有约0.99的R2值的蓝光多项式函数。如果多个多项式函数具有相同的R2，则操作510进一步比较绝对斜率值并且选择具有最大绝对斜率值的多项式函数。或者，操作510可以设置预定R2值的阈值(threshold)，然后从满足大于此阈值的R2的多项式函数中选择具有最大绝对斜率值的多项式函数。在前述特定的实施例中，如果阈值设置为R2>0.96，则操作510将先去除红光多项式函数而不进行进一步的考虑(R2＝0.66)，然后选择具有最大绝对斜率值的绿光多项式函数(2.3>1.6)。
在操作512，方法500创建记录的阻剂材料和对应的光波长(或光色)的数据库，用于厚度测量。操作512还记录与此光波长相关的多项式函数。图6A中示出说明性数据库。可以通过使用阻剂材料的名称作为索引来搜索上述数据库。每种阻剂材料具有一个关于推荐哪个用于测量厚度光波长(或光色)和相应的多项式函数的条目(entry)。先通过操作502至510来决定光波长和多项式函数。通过将多项式函数应用于测量到的反射光强度，可以计算阻剂层的厚度。或者，上述数据库还可以包括对映表(映射表，mapping table)，如图6B所示。对映表存储成对的光强度对和相对应的厚度的条目，上述条目可以从测量结果直接记录或使用多项式函数计算而得。通过使用光强度作为索引，可以从对映表中搜索相对应的阻剂层厚度。为了添加新的阻剂材料到数据库中，方法500将创建一系列涂有新阻剂材料的新型显示器晶圆，然后重复操作502至510以找出合适的光波长(或光色)，以获得最精确的厚度测量和相对应的回归多项式函数。
图7示出使用阻剂层涂覆基板，并同时在原位测量阻剂层厚度并反馈到旋转涂布设备以调整工艺条件(例如旋转速度)，从而达到不同的阻剂层厚度的方法700的流程图。方法700仅仅是范例，并不意旨将本公开限制为超出本申请相关申请文件中明确记载的内容。可以在方法700之前、之中和之后提供额外的操作，并且对于上述方法额外的实施例来说，可以替换、减去或变动所描述的一些操作。
在操作702，方法700提供或接收基板104和用以涂覆在基板104上的阻剂材料102，如图1所示。在操作704，方法700使用阻剂材料作为索引以从数据库(例如图6A中所示的数据库)查找具有特定波长或颜色的光以用于随后的厚度测量。在操作704一起获得相关的多项式函数或对映表。
在操作706，方法700用阻剂层106涂覆基板104，如图1所示。涂覆工艺包括使用旋转涂布设备100以一定的速度旋转基板104，同时在基板104上分配阻剂材料102以形成阻剂层106。在一些实施例中，操作706包括在涂覆工艺之后在原位进行的烘烤工艺。
在一些实施例中，基板104可为半导体基板，例如硅晶圆。或者，基板104可以包括如锗的其他元素半导体、包括碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟、和锑化铟的化合物半导体、包括硅锗、磷砷化镓、磷化铝铟、砷化铝镓、砷化镓铟、磷化镓铟和磷砷化镓铟的合金半导体、或其组合。在其他实施例中，基板104包括氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)玻璃。基板104可进一步包括一或多个待图案化的材料层(通过蚀刻以去除材料层或通过离子布值以引入掺质)，例如要被图案化以形成用于导电线的沟槽或形成用于接点或导孔的孔洞的介电层、要被图案化以形成栅极的栅极材料堆叠、或者要被图案化以形成隔离沟槽的半导体材料。在一些实施例中，基板104包括形成在基板104上或将形成在基板104上的鳍主动区(fin active regions)和三维鳍式场效应晶体管(three-dimensional finfield-effect transistors，FinFETs)。在一些其他实施例中，基板104的顶部包括三层阻剂堆叠中的一层或多层，例如三层阻剂堆叠的底层、或三层阻剂堆叠的底层以及中间层。
阻剂层106(例如图3A中的306a至306d)沉积在基板104上方以作为毯覆层(blanket layer)。在一些实施例中，阻剂层106是三层阻剂堆叠的其中一层。举例来说，阻剂层106可为三层阻剂堆叠的底层。上述底层作为掩模，以在蚀刻或离子布植时保护基板104。因此，底层会具有足够的厚度，以实现这一点。在一些实施例中，底层包括有机高分子。在一些范例中，底层包括旋转涂布碳(Spin-On Carbon，SOC)材料。在一些范例中，底层包含酚醛树脂(novolac resin)。底层的形成可包括旋转涂布和烘烤工艺。
或者，阻剂层106可为三层阻剂堆叠的中间层。相应地，基板104的最顶部包括对应的三层阻剂堆叠的底层。中间层是三层阻剂堆叠的第二层。中间层可为设计于从底层提供蚀刻选择性的含硅层。在一些实施例中，中间层作为将图案转移到底层的蚀刻掩模。在一些实施例中，中间层114还被设计为用于减少微影曝光工艺期间的反射的底部抗反射涂层，从而增加成像对比度并增强成像分辨率。在一些实施例中，中间层的形成包括旋转涂布和烘烤工艺。
或者，阻剂层106可为三层阻剂堆叠的顶层。相应地，基板104的最顶部包括对应的三层阻剂堆叠的中间层和底层。顶层可为光敏层(photosensitive layer)。光敏层可包括光敏化学品、高分子材料和溶剂。在一些实施例中，光敏层使用化学放大(chemicalamplification，CA)阻剂材料。例如，正化学放大阻剂材料包括与酸反应之后可溶于显影剂(如碱溶液)的高分子材料。或者，化学放大阻剂材料可为负化学放大阻剂材料，并且包括与酸反应之后不溶于显影剂(如碱溶液)的高分子材料。光敏层的形成可包括旋转涂布和烘烤工艺。
