CN110770879A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理装置包含：密接强化部(610)，对基板(W)的一面供给包含有机材料的密接强化剂；照射部(620)，对已通过密接强化部(610)供给密接强化剂的基板(W)的一面照射紫外线；及成膜部，通过对已利用照射部(620)照射紫外线的基板(W)的一面供给处理液，而在基板(W)的一面形成处理膜。本发明的基板处理方法包含如下步骤：通过密接强化部(610)对基板(W)的一面供给包含有机材料的密接强化剂；对已通过所述密接强化部(610)供给所述密接强化剂的基板(W)的所述一面照射紫外线；及通过对已利用所述照射部(620)照射紫外线的基板(W)的所述一面供给处理液，而在基板(W)的所述一面形成处理膜。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在半导体装置等的制造中的光刻步骤中，通过在基板的被处理面上涂布光阻液，而在基板的被处理面上形成光阻膜。在该情况下，如果在基板的被处理面的亲水性较高的状态下形成光阻膜，则基板的被处理面与光阻膜的密接性变低。因此，存在光阻膜从基板的被处理面剥离的可能性。在是，通过在形成光阻膜前，对基板的被处理面供给HMDS(六甲基二硅氮烷)等密接强化剂，从而提高基板的被处理面的疏水性(例如参照专利文献1)。
[专利文献1]日本专利特开2005-93952号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
另一方面，如果基板的被处理面的疏水性较高，则当涂布光阻液时，光阻液容易在被处理面上凝聚。因此，视光阻液的种类不同，会出现无法以覆盖被处理面的所期望的区域的方式涂布光阻液的情况。其结果为，无法适当地形成光阻膜，从而产生处理不良。
本发明的目的在于提供一种能够适当地在基板的一面形成处理膜的基板处理装置以及基板处理方法。
[解决问题的技术手段]
(1)基于本发明的一态样的基板处理装置包含：密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；照射部，对已通过密接强化部供给密接强化剂的基板的一面照射紫外线；及成膜部，通过对已利用照射部照射紫外线的基板的一面供给处理液，在基板的一面形成处理膜。
在该基板处理装置中，通过供给密接强化剂而提高基板的一面的疏水性之后，通过照射紫外线而调整基板的一面的疏水性。由此，当对基板的一面涂布处理液时，将基板的一面相对于处理液的接触角控制于适当的范围。由此，能够在基板的一面的所期望的区域适当地涂布处理液，且能够确保基板的一面与处理膜的密接性。因此，能够在基板的一面适当地形成处理膜。
(2)有机材料也可包含六甲基二硅氮烷。在该情况下，能够抑制成本的增大并提高基板的一面的疏水性。
(3)密接强化部也可以使基板的一面上的羟基变为三甲基硅烷氧基的方式对基板的一面供给密接强化剂，且照射部以使基板的一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷的方式对基板的一面照射紫外线。在该情况下，能够适当地调整基板的一面的疏水性。
(4)处理液也可包含感光性材料。在该情况下，能够在基板的一面适当地形成包含感光性材料的感光性膜。
(5)照射部也可以使基板的一面相对于处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式调整紫外线的照射量。在该情况下，能够将基板的一面的疏水性调整为所期望的程度，使得能够在基板的一面上适当地涂布处理液。
(6)基板处理装置也可进而包含冷却部，该冷却部对通过照射部照射紫外线后且通过成膜部形成处理膜前的基板进行冷却。在该情况下，能够将基板的温度调整为适合形成处理膜的温度。由此，能够更加良好地形成处理膜。
(7)密接强化部也可包含载置基板的载置部，基板处理装置进而包含搬送部，该搬送部设置成可一边保持基板一边在用以将基板交接至载置部上的交接位置与离开交接位置的外部位置之间移动，密接强化部对载置于载置部的基板供给密接强化剂，且照射部于搬送部保持基板并从交接位置向外部位置移动时对由搬送部保持的基板照射紫外线。
在该情况下，对载置于载置部的基板供给密接强化剂，且对从载置部搬送的基板照射紫外线。由此，能够高效率地对基板进行密接强化剂的供给及紫外线的照射，从而能够提升产能。
(8)基于本发明的另一态样的基板处理方法包含如下步骤：通过密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；对已通过密接强化部供给密接强化剂的基板的一面照射紫外线；及通过对已利用照射部照射紫外线的基板的一面供给处理液，而在基板的一面形成处理膜。
根据该基板处理方法，通过供给密接强化剂来调整基板的一面的疏水性后，通过照射紫外线来调整基板的一面的疏水性。由此，当对基板的一面涂布处理液时，将基板的一面相对于处理液的接触角控制于适当的范围。由此，能够在基板的一面的所期望的区域适当地涂布处理液，且能够确保基板的一面与处理膜的密接性。因此，能够在基板的一面适当地形成处理膜。
(9)有机材料也可包含六甲基二硅氮烷。在该情况下，能够抑制成本的增大并提高基板的一面的疏水性。
(10)供给密接强化剂的步骤也可包含使基板的一面上的羟基变为三甲基硅烷氧基，且照射紫外线的步骤包含使基板的一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷。在该情况下，能够适当地调整基板的一面的疏水性。
(11)处理液也可包含感光性材料。在该情况下，能够在基板的一面适当地形成包含感光性材料的感光性膜。
(12)照射紫外线的步骤也可包含以使基板的一面相对于处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式调整紫外线的照射量。在该情况下，能够将基板的一面的疏水性调整为所期望的程度，从而能够在基板的一面上适当地涂布处理液。
(13)基板处理方法也可进而包含如下步骤：在照射紫外线的步骤后且形成处理膜的步骤前，对基板进行冷却。在该情况下，能够将基板的温度调整为适合形成处理膜的温度。由此，能够更加良好地形成处理膜。
(14)基板搬送方法也可进而包含如下步骤：一边由搬送部保持基板一边使搬送部在用以将基板交接至密接强化部的载置部上的交接位置与离开交接位置的外部位置之间移动，供给密接强化剂的步骤包含对载置于载置部的基板供给密接强化剂，照射紫外线的步骤包含当搬送部保持基板并从交接位置向外部位置移动时，对由搬送部保持的基板照射紫外线。
[发明的效果]
根据本发明，能够在基板的一面适当地形成处理膜。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。
图2是主要表示图1的涂布处理部、显影处理部及洗净干燥处理部的基板处理装置的示意性侧视图。
图3是主要表示图1的热处理部及洗净干燥处理部的基板处理装置的示意性侧视图。
图4是主要表示图1的搬送部的示意性侧视图。
