CN110715969B - 一种生物传感器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种生物传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层，然后沿所述栅电极层外延生长过渡层，并对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起，最后沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器，其中，所述生物活性分子分布于每个凸起的表面和/或每两个凸起之间。本申请提供的生物传感器及其制作方法具有承载的生物活性分子的量更加灵活的效果。

Description

一种生物传感器及其制作方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种生物传感器及其制作方法。
背景技术
目前，基于酶/免疫反应联合技术的传统“生物芯片”研发与应用已经趋近成熟，主要的技术路线是使用微流控技术与免疫酶联反应微区结合，以免疫反应显色，通过光谱学对生物样品如血液、体液、组织细胞等特定指标进行定量检测。目前广泛应用的技术是ELISA(enzyme linked immunosorbent assay，酶联免疫吸附测定)，已开发出大量的试剂盒，使用简单，成本较低还可以自动化检测。此类技术的出现极大提升了生物反应以及生物化学检测的效率以及准确度，但是也面临一些挑战，比如需要复杂的光学设备，周边物理、电子器件(如光谱仪、微流泵、相应的检测电路等)的支持，导致***无法做到更加小型、高效和低成本。
因此在此基础上开发出新一代的“生物-电子芯片”。目前国际主流的做法是，通过将特定的酶、抗体分子等，用化学、物理耦合作用实现与晶体管特定区域的结合，通过生物活性分子与酶之间的化学反应，产生的界面电动势、界面电容或界面张力等的变化，将其变化通过下层的晶体管直接转换成电信号，从而完成生物化学反应的定性表征与定量测试。
但是，由于典型的酶联晶体管生物传感器芯片本身体积固定，因此其能够承载的生物活性分子也固定，导致无法灵活的在生物传感器芯片上酶联生物分子层。
发明内容
本申请的目的在于提供一种生物传感器制作方法，以解决现有技术中生物传感器的生物活性分子的负载率不灵活的问题。
本申请的另一目的在于提供一种生物传感器，以解决现有技术中生物传感器的生物活性分子的负载率不灵活的问题。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种生物传感器制作方法，所述方法包括：
基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层；
沿所述栅电极层外延生长过渡层；
对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起；
沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器，其中，所述生物活性分子分布于每个凸起的表面及每两个凸起之间。
第二方面，本申请实施例提供了一种生物传感器，所述生物传感器包括：
本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层；与覆盖于所述栅电极层上的过渡层，其中，所述过渡层的表面包括多个凸起；及覆盖于所述过渡层表面的生物活性分子层，其中，所述生物活性分子层中的生物活性分子分布于每个凸起的表面及每两个凸起之间。
相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
本申请提供了一种生物传感器及其制作方法，首先基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层，然后沿所述栅电极层外延生长过渡层，并对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起，最后沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器，其中，所述生物活性分子分布于每个凸起的表面和/或每两个凸起之间。由于本申请提供过渡层上设置有多个凸起，因此对于过渡层而言，其表面积更大，因此在偶联生物活性分子时，能够利用过渡层上每个凸起表面承载生物活性分子，也可以利用每两个凸起之间的表面承载生物活性分子，使得其承载生物活性分子的面积更小。或者利用每个凸起的表面与每两个凸起之间的表面均承载生物活性分子，使得其能够承载的生物活性分子更多。因此，从整体上而言，使得生物传感器在承载生物活性分子时，可根据实际需求进行承载，进而大达到其承载的生物活性分子的量更加灵活的效果。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本申请实施例提供的生物传感器的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的生物传感器制作方法的一种流程图。
图3为本申请实施例提供的一种本体结构的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的图1中S102的一种子步骤的流程图。
图5为本申请实施例提供的过渡层的一种结构示意图。
图6为本申请实施例提供的过渡层的另一种结构示意图。
图7为本申请实施例提供的生物传感器制作方法的另一种流程图。
图中：100-生物传感器；110-本体结构；111-栅电极层；120-过渡层；121-凸起；130-生物活性分子层。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本申请实施例提供了一种生物传感器制作方法，以制作出如图1所示的生物活性分子的负载率更高、灵敏度更高的生物传感器100。
其中，请参阅图2，该方法包括：
S102，基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，本体结构包括栅电极层。
在本申请中，生物传感器100采用栅极酶联HEMT(High Electron MobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)，即在传统的HEMT晶体管的栅电极层111上，根据实现的功能，偶联特定的酶、抗体分子等生物活性分，在需要进行生物检测时，例如需要进行血液、体液、组织细胞等特定指标时，通过生物分子与生物传感器100上的生物活性分子之间的化学反应，在生物传感器100上产生的界面电动势、界面电容或界面张力等的变化，并且其变化通过下层的晶体管直接转换成电信号，从而完成生物化学反应的定性表征与定量测试。即依据特定的生物传感器100上生物活性分子对于生物分子进行定性测试，通过电信号的大小实现对生物分子的定量测试。
其中，请参阅图3，对于生物传感器100的本体结构110，其可以为HEMT晶体管的传统结构，也可以为目前HEMT晶体管的改进型结构，本申请并不做任何限定。下面以传统的HEMT晶体管的结构进行说明。
请参阅图4，S102包括：
S102-1，基于衬底的一侧生长缓冲层。
S102-2，沿缓冲层远离衬底的一侧制作高纯层。
S102-3，沿高纯层远离衬底的一侧制作异质结层；其中，异质结层与高纯层之间形成异质结。
S102-4，沿异质结层远离衬底的一侧制作连接层。
S102-5，对异质结层与连接层的两侧进行刻蚀，并制作源、漏欧姆电极。
S102-6，在源、漏欧姆电极之间制作栅电极。
HEMT晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。其中，HEMT晶体管中的异质结包括但不限于GaAs/AlGaAs、GaN/AlGaN，下面以GaN体系HEMT进行举例说明。
其中，首先在衬底上外延生长约0.5um的GaN缓冲层，然后沿缓冲层继续外延生长GaN高纯层约60nm。然后继续外延生长点异质结层，该异质结层为AlGaAs层，厚度也为约60nm，然后制作GaN连接层，以在连接层上制作栅电极。同时在异质结层与连接层的两侧进行刻蚀，并制作源、漏欧姆电极，然后在源、漏欧姆电极之间制作栅电极。其中，制作栅电极的材料，可以为Ag/AgCl等，进而能够在栅电极上生长过渡层。可以理解的，在栅电极与源、漏电极电极之间，还包括绝缘层。
在实际工作中，GaN/AlGaN异质结之间会生成二维电子气，并通过二维电子气实现本体结构的工作。
同时，HEMT晶体管可以为有源晶体管，也可为无源晶体管等，本申请对此并不做任何限定。通过制作HEMT结构，能够在HEMT结构上继续偶联生物活性分子，进而制作的生物传感器。
当然地，对于生物传感器100的本体结构110，其也可以不为HEMT结构，例如可以为MOSFET，即S102具体包括：
首先基于衬底的一侧生长栅介质层。其中，该衬底包括但不限于硅基、蓝宝石基GaN衬底。并且，制作栅介质层的材料可以为SiO2。
然后对栅介质层进行刻蚀，以形成栅极结构，其中，本申请采用光刻的方式的刻蚀掉衬底两端的栅介质层，进而保留中间位置的栅介质层，形成栅极结构。
再对衬底与栅极结构进行光刻，以在衬底上露出源区与漏区，及在栅极结构上形成窗口。可选的，还可在栅极结构周围制作保护侧墙，如在衬底与所栅极结构的表面沉积SiO2层，并刻蚀掉远离栅极结构的SiO2层，以形成保护侧墙，起到保护栅极结构的功能。
然后向源区、漏区以及窗口进行n+型离子注入掺杂，以形成源区、漏区以及栅极区。其中，在离子注入的过程中，采用光刻胶做掩膜，离子注入后去除光刻胶并清洗。离子注入完成源区、漏区以及栅极结构的n+型掺杂。
再在衬底上沉积钝化层，可选的，采用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)方法进行沉积钝化层。并且，也同时可以在栅极结构的表面沉积钝化层。
对钝化层进行刻蚀，以形成源电极孔与漏电极孔，并沿源电极孔与漏电极孔沉积金属电极，以形成源电极与漏电极，并且沿栅极区沉积栅电极层111，进而形成本体结构110。
即本申请提供的本体结构110，指为偶联生物活性分子的HEMT晶体管。
即本申请并不对本体结构进行限定的，可根据用户的实际需求选择合适晶体管结构作为本体结构。
S104，沿栅电极层外延生长过渡层。
其中，由于栅电极层111采用金属结构制成，其无法直接承载生物活性分子，在此基础上，需要在栅电极层111上生长过渡层120。
其中，制作过渡层120的材料可以为SiO2、Si3N4以及AlN中的任意一种或其复合材料。
同时，在本步骤中，为了保护除栅电极层111以外区域，在外延生长过渡时，需要对本体结构110上实施掩膜工艺，以在本体结构110上形成第一掩膜，其中，通过第一掩膜仅露出栅电极区域。并使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)方法，在本体结构110的栅电极层111上生长过渡层120，然后利用丙酮洗去第一掩模，并用氮气吹干，进而伸长出过渡层120。
需要说明的，本申请的提供的过渡层120的厚度为100-500nm，例如过渡层120的厚度为100nm、200nm或500nm。
S106，对过渡层进行刻蚀，以在过渡层的表面形成多个凸起。
在本申请中，为了实现在提升生物传感器100上生物活性分子的负载率进而达到提升生物传感器100的灵敏度的效果。
因此，本实施例采用在过渡层120上制作3D结构的方式，实现增大其表面积的效果，进而提升生物活性分子的负载率。
作为本申请一种可能的实现方式，制作凸起的方法为：
对本体结构110于过渡层120上实施掩膜工艺，以在过渡层120上形成第二掩膜，且第二掩膜中露出部分的过渡层120，然后使用BOE(Buffered Oxide Etch，缓冲氧化物刻蚀液)湿法刻蚀出凸起结构。再用丙酮洗去第二掩膜，最后氮气吹干。其中，刻蚀的次数可以为单次，也可以为多次。
其中，请参阅图5与图6，凸起的形状包括柱形、圆台形、圆锥形以及T型中的一种或多种。以其中的柱形为例进行说明，该柱形可以为圆柱形，也可以长方体柱或十字花柱形，本申请对此并不做任何限定。
并且，通过设计适当的凸起121结构，可以调控生物传感器100的栅极表面的亲疏水性，显著提高针对不同生物化学测试体系的兼容性和稳定度，例如，当将凸起121设计为圆柱形时，多个圆柱形凸起121呈阵列排布，通过设置圆柱形的具体结构，能够使生物传感器100具备强亲水性，例如，其尺寸设置为D＝50nm，H＝15nm，圆心距离Rh＝75nm，其中，D表示每个圆柱形凸起121的直径，H表示每个圆柱形凸起121的高度，Rh表示每两个相邻圆柱形凸起121的圆心之间的距离，通过该尺寸制作的生物传感器100具备强亲水性。当需要改变生物传感器100的亲疏水性，则可对应改变凸起121的结构及其尺寸。
S109，沿过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成生物传感器，其中，生物活性分子分布于每个凸起的表面及每两个凸起之间。
在制作凸起121后，过渡层120的表面积明显增大，在此基础上，在过渡层120的表面偶联生物活性分子时，能够使生物活性分子分布于每个凸起的表面及每两个凸起之间，进而使得过渡层120的表面能够更容易的承载更多的生物活性分子，达到提升生物传感器100的灵敏度的效果。
并且，请参阅图7，为了在过渡层120的表面能够最多的偶联生物活性分子，在在S109之前，生物传感器100还包括：
S107，对过渡层的表面进行活化处理。
作为本申请的一种可能的实现方式，S107包括：
S107-a，利用等离子体对过渡层的表面进行第一活化处理。
在实际应用中，为了保护过渡层120以外的区域，需要再次对过渡层120进行掩膜工艺，形成第三掩膜，其中，第三掩膜露出过渡层120的表面，在设置第三掩膜后，使用40％占空比，40kHz微波O2低温等离子体处理5-10min，使用超纯水进行表面复氢，再利用丙酮去除第三掩膜，氮气吹干，以完成第一活化处理。
S107-b，利用化学偶联剂对过渡层的表面进行第二活化处理。
其中，本申请所述的化学偶联剂包括氨基硅烷偶联剂、氨基钛酸酯偶联剂以及聚多巴胺中的任意一种或多种。通过两次活化处理，使过渡层120更容易承载生物活性分子。
S108，沿过渡层的四周制作保护层。
在偶联生物活性分子之前，为了保护过渡层120意外的区域，需要沿过渡层120的四周制作保护层，其中，制作保护层的材料包括但不限于SiO2、Si3N4、AlN、BN等。并且，本申请所述的四周，指生物传感器100的本体结构110上除过渡层120以外的区域。
本申请中的具体步骤为：对过渡层120进行掩膜处理，以在过渡层120上形成第四掩膜，然后在其他区域旋涂PDMS(polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷)预聚物，100℃固化1h，然后用丙酮洗去第四掩膜，并用氮气吹干。进而形成保护层。
并且，本申请的活性分子包括抗体、DNA、RNA、细菌以及病毒微生物裂解物中任意一种。同时，S109中具备包括：
为了保护过渡层120以外的区域，对过渡层120进行掩膜处理，形成第五掩膜，以露出过渡层120的部分，然后使用含有缓冲剂pH≈8.0-8.5的5-10mg/mL盐酸多巴胺溶液浸泡，45℃-90℃保温1-5h，最终覆盖聚多巴胺层，或使用0.1-0.5％KH550水解物浸泡生成栅极活化层，丙酮洗去第五掩膜，氮气吹干。
然后在低温下，使用EDC/NHS碱性水体系，将适当浓度的乙肝表面抗体HBsAb进行功能化修饰，0℃保温陈化0.5hrs得抗体转印液。然后将过渡层120侵入制备的抗体转印液保持0℃，5h后取出，并利用超纯水洗净，最后将上述基片浸入10mg/mL BSA悬浮液中钝化2h，保持0℃，利用超纯水洗净，氮气吹干，从而获取制作完后成的生物传感器100。
最后再将制备的生物传感器100阵列周边使用镀金线引出到相应测试电路，完成生物传感器100、支持电路的封装，生成可用器件，并对器件进行清洁、电检，完成制备。
需要说明的是，对于制作不同功能的生物传感器100，其制作工艺可能存在不同，例如，在形成第三掩膜时，也可以使用40％占空比，2.5GHz微波O2低温等离子体处理5-10min，然后使用超纯水进行表面复氢，再用丙酮去除第三掩膜，氮气吹干。
同时，在去除第五掩膜后，也可在低温下，使用EDC/NHS碱性水体系，将适当浓度的辣根过氧化酶进行功能化修饰，0℃保温陈化0.5h得抗体转印液，进而实现在本体结构110上偶联不同的生物活性分子。
第二实施例
请参阅图1，本发明实施例还提供了一种生物传感器100，其中，该生物传感器100通过第一实施例提供的生物传感器制作方法制作而成，并且，该生物传感器100包括：
本体结构110，其中，本体结构110包括栅电极层111；与覆盖于栅电极层111上的过渡层120，其中，过渡层120的表面包括多个凸起；及覆盖于过渡层120表面的生物活性分子层130，其中，生物活性分子层130中的生物活性分子分布于每个凸起的表面及每两个凸起之间。
其中，过渡层120的厚度为100nm-500nm。通过设置凸起，能够实现在过渡层120的表面承载更多的生物活性分子，提升生物传感器100的灵敏度。
其中，本体结构110可以为HEMT结构，也可以MOSFET结构，本申请对此并不做任何限定。