在操作708，方法700通过使用光学感测器130捕获阻剂层106的表面图像。操作708可包括使用记录在数据库600中的具有特定波长(或特定颜色)的光照射阻剂层106。或者，操作708可以使用白光或仅使用环境光来捕获图像。因为光学感测器130整合在旋转涂布设备100中，所以感测是处于原位模式，而无需人为地干预。由处理器140预先决定在阻剂层106上待感测的位置。在一些实施例中，预定位置包括中心区域802a、多个边缘区域802c、以及它们之间的多个中间区域802b，如图8所示。在一些实施例中，每个区域对应于图像的一个像素。对于特定范例，在2048×2048像素的整个晶圆图像中，每个像素可以表示大约159μm×159μm的区域。在许多实施例中，约159μm×159μm的区域可以提供适当的覆盖，若大于此数值可能会导致较低的准确度，并且小于此数值可能会增加计算的复杂度。在一些实施例中，光学感测器130仅捕获预定位置处的快照图像。在一些实施例中，光学感测器130以之字形图案方式进行扫测(sweeping)来捕获整个晶圆104的图像。此图像被发送到处理器140以识别预定位置。因为切割道会干扰反射光并造成不准确，处理器140将上述区域设置为远离晶圆104上的切割道(scribe street)804。在一些实施例中，处理器140内置在光学感测器130中，并且是在光学感测器130内部进行图像传输，而不需任何外部的有线或无线路由器。
在操作710，方法700在预定位置获得所选波长(或特定颜色)的光的图像强度。举例来说，图像的每个像素可以分解为三原色(例如红色、蓝色和绿色)的组合。因此，图像可以由红色、蓝色和绿色的三个子图像表示。如果数据库600用蓝光作为阻剂材料的索引，则处理器140在预定位置检查蓝色子图像以获得蓝光的强度，而另外两个红色和绿色子图像可能会被舍弃。
在操作712，上述方法决定每个预定位置中的阻剂层的厚度。每个预定位置的厚度值也称为局部厚度。在一些实施例中，处理器140通过将对应的多项式函数应用于光强度以计算预定位置中的厚度值。多项式函数与阻剂材料相关，可以通过将阻剂材料作为索引，以在类似于图6A中所示的数据库中搜索上述多项式函数。在一些替代的实施例中，处理器140直接从类似于图6B中所示的对映表中查找对应于光强度的阻剂厚度，而不需要由多项式函数计算阻剂厚度。在一些实施例中，在处理器140中同时识别预定的位置和决定厚度。然后处理器140通过对局部厚度进行平均以计算平均厚度。在一些实施例中，每个局部厚度在平均过程期间具有相同的权重。在一些其他实施例中，局部厚度具有不同的权重。举例来说，晶圆中心附近的厚度可比晶圆的***更均匀，因此对于中心附近的测量更准确，所以中心区域802a可以具有比中间区域802b更高的权重，而边缘区域802c具有最轻的权重。
此外，由于预定位置散布在晶圆104中，所以可以产生全局(global)厚度图，如图9所示。可以通过对预定位置附近的厚度进行内插以计算预定位置之外的区域的厚度。通过检查晶圆上不同区域的厚度值，处理器140还可以计算晶圆级(wafer level)的厚度均匀性或厚度变化。
方法700继续进行到将操作712中计算的平均厚度与预定规格进行比较的操作714。预定规格是定义为阻剂层厚度的阈值。当计算出的平均厚度大于或小于预定规格时，控制器142向旋转涂布设备100发送命令以调整旋转涂布的工艺条件(如用于下一个晶圆)，例如旋转速度、阻剂材料的分配量及/或烘烤的温度曲线。在一些实施例中，如果平均厚度大于预定规格，则旋转平台110将被设定为具有较高的旋转速度；如果平均厚度小于预定规格，则旋转平台110将被设定为具有较慢的旋转速度。调整过后的速度可应用在装载到旋转涂布设备100中的下一个晶圆上，或者应用在目前位在旋转涂布设备100中的同一个晶圆上(例如通过添加更多的阻剂剂以增加厚度)。通过这种方式，可以精确地控制阻剂层的厚度。控制器142还可以将平均厚度发送到其他半导体制造设备(例如微影蚀刻器)，以基于目前晶圆的厚度轮廓来预先调整蚀刻速率的设置。
在操作716，方法700执行进一步的步骤以继续半导体装置的制造。举例来说，方法700可以用不同的阻剂材料以涂覆出其他的阻剂层，例如三层阻剂堆叠中较高的阻剂层。方法700将重复操作702至操作714，以从数据库获得可能具有不同波长(或不同颜色)的光和对应的多项式函数，从而决定新的阻剂层的厚度。在其他范例中，方法700将晶圆104传送到下一个半导体制造设备(例如用于蚀刻工艺的微影蚀刻装置)，以最终形成完整的集成电路。
尽管并非旨于限制，但是本公开的一或多个实施例为半导体装置及其形成提供了许多益处。举例来说，本公开的实施例提供了一种半导体设备和制造方法，以在半导体装置的制造期间精确地控制阻剂层的厚度，而其增加了最终产物中的临界尺寸均匀性。此外，用于监控和反馈控制阻剂层厚度的方法可以容易地整合到现有的半导体制造工艺中。
