CN110531298B - 特高频局部放电传感器性能改进检测方法及*** - Google Patents
特高频局部放电传感器性能改进检测方法及*** Download PDFInfo
- Publication number
- CN110531298B CN110531298B CN201910917410.5A CN201910917410A CN110531298B CN 110531298 B CN110531298 B CN 110531298B CN 201910917410 A CN201910917410 A CN 201910917410A CN 110531298 B CN110531298 B CN 110531298B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- response
- pulse
- voltage
- sensor
- pulse signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 88
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 67
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 5
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Abstract
本发明涉及电气设备绝缘状态监测技术领域，更具体地说，涉及特高频局部放电传感器性能改进检测方法及***，所述***包括：特高频脉冲发生器，用于发出多次相同控制参数的预定脉冲信号；射频耦合器，用于将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；吉赫横电磁波传输室，用于根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；超高速信号采集装置，用于同时获取吉赫横电磁波传输室中根据各激励电场产生的响应信号，以及射频耦合器耦合端的耦合脉冲信号。本发明能减小最终测量结果的偏差。
Description
技术领域
本发明涉及电气设备绝缘状态监测技术领域，更具体地说，涉及特高频局部放电传感器性能改进检测方法及***。
背景技术
传感器的性能灵敏度对于整个局部放电特高频***来说是尤为重要的，传统的天线标定方法是针对规则的天线模型提出的，并且对于标定设备的要求较高，造价昂贵。局部放电特高频天线由于其应用场合的特殊性，造成其外形和性能要求与传统的天线有明显的差别，并且传统的标定方法对于天线性能检测也不适合于特高频天线。
英国Strythclyde大学的M.D.Judd首先提出了利用TEM传输线产生近似于GIS中传感器受到的电场，通过对传感器安装位置的处理，使其尽量接近真实GIS腔体的环境，并提出了传感器的灵敏度定义。日本的Shinnobu Ishigami同样也利用了TEM波导对电场传感器进行了标定。M.D.Judd在总结之前经验的基础上，对传统的TEM传输线做了改进，去掉了原来的TEM终端匹配的要求，简化了测量***的结构，使其工作频率延至数GHz，即GTEM标定。目前采用GTEM小室(吉赫横电磁波传输室)作为检测局部放电特高频传感器性能是国际通用的方法。
但是，基于脉冲激励GTEM小室法的局部放电特高频传感器检验比对过程包括两个必不可少的步骤，即分别测量脉冲激励下的参考传感器和被试传感器响应，由于ps级上升沿脉冲源的不稳定性和高速暂态过程中分布参数的变化，极易造成输入GTEM小室的电压脉冲幅度波动和波形变化。
在现有技术中进行特高频局部放电传感器性能检测时，将两次特高频脉冲发生器激励电压波形视为相同波形，但是由于特高频脉冲发生电路分布参数的影响，实际按照相同参数控制产生的脉冲波形会在控制参数上产生微小的不同，因此参考单极天线和被测局部放电特高频传感器两次被激励时GTEM小室内的电场波形也是不同的，对最终测量结果某些频率点会造成较大的偏差。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供特高频局部放电传感器性能改进检测方法及***，其能减小最终测量结果的偏差。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一方面，构造特高频局部放电传感器性能改进检测方法，包括：
步骤a、将标准探针放置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤b、特高频脉冲发生器发出多次相同控制参数的预定脉冲信号；
步骤c、射频耦合器将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；
步骤d、吉赫横电磁波传输室根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；
步骤e、超高速信号采集装置同时获取标准探针根据各激励电场产生的响应信号，以及对应耦合脉冲信号；
步骤f、将被试传感器分置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤g、重复步骤b～d；
步骤h、超高速信号采集装置同时获取被试传感器根据激励电场产生的响应信号，以及对应耦合脉冲信号；
步骤i、根据标准探针的响应高度、标准探针的各响应信号和对应耦合脉冲信号，以及被试传感器的各响应信号和对应耦合脉冲信号，得到被试传感器的等效响应高度。
进一步地，步骤e中，标准探针的响应信号为标准探针的响应电压vmr(t)，对应耦合脉冲信号为同一预定脉冲信号产生的射频耦合器耦合端发送的耦合脉冲电压vrg(t)；
步骤h中，被试传感器的响应信号为被试传感器的响应电压vms(t)，对应耦合脉冲信号为同一预定脉冲信号产生的射频耦合器耦合端发送的耦合脉冲电压vsg(t)。
在上述技术方案中，所述方法还包括：
步骤o、确定标准探针的响应高度。
进一步地，所述步骤o，具体包括：
步骤o1、将标准探针放置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤o2、以多个不同频率的预设连续波激励吉赫横电磁波传输室；
步骤o3、同时测量标准探针所在位置的电场Er(f)和标准探针的激励电压Vr(f)；
