CN110690251B - 发光元件封装结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种发光元件封装结构，包括保护基板、线路结构层、发光元件、第一线路重布层、导电连接件、第二线路重布层、以及芯片。线路结构层设置于保护基板之上，且线路结构层包括第一线路层。发光元件设置于线路结构层之上，并与第一线路层电性连接。第一线路重布层设置于发光元件之上，且第一线路重布层包括第二线路层和接触第二线路层的导电接触件。导电连接件连接第一线路层与第二线路层。第二线路重布层设置于第一线路重布层之上，且第二线路重布层包括接触导电接触件的第三线路层。芯片设置于第二线路重布层之上，并与第三线路层电性连接。在此揭露的发光元件封装结构可有效地缩减显示设备的边框区域。

Description

发光元件封装结构及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种发光元件封装结构，以及关于一种发光元件封装结构的制造方法。

背景技术

传统上，驱动芯片设置于诸如手机、平板计算机等的显示设备的边框区域。但此种设计使得显示设备需具有足够面积的边框区域，导致显示设备的显示区域因此被压缩。近年来，为了实现显示设备的窄边框化，采用了薄膜覆晶封装(chip-on-film，COF)技术，即将软性电路板(flexible circuit board，FPC)的一部分连接至显示设备的基板的正面，并弯折软性电路板的另一部分至基板的背面。借由将驱动芯片设置于位于背面的软性电路板上，从而可减少边框区域的所需面积。

然而，上述弯折造成应力集中在软性电路板与基板接触的部分，导致此部分容易剥离或断裂，并且软性电路板上的线路亦容易发生断裂等问题。此外，为了让软性电路板连接至显示设备的基板，仍需保留供给软性电路板连接之基板的一部分。因此，显示设备的边框区域无法有效的缩减。

由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。

发明内容

本发明提供一种发光元件封装结构，包括保护基板、线路结构层、发光元件、第一线路重布层、导电连接件、第二线路重布层、以及芯片。线路结构层设置于保护基板之上，且线路结构层包括第一线路层。发光元件设置于线路结构层之上或保护基板与线路结构层之间，并与第一线路层电性连接。第一线路重布层设置于发光元件之上，且第一线路重布层包括第二线路层和接触第二线路层的导电接触件。导电连接件连接第一线路层与第二线路层。第二线路重布层设置于第一线路重布层之上，且第二线路重布层包括接触导电接触件的第三线路层。芯片设置于第二线路重布层之上，并与第三线路层电性连接。

较佳的，前述的第一线路重布层进一步包括覆盖第二线路层的第一绝缘层。第一绝缘层具有暴露出第二线路层的一部分的导通孔，且导电接触件填充于导通孔中，从而接触第二线路层。

较佳的，前述的第二线路重布层进一步包括覆盖第三线路层的第二绝缘层。第二绝缘层具有暴露出第三线路层的一部分的开口，且芯片通过开口而与第三线路层电性连接。

较佳的，前述的第二线路层的线宽和线距小于8微米，第三线路层的线宽和线距小于8微米。

本发明还提供一种发光元件封装结构，包括保护基板、发光元件、第一线路重布层、第二线路重布层、以及芯片。发光元件设置于保护基板之上。第一线路重布层设置于发光元件之上，且第一线路重布层包括与发光元件电性连接的第一线路层。第二线路重布层设置于第一线路重布层之上，且第二线路重布层包括第二线路层和接触第一线路层和第二线路层的导电接触件。芯片设置于第二线路重布层之上，并与第二线路层电性连接。

较佳的，前述的第二线路重布层进一步包括覆盖第一线路层的绝缘层。绝缘层具有暴露出第一线路层的一部分的导通孔，且导电接触件填充于导通孔中，从而接触第一线路层和第二线路层。