在一些示意性的实施例中，本公开关于一种半导体制造方法，包括在基板上形成材料层；使用光照射材料层的至少一区域；记录从至少一区域反射的光的强度；以及根据光的强度，决定材料层在至少一区域的厚度。在一些实施例中，形成材料层以及照射材料层的至少一区域的操作为原位操作。在一些实施例中，是由感光耦合装置(CCD)进行记录光的强度的操作。在一些实施例中，感光耦合装置亦配置以感测材料层中的缺陷。在一些实施例中，在基板的平面视角中，感光耦合装置的每个像素对应于约159μm×159μm的表面区域。在一些实施例中，光具有可见颜色。在一些实施例中，决定材料层的厚度的操作包括对光的强度应用一多项式函数。在一些实施例中，多项式函数为一次多项式函数。在一些实施例中，一次多项式函数具有负斜率。在一些实施例中，基板为半导体晶圆。在一些实施例中，至少一区域与半导体晶圆的切割道不重叠。在一些实施例中，上述半导体制造方法还包括通过比较材料层的厚度以及阈值，以调整形成材料层的操作的工艺参数。
在另一些示意性的实施例中，本公开关于一种半导体制造方法，包括：在基板上涂覆阻剂层；扫描阻剂层的区域，其中扫描操作包括：对区域进行成像；以及在对区域进行成像的操作时，记录区域每一者的反射光的强度；使用记录的强度计算阻剂层的平均厚度；以及基于平均厚度，调整涂覆阻剂层的操作的工艺条件。在一些实施例中，扫描操作还包括在基板上方以感光耦合元件进行扫测。在一些实施例中，计算平均厚度的操作包括：使用记录的强度决定对应区域的厚度；以及对厚度进行平均以作为平均厚度。在一些实施例中，决定厚度的操作包括使用记录的强度作为索引，以从对映表查找厚度的每一者。在一些实施例中，调整工艺条件包括对配置以涂布阻剂层的旋转涂布装置的旋转速度进行调整。
在又一些示意性的实施例中，本公开关于一种半导体制造方法，包括：使用旋转涂布工艺在基板上方形成阻剂层；捕获阻剂层的图像，图像包括阻剂层的预定位置；从图像获得预定位置每一者的颜色的强度；基于颜色的强度，计算对应于预定位置的厚度；通过对厚度进行平均以获得平均厚度；以及根据平均厚度调整旋转涂布工艺的旋转速度。在一些实施例中，颜色为原色。在一些实施例中，计算厚度的操作包括对颜色的强度应用多项式函数，产生多项式函数的操作包括分别从涂覆有具有各种厚度的阻剂层的多个监控晶圆的图像获得颜色的强度。
上述内容概述许多实施例的特征，因此任何所属技术领域中技术人员，可更加理解本公开的各面向。任何所属技术领域中技术人员，可能无困难地以本公开为基础，设计或修改其他工艺及结构，以达到与本公开实施例相同的目的及/或得到相同的优点。任何所属技术领域中技术人员也应了解，在不脱离本公开的构思和范围内做不同改变、代替及修改，如此等效的创造并没有超出本公开的构思及范围。

Claims (19)

1.一种半导体制造方法，包括：
在一基板上形成一材料层；
使用多个光照射该材料层的至少一区域；
记录从该至少一区域反射的该多个光的多个强度；以及
根据该光的该多个强度，进行该材料层的厚度与从该至少一区域反射的该多个光的强度的关联性相关的回归处理，来产生该多个光的强度对该材料层的厚度的关系的多个多项式函数；
检查该多个多项式函数，并选择具有最大R2值的该多个多项式函数的其中一者作为一最佳多项式函数，其中R2为所述多项式函数的决定系数；
根据该最佳多项式函数，决定该材料层在该至少一区域的一厚度。
2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中形成该材料层以及照射该材料层的该至少一区域的操作是在原位进行。
3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中是由一感光耦合装置进行记录该多个光的该多个强度的操作。
4.如权利要求3所述的半导体制造方法，其中该感光耦合装置亦配置以感测该材料层中的一缺陷。
5.如权利要求3所述的半导体制造方法，其中在该基板的一平面视角中，该感光耦合装置的每个像素对应于约159μm×159μm的表面区域。
6.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该多个光具有可见的颜色。
7.如权利要求6所述的半导体制造方法，其中该多个多项式函数为多个一次多项式函数。
8.如权利要求7所述的半导体制造方法，其中该多个一次多项式函数具有负斜率。
9.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该基板为半导体晶圆。
10.如权利要求9所述的半导体制造方法，其中该至少一区域与该半导体晶圆的一切割道不重叠。
11.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：
通过比较该材料层的该厚度以及一阈值以调整形成该材料层的操作的工艺参数。
12.一种半导体制造方法，包括：
在一基板上涂覆一阻剂层；
扫描该阻剂层的多个区域，其中该扫描包括：
以多个光对所述多个区域进行成像；以及
在对所述多个区域进行成像的操作时，记录所述多个区域的每一者的多个反射光的多个强度；
根据该多个反射光的该多个强度，进行该阻剂层的厚度与该多个反射光的强度的关联性相关的回归处理，来产生该多个反射光的强度对该阻剂层的厚度的关系的多个多项式函数；
检查该多个多项式函数，并选择具有最大R2值的该多个多项式函数的其中一者作为一最佳多项式函数，其中R2为所述多项式函数的决定系数；根据该最佳多项式函数，计算该阻剂层的一平均厚度；以及
基于该平均厚度，调整涂覆该阻剂层的操作的工艺条件。
13.如权利要求12所述的半导体制造方法，其中该扫描操作还包括在该基板上方以一感光耦合元件进行扫测。
14.如权利要求12所述的半导体制造方法，其中计算该平均厚度的操作包括：
