CN110549203A - 磨抛装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种磨抛装置。所述磨抛装置包括：T型模座，包括沿第一方向延伸的第一梁以及与所述第一梁连接、且沿第二方向延伸的第二梁，所述第一方向垂直于所述第二方向；基座，位于所述第一梁上，用于调整待磨抛试样沿所述第一方向的水平状态；第一调节结构，连接所述基座，用于驱动所述基座沿第三方向运动并显示所述基座延伸出所述第一梁的第一高度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。本发明提高了对待磨抛试样磨抛高度的控制精度，改善了磨抛质量，进而提高了半导体产品的平整性和可分析性。

Description

磨抛装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种磨抛装置。

背景技术

随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3D NAND(三维NAND)存储器；随着集成度的越来越高，3D NAND存储器已经从32层发展到128层，甚至更高的层数。

在3D NAND存储器等半导体器件的失效分析过程中，磨抛是在半导体结构实验处理形成平整表面的重要步骤之一。但是，在现有的磨抛装置中，其对样品磨抛的精度控制较差，且不能够实现定量控制，从而对磨抛后样品的质量造成影响，严重时甚至导致磨抛样品的报废。

因此，如何提高磨抛过程中对样品磨抛精度的控制，改善磨抛质量，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种磨抛装置，用于解决现有的磨抛装置对样品磨抛精度的控制较差的问题，以改善样品的磨抛质量。

为了解决上述问题，本发明提供了一种磨抛装置，包括：

T型模座，包括沿第一方向延伸的第一梁以及与所述第一梁连接、且沿第二方向延伸的第二梁，所述第一方向垂直于所述第二方向；

基座，位于所述第一梁上，用于调整待磨抛试样沿所述第一方向的水平状态；

第一调节结构，连接所述基座，用于驱动所述基座沿第三方向运动并显示所述基座延伸出所述第一梁的第一高度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

优选的，所述第一梁包括朝向研磨台的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

所述基座位于所述第一表面，且能够沿所述第三方向延伸出所述第一表面；

所述第一调节结构自所述第二表面延伸出所述第一梁。

优选的，所述第一调节结构包括：

第一旋钮；

第一螺杆，一端连接所述基座、另一端连接所述第一旋钮，所述第一旋钮用于驱动所述第一螺杆沿其轴向方向伸缩运动，以调整所述基座延伸出所述第一表面的所述第一高度。

优选的，所述第一调节结构还包括：

第一套筒，位于所述第二表面，且部分所述第一螺杆套设于所述第一套筒内，所述第一旋钮位于所述第一套筒远离所述第二表面的端部，所述第一套筒表面具有第一刻度，用于显示所述第一螺杆沿其轴向方向延伸出所述第一套筒的长度。

优选的，所述第二梁与所述第一梁的中部连接；

所述基座的数量为两个，且两个所述基座关于所述第二梁对称分布；

所述第一调节结构的数量为两个，且两个所述第一调节结构与两个所述基座一一对应连接。

优选的，还包括：

样品台座，位于所述第二梁远离所述第一梁的端部，用于固定所述待磨抛试样并调整所述待磨抛试样沿所述第二方向的水平状态；

第二调节结构，连接所述样品台座，用于驱动所述样品台座沿所述第三方向运动并显示所述样品台座延伸出所述第二梁的第二高度。

优选的，所述第二梁包括第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；

在沿所述第三方向上，所述样品台座自所述第三表面延伸出所述第二梁；

所述第二调节结构自所述第四表面延伸出所述第二梁。

优选的，所述第二调节结构包括：

第二旋钮；

第二螺杆，一端连接所述样品台座、另一端连接所述第二旋钮，所述第二旋钮用于驱动所述第二螺杆沿其轴向方向伸缩运动，以调整所述样品台座延伸出所述第三表面的所述第二高度。

优选的，所述第二调节结构还包括：

第二套筒，位于所述第三表面，且部分所述第二螺杆套设于所述第二套筒内，所述第二旋钮位于所述第二套筒远离所述第三表面的端部，所述第二套筒表面具有第二刻度，用于显示所述第二螺杆沿其轴向方向延伸出所述第二套筒的长度。

