CN110624893B - 一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用 - Google Patents

一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用，采用兆声波清洗晶圆表面的污染颗粒，其具有效率高，极小尺寸颗粒(纳米级)去除效率极高的特点；气体雾化喷嘴清洗实现方式简单，大尺寸颗粒去除能力强，该装置可以结合两者的优势。该装置应用于芯片制造中，可以有效的去除小尺寸缺陷；同时搭配气体雾化喷嘴清洗对大尺寸颗粒去除能力强的特点，对大尺寸污染颗粒去除，解决该制程中表面颗粒不稳定的现象，将缺陷去除率提高到90％以上。该装置的应用不仅限于沟槽或带有栅极的表面颗粒的去除，也可应用晶圆制造过程中的平坦面，通过调整气体雾化装置中气体的流量或者超声波能量，增强对表面颗粒的去除效果。

Description

一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用。
背景技术
在半导体制造过程中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，清洗效率的好坏直接影响到晶圆产品的良率。目前在晶圆处理工序过程中主要有两大类颗粒缺陷，如图1a所示，图1a显示为现有技术中前层处理过程中掉落在晶圆表面的污染颗粒。第一类为前层处理过程中掉落在晶圆表面的颗粒，这类颗粒一般比较大，目前主要通过气体雾化装置配合APM溶液将去除，但需控制气体雾化的流量，以防造成下层图形损坏；如图1b所示，图1b显示为现有技术中半导体制造过程中尺寸小于500纳米的污染颗粒，该类颗粒尺寸小于500nm左右，由于尺寸较小，这类缺陷主要存在于沟槽或者双栅中，传统的气体雾化方法很难将其去除。从长期的缺陷监控来看，目前湿法清洗表面颗粒的去除率在80％左右，且不稳定，严重影响良率的稳定性。
因此，需要提出一种新的方法来提高湿法清洗能力，将去除率提高到90％。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用，用于解决现有技术中对尺寸较大的污染颗粒的去除容易造成晶圆表面图形结构损坏以及对小尺寸颗粒去除率低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种兆声波组合气体喷雾清洗装置，至少包括：通过控制***控制的兆声波发生器和带喷嘴的气体喷雾装置；所述气体喷雾装置位于清洗基板上，所述清洗基板上还设有控制所述气体喷雾装置的数个按钮；所述兆声波发生器位于待清洗晶圆的上方。
优选地，所述兆声波发生器发出波的频率为1至2MHz。
优选地，所述气体喷雾装置中载有功能水。
优选地，所述气体喷雾装置中载有的功能水的PH值大于7。
优选地，所述清洗基板上的数个按钮中包含调节气体流量大小的按钮。
优选地，所述控制***对所述兆声波发生器和所述气体喷雾装置的控制模式为同时控制。
优选地，所述控制***对所述兆声波发生器和所述气体喷雾装置的控制模式为分别单独控制。
本发明还提供所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒；采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。
本发明还提供所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒；采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上位于平坦区的污染颗粒。
优选地，所述兆声波发生器以发出脉冲形式的兆声波去除所述待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒。
优选地，所述兆声波发生器以发出脉冲形式的兆声波去除所述待清洗晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒。
优选地，通过调节待清洗晶圆与所述兆声波发生器之间的距离来控制所述待清洗晶圆表面接收的能量。
优选地，所述待清洗晶圆上的结构图形密集区为沟槽区域或栅极内区域。
优选地，采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上尺寸小于500纳米的污染颗粒。
优选地，所述气体喷雾装置中载有功能水，所述功能水被雾化后通过所述喷嘴喷出以去除所述待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。
优选地，所述气体喷雾装置中载有功能水，所述功能水被雾化后通过所述喷嘴喷出以去除所述待清洗晶圆上位于平坦区的污染颗粒。
优选地，所述功能水为通入氢气后的水。
如上所述，本发明的一种兆声波组合气体喷雾清洗装置及其应用，具有以下有益效果：本发明采用兆声波清洗晶圆表面的污染颗粒，其具有效率高，极小尺寸颗粒(纳米级)去除效率极高的特点；气体雾化喷嘴清洗实现方式简单，大尺寸(亚微米以上)颗粒去除能力强，该装置可以结合两者的优势。该装置应用于芯片制造中，可以有效的去除小尺寸缺陷；同时搭配气体雾化喷嘴清洗对大尺寸(亚微米以上)颗粒去除能力强的特点，对大尺寸污染颗粒去除，解决该制程中表面颗粒不稳定的现象，将缺陷去除率提高到90％以上。该装置的应用不仅限于沟槽或带有栅极的表面颗粒的去除，也可应用晶圆制造过程中的平坦面，通过调整气体雾化装置中气体的流量或者超声波能量，增强对表面颗粒的去除效果。
附图说明
图1a显示为现有技术中前层处理过程中掉落在晶圆表面的污染颗粒；
图1b显示为现有技术中半导体制造过程中尺寸小于500纳米的污染颗粒；
图2显示为本发明的兆声波组合气体喷雾清洁装置结构示意图；
图3显示为本发明中利用兆声波去除小尺寸污染颗粒的示意图；