图5是用于对因密接强化处理及全面曝光处理所产生的基板的被处理面的疏水性的变化进行说明的图。
图6是表示密接强化处理单元的具体构成例的示意性剖视图。
图7是表示全面曝光处理单元的具体构成例的外观立体图。
图8是表示全面曝光处理单元的具体构成例的示意性侧视图。
图9是用于对基板处理装置的控制***的构成例进行说明的图。
图10是表示图9的各控制部的动作的流程图。
图11是表示疏水性调整单元的构成例的示意性侧视图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式的基板处理装置，一边参照附图一面进行说明。另外，在以下说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用基板、光盘用基板、磁碟用基板、磁光盘用基板、光罩用基板或太阳电池用基板等。
[1]基板处理装置的构成
图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。在图1及图2以后的附图中，为了明确位置关系而标注表示相互正交的X方向、Y方向及Z方向的箭头。X方向及Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅垂方向。
如图1所示，基板处理装置100包含装载区块11、第1处理区块12、第2处理区块13、洗净干燥处理区块14A及搬入搬出区块14B。由洗净干燥处理区块14A及搬入搬出区块14B而构成接口区块14。以邻接于搬入搬出区块14B的方式配置曝光装置15。在本例的曝光装置15中，通过液浸法而对基板W进行曝光处理。
如图1所示，装载区块11包含多个载具载置部111及搬送部112。在各载具载置部111，载置呈多段地收纳多个基板W的载具113。在搬送部112设置有主控制部114及搬送机构115。主控制部114控制基板处理装置100的各种构成要素。
第1处理区块12包含涂布处理部121、搬送部122及热处理部123。涂布处理部121及热处理部123以隔着搬送部122对向的方式设置。第2处理区块13包含显影处理部131、搬送部132及热处理部133。显影处理部131及热处理部133以隔着搬送部132对向的方式设置。
洗净干燥处理区块14A包含洗净干燥处理部161、162及搬送部163。洗净干燥处理部161、162以隔着搬送部163对向的方式设置。在搬送部163设置有搬送机构141、142。在搬入搬出区块14B设置有搬送机构146。在曝光装置15设置有用以搬入基板W的基板搬入部15a及用以搬出基板W的基板搬出部15b。
图2是主要表示图1的涂布处理部121、显影处理部131及洗净干燥处理部161的基板处理装置100的示意性侧视图。如图2所示，在涂布处理部121分阶段地设置有涂布处理室21、22、23、24。在涂布处理室21～24的各者，设置有涂布处理单元(旋转涂布机)129。在显影处理部131，分阶段地设置有显影处理室31、32、33、34。在显影处理室31～34的各者，设置有显影处理单元(旋转显影机)139。
各涂布处理单元129包含保持基板W的旋转夹头25及以覆盖旋转夹头25的周围的方式设置的护罩27。在本实施方式中，在各涂布处理单元129设置有2组旋转夹头25及护罩27。
涂布处理单元129中，通过未图示的驱动装置使旋转夹头25旋转，并且通过喷嘴搬送机构29使多个处理液喷嘴28中任一处理液喷嘴28移动至基板W的上方，从该处理液喷嘴28喷出处理液。在本例中，使用包含感光性材料的光阻液作为处理液。通过在基板W的被处理面涂布光阻液，而在基板W上形成光阻膜。
显影处理单元139与涂布处理单元129同样地包含旋转夹头35及护罩37。而且，如图1所示，显影处理单元139包含喷出显影液的2个显影喷嘴38及使该显影喷嘴38在X方向上移动的移动机构39。
显影处理单元139中，通过未图示的驱动装置使旋转夹头35旋转，并且使一个显影喷嘴38一边在X方向上移动一边对各基板W供给显影液，其后，使另一个显影喷嘴38一边移动一边对各基板W供给显影液。在该情况下，通过对基板W供给显影液，而进行基板W的显影处理。
在洗净干燥处理部161分阶段地设置有洗净干燥处理室81、82、83、84。在洗净干燥处理室81～84的各者设置有洗净干燥处理单元SD1。在洗净干燥处理单元SD1中，进行曝光处理前的基板W的洗净及干燥处理。
图3是主要表示图1的热处理部123、133及洗净干燥处理部162的基板处理装置100的示意性侧视图。如图3所示，热处理部123包含上段热处理部301及下段热处理部302。在上段热处理部301及下段热处理部302的各者，设置有多个加热单元PHP、多个密接强化处理单元AHP、多个冷却单元CP及全面曝光处理单元OWE。
在加热单元PHP中，进行基板W的加热处理。在冷却单元CP中，进行基板W的冷却处理。在密接强化处理单元AHP中，对基板W进行密接强化处理。在全面曝光处理单元OWE中，对基板W进行全面曝光处理。关于密接强化处理及全面曝光处理的详细情况将在下文叙述。
热处理部133包含上段热处理部303及下段热处理部304。在上段热处理部303及下段热处理部304的各者，设置有冷却单元CP、多个加热单元PHP及边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW中，对形成在基板W上的光阻膜的周缘部的固定宽度的区域进行曝光处理(边缘曝光处理)。在上段热处理部303及下段热处理部304中，以与洗净干燥处理区块14A相邻的方式设置的加热单元PHP构成为可从洗净干燥处理区块14A搬入基板W。
在洗净干燥处理部162分阶段地设置有洗净干燥处理室91、92、93、94、95。在洗净干燥处理室91～95的各者设置有洗净干燥处理单元SD2。在洗净干燥处理单元SD2中，进行曝光处理后的基板W的洗净及干燥处理。
图4是主要表示图1的搬送部122、132、163的示意性侧视图。如图4所示，搬送部122包含上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132包含上段搬送室135及下段搬送室136。在上段搬送室125设置有搬送机构(搬送机器人)127，在下段搬送室126设置有搬送机构128。在上段搬送室135设置有搬送机构137，在下段搬送室136设置有搬送机构138。搬送机构127、128、137、138的各者包含用于保持基板W的机器手H1、H2。搬送机构115通过机器手H1、H2而一边保持基板W一边搬送该基板W。
在搬送部112与上段搬送室125之间，设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬送部112与下段搬送室126之间，设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上段搬送室125与上段搬送室135之间，设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下段搬送室126与下段搬送室136之间，设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上段搬送室135与搬送部163之间，设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下段搬送室136与搬送部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬送部163中，以与搬入搬出区块14B邻接的方式设置有基板载置部PASS9及多个载置兼冷却部P-CP。