优选的，还包括：

水平仪，位于所述第四表面，用于显示所述第四表面沿所述第二方向的水平状态。

本发明提供的磨抛装置，通过设置第一调节结构，一方面可以实时调节基座延伸出第一梁的第一高度，确保待磨抛试样的抛磨表面在第一方向上的平整度；另一方面，通过所述第一调节结构显示所述基座延伸出所述第一梁的所述第一高度，使得用户可以直观、准确的了解当前基座高度，并能够定量的调整所述基座的高度，从而提高了对待磨抛试样磨抛高度的控制精度，改善了磨抛质量，进而提高了半导体产品的平整性和可分析性。

附图说明

附图1是本发明具体实施方式中磨抛装置的俯视结构示意图；

附图2是本发明具体实施方式中磨抛装置的一截面示意图；

附图3是本发明具体实施方式中磨抛装置的另一截面示意图；

附图4是本发明具体实施方式中第一调节结构的示意图；

附图5是本发明具体实施方式中第二调节结构的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的磨抛装置的具体实施方式做详细说明。

在采用具有T型模座的磨抛装置对样品进行研磨的过程中，样品通过热熔胶或者其他可剥离的胶固定在磨抛装置的样品台座上之后，将样品台座***T型模座的卡槽内，通过T型模座底部的两个基座与样品这三个支点共同构成一个平面，来对样品进行手动磨抛或者磨抛机自动磨抛，从而制备出具有平整表面的样品，以便后续对磨抛后的样品表面进行理化性质分析等其他处理。

但是，当前磨抛装置只能粗略的进行样品水平状态的粗糙调节，精度较差，且在日常制样过程中，只能凭借个人的经验进行粗略的调整，不能够定量，这就导致制样的效果严重依赖于个人的经验和制样水平。随着半导体制程工艺的不断发展，CMOS器件的尺寸进一步缩小，原子力显微镜、扫描电镜等设备的分辨率越来越高，对制样的要求也不断提高。因此，如果在样品制备的过程中，较差或者较粗糙的样品水平状态调节精度，会使得最终样品的待磨抛表面不能够停留在同一平面，甚至会出现分层，导致不能够完整的制备出所需要的器件表面。更为严重的是，器件结构出现分层会破坏器件内部的电路，以至于不能进行后续的电性测试，最终导致样品的报废。

另外，在对样品进行磨抛的过程中，需要借助外置的水平仪来对磨抛装置前后的水平状态进行判断，并根据判断结果对磨抛装置进行调整，以确保制样过程顺利进行。但是，这一判断过程需要将固定有样品的T型模座整体移动至一平整的桌面，然后将外置的水平仪放置于T型模座表面，从而实现对T型模座前后水平状态的判断，并根据判断结果进行调整，以使得调整后的T型模座前后水平。这一调整过程需要重复进行多次，但是，移动T型模座和放置外置的水平仪的过程中，都可能导致样品表面因与桌面摩擦而变得粗糙，甚至是存在损坏样品的风险。

为了提高磨抛过程中对样品水平状态的调节精度，提高制样质量，本具体实施方式提供了一种磨抛装置，附图1是本发明具体实施方式中磨抛装置的俯视结构示意图，附图2是本发明具体实施方式中磨抛装置的一截面示意图，附图3是本发明具体实施方式中磨抛装置的另一截面示意图。本具体实施方式中所述的待磨抛试样可以是任何需要磨抛的半导体试样，例如可以是但不限于3D NAND存储器结构。如图1、图2和图3所示，本具体实施方式提供的磨抛装置，包括：

T型模座，包括沿第一方向延伸的第一梁10以及与所述第一梁10连接、且沿第二方向延伸的第二梁11，所述第一方向垂直于所述第二方向；

基座20，位于所述第一梁10上，用于调整待磨抛试样16沿所述第一方向的水平状态；

第一调节结构，连接所述基座20，用于驱动所述基座20沿第三方向运动并显示所述基座20延伸出所述第一梁10的第一高度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