图4显示为本发明中利用气体喷雾装置去除大尺寸污染颗粒的示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种兆声波组合气体喷雾清洗装置，如图2所示，图2显示为本发明的兆声波组合气体喷雾清洁装置结构示意图，该装置至少包括：通过控制***控制的兆声波发生器和带喷嘴的气体喷雾装置；所述气体喷雾装置位于清洗基板上，所述清洗基板上还设有控制所述气体喷雾装置的数个按钮；所述兆声波发生器位于待清洗晶圆的上方。也就是说，所述兆声波发生器与所述气体喷雾清洁装置一起受控于所述控制***，所述控制***可以控制所述兆声波发生器发出波长的频率以及可以控制所述气体喷雾清洁装置喷出气体的流量大小，所述气体喷雾装置带有喷嘴，气体从所述喷嘴喷出。所述清洗基板上设有所述气体喷雾装置，所述清洗基板上还设有多个按钮用来操控所述气体喷雾装置的工作，当所述兆声波发生器工作时用以清洁待清洗晶圆上的污染颗粒时，该兆声波发生器位于所述待清洗晶圆的上方，并与所述待清洗晶圆表面保持一定距离，通过调节该兆声波发生器与所述待清洗晶圆表面之间的距离可以改变待清洗晶圆接收的能量的大小。
本发明进一步地，所述兆声波发生器发出波的频率为1至2MHz。也就是利用本发明的所述兆声波组合气体喷雾清洗装置对晶圆表面的纳米级的污染颗粒(尺寸小于500纳米的污染颗粒)进行清洁时，或者利用本发明的所述气体喷雾装置对晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒进行清洁时，所述兆声波发生器发出的波长频率为1至2MHz。本发明的所述图形结构图形密集区包括沟槽区域或栅极内区域。
本发明更进一步地，所述气体喷雾装置中载有功能水。本发明中的所述功能水为通入氢气的水，所述气体喷雾装置将所述功能水雾化后经过所述喷嘴喷出，用以清洁待清洗晶圆表面亚微米级以上的污染颗粒，或者用以清洁待清洗上位于平坦区的污染颗粒。本发明进一步地，并且所述气体喷雾装置中载有的功能水的PH值大于7，利用高PH条件下与晶圆表面颗粒电荷相斥的原理将污染颗粒带走。
本发明进一步地，所述清洗基板上的数个按钮中包含调节气体流量大小的按钮。所述控制***对所述兆声波发生器和所述气体喷雾装置的控制模式为同时控制或分别单独控制。
本发明还提供所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒；采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。也就是说，本发明采用所述兆声波发生器发出兆声波，所发出的兆声波的频率为1至2MHz。在该范围频率下的兆声波容易将本发明中待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒去除，尤其是尺寸小于500纳米的污染颗粒。当利用所述兆声波发生器发出频率为1至2MHz的波时，本发明优选地，所述兆声波发生器以发出脉冲形式的兆声波去除所述待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒。在兆声波交替开启期间将晶圆表面颗粒剥离以去除，并且在去除小尺寸纳米级的污染颗粒的情况下，在1至2MHz范围内，随着频率的增加，小尺寸纳米级的污染颗粒的清除率会增加。
本案发明更进一步地，通过调节待清洗晶圆与所述兆声波发生器之间的距离来控制所述待清洗晶圆表面接收的能量。也就是说，在利用本发明的兆声波发生器对所述晶圆表面进行清洁时，所述兆声波发生器位于所述待清洗晶圆的上方，并与所述待清洗晶圆的表面保持一定的距离，通过二者之间距离的调节，所述待清洗晶圆表面接收到的兆声波能量不同，因此清洁率也不同。
本发明采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。也就是说所述气体喷雾装置中载有功能水，即涌入氢气的水，该功能水为高PH值的功能水，高PH条件下与表面颗粒电荷相斥的原理将颗粒带走。
本发明还提供另一种所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒；进一步地，所述待清洗晶圆上的结构图形密集区为沟槽区域或栅极内区域。所述兆声波发生器以发出脉冲形式的兆声波去除所述待清洗晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒。并且本发明中采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上尺寸小于500纳米的污染颗粒。采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上位于平坦区的污染颗粒。如图3和图4所示，图3显示为本发明中利用兆声波去除小尺寸污染颗粒的示意图；图4显示为本发明中利用气体喷雾装置去除大尺寸污染颗粒的示意图。所述气体喷雾装置中载有功能水，所述功能水被雾化后通过所述喷嘴喷出以去除所述待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。所述功能水为通入氢气后的水。图3中，所述纳米级的污染颗粒01位于所述pwell和nwell之间，利用兆声波发生器发出兆声波将其去除；图4中，亚微米以上的污染颗粒02位于所述pwell和nwell之间，利用气体喷雾装置将其去除。
本发明涉及湿法清洗机台；揭示了一种使用兆声波组合气体喷雾装置在晶圆清洗中的应用，该方法利用兆声波对极小尺寸颗粒(纳米级)去除效率高，气体雾化喷嘴清洗对大尺寸(亚微米以上)颗粒去除能力强的特点，可以有效的将晶圆表面颗粒去除率提高到90％以上，并且不会造成图形损伤从而有效降低缺陷，提高良率。该清洗方法可以应用于晶圆工艺过程中的平坦层，通过调整气体雾化装置或者超声波能量，增强对表面颗粒的去除效果；该清洗方法也可应用于沟槽或带有栅极的表面颗粒的去除，通过该装置特有的兆声波模式可以使得晶圆沟槽或者栅极内的颗粒与基底发生剥离，后续通过气体雾化装置配合清洗液将颗粒带走，并且不会造成图形损伤。
综上所述，本发明去除晶圆表面颗粒过程中利用该装置特有的兆声波模式，可以在兆声波交替开启期间将表面颗粒从晶圆图形区域中剥离，兆声波关闭期间利用功能水高PH条件下与表面颗粒电荷相斥的原理将颗粒带走；同时利用气体雾化***对尺寸较大的颗粒去除。利用该装置可以将晶圆生产制造中两类较为典型的颗粒去除，解决晶圆制程中颗粒不稳定的现象，将表面颗粒去除率提高到90％以上。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (16)