一边参照图1～图4一边对基板处理装置100的动作进行说明。在装载区块11的载具载置部111(图1)载置有收容有未处理的基板W的载具113。搬送机构115从载具113对基板载置部PASS1、PASS3(图4)搬送未处理的基板W。而且，搬送机构115将载置于基板载置部PASS2、PASS4(图4)的处理完成的基板W搬送到载具113。
第1处理区块12中，搬送机构127(图4)将载置于基板载置部PASS1的基板W依序搬送到密接强化处理单元AHP(图3)、全面曝光处理单元OWE(图3)及冷却单元CP(图3)，进而，将该基板W搬送到涂布处理室21、22(图2)的任一者。而且，搬送机构127将已通过涂布处理室21或涂布处理室22形成有光阻膜的基板W依序搬送到加热单元PHP(图3)及基板载置部PASS5(图4)。
在该情况下，在密接强化处理单元AHP中对基板W进行密接强化处理后，在全面曝光处理单元OWE中对基板W进行全面曝光处理。然后，在冷却单元CP中，将基板W冷却至适合形成抗反射膜的温度后，在涂布处理室21、22的任一者中，通过涂布处理单元129(图2)在基板W上形成光阻膜。其后，在加热单元PHP中，进行基板W的热处理，并将该基板W载置于基板载置部PASS5。
而且，搬送机构127将载置于基板载置部PASS6(图4)的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS2(图4)。
搬送机构128(图4)将载置于基板载置部PASS3的基板W依序搬送到密接强化处理单元AHP(图3)、全面曝光处理单元OWE(图3)及冷却单元CP(图3)，进而将该基板W搬送到涂布处理室23、24(图2)的任一者。而且，搬送机构128将通过涂布处理室23或涂布处理室24而形成有光阻膜的基板W依序搬送到加热单元PHP(图3)及基板载置部PASS7(图4)。
而且，搬送机构128(图4)将载置于基板载置部PASS8(图4)的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS4(图4)。涂布处理室23、24(图2)及下段热处理部302(图3)中的基板W的处理内容与所述涂布处理室21、22(图2)及上段热处理部301(图3)中的基板W的处理内容相同。
第2处理区块13中，搬送机构137(图4)将载置于基板载置部PASS5的光阻膜形成后的基板W依序搬送到边缘曝光部EEW(图3)及载置兼缓冲部P-BF1(图4)。在该情况下，边缘曝光部EEW中，在对基板W进行边缘曝光处理后，将该基板W载置于载置兼缓冲部P-BF1。
而且，搬送机构137(图4)从邻接于洗净干燥处理区块14A的加热单元PHP(图3)取出通过曝光装置15进行曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构137将该基板W搬送到冷却单元CP(图3)后，搬送到显影处理室31、32(图2)的任一者，进而将该基板W依序搬送到加热单元PHP(图3)及基板载置部PASS6(图4)。
在该情况下，在冷却单元CP中，将基板W冷却至适合显影处理的温度后，在显影处理室31或显影处理室32中，通过显影处理单元139进行基板W的显影处理。其后，在加热单元PHP中，进行基板W的热处理，并将该基板W载置于基板载置部PASS6。
搬送机构138(图4)将载置于基板载置部PASS7的光阻膜形成后的基板W依序搬送到边缘曝光部EEW(图3)及载置兼缓冲部P-BF2(图4)。而且，搬送机构138(图4)从邻接于洗净干燥处理区块14A的加热单元PHP(图3)取出通过曝光装置15进行曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构138将该基板W搬送到冷却单元CP(图3)后，搬送到显影处理室33、34(图2)的任一者，进而将该基板W依序搬送到加热单元PHP(图3)及基板载置部PASS8(图4)。显影处理室33、34及下段热处理部304中的基板W的处理内容与所述显影处理室31、32(图2)及上段热处理部303(图3)中的基板W的处理内容相同。
在洗净干燥处理区块14A中，搬送机构141(图1)将载置于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图4)的基板W搬送到洗净干燥处理部161的洗净干燥处理单元SD1(图2)。然后，搬送机构141将基板W从洗净干燥处理单元SD1搬送到载置兼冷却部P-CP(图4)。在该情况下，在洗净干燥处理单元SD1中，进行基板W的洗净及干燥处理后，在载置兼冷却部P-CP中，将基板W冷却到适合曝光装置15(图1)中的曝光处理的温度。
搬送机构142(图1)将载置于基板载置部PASS9(图4)的曝光处理后的基板W搬送到洗净干燥处理部162的洗净干燥处理单元SD2(图3)。而且，搬送机构142将洗净及干燥处理后的基板W从洗净干燥处理单元SD2搬送到上段热处理部303的加热单元PHP(图3)或下段热处理部304的加热单元PHP(图3)。在该情况下，在洗净干燥处理单元SD2中，进行基板W的洗净及干燥处理后，在加热单元PHP中，进行曝光后烘烤(PEB)处理。
在搬入搬出区块14B中，搬送机构146(图1)将载置于载置兼冷却部P-CP(图4)的曝光处理前的基板W搬送到曝光装置15的基板搬入部15a(图1)。而且，搬送机构146(图1)从曝光装置15的基板搬出部15b(图1)取出曝光处理后的基板W，将该基板W搬送到基板载置部PASS9(图4)。
[2]密接强化处理及全面曝光处理
如上所述，在本实施方式中，在密接强化处理单元AHP中对基板W进行密接强化处理后，在全面曝光处理单元OWE中进行基板W的全面曝光处理。其后，通过涂布处理单元129而在基板W的被处理面上形成光阻膜。
在密接强化处理中，对基板W的被处理面供给包含有机材料的密接强化剂。作为有机材料，例如使用HMDS(六甲基二硅氮烷)。在该情况下，因基板W的被处理面的疏水性提高，而基板W的被处理面与光阻膜的密接性提高。
另一方面，为了适当地形成光阻膜，必须以覆盖基板W的被处理面的所期望的区域(例如被处理面的整体)的方式涂布光阻液。然而，基板W的被处理面的疏水性越高，被处理面相对于光阻液的接触角越大。如果相对于光阻液的接触角过大，则有时会产生因光阻液在被处理面上凝聚而未能在应涂布光阻液的被处理面的部分涂布光阻液的现象(以下称为涂布欠缺)。尤其在使用具有较高的凝聚性的光阻液的情况下容易产生此种涂布欠缺。在该情况下，无法在被处理面适当地形成光阻膜。