所述待磨抛试样16沿所述第一方向的水平状态是指，所述待磨抛试样16沿所述第一方向的相对两侧的高度梯度。举例来说，所述第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向，所述第三方向为Z轴方向。所述第一梁10与所述第二梁11垂直连接，形成T型结构，即所述第二梁11的端部与所述第一梁10的中部连接，所述第二梁11能够围绕其与所述第一梁10的连接点在YZ平面内转动(即所述第二梁11远离所述第一梁10的端部能够沿Z轴方向上下运动)。所述第一梁10用于调整所述待磨抛试样16沿X轴方向的水平状态，即调整所述待磨抛试样16沿X轴方向的相对两侧的高度梯度，使得磨抛制样之后，所述待磨抛试样16沿X轴方相对两侧的高度相同。所述基座20延伸出所述第一梁10的第一高度是指，所述基座20沿Z轴方向延伸出所述第一梁10的高度。

本具体实施方式中通过所述第一调节结构调整所述基座20延伸出所述第一梁10的所述第一高度，从而实现对所述待磨抛试样16沿X轴方向(即左右方向)水平状态的调整，而且在调节过程中，能够直观的显示出所述第一高度的具体数值，使得用户一方面可以对所述基座20延伸出所述第一梁10的所述第一高度进行定量调节；另一方面，具体数值的显示可以有助于提高调节精度，减少对个人主观经验的依赖。

本具体实施方式中，所述第一调节结构对所述基座20的调节精度，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如所述第一调节结构对所述基座20的调节精度为0.01mm。所述第一调节结构中显示所述第一高度的具体方式，可以是以显示屏的方式直接显示，也可以是采用刻度尺的方式，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

优选的，所述第一梁10包括朝向研磨台的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

所述基座20位于所述第一表面，且能够沿所述第三方向延伸出所述第一表面；

所述第一调节结构自所述第二表面延伸出所述第一梁10。

优选的，所述第二梁11与所述第一梁10的中部连接；

所述基座20的数量为两个，且两个所述基座20关于所述第二梁11对称分布；

所述第一调节结构的数量为两个，且两个所述第一调节结构与两个所述基座20一一对应连接。

具体来说，在沿X轴方向上，所述第一梁10对称分布于所述第二梁11的相对两侧。所述第一梁10与所述第二梁20的连接方式可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，本具体实施方式对此不作限定。所述磨抛装置包括两个所述基座20，且在沿X轴方向上，两个所述基座20对称分布于所述第二梁11的相对两侧。

如图2所示，在对所述待磨抛试样16进行磨抛的过程中，两个所述基座20与所述待磨抛试样16分别作为一个支点，三个支点共同与平整的研磨台表面接触，通过这三个支点形成一个平面，对所述待磨抛试样16进行研磨。图2中A、B分别表示两个所述基座20的底面(即所述基座20背离所述第一梁10的表面)沿X轴方向上的位置，C、D分别表示所述待磨抛试样16沿X轴方向上的相对两侧的位置。在研磨初始时刻，通过调节两个所述第一调节结构，使得A、B和C在同一平面上，或者A、B和D在同一平面上。在研磨的过程中，随着所述待磨抛试样16的磨损，需要多次通过所述第一调节结构调整所述基座20沿Z轴方向延伸出所述第一表面的所述第一高度，例如不断减小所述第一高度，直至A、B连线与C、D连线平行，则确认所述待磨抛试样16沿X轴方向的相对两侧已磨抛平整，即所述待磨抛试样16沿X轴方向的相对两侧的高度已研磨至相同。

本具体实施方式中，根据A、B之间的距离W2、所述待磨抛试样16沿X轴方向的宽度W1，可以对磨抛制样过程中所述待磨抛试样16沿X轴方向的精度误差e1进行控制，即e1＝γ*W1/W2，其中，γ表示所述第一调节结构对所述第一高度测量的精度。

举例来说，所述待磨抛试样为3D NAND样品，W2＝6cm，W1＝6mm，当γ为0.001mm时，e1＝0.001mm*6mm/60mm＝0.1μm＝100nm；当W2＝6cm，W1＝6mm，γ＝0.01mm时，e1＝0.01mm*6mm/60mm＝1μm，远远满足制样的要求。

附图4是本发明具体实施方式中第一调节结构的示意图。优选的，如图1-图4所示，所述第一调节结构包括：

第一旋钮121；

第一螺杆41，一端连接所述基座20、另一端连接所述第一旋钮121，所述第一旋钮121用于驱动所述第一螺杆41沿其轴向方向伸缩运动，以调整所述基座20延伸出所述第一表面的所述第一高度。