较佳的，前述的第一线路层的线宽和线距小于8微米，第二线路层的线宽和线距小于8微米。

本发明还提供一种发光元件封装结构的制造方法，包括下列步骤：(i)提供线路重布结构；(ii)提供第一基板；(iii)形成线路结构层于第一基板之上，其中线路结构层包括第一线路层；(iv)在步骤(ii)之前或之后，设置发光元件于第一基板与线路结构层之间或于线路结构层之上，其中发光元件与第一线路层电性连接；以及(v)设置线路重布结构于发光元件之上，其中线路重布结构包括第一线路重布层、第二线路重布层、以及芯片，第一线路重布层包括第二线路层和接触第二线路层的导电接触件，第二线路层通过导电连接件而与第一线路层电性连接，第二线路重布层包括接触导电接触件的第三线路层，且第三线路层与芯片电性连接。

较佳的，前述的步骤(i)包括下列子步骤：(a)形成第一线路重布层于第二基板之上；(b)形成第二线路重布层于第一线路重布层之上；(c)设置芯片于第二线路重布层之上；以及(d)剥离第二基板以暴露出第二线路层，从而形成线路重布结构。

本发明还提供一种发光元件封装结构的制造方法，包括下列步骤：(i)提供具有基板、第一线路重布层、以及第二线路重布层的线路重布结构，其中第一线路重布层设置于基板之上，第一线路重布层包括第一线路层和接触第一线路层的导电接触件，第二线路重布层设置于第一线路重布层之上，第二线路重布层包括接触导电接触件的第二线路层；(ii)设置发光元件于第二线路重布层之上，其中发光元件与第二线路层电性连接；(iii)在步骤(ii)之前或之后，剥离基板以暴露出第一线路层；以及(iv)设置芯片于第一线路重布层之下，其中芯片与第一线路层电性连接。

以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。

附图说明

图1为本发明第一实施方式的发光元件封装结构的剖面示意图。

图2为本发明第二实施方式的发光元件封装结构的剖面示意图。

图3为本发明第三实施方式的发光元件封装结构的剖面示意图。

图4～图7为本发明一实施方式的形成线路重布结构的方法的各个阶段的剖面示意图。

图8为本发明第一实施方式的形成发光元件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。

图9～图11为本发明第二实施方式的形成发光元件封装结构的方法的各个阶段的剖面示意图。

图12～图14为本发明第三实施方式的形成发光元件封装结构的方法的各个阶段的剖面示意图。

图15～图18为本发明第四实施方式的形成发光元件封装结构的方法的各个阶段的剖面示意图。

【主要元件符号说明】

10发光元件封装结构

100、710、720、730、740：基板 200：线路结构层

210：线路层 210a：凹槽

211：底部部分 212：侧壁部分

220、220'：介电层 220a：开口

300：发光元件 400：导电连接件

500：线路重布结构 510：线路重布层

511：线路层 512：绝缘层

512a：导通孔 513：导电接触件

520：线路重布层 521：线路层

522：绝缘层 522a：开口

522b：导通孔 523：导电接触件

530：芯片 540：保护层

600：透明黏着层 610：黏着层

具体实施方式

为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。

兹将本发明的实施方式详细说明如下，但本发明并非局限在实施例范围。

图1绘示本发明第一实施方式的发光元件封装结构10的剖面示意图。如图1所示，发光元件封装结构10包括保护基板100、线路结构层200、发光元件300、导电连接件400、以及线路重布结构500。

保护基板100可为一般显示设备中常用的透明基板。在一些实施例中，保护基板100为可挠性基板，例如聚酰亚胺(polyimide，PI)基板。在其他实施例中，保护基板100为刚性基板，例如玻璃基板或塑料基板。

线路结构层200设置于保护基板100之上。具体地，线路结构层200包括第一线路层210和介电层220，并且第一线路层210设置于介电层220的上表面上。在一些实施例中，第一线路层210包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。应注意的是，介电层220应为透明的，从而发光元件300所发出的光可穿过介电层220和保护基板100到达结构的外部。在一些实施例中，介电层220包括透明的光敏介电材料(photoimageable dielectric，PID)。如图1所示，介电层220具有开口220a，且第一线路层210包括设置于开口220a的底表面和侧壁上的底部部分211和侧壁部分212。详细而言，开口220a的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄，呈现上宽下窄的梯型形状。而第一线路层210的底部部分211和侧壁部分212与开口220a共形，从而第一线路层210的底部部分211和侧壁部分212界定出与开口220a实质上相同形状的凹槽210a。第一线路层210的侧壁部分212毗邻底部部分211的外侧，并向上延伸至超过底部部分211的上表面。换言之，侧壁部分212的内侧壁与底部部分211的上表面之间的夹角为一钝角，并且凹槽210a的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄，呈现上宽下窄的梯型形状。须说明的是，凹槽210a的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄提供特定的技术效果，下文将详细叙述。