因此，本实施方式中，在密接强化处理后且涂布光阻液前进行全面曝光处理。在全面曝光处理中，对基板W的被处理面的整体照射紫外线。由此，能够调整基板W的被处理面的疏水性。
关于基板W的被处理面的疏水性因而紫外线的照射而降低的理由，有如下考虑。图5是用于对因密接强化处理及全面曝光处理所引起的基板W的被处理面的疏水性的变化进行说明的图。
图5(a)中表示HMDS的化学式。图5(b)中表示因密接强化处理产生的基板W的被处理面上的化学变化。图5(c)中表示因全面曝光处理产生的基板W的被处理面上的化学变化。本例中，基板W为半导体基板。
如图5(b)所示，在密接强化处理前的基板W的被处理面存在大量羟基(-OH)。当通过密接强化处理对基板W的被处理面供给HMDS时，HMDS与一部分羟基(-OH)发生反应。由此，羟基(-OH)变为三甲基硅烷氧基(-OSi(CH3)3)。其结果为，基板W的被处理面的疏水性提高。
如图5(c)所示，当通过全面曝光处理对基板W的被处理面照射紫外线时，环境中的水蒸气(H2O)与一部分三甲基硅烷氧基(-OSi(CH3)3)发生反应。由此，三甲基硅烷氧基(-OSi(CH3)3)分离为羟基(-OH)与六甲基二硅氧烷(O[Si(CH3)3]2)。由此，基板W的被处理面的疏水性降低。
密接强化处理中，即便密接强化剂的供给量甚微，基板W的被处理面的疏水性也会急遽变高。因此，极难在密接强化处理时将基板W的被处理面的疏水性调整为所期望的程度。另一方面，在全面曝光处理中，基板W的被处理面的疏水性依存于紫外线向基板W的被处理面的照射量(被处理面的曝光量)而降低。因此，通过调整紫外线的照射量能够将基板W的被处理面的疏水性调整为所期望的程度。在该情况下，优选以使基板W的被处理面相对于光阻液的接触角成为预先规定的范围的方式调整紫外线的照射量。
发明者分别在仅进行密接强化处理的情况下、及进行密接强化处理及全面曝光处理的两者的情况下，对基板W的被处理面的疏水性的变化进行了调查。此处，简易地测量裸晶圆的被处理面相对于纯水的接触角。其结果为，在仅进行密接强化处理的情况下，裸晶圆的被处理面相对于纯水的接触角的平均值约为63度。另一方面，在以密接强化处理后使裸晶圆的被处理面的曝光量成为100mJ的方式进行全面曝光处理的情况下，相对于纯水的接触角的平均值约为47度。又，在以密接强化处理后使裸晶圆的被处理面的曝光量成为300mJ的方式进行全面曝光处理的情况下，相对于纯水的接触角的平均值约为31度。
这样，通过在密接强化处理后进行全面曝光处理，而可使裸晶圆的被处理面相对于纯水的接触角降低。而且，通过调整紫外线的照射量，而能够调整裸晶圆的被处理面相对于纯水的接触角。根据该等的结果，可知通过在密接强化处理后进行全面曝光处理，能够抑制基板W的被处理面的疏水化。而且，可知通过调整紫外线的照射量，能够调整基板W的被处理面的疏水性。由于裸晶圆与纯水的关系和基板W与光阻液的关系相同，因而可知通过在密接强化处理后进行全面曝光处理，而可控制基板W的被处理面相对于光阻液的接触角。
[3]密接强化处理单元
图6是表示密接强化处理单元AHP的具体构成例的示意性剖视图。图6的密接强化处理单元AHP包含平板205、外罩207、外罩升降机构209、多个支撑销243及支撑销升降机构247。
在平板205的上表面，设置有多个(例如3个)近接球(proximity ball)241。在多个近接球241上，以水平姿势载置有基板W。外罩207以覆盖平板205上的基板W的上方的方式设置。外罩207连接于外罩升降机构209。外罩升降机构209例如为气缸，使外罩207在上方位置与下方位置之间升降。在图6中，外罩207位于下方位置。当外罩207位于下方位置时，在外罩207与平板205之间形成气密的处理空间PS。
在外罩207设置有气体流路213。在气体流路213连接有气体供给管261的一端。气体供给管261的另一端连接有可选择性地供给处理气体及惰性气体的气体供给部(未图示)。处理气体包含密接强化剂。惰性气体例如为氮气。
以在上下方向上贯通平板205的方式设置有多个(例如3个)贯通孔245。多个(例如3个)支撑销243分别***平板205的贯通孔245。在平板205的下方，各支撑销243的下端部连接于支撑销升降机构247。支撑销升降机构247使多个支撑销243升降。在各支撑销243的上端部，安装有圆板上的密封部243a。在平板205的各贯通孔245的上端部，形成有可收容密封部243a的凹部245a。通过使密封部243a与凹部245a的底面密接，而确保处理空间PS的气密性。
在平板205的内部，设置有调整基板W的温度的调温部249。调温部249例如为加热器。调温部249通过调整平板205的温度而对载置于平板205的基板W实施热处理。
在平板205，以在载置基板W的区域的外侧沿周向延伸的方式形成有排气狭缝251。而且，以分别与排气狭缝251连通的方式形成有多个排气埠口253。在多个排气埠口253连接有排气管255。在排气管255介插有泵256。利用泵256将处理空间PS内的气体通过排气管255而从密接强化处理单元AHP排出。由此，对处理空间PS进行减压。
一边参照图6一边对密接强化处理单元AHP中的密接强化处理进行说明。此处，对设置于图3的上段热处理部301的密接强化处理单元AHP的动作进行说明。
首先，在外罩207处于上方位置的状态下，图4的搬送机构127将基板W搬送到平板5的上方。通过使多个支撑销243上升而从搬送机构127将基板交付到多个支撑销243。当支撑销243下降时，在多个近接球241上载置基板W。
通过使外罩207移动至下方位置而形成气密的处理空间PS后，泵256从处理空间PS将气体排出。由此，对处理空间PS进行减压。而且，通过调温部249对平板205上的基板W的温度进行调整。
在该状态下，通过气体供给管261及气体流路213对处理空间PS供给处理气体。由此，在基板W的被处理面涂布密接强化剂。流出至基板W的外侧的处理气体通过排气管255而从密接强化处理单元AHP排出。然后，通过气体供给管261及气体流路213对处理空间PS供给惰性气体。由此，将处理空间PS内的处理气体置换为惰性气体。
其后，停止泵256的动作，使外罩207移动至上方位置。而且，通过使多个支撑销243上升，而将基板W从多个近接球241交付到多个支撑销243。图4的搬送机构127从多个支撑销243接收基板W并从密接强化处理单元AHP搬出。
[4]全面曝光处理单元
图7及图8是表示全面曝光处理单元OWE的具体构成例的外观立体图及示意性侧视图。如图7所示，全面曝光处理单元OWE包含光出射部300、基板移动部400及搬入搬出部500。基板移动部400包含具有大致长方体形状的外壳410。在以下的说明中，如图7中箭头所示，将平行于水平面且从外壳410的一面朝向另一面的方向称为前方，将平行于水平面且从外壳410的另一面朝向一面的方向称为后方。而且，将平行于水平面且与前方及后方正交的方向称为宽度方向。
光出射部300以沿宽度方向延伸的方式设置，安装于外壳410的中央上部。在光出射部300的后方设置有搬入搬出部500。搬入搬出部500包含盖构件510、盖驱动部590、及支撑板591。支撑板591以水平姿势固定于外壳410。在支撑板591的下表面安装有盖驱动部590。在盖驱动部590的下方设置有盖构件510。在外壳410的后部的上表面形成有开口部412。盖驱动部590使盖构件510在上下方向上移动。由此，使开口部412封闭或敞开。