优选的，所述第一调节结构还包括：

第一套筒122，位于所述第二表面，且部分所述第一螺杆41套设于所述第一套筒122内，所述第一旋钮121位于所述第一套筒122远离所述第二表面的端部，所述第一套筒122表面具有第一刻度，用于显示所述第一螺杆41沿其轴向方向延伸出所述第一套筒122的长度。

举例来说，通过顺时针旋转所述第一旋钮121，驱动所述第一螺杆41沿负Z轴方向运动，伸出所述第一套筒122的长度增大，所述第一螺杆41的运动带动与其连接的所述基座20的运动，使得所述基座20延伸出所述第一梁10的所述第一高度增大。反之，通过逆时针旋转所述第一旋钮121，驱动所述第一螺杆41沿正Z轴方向运动，伸出所述第一套筒122的长度减小，所述第一螺杆41的运动带动与其连接的所述基座20的运动，使得所述基座20延伸出所述第一梁10的所述第一高度减小。

所述第一调节结构还包括位于所述第一套筒122端部的第一止动结构42，用于在调节结束之后，锁定所述第一螺杆41的位置，避免在研磨所述待磨抛试样16的过程中所述第一高度发生改变。

为了进一步提高所述第一调节结构的调节精度，所述第一旋钮121可以包括第一粗调旋钮45和第一微调旋钮46，所述第一套筒122可以包括第一固定套筒43和第一可动套筒44，所述第一可动套筒44位于所述第一固定套筒43与所述第一粗调旋钮45之间，所述第一粗调旋钮45位于所述第一可动套筒44与所述第一微调旋钮46之间。所述第一粗调旋钮45用于对所述第一螺杆41的运动进行粗略调节，所述第一微调旋钮46用于对所述第一螺杆41的运动进行精确调节，即所述第一微调旋钮46的调节精度比所述第一粗调旋钮45的调节精度高。

在具体的调节过程中，可以采用与螺旋测微仪类似的原理来对所述基座20延伸出所述第一梁10的所述第一高度进行调节。例如，所述第一固定套筒43内部具有螺纹，通过所述第一粗调旋钮45或者所述第一微调旋钮46驱动所述第一螺杆41在所述第一固定套筒43内转动一周，所述第一螺杆41沿Z轴方向运动一个螺距的距离，所述第一固定套筒43上的固定刻度与所述第一可动套筒44上的可动刻度之和即为所述第一螺杆41运动的距离，进而确定所述基座20延伸出所述第一梁10的所述第一高度。

优选的，所述磨抛装置还包括：

样品台座15，位于所述第二梁11远离所述第一梁10的端部，用于固定所述待磨抛试样16并调整所述待磨抛试样16沿所述第二方向的水平状态；

第二调节结构，连接所述样品台座15，用于驱动所述样品台座15沿所述第三方向运动并显示所述样品台座15延伸出所述第二梁11的第二高度。

优选的，所述第二梁11包括第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；

在沿所述第三方向上，所述样品台座15自所述第三表面延伸出所述第二梁；

所述第二调节结构自所述第四表面延伸出所述第二梁11。

所述待磨抛试样16沿所述第二方向的水平状态是指，所述待磨抛试样16沿所述第二方向的相对两侧的高度梯度。具体来说，所述第二梁11中具有卡槽13，所述待磨抛试样16通过热熔胶等固定在所述样品台座15之后，将所述样品台座15***所述卡槽13，使得所述样品台座15连接于所述第二梁11的端部。为了避免所述样品台座15在研磨所述待磨抛试样16的过程中发生晃动，所述卡槽13内还设置有一紧固旋钮14，用于限定所述样品台座15在所述卡槽13内的位置。所述第二调节结构的调节精度可以与所述第一调节结构相同，也可以与所述第一调节结构不同，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

图3中G表示所述基座20的底面(即所述基座20背离所述第一梁10的表面)沿Y轴方向上的位置，E、F分别表示所述待磨抛试样16沿Y轴方向上的相对两侧的位置。在研磨初始时刻，通过调节两个所述第一调节结构以及所述第二调节结构，使得G和E在同一直线上，或者G和F在同一直线上。在研磨的过程中，随着所述待磨抛试样16的磨损，需要多次通过所述第一调节结构调整所述基座20沿Z轴方向延伸出所述第一表面的所述第一高度以及所述样品台座15延伸出所述第三表面的所述第二高度，例如不断减小所述第一高度和所述第二高度，直至G、E和F这三点在同一条直线上，则确认所述待磨抛试样16沿Y轴方向的相对两侧已磨抛平整，即所述待磨抛试样16的前后已水平(所述待磨抛试样16沿Y轴方向的相对两侧的高度已研磨至相同)。