发光元件300设置于线路结构层200之上，并与第一线路层210电性连接。在一些实施例中，发光元件300包括有机发光二极管元件。须说明的是，虽然绘示于图1中的发光元件300没有与第一线路层210接触，但应了解到在不同角度的其他视图中，发光元件300可与第一线路层210以任何方式电性连接。例如，在一些实施例中，发光元件300借由导电胶而附着于第一线路层210上并与其电性连接。或者，在其他实施例中，发光元件300亦可借由其他方式与第一线路层210接合并电性连接。

线路重布结构500设置于发光元件300之上，且线路重布结构500包括第一线路重布层510、第二线路重布层520、以及芯片530。

第一线路重布层510设置于发光元件300之上。具体地，第一线路重布层510包括第二线路层511、第一绝缘层512、以及导电接触件513。在一些实施例中，第二线路层511包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第二线路层511的线宽和线距小于8微米，例如7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。第一绝缘层512覆盖第二线路层511，且第一绝缘层512具有导通孔512a。在一些实施例中，第一绝缘层512包括光敏介电材料。导通孔512a暴露出第二线路层511的一部分，且导电接触件513填充于导通孔512a中，从而导电接触件513接触第二线路层511。导电接触件513可为金属柱，且金属例如为铜、镍或银等导电金属。如图1所示，导电接触件513的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄，呈现上宽下窄的梯型形状，但导电接触件513的形状不限于此。

第二线路重布层520设置于第一线路重布层510之上。具体地，第二线路重布层520包括第三线路层521和第二绝缘层522。第三线路层521接触导电接触件513。在一些实施例中，第三线路层521包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第三线路层521的线宽和线距小于8微米，例如7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。第二绝缘层522覆盖第三线路层521，且第二绝缘层522具有开口522a。在一些实施例中，第二绝缘层522包括光敏介电材料。具体地，开口522a暴露出第三线路层521的一部分。

芯片530设置于第二线路重布层520之上，并通过开口522a而与第三线路层521电性连接。具体地，芯片530的下表面设置有多个金属凸块(例如芯片接脚)，并且金属凸块经由焊接材料与第三线路层521的暴露部分接合，从而芯片530与第三线路层521电性连接。应理解的是，虽然图1所绘示的发光元件封装结构10包括两个芯片530，但在其他实施例中，芯片530数量可少于两个或多于两个。

导电连接件400连接第一线路层210与第二线路层511。须说明的是，在发光元件300包括多晶硅的情况下(例如发光元件300为有机发光二极管元件)，用于形成导电连接件400的制程温度为室温～600℃。当温度超过600℃时，可能会导致多晶硅的晶体结构受损。当温度低于室温时，则导电连接件400与第一线路层210的连接不稳定而容易发生剥离。因此，导电连接件400可为包括熔点低于600℃的焊接材料的焊球，例如锡铋。如前所述，凹槽210a的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄提供特定的技术效果。具体而言，导电连接件400的底部嵌置于此凹槽210a中，从而导电连接件400可稳定地固定于第一线路层210上而不易剥离。此外，在一些实施例中，导电连接件400可为金属柱，例如铜柱。在导电连接件400为金属柱的实施例中，形成金属柱的方式可包括(a)形成与第二线路层511连接的金属块，其中金属块的底部宽度大于凹槽210a的底表面的宽度、(b)对齐金属块与凹槽210a、以及(c)热压合金属块与第一线路层210以形成与第一线路层210连接的金属柱。由于凹槽210a的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄，且金属块的底部宽度大于凹槽210a的底表面的宽度，因此在热压合金属块与第一线路层210时，金属块的底部先接触第一线路层210的侧壁部分212而受到压力。施加到金属块的底部的压力，可降低金属块的受压部分的熔点。从而，可在不影响发光元件300的温度下，熔化金属块的底部以形成连接第一线路层210与第二线路层511的金属柱。