1.一种兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于，至少包括：
通过控制***控制的兆声波发生器和带喷嘴的气体喷雾装置；所述气体喷雾装置位于清洗基板上，所述清洗基板上还设有控制所述气体喷雾装置的数个按钮；所述兆声波发生器位于待清洗晶圆的上方；采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒；采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上位于平坦区的污染颗粒。
2.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于：所述兆声波发生器发出波的频率为1至2MHz。
3.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于：所述气体喷雾装置中载有功能水。
4.根据权利要求3所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于：所述气体喷雾装置中载有的功能水的PH值大于7。
5.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于：所述清洗基板上的数个按钮中包含调节气体流量大小的按钮。
6.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于：所述控制***对所述兆声波发生器和所述气体喷雾装置的控制模式为同时控制。
7.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置，其特征在于：所述控制***对所述兆声波发生器和所述气体喷雾装置的控制模式为分别单独控制。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒；采用气体喷雾装置上的喷嘴喷出气体去除待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。
9.根据权利要求8所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：所述兆声波发生器以发出脉冲形式的兆声波去除所述待清洗晶圆上尺寸为纳米级的污染颗粒。
10.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：所述兆声波发生器以发出脉冲形式的兆声波去除所述待清洗晶圆上位于结构图形密集区的污染颗粒。
11.根据权利要求9或10所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：通过调节待清洗晶圆与所述兆声波发生器之间的距离来控制所述待清洗晶圆表面接收的能量。
12.根据权利要求10所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：所述待清洗晶圆上的结构图形密集区为沟槽区域或栅极内区域。
13.根据权利要求8所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：采用所述兆声波发生器发出兆声波去除待清洗晶圆上尺寸小于500纳米的污染颗粒。
14.根据权利要求8所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：所述气体喷雾装置中载有功能水，所述功能水被雾化后通过所述喷嘴喷出以去除所述待清洗晶圆上尺寸为亚微米级以上的污染颗粒。
15.根据权利要求1所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：所述气体喷雾装置中载有功能水，所述功能水被雾化后通过所述喷嘴喷出以去除所述待清洗晶圆上位于平坦区的污染颗粒。
16.根据权利要求14或15所述的兆声波组合气体喷雾清洗装置的应用，其特征在于：所述功能水为通入氢气后的水。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6343609B1 (en) * 1998-08-13 2002-02-05 International Business Machines Corporation Cleaning with liquified gas and megasonics
KR100542679B1 (ko) * 2004-06-18 2006-01-11 동부아남반도체 주식회사 기판 세정 장치
CN101405091A (zh) * 2006-03-24 2009-04-08 应用材料股份有限公司 清洁基板的方法和装置
CN101563761A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 朗姆研究公司 半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁
JP2011035300A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Asahi Sunac Corp 洗浄装置、及び洗浄方法
CN102725825A (zh) * 2010-05-31 2012-10-10 韩国机械研究院 超声精密清洁装置
CN104900480A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗方法
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN108140595A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗装置和方法
CN109201440A (zh) * 2013-02-02 2019-01-15 北方华创艾可隆公司 使用声能处理基板的***、设备和方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5456759A (en) * 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
TW355815B (en) * 1996-05-28 1999-04-11 Canon Kasei Kk Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
US6930017B2 (en) * 2003-08-21 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Wafer Cleaning method and resulting wafer
US8147617B2 (en) * 2004-06-04 2012-04-03 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and computer readable storage medium
US7655316B2 (en) * 2004-07-09 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Cleaning of a substrate support
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100800174B1 (ko) * 2006-10-20 2008-02-01 한국기계연구원 메가소닉 세정모듈
JP5168966B2 (ja) * 2007-03-20 2013-03-27 富士通セミコンダクター株式会社 研磨方法及び研磨装置
US20090255555A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation
CN103489814B (zh) * 2013-09-24 2015-12-02 深圳市凯尔迪光电科技有限公司 全自动兆声波半导体晶圆清洗设备
US9449841B2 (en) * 2013-12-19 2016-09-20 Taiwan Semicondcutor Manufacturing Company, Ltd. Methods and systems for chemical mechanical polish and clean
CN107636799B (zh) * 2015-05-20 2021-12-03 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体衬底的方法和装置
CN106856161B (zh) * 2016-12-14 2019-12-13 北京七星华创电子股份有限公司 一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法
KR102658739B1 (ko) * 2017-05-03 2024-04-17 램 리써치 코포레이션 컨디셔닝 챔버 컴포넌트

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6343609B1 (en) * 1998-08-13 2002-02-05 International Business Machines Corporation Cleaning with liquified gas and megasonics
KR100542679B1 (ko) * 2004-06-18 2006-01-11 동부아남반도체 주식회사 기판 세정 장치
CN101405091A (zh) * 2006-03-24 2009-04-08 应用材料股份有限公司 清洁基板的方法和装置
CN101563761A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 朗姆研究公司 半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁
JP2011035300A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Asahi Sunac Corp 洗浄装置、及び洗浄方法
CN102725825A (zh) * 2010-05-31 2012-10-10 韩国机械研究院 超声精密清洁装置
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN109201440A (zh) * 2013-02-02 2019-01-15 北方华创艾可隆公司 使用声能处理基板的***、设备和方法
CN104900480A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗方法
CN108140595A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗装置和方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Removal of nano-particles by mixed-fluid jet:evaluation of cleaning performance and comparison with megasonic;G.Vereecke等;《solid state phenomena》;20071120;第134卷;第193-196页 *
硅片清洗技术的研究进展;任格格等;《科技创新与应用》;20170630(第14期);第59-61页 *

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