使用记录的该多个强度决定对应所述多个区域的多个厚度；以及
对所述多个厚度进行平均以作为该平均厚度。
15.如权利要求14所述的半导体制造方法，其中决定所述多个厚度的操作包括从使用记录的该多个强度作为一索引的一对映表查找所述多个厚度的每一者。
16.如权利要求12所述的半导体制造方法，其中调整所述多个工艺条件的操作包括对配置以涂布该阻剂层的一旋转涂布装置的一旋转速度进行调整。
17.一种半导体制造方法，包括：
使用一旋转涂布工艺在一基板上方形成一阻剂层；
捕获该阻剂层的一图像，该图像包括该阻剂层的多个预定位置；
从该图像获得所述多个预定位置的每一者的多个颜色的多个强度；
根据该多个颜色的该多个强度，进行该阻剂层的厚度与从该多个预定位置反射的该多个颜色的强度的关联性相关的回归处理，来产生该多个颜色的强度对该阻剂层的厚度的关系的多个多项式函数；
检查该多个多项式函数，并选择具有最大R2值的该多个多项式函数的其中一者作为一最佳多项式函数，其中R2为所述多项式函数的决定系数；
根据该最佳多项式函数，计算对应于所述多个预定位置的多个厚度；
通过对所述多个厚度进行平均以获得一平均厚度；以及
根据该平均厚度调整该旋转涂布工艺的一旋转速度。
18.如权利要求17所述的半导体制造方法，其中该多个颜色为原色。
19.如权利要求17所述的半导体制造方法，其中产生该多个多项式函数的操作包括分别从涂覆有具有各种厚度的阻剂层的多个监控晶圆的图像获得该多个颜色的该多个强度。
CN201910696376.3A 2018-07-30 2019-07-30 半导体制造方法 Active CN110783216B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862711880P 2018-07-30 2018-07-30
US62/711,880 2018-07-30
US16/513,119 US20200033723A1 (en) 2018-07-30 2019-07-16 Semiconductor Manufacturing Apparatus and Method Thereof
US16/513,119 2019-07-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110783216A CN110783216A (zh) 2020-02-11
CN110783216B true CN110783216B (zh) 2022-04-12

Family

ID=69178056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910696376.3A Active CN110783216B (zh) 2018-07-30 2019-07-30 半导体制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200033723A1 (zh)
CN (1) CN110783216B (zh)
TW (1) TWI710039B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210129166A1 (en) * 2019-11-04 2021-05-06 Tokyo Electron Limited Systems and Methods for Spin Process Video Analysis During Substrate Processing
KR20210134129A (ko) * 2020-04-29 2021-11-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치 및 방법
US20220344220A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods and systems for real-time quality control of a film in a spin coating process

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1085655A (zh) * 1992-09-15 1994-04-20 格拉沃贝尔公司 监测薄膜厚度的方法和设备
CN1314991A (zh) * 1998-08-27 2001-09-26 特维特过程控制技术有限公司 测量薄膜,特别是半导体衬底上的感光树脂薄膜的厚度的方法与装置
TW505948B (en) * 1999-10-06 2002-10-11 Samsung Electronics Co Ltd Method and apparatus for detecting thickness of thin layer formed on a wafer
CN1416394A (zh) * 2000-03-09 2003-05-07 联邦科学和工业研究组织 在胶印中确定的墨水和润湿溶剂
CN101722469A (zh) * 2008-10-13 2010-06-09 台湾积体电路制造股份有限公司 对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法