在一些实施例中，发光元件封装结构10进一步包括保护层540。保护层540覆盖芯片530和第二绝缘层522，并填充于芯片530与第二绝缘层522的间隙之间。因此，保护层540可保护芯片530的金属凸块与第三线路层521的接合，从而避免剥离的情况发生。另一方面，保护层540亦可阻隔水气，并且避免金属凸块、焊接材料、以及第三线路层521的氧化。在一些实施例中，保护层540包括树脂。

图2绘示本发明第二实施方式的发光元件封装结构10的剖面示意图。图2的发光元件封装结构10与图1相似，差异在图2的发光元件300设置于保护基板100与线路结构层200之间。此外，发光元件封装结构10还包括透明黏着层600。而透明黏着层600覆盖发光元件300的侧壁，并设置于保护基板100与线路结构层200之间。在一些实施例中，透明黏着层600包括光学透明胶(optically clear adhesive，OCA)。须说明的是，在图2中，与图1相同或相似的元件被给予相同的符号，并省略相关说明。在图2的发光元件封装结构10中，介电层220可为透明的或非透明的。在一些实施例中，介电层220包括透明的光敏介电材料或非透明的光敏介电材料。

图3绘示为本发明第三实施方式的发光元件封装结构10的剖面示意图。如图3所示，发光元件封装结构10包括保护基板100、发光元件300、透明黏着层600、以及线路重布结构500。发光元件300设置于保护基板100之上。透明黏着层600覆盖发光元件300的侧壁，并设置于保护基板100之上。而线路重布结构500设置于发光元件300和透明黏着层600之上，且线路重布结构500包括第一线路重布层510、第二线路重布层520、以及芯片530。须说明的是，保护基板100、发光元件300、以及透明黏着层600的材料或种类如前所述，将不再赘述之。

第一线路重布层510设置于发光元件300和透明黏着层600之上。第一线路重布层510包括第一线路层511。第一线路层511与发光元件300电性连接。在一些实施例中，第一线路层511包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第一线路层511的线宽和线距小于8微米，例如7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。须说明的是，虽然绘示于图3中的发光元件300没有与第一线路层511接触，但应了解到在不同角度的其他视图中，发光元件300可与第一线路层511以任何方式电性连接。

第二线路重布层520设置于第一线路重布层510之上。具体地，第二线路重布层520包括第二线路层521、绝缘层522、以及导电接触件523。在一些实施例中，第二线路层521包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第二线路层521的线宽和线距小于8微米，例如7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。绝缘层522覆盖第一线路层511，且绝缘层522具有导通孔522b。在一些实施例中，绝缘层522包括光敏介电材料。导通孔522b暴露出第一线路层511的一部分，且导电接触件523填充于导通孔522b中，从而导电接触件523接触第一线路层511和第二线路层521。导电接触件523可为金属柱，且金属例如为铜、镍或银等导电金属。如图3所示，导电接触件523的宽度自顶部朝向底部逐渐变宽，呈现上窄下宽的梯型形状，但导电接触件523的形状不限于此。

芯片530设置于第二线路重布层520之上，并与第二线路层521电性连接。具体地，芯片530的下表面设置有多个金属凸块(例如芯片接脚)，并且金属凸块经由焊接材料与第二线路层521接合。

在一些实施例中，发光元件封装结构10进一步包括保护层540。保护层540覆盖芯片530、第二线路层521、以及绝缘层522，并填充于芯片530与绝缘层522的间隙之间。因此，保护层540可保护芯片530的金属凸块与第二线路层521的接合，从而避免剥离的情况发生。另一方面，保护层540亦可阻隔水气，并且避免金属凸块、焊接材料、以及第二线路层521的氧化。