如图8所示，光出射部300包含外壳310、紫外线灯320及惰性气体供给部330。在图8中，外壳310以单点划线表示。在外壳310内收容有紫外线灯320及惰性气体供给部330。
紫外线灯320及惰性气体供给部330以分别沿宽度方向延伸的方式设置。在本例中，作为紫外线灯320，使用产生波长172nm的真空紫外线的氙气准分子灯。另外，紫外线灯320只要为产生波长230nm以下的真空紫外线的灯即可，也可使用其他准分子灯或氘灯等来代替氙气准分子灯。
在紫外线灯320的下表面形成有出射面321。当紫外线灯320点亮时，从出射面321朝向下方出射真空紫外线。从紫外线灯320出射的真空紫外线具有与行进方向(于本例中为上下方向)正交的带状的截面。
在惰性气体供给部330朝向下方而形成有多个喷射孔(未图示)。在基板W的曝光处理时，惰性气体供给部330通过多个喷射孔而朝向下方喷射惰性气体。由此，可降低紫外线灯320的出射面321与基板W之间的空间的氧浓度。因此，能够抑制照射至基板W的真空紫外线的衰减。
在基板移动部400的外壳410内，设置有交接机构420、局部搬送机构430、惰性气体供给部450及照度感测器SE1。交接机构420包含多个升降销421、销支撑构件422及销升降驱动部423。
在销支撑构件422分别安装有沿上下方向延伸的多个升降销421。销升降驱动部423可沿上下方向移动地支撑销支撑构件422。多个升降销421配置于开口部412的下方。通过销升降驱动部423使多个升降销421的上端部于比开口部412更上方的交接位置与比下述局部搬送机器手434更下方的待机位置之间移动。
局部搬送机构430包含进给轴431、进给轴马达432、一对导轨433、局部搬送机器手434及一对机器手支撑构件435。进给轴马达432设置于外壳410的前部。以从进给轴马达432向后方延伸的方式设置有进给轴431。进给轴431例如为滚珠螺杆，连接于进给轴马达432的旋转轴。
一对导轨433以相互平行地沿前后方向延伸的方式设置于外壳410的内部的下表面。在一对导轨433上分别可沿前后方向移动地设置有一对机器手支撑构件435。在图8中，仅表示有一条导轨433及一个机器手支撑构件435。通过一对机器手支撑构件435支撑局部搬送机器手434。局部搬送机器手434经由未图示的连结构件而与进给轴431连结。在局部搬送机器手434设置有可分别供交接机构420***的多个升降销421的多个孔部(未图示)。在局部搬送机器手434上载置基板W。
通过进给轴马达432使进给轴431旋转。由此，局部搬送机器手434于比光出射部300更后方的后方位置与比光出射部300更前方的前方位置之间沿前后方向移动。另外，在图8中，以实线表示位于后方位置的局部搬送机器手434，以双点划线表示位于前方位置的局部搬送机器手434。
在从紫外线灯320出射带状的真空紫外线的状态下，局部搬送机器手43从前方位置以固定移动速度向后方位置移动，由此从基板W的一端部朝向另一端部扫描真空紫外线。由此，对基板W的上表面的整个区域照射真空紫外线。
惰性气体供给部450以沿宽度方向延伸的方式设置于外壳410的后部。在惰性气体供给部450形成有多个喷射孔，从该多个喷射孔喷射惰性气体。
在外壳410内进而设置有照度感测器SE1。照度感测器SE1设置于与光出射部300的出射面321对向的位置。照度感测器SE1包含光电二极体等受光元件，检测照射至受光元件的受光面的光的照度。此处，照度是指照射至受光面的每单位面积的光的功率。照度的单位例如以「W/m2」表示。照度感测器SE1通过未图示的感测器驱动部而在上方位置与下方位置之间升降。照度感测器SE1在上方位置检测应照射至基板W的真空紫外线的照度。
曝光量基于基板W的处理内容针对每个基板W或每种基板W的种类预先规定。预先规定的曝光量在基板W的曝光处理前作为设定曝光量而预先记忆于下述全面曝光控制部52中。设定曝光量例如为使基板W的被处理面相对于光阻液的接触角成为预先规定的范围的值。
如上所述，从基板W的一端部向另一端部以固定速度扫描带状的真空紫外线。在该情况下，可通过控制基板W的移动速度来调整基板W的被处理面的曝光量。例如，通过使基板W的移动速度变高而能够减少曝光量，通过使基板W的移动速度变低而能够增加曝光量。
本实施方式中，在基板W的全面曝光处理前预先通过照度感测器SE1而检测出真空紫外线的照度，基于该检测结果来调整基板W的移动速度。由此，将基板W的被处理面的曝光量调整为设定曝光量。
一边参照图8一边对全面曝光处理单元OWE中的全面曝光处理进行说明。此处，对设置于图3的上段热处理部301的全面曝光处理单元OWE的动作进行说明。
首先，在通过盖构件510封闭外壳410的开口部412的状态下，从惰性气体供给部450对外壳410内供给惰性气体。由此，将外壳410内的氧浓度保持为例如低于1％。
其次，通过使盖构件510上升而使开口部412敞开，并且使交接机构420的多个升降销421上升。由此，多个升降销421的上端部从待机位置移动至交接位置。在该状态下，通过图4的搬送机构127将水平姿势的基板W沿水平方向***盖构件510与开口部412之间，并载置于多个升降销421上。然后，使交接机构420的多个升降销421下降。由此，使多个升降销421的上端部从交接位置移动至待机位置，将水平姿势的基板W从多个升降销421交付到局部搬送机器手434。然后，通过使盖构件510下降而封闭开口部412。
其次，使局部搬送机器手434从后方位置向前方位置移动。此时，紫外线灯320处于熄灭状态。因此，基板W未被曝光。其次，将紫外线灯320从熄灭状态切换为点亮状态。而且，从惰性气体供给部330对外壳410内供给惰性气体。
然后，使局部搬送机器手434从前方位置向后方位置移动。此时的移动速度基于通过预先照度感测器SE1所检测的真空紫外线的照度而调整。由此，如上所述，以设定曝光量对基板W的被处理面进行曝光。其后，将紫外线灯320从点亮状态切换为熄灭状态。而且，停止通过惰性气体供给部330供给惰性气体。
其次，通过使盖构件510上升而将开口部412敞开，并且使交接机构420的多个升降销421上升。由此，从局部搬送机器手434向多个升降销421交付基板W，使基板W移动至开口部412的上方。在该状态下，通过图4的搬送机构127接收基板W，并从全面曝光处理单元OWE搬出。
[5]控制***
图9是用于对基板处理装置100的控制***的构成例进行说明的图。如图9所示，基板处理装置100除包含主控制部114以外，还包含密接强化控制部51、全面曝光控制部52、成膜控制部53、显影控制部54、边缘曝光控制部55、洗净干燥控制部56、加热冷却控制部57及搬送控制部58。主控制部114通过控制密接强化控制部51、全面曝光控制部52、成膜控制部53、显影控制部54、边缘曝光控制部55、洗净干燥控制部56、加热冷却控制部57及搬送控制部58而统括控制基板处理装置100的动作。