CN102062738A (zh) * 2006-05-16 2011-05-18 麒麟工程技术***公司 表面检查装置和表面检查头装置
CN102466467A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 薄膜厚度的监控方法
TW201425862A (zh) * 2012-12-28 2014-07-01 Metal Ind Res & Dev Ct 即時厚度量測系統
CN104279969A (zh) * 2013-07-05 2015-01-14 韩国标准科学研究院 厚度测量装置和厚度测量方法
CN104635692A (zh) * 2014-12-31 2015-05-20 深圳市华星光电技术有限公司 涂布光阻膜的方法以及使用该方法的涂布设备
CN107210188A (zh) * 2014-12-19 2017-09-26 应用材料公司 用于沉积的监控***与操作该***的方法
CN107429989A (zh) * 2015-04-08 2017-12-01 株式会社荏原制作所 膜厚测定方法、膜厚测定装置、研磨方法及研磨装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100487948C (zh) * 2004-03-03 2009-05-13 三洋电机株式会社 测定沉积膜厚度的方法及装置和形成材料层的方法及装置
US7327475B1 (en) * 2006-12-15 2008-02-05 Tokyo Electron Limited Measuring a process parameter of a semiconductor fabrication process using optical metrology
JP5175696B2 (ja) * 2008-11-25 2013-04-03 株式会社東芝 現像方法、及びフォトマスクの製造方法
US8917398B2 (en) * 2011-08-28 2014-12-23 G & D Innovative Analysis Ltd. Method and apparatus for supervision of optical material production
US9849431B2 (en) * 2012-07-13 2017-12-26 Ppg Industries Ohio, Inc. System and method for automated production, application and evaluation of coating compositions
JP5843241B2 (ja) * 2013-11-26 2016-01-13 レーザーテック株式会社 検査装置、及び検査方法
EP3124912B1 (en) * 2015-07-30 2019-01-16 Unity Semiconductor GmbH Method and assembly for determining the thickness of a layer in a stack of layers
US9875534B2 (en) * 2015-09-04 2018-01-23 Kla-Tencor Corporation Techniques and systems for model-based critical dimension measurements
JP2017125782A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 信越半導体株式会社 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法
TWI784719B (zh) * 2016-08-26 2022-11-21 美商應用材料股份有限公司 獲得代表在基板上的層的厚度的測量的方法，及量測系統和電腦程式產品

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1085655A (zh) * 1992-09-15 1994-04-20 格拉沃贝尔公司 监测薄膜厚度的方法和设备
CN1314991A (zh) * 1998-08-27 2001-09-26 特维特过程控制技术有限公司 测量薄膜,特别是半导体衬底上的感光树脂薄膜的厚度的方法与装置
TW505948B (en) * 1999-10-06 2002-10-11 Samsung Electronics Co Ltd Method and apparatus for detecting thickness of thin layer formed on a wafer
CN1416394A (zh) * 2000-03-09 2003-05-07 联邦科学和工业研究组织 在胶印中确定的墨水和润湿溶剂
CN102062738A (zh) * 2006-05-16 2011-05-18 麒麟工程技术***公司 表面检查装置和表面检查头装置
CN101722469A (zh) * 2008-10-13 2010-06-09 台湾积体电路制造股份有限公司 对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法
