CN110765042B - 自适应的Nand Flash读写速度调整方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于存储器技术领域,具体涉及一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法。与现有技术相比较,本发明相较于通常采用的单一设定速率的Nand‑flash读写方法,这种方法可以根据外界环境调节读写速率,最大限度的保证读写速度与正确性,且更加适应温度变化大的恶略环境的应用。由此,本发明提出一种随温度变化进行动态调节Nand‑flash的读写速度的方法,即可以保证数据的正确性,也可以一定程度上保证读写效率。
Description
技术领域
本发明属于存储器技术领域,具体涉及一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法。
背景技术
Nand-flash存储器是Flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在民用及军用领域都得到了越来越广泛的应用。
在某些工程试验项目中,除了试验环境恶劣之外,试验成本也极高,因此为节约试验成本,对测试设备的可靠性要求严苛,尤其对于试验数据的完整性和正确性有极高要求。Nand-flash以其高速度、高存储密度、抗震等优点成为此类应用的最佳选择。但是,由于结构特点与制造工艺限制,Nand-flash使用中存在误码,出错时一般不会造成整个块或者页的数据无效,而是在一页中发生单比特或多比特误码。另外,Nand-flash的读写性能会受到环境因素的影响,随着温度的增高或者降低,Nand-flash操作后响应速度会变慢,若依然按照较高的速度进行读写,可能会出现大规模的数据错误。单比特或几个比特的数据可以通过相应的纠错算法进行修正,但大规模的错误,无法得到合理的处理。所以,在高温或者低温的条件下,为保证其读写的正确性,必须降低其相应的读写速度。即在相对恶劣的环境中,温度变化相对较大,需根据外界温度来调整相应的读写速度,来保证数据的正确性。
目前阶段,为保持在低温与高温情况下数据读写的正确性,在设置Nand-flash的读写速度时,一般选取在高低温环境下也不会出错的较低的读写速度,来保证读写的正确性。但是,此时采用的速度只是理想实验条件下的速度,实验条件与实际应用中的环境条件还存在一定的差异,该速度条件下进行实际的读写仍有可能出现错误,另外,环境温度总在变化,在常温下可以采用较快的速度进行读写,从而保证一定的读写效率。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法,所述读写速度调整方法基于读写速度调整***来实施,所述读写速度调整***包括:核心控制模块、读写控制模块以及速度调节模块;所述读写速度调整方法包括如下步骤:
步骤1:读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写,若核心控制模块检测到出现错误,通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度;
步骤2:若温度无变化,则使用错误纠错算法,进行单比特或几个比特的数据纠错;
步骤3:若温度确实产生变化,则由速度调节模块调整相应读写速度,避免出现大规模数据错误;
步骤4:若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误,则由速度调节模块继续降低读写速度;
步骤5:读/写完一块数据后,由核心控制模块再次获取当前温度,看是否恢复常温,若恢复,由速度调节模块调整速度为常规速度,若依然在高温或者低温环境下,则保持当前读写速度不变。
其中,所述核心控制模块用于完成温度变化的感应以及错误的检测和纠错。
其中,所述读写控制模块用于完成正常的读写控制。
其中,所述速度调节模块用于完成读写速度随温度变化的调节功能。
其中,多个模块相互配合,将对Nand-flash读写的速度根据外界温度的变化进行调整,保证正确且高效的读写。
其中,所述步骤1中,读/写完一页后,进行由核心控制模块对相应数据的检错。
其中,所述步骤3中,速度调节模块的调节规则按照温度每升高或降低十度,则对应降低速度0.5M/S。
其中,所述步骤4中,速度调节完成后,读写控制模块开始按照调节的速度进行读写,完成一页的读写后,由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误,若出现大规模错误,继续由错误调节模块降低速度。
其中,所述继续由错误调节模块降低速度,是以0.5M/S的间隔降低。
其中,所述步骤5中,若温度依然在高温或者低温,则继续按调整后的当前速度进行读写,并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。
(三)有益效果
与现有技术相比较,本发明相较于通常采用的单一设定速率的Nand-flash读写方法,这种方法可以根据外界环境调节读写速率,最大限度的保证读写速度与正确性,且更加适应温度变化大的恶略环境的应用。由此,本发明提出一种随温度变化进行动态调节Nand-flash的读写速度的方法,即可以保证数据的正确性,也可以一定程度上保证读写效率。
附图说明
图1为本发明技术方案流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
为解决上述技术问题,本发明提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法,所述读写速度调整方法基于读写速度调整***来实施,所述读写速度调整***包括:核心控制模块、读写控制模块以及速度调节模块;所述读写速度调整方法包括如下步骤:
步骤1:读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写,若核心控制模块检测到出现错误,通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度;
步骤2:若温度无变化,则使用错误纠错算法,进行单比特或几个比特的数据纠错;
步骤3:若温度确实产生变化,则由速度调节模块调整相应读写速度,避免出现大规模数据错误;