本发明亦提供一种发光元件封装结构10的制造方法。图4～图7绘示本发明一实施方式的形成线路重布结构500的方法的各个阶段的剖面示意图。

如图4所示，形成第一线路层511于第一基板710之上。例如，形成导电材料于第一基板710之上，并图案化导电材料以形成第一线路层511。在一些实施例中，形成导电材料的方式包括电镀、化学气相沉积、物理气相沉积等，但不以此为限。接着，形成第一绝缘层512覆盖第一线路层511，并且第一绝缘层512包括暴露出第一线路层511的一部分的导通孔512a。例如形成介电材料于第一线路层511之上，并图案化介电材料以形成导通孔512a。在一些实施例中，形成介电材料的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积等，但不以此为限。在一些实施例中，图案化导电材料和介电材料的方法包括沉积光阻于待图案化层上，并经过曝光和显影来形成图案化光阻层。接着，使用此图案化光阻层作为蚀刻屏蔽来蚀刻待图案化层。最后，移除图案化光阻层。可代替地，在介电材料为光敏介电材料的实施例中，可借由曝光和显影来移除光敏介电材料的一部分以完成图案化。

接下来，如图5所示，形成第二线路层521于第一绝缘层512之上，以及形成导电接触件513于导通孔512a中。例如，形成导电材料于第一绝缘层512之上，并填充于导通孔512a中。接着，图案化导电材料以形成第二线路层521和导电接触件513。须说明的是，形成导电材料和图案化导电材料的方式如前所述，将不再赘述之。

接下来，如图6所示，形成第二绝缘层522覆盖第二线路层521和第一绝缘层512，并且第二绝缘层522包括暴露出第二线路层521的一部分的开口522a。例如，形成介电材料于第二线路层521和第一绝缘层512之上，并图案化介电材料以形成开口522a。须说明的是，形成介电材料和图案化介电材料的方式如前所述，将不再赘述之。接着，设置芯片530于第二线路层521和第二绝缘层522之上。具体地，芯片530被设置于开口522a中，并与第二线路层521的暴露部分电性连接。例如，使用焊接材料接合设置于芯片530下表面的多个金属凸块(例如芯片接脚)与第二线路层521。

接下来，如图7所示，形成保护层540覆盖芯片530和第二绝缘层522，并且保护层540填充于芯片530与第二绝缘层522的间隙之间。此外，剥离第一基板710以暴露出第一线路层511，从而形成线路重布结构500。

图8绘示本发明第一实施方式的形成发光元件封装结构10的方法的一个阶段的剖面示意图。如图8所示，形成介电层220于第二基板100之上，并且介电层220包括开口220a。例如，形成介电材料于第二基板100之上，并图案化介电材料以形成开口220a。须说明的是，形成介电材料和图案化介电材料的方式如前所述，将不再赘述之。随后，形成第三线路层210于介电层220之上，以及开口220a的底表面和侧壁上。例如，共形地形成导电材料于介电层220之上和开口220a的底表面和侧壁上。接着，图案化导电材料，从而形成包括底部部分211和侧壁部分212的第三线路层210。而底部部分211和侧壁部分212界定出凹槽210a。须说明的是，形成导电材料和图案化导电材料的方式如前所述，将不再赘述之。最后，设置发光元件300于介电层220之上，并且发光元件300与第三线路层210电性连接。

接下来，设置如图7所示的线路重布结构500于图8的发光元件300之上，并且第三线路层210通过导电连接件400而与第一线路层511电性连接，从而形成如图1所示的发光元件封装结构10。例如，先形成与图7的线路重布结构500中的第一线路层511连接的金属块或焊接材料。接着，将金属块或焊接材料与凹槽210a对齐。最后，热压合金属块或焊接材料与第三线路层210以形成与第一线路层511和第三线路层210连接的金属柱或焊球。

图9～图11绘示本发明第二实施方式的形成发光元件封装结构10的方法的各个阶段的剖面示意图。如图9所示，形成介电层220'于第一基板720之上。接着，设置发光元件300于介电层220'之上。

接下来，如图10所示，黏合第二基板100于发光元件300和介电层220'之上。例如，使用光学透明胶来黏合第二基板100与发光元件300和介电层220'，从而形成透明黏着层600。