CN102466467A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 薄膜厚度的监控方法
TW201425862A (zh) * 2012-12-28 2014-07-01 Metal Ind Res & Dev Ct 即時厚度量測系統
CN104279969A (zh) * 2013-07-05 2015-01-14 韩国标准科学研究院 厚度测量装置和厚度测量方法
CN107210188A (zh) * 2014-12-19 2017-09-26 应用材料公司 用于沉积的监控***与操作该***的方法
CN104635692A (zh) * 2014-12-31 2015-05-20 深圳市华星光电技术有限公司 涂布光阻膜的方法以及使用该方法的涂布设备
CN107429989A (zh) * 2015-04-08 2017-12-01 株式会社荏原制作所 膜厚测定方法、膜厚测定装置、研磨方法及研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110783216A (zh) 2020-02-11
TW202008486A (zh) 2020-02-16
TWI710039B (zh) 2020-11-11
US20200033723A1 (en) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110783216B (zh) 半导体制造方法
US10600667B2 (en) Systems and methods for wafer alignment
TWI248561B (en) Focus spot monitoring in a lithographic projection apparatus
US6858361B2 (en) Methodology for repeatable post etch CD in a production tool
US8513625B2 (en) Track-based metrology method and apparatus
US6924088B2 (en) Method and system for realtime CD microloading control
TWI227515B (en) Management system and apparatus, method therefor, and device manufacturing method
US20210285822A1 (en) Thermal Imaging Sensor for Integration into Track System
JP2002350128A (ja) 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法
JP2024507878A (ja) コーティングトラックへのセンサ技術の統合
TW202001994A (zh) 光刻方法以及光刻系統
US20120227013A1 (en) Systems and methods for implementing and manufacturing reticles for use in photolithography tools
US7098046B2 (en) Alignment method and exposure apparatus using the method
JP2011119457A (ja) 位置合わせ条件最適化方法及びシステム、パターン形成方法及びシステム、露光装置、デバイス製造方法、並びに重ね合わせ精度評価方法及びシステム
JP2001044105A (ja) 半導体装置の製造方法
JP7220625B2 (ja) 基板検査方法、基板検査システム及び制御装置
US11150565B2 (en) Methods for controlling lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7642021B2 (en) Method of mapping lithography focus errors
KR100551402B1 (ko) 노광장치의 파라미터값을 최적화하는 방법과 시스템 및노광장치와 노광방법
US6558965B1 (en) Measuring BARC thickness using scatterometry
US20150015896A1 (en) Methods and devices for reducing errors in goos-hänchen corrections of displacement data
TW202137330A (zh) 基板處理方法及基板處理系統
Yao et al. Spin-on metal oxides and their applications for next generation lithography
JP3552350B2 (ja) レジストパターンの合わせずれ判定方法
JPH09251942A (ja) 露光装置および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant