CN110618658A - 记录电极分中偏移数值的方法、***及可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种记录电极分中偏移数值的方法、***及计算机可读存储介质,其中,该记录电极分中偏移数值的方法包括:S1、获取电极外形数据;S2、根据电极外形数据选择基准球与电极分中点;S3对基准球与电极分中点进行碰撞仿真,得到基准球逼近退回距离;S4、记录分中点碰撞数据,所述碰撞数据包括记录所述基准球的尺寸、所述电极分中点的位空间三维数据以及所述基准球的逼近退回距离。通过本发明的实施,只需极少的人工操作,即可应用机器自动记录电极分中这一过程的三维偏移数值,效率高、安全性高、精确性高、步骤少、难度低、花费时间短,降低人工成本,增加现场产出。
Description
技术领域
本发明涉及偏移数据记录领域,尤其是指一种记录电极分中偏移数值的方法、***及计算机可读存储介质。
背景技术
电火花加工是指在一定的介质中,通过工具电极和工件之间的脉冲放电的电蚀作用,对工件进行加工的方法。
电极分中记录偏移数值并写入机床是在放电加工前必须经过的一个步骤,电极装夹在机床上时,其XY同机床的主轴存在一定的偏差,Z轴距离主轴也有一定的距离,需要获取这些偏差量,将这些偏差量写入到机床中,使机床自动反向补正,这样电极的加工位置才能同工件对应。
目前,数控电火花机床(以下简称“EDM机床”)的电极分中,由EDM操作人员手动进行。具体操作如下:操作人员通过EDM机床的手动操控盒,先手动将设备主轴上的电极移动到基准球上方,先在EDM机床上编写测量电极XY中心偏移量测量程式,手动执行程式测量电极XY中心偏移量,在将电极XY中心偏移量写入机床之后。再在EDM机床上编写测量电极Z方向偏移量测量程式,手动执行程式测量电极Z方向偏移量,将电极方向偏移量写入机床。此方法效率低,难度大,花费时间长,严重影响了现场的产出。
发明内容
为解决上述至少一技术问题,本申请实施例提供了一种记录电极分中偏移数值方法、***及计算机可读存储介质。
本申请实施例第一方面提供了一种记录电极分中偏移数值的方法,其特征在于,包括如下步骤:
获得电极外形数据;
根据电极外形数据选择基准球与电极分中点;
对基准球与电极分中点进行碰撞仿真,得到基准球逼近退回距离;
记录分中点碰撞数据,所述碰撞数据包括记录所述电极分中点空间三维数据、所述基准球尺寸以及所述基准球逼近退回距离。
本申请实施例第二方面提供了记录电极分中偏移数值的***的基本模块图,具体如下:
基础数据获取模块,用于获取电极外形数据,
仿真模块,以此选择基准球与电极分中点并进行碰撞仿真;
分中点数据记录模块,用于记录分中点碰撞数据,碰撞数据包括基准球尺寸、分中点三维数据以及逼近退回距离。
本申请实施例第三方面提供了一种电子装置,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器执行计算机程序时,实现上述本申请实施例第一方面提供的一种记录电极分中偏移数值的方法中的各步骤。
本申请实施例第四方面提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时,实现上述本申请实施例第一方面提供的一种记录电极分中偏移数值的方法中的各步骤。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:只需极少的人工操作,即可应用机器自动记录电极分中这一过程的三维偏移数值,效率高、安全性高、精确性高、步骤少、难度低、花费时间短,降低人工成本,增加现场产出。
附图说明
下面结合附图详述本发明的具体结构:
图1为本发明第一实施例提供的记录电极分中偏移数值方法的基本流程图
图2为本发明第二实施例提供的记录电极分中偏移数值方法的流程图;
图3为本发明第三实施例提供的记录电极分中偏移数值***的基本模块图;
图4为本申请第四实施例提供的记录电极分中偏移数值***的模块图;
图5为本申请第五实施例提供的电子装置的结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
下面详细描述本发明的实施例,实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
为了解决相关技术中的效率低、难度大、花费时间长的缺陷,请参阅图1,本申请第一实施例提供了一种记录电极分中偏移数值的方法,如图1为本实施例提供的记录电极分中偏移数值的方法的基本流程图,该记录电极分中偏移数值的方法包括以下的步骤:
步骤S1、获取电极外形数据;
步骤S2、根据电极外形数据选择基准球与电极分中点;
步骤S3、进行碰撞仿真,得到基准球的逼近退回距离;
步骤S4、记录分中点碰撞数据,碰撞数据包括记录基准球的尺寸、电极分中点的空间三维数据以及基准球的逼近退回距离。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:只需极少的人工操作,即可应用机器自动记录电极分中这一过程的三维偏移数值,效率高、安全性高、精确性高、步骤少、难度低、花费时间短,降低人工成本,增加现场产出。
具体地,请参阅图2,包括步骤S5、根据分中点碰撞数据生成并传输电极分中程式,执行电极分中程式,找出电极偏移量,并写入电极偏移量参数。
由此,上级***可直接获取电极偏移量三维电极偏移量,并且自动反向补正,从而减少人工的操作步骤,削弱操作难度,降低出错的可能性,增加效率生产,降低边际成本。
具体地,还包括实时防错步骤,具体包括:
步骤S6、获取电极分中时每个位置的实际数值,
若出现电极倾斜和/或电极不平主动的情况,则输出提示信息;
若正常进行,则不输出提示信息。
由此,可实时检测电极的位置,一方面,避免因之前的步骤操作错误而造成经济损失,另一方面,及时发现存在的问题,快速停止操作,降低出现经济损失的可能性。
上述中,电极外形数据包括电极的外形尺寸与电极的高度。
由此,直接获得了电极的基础数据,方便进行运算。
请参阅图3,为了解决相关技术中的缺陷,本申请第二实施例提供了一种记录电极分中偏移数值的***,包括基础数据设置模块201、仿真模块202及分中点数据记录模块203;记录电极分中偏移数值的***具体如下:
基础数据获取模块201,用于获取电极外形数据,
仿真模块202,以此选择基准球与电极分中点并进行碰撞仿真;
分中点数据记录模块203,用于记录分中点碰撞数据,碰撞数据包括所述基准球的尺寸、所述分中点的三维数据以及所述基准球的逼近退回距离。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:对模块操作极少,***内各部分即可自行运作,降低人工操作时间,自动记录电极分中这一过程的三维偏移数值,效率高、安全性高、精确性高、步骤少、难度低、花费时间短,降低人工成本,增加现场产出。
进一步地,请参阅图4,包括电极分中程式操作模块204,用于根据碰撞数据生成并上传电极分中程式,并自动将电极的分中程式上传到上级***,并执行分中程式找出电极的偏移量,写入到上级***的电极偏移量参数中。
本实施例是将数控电火花机床作为上层***,电极分钟程式生成之后,可直接传输到数控电火花机床,数控电火花机床对其X轴、Y轴与Z轴的数据进行处理,并且根据其数据自行调整各轴位置。
进一步地,还包括防错模块205,用于获取电极分中时每个位置的实际数值,若出现电极倾斜和/或电极不平的情况,则输出提示信息;若正常进行,则不输出提示信息。
在电极出现非常规情况的时候,在本实施内,数控机床可以通过提示灯的闪动、警笛声等提示方式,对操作者进行提醒,避免机床因此损毁。
上述中,电极外形数据包括电极的外形尺寸与电极的高度。
由此,可以方便操作者对信息进行快速筛选,方便操作者获取电极数据。
综上,本发明提供的一种记录电极分中偏移数值的***及方法可以通过容易获取的数据,自动记录电极分中这一过程的三维偏移数值,效率高、安全性高、精确性高、步骤少、难度低、花费时间短;并且设有防错的步骤与***,可以避免装置损毁。
请参阅图5,图5为本申请第三实施例提供的一种电子装置。该电子装置可用于实现前述实施例中的记录电极分中偏移数值的方法。如图3所示,该电子装置主要包括:
存储器301、处理器302、总线303及存储在存储器301上并可在处理器302上运行的计算机程序,存储器301和处理器302通过总线303连接。处理器302执行该计算机程序时,实现前述实施例中的记录电极分中偏移数值的方法。其中,处理器的数量可以是一个或多个。
存储器301可以是高速随机存取记忆体(RAM,Random Access Memory)存储器,也可为非不稳定的存储器(non-volatile memory),例如磁盘存储器。存储器301用于存储可执行程序代码,处理器302与存储器301耦合。
进一步的,本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质可以是设置于上述各实施例中的电子装置中,该计算机可读存储介质可以是前述图5所示实施例中的存储器。
该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现前述实施例中的记录电极分中偏移数值的方法。
进一步的,该计算机可存储介质还可以是只读存储器(ROM,Read-Only Memory)与RAM,包括U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个***,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中,也可以是各个模块单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。
集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括:ROM与RAM内的U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简便描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请,某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定都是本申请所必须的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种记录电极分中偏移数值的方法,其特征在于,包括如下步骤:
获取电极外形数据;
根据电极外形数据选择基准球与电极分中点;
对基准球与电极分中点进行碰撞仿真,得到基准球逼近退回距离;
记录分中点碰撞数据,所述碰撞数据包括记录所述电极分中点空间三维数据、所述基准球尺寸以及所述基准球逼近退回距离。
2.如权利要求1所述的记录电极分中偏移数值的方法,其特征在于,所述记录分中点碰撞数据后,还包括:
根据所述分中点碰撞数据生成电极分中程式;
根据电极分中程式计算出电极偏移量,并写入电极偏移量数值。
3.如权利要求2所述的记录电极分中偏移数值的方法,其特征在于,所述写入电极偏移量数值后,还包括实时防错步骤,具体包括:
获取电极分中时每个位置的实际数值,
将所述每个位置的实际数值与所述电极偏移量数值相比较若出现电极倾斜和/或电极不平的情况,则输出提示信息;
若正常进行,则不输出提示信息。
4.如权利要求1所述的记录电极分中偏移数值的方法,其特征在于:所述电极外形数据包括电极的外形尺寸及电极的高度。
5.一种记录电极分中偏移数值的***,其特征在于:包括基础数据设置模块、仿真模块及分中点数据记录模块;
所述基础数据获取模块,用于获取电极外形数据,
所述仿真模块,以电极外形数据选择基准球与电极分中点并进行碰撞仿真;
所述分中点数据记录模块,用于记录分中点碰撞数据,所述碰撞数据包括基准球尺寸、分中点三维数据以及逼近退回距离。
6.如权利要求5所述的记录电极分中偏移数值的***,其特征在于:包括电极分中程式处理模块,用于根据碰撞数据生成并上传电极分中程式,并自动将电极的分中程式上传到上级***,并执行分中程式找出电极的偏移量,写入到上级***的电极偏移量参数中。
7.如权利要求6所述的记录电极分中偏移数值的***,其特征在于:还包括防错模块,用于获取电极分中时每个位置的实际数值,若出现电极倾斜和/或电极不平的情况,则输出提示信息;若正常进行,则不输出提示信息。
8.如权利要求5所述的记录电极分中偏移数值的***,其特征在于:所述电极外形数据包括电极的外形尺寸与电极的高度。
9.一种电子装置,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时,实现权利要求1至4中任意一项所述方法中的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时,实现权利要求1至4中的任意一项所述方法中的步骤。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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