接下来，如图11所示，翻转图10的结构，并且剥离第一基板720以暴露出介电层220'。随后，图案化介电层220'以形成具有开口220a的介电层220。接着，形成第三线路层210于介电层220之上，以及开口220a的底表面和侧壁上，使得发光元件300与第三线路层210电性连接。例如，共形地形成导电材料于介电层220之上和开口220a的底表面和侧壁上。接着，图案化导电材料，从而形成包括底部部分211和侧壁部分212的第三线路层210。而底部部分211和侧壁部分212界定出凹槽210a。

接下来，设置如图7所示的线路重布结构500于图11的第三线路层210和介电层220之上，并且第三线路层210通过导电连接件400而与第一线路层511电性连接，从而形成如图2所示的发光元件封装结构10。例如，先形成与图7的线路重布结构500中的第一线路层511连接的金属块或焊接材料。接着，将金属块或焊接材料与凹槽210a对齐。最后，热压合金属块或焊接材料与第三线路层210以形成与第一线路层511和第三线路层210连接的金属柱或焊球。

图12～图14绘示本发明第三实施方式的形成发光元件封装结构10的方法的各个阶段的剖面示意图。如图12所示，首先，形成第一线路层521于第一基板730之上。例如，形成导电材料于第一基板730之上，并图案化导电材料以形成第一线路层521。接着，形成绝缘层522覆盖第一线路层521，并且绝缘层522包括暴露出第一线路层521的一部分的导通孔522b。例如形成介电材料于第一线路层521之上，并图案化介电材料以形成导通孔522b。随后，形成第二线路层511于绝缘层522之上，以及形成导电接触件523于导通孔522b中。例如，形成导电材料于绝缘层522之上，并填充于导通孔522b中。接着，图案化导电材料以形成第二线路层511和导电接触件523。须说明的是，形成导电材料和介电材料、以及图案化导电材料和介电材料方式如前所述，将不再赘述之。

接下来，如图13所示，设置发光元件300于绝缘层522之上，使得发光元件300与第二线路层511电性连接。接着，黏合第二基板100于发光元件300、绝缘层522、以及第二线路层511之上。例如，使用光学透明胶来黏合第二基板100与发光元件300、绝缘层522、以及第二线路层511，从而形成透明黏着层600。

接下来，如图14所示，翻转图13的结构，并且剥离第一基板730以暴露出第一线路层521和绝缘层522。

接下来，设置芯片530和保护层540于第一线路层521和绝缘层522之上，从而形成如图3所示的发光元件封装结构10。具体地，设置芯片530于第一线路层521和绝缘层522之上，使得芯片530与第一线路层521电性连接。例如，使用焊接材料接合设置于芯片530下表面的多个金属凸块(例如芯片接脚)与第一线路层521。但须注意的是，如前所述，在发光元件300包括多晶硅的情况下，接合芯片530与第一线路层521的温度过高时，可能会导致多晶硅的晶体结构受损。因此，所使用的焊接材料的熔点应低于600℃，例如锡铋。接着，形成保护层540覆盖芯片530、第一线路层521、以及绝缘层522，并且保护层540填充于芯片530与绝缘层522的间隙之间。

图15～图18绘示图3所示的发光元件封装结构10的另一种形成方法的各个阶段的剖面示意图。图15接续图12，黏合第二基板740于第二线路层511和绝缘层522之上。例如，使用黏着剂来黏合第二基板740与第二线路层511和绝缘层522，从而形成黏着层610。

接下来，如图16所示，翻转图15的结构，并且剥离第一基板730以暴露出第一线路层521和绝缘层522。

接下来，如图17所示，设置芯片530于第一线路层521和绝缘层522之上，使得芯片530与第一线路层521电性连接。接着，形成保护层540覆盖芯片530、第一线路层521、以及绝缘层522，并且保护层540填充于芯片530与绝缘层522的间隙之间。

接下来，如图18所示，翻转图17的结构，并且去除第二基板740和黏着层610以暴露出第二线路层511和绝缘层522。接着，设置发光元件300于绝缘层522之上，使得发光元件300与第二线路层511电性连接。接下来，黏合第三基板100于发光元件300、绝缘层522、以及第二线路层511之上，从而形成如图3所示的发光元件封装结构10。