密接强化控制部51控制密接强化处理单元组G1的动作。密接强化处理单元组G1包含图3的多个密接强化处理单元AHP。全面曝光控制部52控制全面曝光处理单元组G2的动作。全面曝光处理单元组G2包含图3的多个全面曝光处理单元OWE。成膜控制部53控制涂布处理单元组G3的动作。涂布处理单元组G3包含图2的多个涂布处理单元129。显影控制部54控制显影处理单元组G4的动作。显影处理单元组G4包含图2的多个显影处理单元139。
边缘曝光控制部55控制边缘曝光部组G5的动作。边缘曝光部组G5包含图3的多个边缘曝光部EEW。洗净干燥控制部56控制洗净干燥处理单元组G6的动作。洗净干燥处理单元组G6包含图2的多个洗净干燥处理单元SD1及图3的多个洗净干燥处理单元SD2。加热冷却控制部57控制热处理单元组G7的动作。热处理单元组G7包含图3的多个加热单元PHP及多个冷却单元CP以及图4的多个载置兼冷却部P-CP。搬送控制部58控制搬送机构组G8的动作。搬送机构组G8包含图1的搬送机构115、142、141、146及图4的搬送机构127、128、137、138。
另外，在图9的例中，以对应于各种处理内容的方式设置有多个控制部，也能够将基板处理装置100划分为多个处理区域，对每个处理区域设置控制部。而且，也可仅通过主控制部114而控制基板处理装置100整体的动作。
图10表示图9的各控制部的动作的流程图。此处，对于对通过图4的搬送机构127、137搬送的1片基板W进行的动作进行说明。对于通过图4的搬送机构128、138搬送的基板W也进行同样的动作。
首先，搬送控制部58控制图4的搬送机构115、127，将载具113内的未处理的基板W搬送到图3的上段热处理部301的任一个密接强化处理单元AHP。密接强化控制部51控制被搬送基板W的密接强化处理单元AHP，进行对基板W的被处理面供给密接强化剂的密接强化处理(步骤S1)。
其次，搬送控制部58控制图4的搬送机构127，将密接强化处理后的基板W从密接强化处理单元AHP搬送到图3的上段热处理部301的全面曝光处理单元OWE。全面曝光控制部52控制被搬送基板W的全面曝光处理单元OWE，进行对基板W的被处理面照射紫外线的全面曝光处理(步骤S2)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构127，将全面曝光处理后的基板W从全面曝光处理单元OWE搬送到图3的上段热处理部301的任一个冷却单元CP。加热冷却控制部57控制被搬送基板W的冷却单元CP，对基板W进行冷却(步骤S3)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构127，将冷却后的基板W从冷却单元CP搬送到图2的涂布处理室21、22的任一个涂布处理单元129。成膜控制部53控制被搬送基板W的涂布处理单元129，对基板W的被处理面上涂布光阻液，由此形成光阻膜(步骤S4)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构127，将形成有光阻膜的基板W从涂布处理单元129搬送到图3的上段热处理部301的任一个加热单元PHP。加热冷却控制部57控制被搬送基板W的加热单元PHP，对基板W进行加热(步骤S5)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构127、137，将加热后的基板W从加热单元PHP搬送到图3的上段热处理部303的边缘曝光部EEW。边缘曝光控制部55控制被搬送基板W的边缘曝光部EEW，对基板W进行边缘曝光处理(步骤S6)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构137、141，将边缘曝光处理后的基板W从边缘曝光部EEW搬送到图2的洗净干燥处理部161的任一个洗净干燥处理单元SD1。洗净干燥控制部56控制被搬送基板W的洗净干燥处理单元SD1，对基板W进行洗净及干燥处理(步骤S7)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构141，将洗净及干燥处理后的基板W从洗净干燥处理单元SD1搬送到图4的任一个载置兼冷却部P-CP。加热冷却控制部57控制被搬送基板W的载置兼冷却部P-CP，对基板W进行冷却(步骤S8)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构146，将冷却后的基板W从载置兼冷却部P-CP搬入图1的曝光装置15(步骤S9)。在曝光装置15中对基板W进行曝光处理后，搬送控制部58控制搬送机构146、142，将曝光处理后的基板W从曝光装置15搬出(步骤S10)，将该基板W搬送到图3的洗净干燥处理部162的任一个洗净干燥处理单元SD2。洗净干燥控制部56控制被搬送基板W的洗净干燥处理单元SD2，对基板W进行洗净及干燥处理(步骤S11)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构142，将洗净及干燥处理后的基板W从洗净干燥处理单元SD2搬送到图3的上段热处理部303的任一个加热单元PHP。加热冷却控制部57控制被搬送基板W的加热单元PHP，对基板W进行PEB处理(步骤S12)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构137，将PEB处理后的基板W搬送到图3的上段热处理部303的任一个冷却单元CP。加热冷却控制部57控制被搬送基板W的冷却单元CP，对基板W进行冷却(步骤S13)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构137，将冷却后的基板W搬送到图2的显影处理室31、32的任一个显影处理单元139。显影控制部54控制被搬送基板W的显影处理单元139，对基板W进行显影处理(步骤S14)。
其次，搬送控制部58控制搬送机构137、127、115，将显影处理后的基板W从显影处理单元139返回至图1的载具113。由此，基板W的一例的处理结束。
[6]效果
于所述实施方式的基板处理装置100中，在密接强化处理单元AHP中对基板W的被处理面供给包含有机材料的密接强化剂后，在全面曝光处理单元OWE中对基板W的被处理面照射紫外线。在该情况下，通过供给密接强化剂来提高基板W的被处理面的疏水性后，通过照射紫外线来调整基板W的被处理面的疏水性。由此，在之后涂布光阻液时，将基板W的被处理面相对于光阻液的接触角控制为适当的范围。因此，能够防止产生涂布欠缺，从而能够对基板W的被处理面的所期望的区域适当地涂布光阻液。而且，能够确保基板W的被处理面与光阻膜的密接性。其结果为，能够在基板W的被处理面适当地形成光阻膜。
又，在本实施方式中，通过密接强化处理而使基板W的被处理面上的羟基变为三甲基硅烷氧基，通过其后的全面曝光处理使基板W的一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷。由此，能够适当地调整基板W的被处理面的疏水性。
[7]密接强化处理单元及全面曝光处理单元的另一例
所述实施方式中，在彼此分开的密接强化处理单元AHP及全面曝光处理单元OWE中分别进行密接强化处理及全面曝光处理，但也可在一体的单元中进行密接强化处理及全面曝光处理的两者。图11是表示用以进行密接强化处理及全面曝光处理的疏水性调整单元的构成例的示意性侧视图。图11的疏水性调整单元600例如是设置于图3的上段热处理部301及下段热处理部302的各者。
图11的疏水性调整单元600包含壳体601、密接强化部610、光出射部620及局部搬送机构630。密接强化部610及光出射部620分别设置于壳体601内。密接强化部610具有与图6的密接强化处理单元AHP同样的构成，包含平板205及外罩207，并且包含未图示的其他各种构成要素。密接强化部610在气密的处理空间内对基板W供给密接强化剂。
光出射部620具有与图8的光出射部300同样的构成，出射真空紫外线。局部搬送机构630具有与图8的局部搬送机构430同样的构成，包含进给轴431、进给轴马达432、一对导轨433、局部搬送机器手434及一对机器手支撑构件435。局部搬送机器手434在用以将基板W交接至密接强化部610的交接位置与密接强化部610的外部的外部位置之间移动。在图11中，表示位于外部位置的局部搬送机器手434。
对图11的疏水性调整单元600中的密接强化处理及全面曝光处理进行说明。此处，对设置于图3的上段热处理部301的疏水性调整单元600的动作进行说明。首先，图4的搬送机构127对壳体601内搬入基板W，对位于外部位置的局部搬送机器手434交付基板W。局部搬送机器手434从外部位置移动至交接位置，从局部搬送机器手434对未图示的支撑销243(参照图6)交付基板W。然后，使局部搬送机器手434退避至外部位置，通过支撑销243而于平板205上载置基板W，并且使外罩207移动至下方位置。其后，在密接强化部610中，与图6的密接强化处理单元AHP同样地进行密接强化处理。
当密接强化处理结束时，通过未图示的惰性气体供给部对壳体601内供给惰性气体。然后，使局部搬送机器手434移动至交接位置，从未图示的支撑销243(参照图6)对局部搬送机器手434交付基板W。然后，一面使光出射部620朝向下方出射真空紫外线，一面使局部搬送机器手434从交接位置移动至外部位置。由此，对被供给密接强化剂的基板W的被处理面的整体照射真空紫外线。在该情况下，优选通过未图示的照度感测器SE1(参照图8)来检测预先真空紫外线的照度，并基于该检测结果调整基板W的移动速度。
这样，在图11的疏水性调整单元600中，在共通的壳体601内依序进行密接性强化处理及全面曝光处理。由此，与分别设置密接强化处理单元AHP及全面曝光处理单元OWE的情形相比，能够高效率地进行密接强化处理及全面曝光处理，从而能够提升产能。而且，可以较小空间的实施密接强化处理及全面曝光处理的两者，因此可实现基板处理装置100的小型化。
[8]其他实施方式
所述实施方式中，使用包含HMDS的密接强化剂作为有机材料，但只要可提高基板W的疏水性，则也可使用TMSDMA(三甲基硅烷基二甲基胺)等其他包含有机材料的密接强化剂。
所述实施方式中，在形成光阻膜前对基板W的被处理面进行密接强化处理及全面曝光处理，但也可在形成其他处理膜前进行同样的处理。例如，也可在形成用以减少曝光处理时产生的驻波或晕光的抗反射膜前，对基板W的被处理面进行密接强化处理及全面曝光处理。在该情况下，能够确保基板W的被处理面与抗反射膜的密接性，并在基板W的被处理面的所期望的区域适当地涂布抗反射膜用处理液。或者，也可在形成用于通过DSA(DirectedSelf Assembly；定向自组装)技术而形成微细图案的包含定向自组装材料的处理膜前，对基板W的被处理面进行密接强化处理及全面曝光处理。
[9]权利要求的各构成要素与实施方式的各要素的对应关系
以下，对权利要求的各构成要素与实施方式的各要素的对应的例进行说明，但本发明并不限定于下述例。
所述实施方式中，基板处理装置100为基板处理装置的例，密接强化处理单元AHP为密接强化部的例，光出射部300、620为照射部的例，涂布处理单元129为成膜部的例，冷却单元CP为冷却部的例。而且，壳体601为壳体的例，平板205为载置部的例，局部搬送机器手434为搬送部的例。
作为权利要求的各构成要素，也能够使用具有权利要求所记载的构成或功能的其他各种要素。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，包含：
密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；
照射部，对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面照射紫外线；及
成膜部，通过对已利用所述照射部照射紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述有机材料包含六甲基二硅氮烷。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述密接强化部以使基板的所述一面上的羟基变为三甲基硅烷氧基的方式对基板的所述一面供给所述密接强化剂，且所述照射部以使基板的所述一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷的方式对基板的所述一面照射紫外线。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中所述处理液包含感光性材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述照射部以使基板的所述一面相对于所述处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式调整紫外线的照射量。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其进而包含冷却部，所述冷却部对通过所述照射部照射紫外线后且通过所述成膜部形成所述处理膜前的基板进行冷却。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中所述密接强化部包含载置基板的载置部，
所述基板处理装置进而包含搬送部，所述搬送部设置成可一边保持基板一边在用以将基板交接至所述载置部上的交接位置与离开所述交接位置的外部位置之间移动，
所述密接强化部对载置于所述载置部的基板供给密接强化剂，且
所述照射部在所述搬送部保持基板并从所述交接位置移动到所述外部位置时，对由所述搬送部所保持的基板照射紫外线。
8.一种基板处理方法，包含如下步骤：
通过密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；
对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面照射紫外线；及