本具体实施方式中，根据G、F之间的距离D2、所述待磨抛试样16沿Y轴方向的厚度(即E、F之间的距离)D1，可以对磨抛制样过程中所述待磨抛试样16沿Y轴方向的精度误差e2进行控制，即e2＝β*D1/D2，其中，β表示所述第二调节结构对所述第二高度测量的精度。

举例来说，所述待磨抛试样为3D NAND样品，D2＝6cm，D1＝6μm，当β为0.001mm时，e2＝0.001mm*0.006mm/60mm＝0.1nm；当D2＝6cm，D1＝6μm，β＝0.01mm时，e2＝0.01mm*0.006mm/60mm＝1nm，远远满足制样的要求。

附图5是本发明具体实施方式中第二调节结构的示意图。优选的，如图1-图3、图5所示，所述第二调节结构包括：

第二旋钮171；

第二螺杆51，一端连接所述样品台座15、另一端连接所述第二旋钮171，所述第二旋钮171用于驱动所述第二螺杆51沿其轴向方向伸缩运动，以调整所述样品台座15延伸出所述第三表面的所述第二高度。

优选的，所述第二调节结构还包括：

第二套筒172，位于所述第三表面，且部分所述第二螺杆51套设于所述第二套筒172内，所述第二旋钮171位于所述第二套筒172远离所述第三表面的端部，所述第二套筒172表面具有第二刻度，用于显示所述第二螺杆51沿其轴向方向延伸出所述第二套筒172的长度。

所述第二调节结构还包括位于所述第二套筒172端部的第二止动结构52，用于在调节结束之后，锁定所述第二螺杆51的位置，避免在研磨所述待磨抛试样16的过程中所述第二高度发生改变。

为了进一步提高所述第二调节结构的调节精度，所述第二旋钮171可以包括第二粗调旋钮55和第二微调旋钮56，所述第二套筒172可以包括第二固定套筒53和第二可动套筒54，所述第二可动套筒54位于所述第二固定套筒53与所述第二粗调旋钮55之间，所述第二粗调旋钮55位于所述第二可动套筒54与所述第二微调旋钮56之间。所述第二粗调旋钮55用于对所述第二螺杆51的运动进行粗略调节，所述第二微调旋钮56用于对所述第二螺杆51的运动进行精确调节，即所述第二微调旋钮56的调节精度比所述第二粗调旋钮55的调节精度高。

在具体的调节过程中，可以采用与螺旋测微仪类似的原理来对所述样品台座15延伸出所述第二梁11的所述第二高度进行调节。例如，所述第二固定套筒53内部具有螺纹，通过所述第二粗调旋钮55或者所述第二微调旋钮56驱动所述第二螺杆51在所述第二固定套筒53内转动一周，所述第二螺杆51沿Z轴方向运动一个螺距的距离，所述第二固定套筒53上的固定刻度与所述第二可动套筒54上的可动刻度之和即为所述第二螺杆51运动的距离，进而确定所述样品台座15延伸出所述第二梁11的所述第二高度。

优选的，所述磨抛装置还包括：

水平仪18，位于所述第四表面，用于显示所述第四表面沿所述第二方向的水平状态。

具体来说，在制样过程中，随着研磨的不断进行，所述待磨抛试样16会不断的磨损，图3中所述待磨抛试样16沿Z轴方向延伸出所述样品台座15的高度会不断变化，因此，为了确保研磨工艺的顺利进行，需要采用所述第二调节结构调整所述第二高度，使得G、F连线L1位于水平研磨台上，即最终达到的效果是G、F连线L1与所述第二梁11沿Y轴方向相对两端的连线L2平行。