由上述发明实施例可知，在此揭露的发光元件封装结构中，使用线路重布结构来电性连接发光元件与芯片，取代了传统上的薄膜覆晶封装技术。因此，避免了采用薄膜覆晶封装技术时，软性电路板与基板接触的部分容易剥离或断裂、以及软性电路板上的线路容易发生断裂等问题。此外，不需保留供给软性电路板连接之基板的一部分，因此显示设备的边框区域可有效地缩减。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (9)

1.一种发光元件封装结构，其特征在于，包括：

保护基板；

线路结构层，设置于该保护基板之上，其中该线路结构层包括第一线路层；

发光元件，设置于该线路结构层之上或该保护基板与该线路结构层之间，并与该第一线路层电性连接；

第一线路重布层，设置于该发光元件之上，其中该第一线路重布层包括第二线路层和接触该第二线路层的导电接触件；

导电连接件，连接该第一线路层与该第二线路层；

第二线路重布层，设置于该第一线路重布层之上，其中该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第三线路层；以及

芯片，设置于该第二线路重布层之上，并与该第三线路层电性连接。

2.如权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，其中该第一线路重布层进一步包括覆盖该第二线路层的第一绝缘层，该第一绝缘层具有暴露出该第二线路层的一部分的导通孔，且该导电接触件填充于该导通孔中，从而接触该第二线路层。

3.如权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，其中该第二线路重布层进一步包括覆盖该第三线路层的第二绝缘层，该第二绝缘层具有暴露出该第三线路层的一部分的开口，且该芯片通过该开口而与该第三线路层电性连接。

4.如权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，其中该第二线路层的线宽和线距小于8微米，该第三线路层的线宽和线距小于8微米。

5.一种发光元件封装结构，其特征在于，包括：

保护基板；

发光元件，设置于该保护基板之上；

第一线路重布层，设置于该发光元件之上，其中该第一线路重布层包括与该发光元件电性连接的第一线路层，该第一线路层的线宽和线距小于8微米；

第二线路重布层，设置于该第一线路重布层之上，其中该第二线路重布层包括第二线路层和接触该第一线路层和该第二线路层的导电接触件，该第二线路层的线宽和线距小于8微米；以及

芯片，设置于该第二线路重布层之上，并与该第二线路层电性连接。

6.如权利要求5所述的发光元件封装结构，其特征在于，其中该第二线路重布层进一步包括覆盖该第一线路层的绝缘层，该绝缘层具有暴露出该第一线路层的一部分的导通孔，且该导电接触件填充于该导通孔中，从而接触该第一线路层和该第二线路层。

7.一种发光元件封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

(i)提供线路重布结构；

(ii)提供第一基板；

(iii)形成线路结构层于该第一基板之上，其中该线路结构层包括第一线路层；

(iv)在步骤(ii)之前或之后，设置发光元件于该第一基板与该线路结构层之间或于该线路结构层之上，其中该发光元件与该第一线路层电性连接；以及

(v)设置该线路重布结构于该发光元件之上，其中该线路重布结构包括第一线路重布层、第二线路重布层、以及芯片，该第一线路重布层包括第二线路层和接触该第二线路层的导电接触件，该第二线路层通过导电连接件而与该第一线路层电性连接，该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第三线路层，且该第三线路层与该芯片电性连接。

8.如权利要求7所述的发光元件封装结构之制造方法，其特征在于，其中步骤(i)包括下列子步骤：

(a)形成该第一线路重布层于第二基板之上；

(b)形成该第二线路重布层于该第一线路重布层之上；

(c)设置该芯片于该第二线路重布层之上；以及

(d)剥离该第二基板以暴露出该第二线路层，从而形成该线路重布结构。

9.一种发光元件封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

(i)提供具有基板、第一线路重布层、以及第二线路重布层的线路重布结构，其中该第一线路重布层设置于该基板之上，该第一线路重布层包括第一线路层和接触该第一线路层的导电接触件，该第二线路重布层设置于该第一线路重布层之上，该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第二线路层；

(ii)设置发光元件于该第二线路重布层之上，其中该发光元件与该第二线路层电性连接；

(iii)在步骤(ii)之前或之后，剥离该基板以暴露出该第一线路层；以及

(iv)设置芯片于该第一线路重布层之下，其中该芯片与该第一线路层电性连接。

Images