步骤4:若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误,则由速度调节模块继续降低读写速度;
步骤5:读/写完一块数据后,由核心控制模块再次获取当前温度,看是否恢复常温,若恢复,由速度调节模块调整速度为常规速度,若依然在高温或者低温环境下,则保持当前读写速度不变。
其中,所述核心控制模块用于完成温度变化的感应以及错误的检测和纠错。
其中,所述读写控制模块用于完成正常的读写控制。
其中,所述速度调节模块用于完成读写速度随温度变化的调节功能。
其中,多个模块相互配合,将对Nand-flash读写的速度根据外界温度的变化进行调整,保证正确且高效的读写。
其中,所述步骤1中,读/写完一页后,进行由核心控制模块对相应数据的检错。
其中,所述步骤3中,速度调节模块的调节规则按照温度每升高或降低十度,则对应降低速度0.5M/S。
其中,所述步骤4中,速度调节完成后,读写控制模块开始按照调节的速度进行读写,完成一页的读写后,由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误,若出现大规模错误,继续由错误调节模块降低速度。
其中,所述继续由错误调节模块降低速度,是以0.5M/S的间隔降低。
其中,所述步骤5中,若温度依然在高温或者低温,则继续按调整后的当前速度进行读写,并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。
实施例1
如图1所示,本实施例的具体实施方式如下所示:
(1)启动后,首先读写控制模块按照常规速度进行Nand-flash的读写;
(2)读/写完一页后,进行由核心控制模块对相应数据的检错;
(3)若出现错误,由核心控制模块的温度感应装置获取当前温度;
(4)若温度未出现变化,核心控制模块采用纠错算法进行单bit或几个bit的纠错;
(5)若温度出现变化,由速度调节模块调节读写速度,调节规则按照温度每升高或降低十度,则对应降低速度0.5M/S;
(6)速度调节完成后,读写控制模块开始按照调节的速度进行读写,完成一页的读写后,由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误,若出现大规模错误,继续由错误调节模块降低速度,以0.5M/S的间隔降低;
(7)若无错误,按照当前速度进行读写,若只出现单bit或几个bit的错误,由核心控制模块进行纠错,且按照当前速度进行读写;
(8)读/写完一块数据后,核心控制模块检测当前温度;
(9)若温度已恢复,则由速度调节模块再次更改读写速度为常规速度进行读写;
(10)若温度依然在高温或者低温,则继续按此速度进行读写,并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述读写速度调整方法基于读写速度调整***来实施,所述读写速度调整***包括:核心控制模块、读写控制模块以及速度调节模块;所述读写速度调整方法包括如下步骤:
步骤1:读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写,若核心控制模块检测到出现错误,通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度;
步骤2:若温度无变化,则使用错误纠错算法,进行单比特或几个比特的数据纠错;
步骤3:若温度确实产生变化,则由速度调节模块调整相应读写速度,避免出现大规模数据错误;
步骤4:若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误,则由速度调节模块继续降低读写速度;
步骤5:读/写完一块数据后,由核心控制模块再次获取当前温度,看是否恢复常温,若恢复,由速度调节模块调整速度为常规速度,若依然在高温或者低温环境下,则保持当前读写速度不变。
2.如权利要求1所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述核心控制模块用于完成温度变化的感应以及错误的检测和纠错。
3.如权利要求2所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述读写控制模块用于完成正常的读写控制。
4.如权利要求3所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述速度调节模块用于完成读写速度随温度变化的调节功能。
5.如权利要求4所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,多个模块相互配合,将对Nand-flash读写的速度根据外界温度的变化进行调整,保证正确且高效的读写。
6.如权利要求1所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述步骤1中,读/写完一页后,进行由核心控制模块对相应数据的检错。
7.如权利要求1所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述步骤3中,速度调节模块的调节规则按照温度每升高或降低十度,则对应降低速度0.5M/S。
8.如权利要求1所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述步骤4中,速度调节完成后,读写控制模块开始按照调节的速度进行读写,完成一页的读写后,由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误,若出现大规模错误,继续由错误调节模块降低速度。
9.如权利要求8所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述继续由错误调节模块降低速度,是以0.5M/S的间隔降低。
10.如权利要求1所述的自适应的Nand Flash读写速度调整方法,其特征在于,所述步骤5中,若温度依然在高温或者低温,则继续按调整后的当前速度进行读写,并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。
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