综上所述，本申请提供了一种生物传感器及其制作方法，首先基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层，然后沿所述栅电极层外延生长过渡层，并对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起，最后沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器，其中，所述生物活性分子分布于每个凸起的表面和/或每两个凸起之间。由于本申请提供过渡层上设置有多个凸起，因此对于过渡层而言，其表面积更大，因此在偶联生物活性分子时，能够利用过渡层上每个凸起表面承载生物活性分子，也可以利用每两个凸起之间的表面承载生物活性分子，使得其承载生物活性分子的面积更小。或者利用每个凸起的表面与每两个凸起之间的表面均承载生物活性分子，使得其能够承载的生物活性分子更多。因此，从整体上而言，使得生物传感器在承载生物活性分子时，可根据实际需求进行承载，进而大达到其承载的生物活性分子的量更加灵活的效果。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (10)

1.一种生物传感器制作方法，其特征在于，所述方法包括：
基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层；
沿所述栅电极层外延生长过渡层；其中，所述过渡层用于承载生物活性分子；
对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起；
沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器，其中，所述生物活性分子分布于每个凸起的表面和每两个凸起之间。
2.如权利要求1所述的生物传感器制作方法，其特征在于，所述凸起的形状包括柱形、圆台形、圆锥形以及T型中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的生物传感器制作方法，其特征在于，在所述沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器的步骤之前，所述方法还包括：
对所述过渡层的表面进行活化处理。
4.如权利要求3所述的生物传感器制作方法，其特征在于，所述对所述过渡层的表面进行活化处理的步骤包括：
利用等离子体对所述过渡层的表面进行第一活化处理；
利用化学偶联剂或生物偶联剂对所述过渡层的表面进行第二活化处理。
5.如权利要求4所述的生物传感器制作方法，其特征在于，所述化学偶联剂包括氨基硅烷偶联剂、氨基钛酸酯偶联剂以及聚多巴胺中的任意一种或多种。
6.如权利要求1所述的生物传感器制作方法，其特征在于，在所述沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器的步骤之前，所述方法还包括：
沿所述过渡层的四周制作保护层。
7.如权利要求1所述的生物传感器制作方法，其特征在于，所述生物活性分子包括抗体、DNA、RNA、细菌以及病毒微生物裂解物中任意一种。
8.如权利要求1所述的生物传感器制作方法，其特征在于，所述基于一衬底制作生物传感器的本体结构的步骤包括：
基于所述衬底的一侧生长栅介质层；
对所述栅介质层进行刻蚀，以形成栅极结构，
对所述衬底与所述栅极结构进行光刻，以在所述衬底上露出源区与漏区，及在所述栅极结构上形成窗口；
向所述源区、漏区以及所述窗口进行n+型离子注入掺杂，以形成源区、漏区以及栅极区；
在所述衬底上沉积钝化层；
对所述钝化层进行刻蚀，以形成源电极孔与漏电极孔，并沿所述源电极孔与漏电极孔沉积金属电极，以形成源电极与漏电极；
沿所述栅极区沉积栅电极层。
9.如权利要求1所述的生物传感器制作方法，其特征在于，所述基于一衬底制作生物传感器的本体结构的步骤包括：
基于所述衬底的一侧生长缓冲层；
沿所述缓冲层远离所述衬底的一侧制作高纯层；
沿所述高纯层远离所述衬底的一侧制作异质结层；其中，所述异质结层与所述高纯层之间形成异质结；
沿所述异质结层远离所述衬底的一侧制作连接层；
对所述异质结层与所述连接层的两侧进行刻蚀，并制作源、漏欧姆电极；
在所述源、漏欧姆电极之间制作栅电极。
10.一种生物传感器，其特征在于，所述生物传感器包括：
本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层；与
覆盖于所述栅电极层上的过渡层，其中，所述过渡层用于承载生物活性分子，所述过渡层的表面包括多个凸起；及
覆盖于所述过渡层表面的生物活性分子层，其中，所述生物活性分子层中的生物活性分子分布于每个凸起的表面及每两个凸起之间。
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