本具体实施方式通过在所述第二梁11的所述第四表面嵌入一所述水平仪18，根据所述水平仪可以实时检测所述第四表面的水平状态。所述水平仪18可以是带有刻度的气泡水平仪，通过所述气泡水平仪实时监测连线L2的水平变化，并根据监测结果调整所述第二调节结构，以减少频繁移动磨抛装置对所述待磨抛试样16的摩擦损伤。例如当所述第二梁11的端部沿负Z轴方向倾斜时，所述气泡水平仪监测到所述第四表面的水平状态发生偏移，根据该监测结果，用户可以增大所述第二高度，使得所述第四表面恢复水平状态。

本具体实施方式提供的磨抛装置，通过设置第一调节结构，一方面可以实时调节基座延伸出第一梁的第一高度，确保待磨抛试样的抛磨表面在第一方向上的平整度；另一方面，通过所述第一调节结构显示所述基座延伸出所述第一梁的所述第一高度，使得用户可以直观、准确的了解当前基座高度，并能够定量的调整所述基座的高度，从而提高了对待磨抛试样磨抛高度的控制精度，改善了磨抛质量，进而提高了半导体产品的性能。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种磨抛装置，其特征在于，包括：

T型模座，包括沿第一方向延伸的第一梁以及与所述第一梁连接、且沿第二方向延伸的第二梁，所述第一方向垂直于所述第二方向；

基座，位于所述第一梁上，用于调整待磨抛试样沿所述第一方向的水平状态；

第一调节结构，连接所述基座，用于驱动所述基座沿第三方向运动并显示所述基座延伸出所述第一梁的第一高度，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

2.根据权利要求1所述的磨抛装置，其特征在于，所述第一梁包括朝向研磨台的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

所述基座位于所述第一表面，且能够沿所述第三方向延伸出所述第一表面；

所述第一调节结构自所述第二表面延伸出所述第一梁。

3.根据权利要求2所述的磨抛装置，其特征在于，所述第一调节结构包括：第一旋钮；

第一螺杆，一端连接所述基座、另一端连接所述第一旋钮，所述第一旋钮用于驱动所述第一螺杆沿其轴向方向伸缩运动，以调整所述基座延伸出所述第一表面的所述第一高度。

4.根据权利要求3所述的磨抛装置，其特征在于，所述第一调节结构还包括：第一套筒，位于所述第二表面，且部分所述第一螺杆套设于所述第一套筒内，所述第一旋钮位于所述第一套筒远离所述第二表面的端部，所述第一套筒表面具有第一刻度，用于显示所述第一螺杆沿其轴向方向延伸出所述第一套筒的长度。

5.根据权利要求1所述的磨抛装置，其特征在于，所述第二梁与所述第一梁的中部连接；

所述基座的数量为两个，且两个所述基座关于所述第二梁对称分布；

所述第一调节结构的数量为两个，且两个所述第一调节结构与两个所述基座一一对应连接。

6.根据权利要求5所述的磨抛装置，其特征在于，还包括：

样品台座，位于所述第二梁远离所述第一梁的端部，用于固定所述待磨抛试样并调整所述待磨抛试样沿所述第二方向的水平状态；

第二调节结构，连接所述样品台座，用于驱动所述样品台座沿所述第三方向运动并显示所述样品台座延伸出所述第二梁的第二高度。

7.根据权利要求6所述的磨抛装置，其特征在于，所述第二梁包括第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；

在沿所述第三方向上，所述样品台座自所述第三表面延伸出所述第二梁；

所述第二调节结构自所述第四表面延伸出所述第二梁。

8.根据权利要求7所述的磨抛装置，其特征在于，所述第二调节结构包括：第二旋钮；

第二螺杆，一端连接所述样品台座、另一端连接所述第二旋钮，所述第二旋钮用于驱动所述第二螺杆沿其轴向方向伸缩运动，以调整所述样品台座延伸出所述第三表面的所述第二高度。

9.根据权利要求8所述的磨抛装置，其特征在于，所述第二调节结构还包括：第二套筒，位于所述第三表面，且部分所述第二螺杆套设于所述第二套筒内，所述第二旋钮位于所述第二套筒远离所述第三表面的端部，所述第二套筒表面具有第二刻度，用于显示所述第二螺杆沿其轴向方向延伸出所述第二套筒的长度。

10.根据权利要求7所述的磨抛装置，其特征在于，还包括：

水平仪，位于所述第四表面，用于显示所述第四表面沿所述第二方向的水平状态。