通过对已利用所述照射部照射紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中所述有机材料包含六甲基二硅氮烷。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其中所述供给密接强化剂的步骤包含使基板的所述一面上的羟基变为三甲基硅烷氧基，且
所述照射紫外线的步骤包含使基板的所述一面上的三甲基硅烷氧基分离为羟基与六甲基二硅氧烷。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的基板处理方法，其中所述处理液包含感光性材料。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的基板处理方法，其中所述照射紫外线的步骤以使基板的所述一面相对于所述处理液的接触角成为预先规定的值以下的方式调整紫外线的照射量。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的基板处理方法，其进而包含如下步骤：在所述照射紫外线的步骤后且所述形成处理膜的步骤前对基板进行冷却。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的基板处理方法，其进而包含如下步骤：一边由搬送部保持基板一边使所述搬送部在用于将基板交接至所述密接强化部的载置部上的交接位置与离开所述交接位置的外部位置之间移动，
所述供给密接强化剂的步骤包含对载置于所述载置部的基板供给密接强化剂，且
所述照射紫外线的步骤包含：在所述搬送部保持基板并从所述交接位置移动到所述外部位置时对由所述搬送部保持的基板照射紫外线。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093693A (ja) * 1996-03-18 2006-04-06 Fujitsu Ltd 微細加工方法、それにより製造された半導体素子及び磁気ヘッド
TW200916200A (en) * 2007-01-19 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd Coating treatment apparatus, substrate treatment system, coating treatment method, and computer storage medium
CN101840853A (zh) * 2009-03-13 2010-09-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
CN101840152A (zh) * 2009-03-12 2010-09-22 株式会社瑞萨科技 抗蚀剂图案的形成方法
JP2012059956A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Tokyo Electron Ltd レジストパターン形成方法及びその装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255736A (ja) * 1995-03-16 1996-10-01 Hitachi Ltd パターン形成方法およびレジスト塗布装置
JP4054159B2 (ja) * 2000-03-08 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
JP4097557B2 (ja) 2003-04-11 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2005093952A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 密着強化装置および密着強化方法
JP5415881B2 (ja) 2009-09-16 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2012227318A (ja) 2011-04-19 2012-11-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム
JP2011259001A (ja) 2011-10-04 2011-12-22 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体の製造方法、機能性素子の製造方法および半導体素子の製造方法
JP5926753B2 (ja) * 2014-02-26 2016-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
WO2016063743A1 (ja) * 2014-10-23 2016-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP6543064B2 (ja) * 2015-03-25 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
JP6495707B2 (ja) * 2015-03-25 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置および基板処理装置
TW201825197A (zh) 2016-09-30 2018-07-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093693A (ja) * 1996-03-18 2006-04-06 Fujitsu Ltd 微細加工方法、それにより製造された半導体素子及び磁気ヘッド
TW200916200A (en) * 2007-01-19 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd Coating treatment apparatus, substrate treatment system, coating treatment method, and computer storage medium
CN101840152A (zh) * 2009-03-12 2010-09-22 株式会社瑞萨科技 抗蚀剂图案的形成方法
CN104698746A (zh) * 2009-03-12 2015-06-10 瑞萨电子株式会社 抗蚀剂图案的形成方法
CN101840853A (zh) * 2009-03-13 2010-09-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
JP2012059956A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Tokyo Electron Ltd レジストパターン形成方法及びその装置

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