步骤o4、根据公式(1)：
求得标准探针的响应高度Href(f)。
在上述技术方案中，所述步骤i，具体包括：
将标准探针的响应电压vmr(t)和被试传感器的响应电压vms(t)分别进行快速傅里叶变换，得到标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)；
在标准探针对应的各耦合脉冲电压vrg(t)和被试传感器对应的各耦合脉冲电压vsg(t)中，选取具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)；
根据具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)，以及标准探针的响应高度Href(f)，得到被试传感器的等效响应高度。
进一步地，被试传感器的等效响应高度Hsense(f)的计算公式为：
公式(2)中，，Vmr(f)和Vms(f)分别为具有预设波形相似度的vrg(t)和vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压和被试传感器变换后的响应电压。
优选地，所述具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)指的是相关系数为预定相关系数的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)。
进一步地，根据公式(3)：
求得相关系数ρ。
更进一步地，所述相关系数ρ的取值范围为0.95～1。
另一方面，构造特高频局部放电传感器性能改进检测***，包括：
特高频脉冲发生器，用于发出多次相同控制参数的预定脉冲信号；
射频耦合器，用于将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；
吉赫横电磁波传输室，用于根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；
超高速信号采集装置，用于同时获取吉赫横电磁波传输室中根据各激励电场产生的响应信号，以及射频耦合器耦合端的耦合脉冲信号；
所述特高频脉冲发生器与射频耦合器输入端相连；
所述射频耦合器的输出端与吉赫横电磁波传输室输入端相连；
所述超高速信号采集装置分别与射频耦合器的耦合端和吉赫横电磁波传输室的安装窗口相连。
实施本发明，具有以下有益效果：
对现有技术中进行特高频局部放电传感器性能检测进行了改进，使用了射频耦合器，这样就使得特高频脉冲发生器发出的脉冲信号是可测的。因此，可以对两次特高频脉冲发生器脉冲信号波形进行监测，使得在计算最终测量结果的过程中可以有选择性的选取数据，从而使减小最终测量结果的偏差。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明***的结构示意图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
实施例1：
如图1所示，本发明所述的特高频局部放电传感器性能改进检测***，包括：
特高频脉冲发生器1，用于发出多次相同控制参数的预定脉冲信号；
射频耦合器2，用于将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；
吉赫横电磁波传输室3，用于根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；
超高速信号采集装置4，用于同时获取吉赫横电磁波传输室中根据各激励电场产生的响应信号，以及射频耦合器耦合端的耦合脉冲信号；
所述特高频脉冲发生器1与射频耦合器2输入端相连；
所述射频耦合器2的输出端与吉赫横电磁波传输室3输入端相连；
所述超高速信号采集装置4分别与射频耦合器2的耦合端和吉赫横电磁波传输室3的安装窗口相连。
在本实施例中，特高频脉冲发生器1发出的每次预定脉冲信号，其控制参数都相同，所述控制参数包括：幅值和波形。
在图1中，GTEM3中的圆圈代表安装窗口，图1中只标注了被试传感器的安装位置，实际上，标准探针也是位于图1中被试传感器相同的位置。
本发明所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，包括：
步骤a、将标准探针放置于吉赫横电磁波传输室(GTEM)3的测量位置；
步骤b、特高频脉冲发生器1发出多次峰值为20V、上升沿为300ps、时长为5ns的预定脉冲信号；
针对每次预定脉冲信号：
步骤c、射频耦合器2将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；所述射频耦合器2为超宽带射频耦合器；射频耦合器2的输出端发送输出脉冲信号，耦合端发送耦合脉冲信号；耦合脉冲信号与输出脉冲信号的比值为n；所以耦合脉冲电压与输出脉冲电压的比值也是n。
步骤d、GTEM3根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；
步骤e、超高速信号采集装置4同时获取标准探针根据各激励电场产生的响应电压vmr(t)，以及同一预定脉冲信号产生的耦合脉冲电压vrg(t)；
步骤f、将被试传感器分置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤g、重复步骤b～d；
步骤h、超高速信号采集装置同时获取被试传感器根据激励电场产生的响应电压vms(t)，以及对应耦合脉冲电压vsg(t)；
步骤i、根据标准探针的响应高度、标准探针的各响应电压vmr(t)和对应耦合脉冲电压vrg(t)，以及被试传感器的各响应电压vms(t)和对应耦合脉冲电压vsg(t)，得到被试传感器的等效响应高度。
在本实施例中，步骤a～e是用于获取标准探针根据对应激励电场产生的响应电压vmr(t)，以及产生对应激励电场的耦合脉冲电压vrg(t)。步骤f～h是用于获取被试传感器根据对应激励电场产生的响应电压vmr(t)，以及产生对应激励电场的耦合脉冲电压vsg(t)。由于特高频脉冲发生器1针对标准探针和被试传感器发出的每次脉冲信号都是峰值为20V、上升沿为300ps、时长为5ns，原则上是两组相同的脉冲信号。但是实际上，即使控制参数相同，特高频脉冲发生器1发送的两次脉冲信号在幅值和波形上也会有微小的差距。
超高速信号采集装置4的基本要求为：采集信号模拟带宽不小于3GHz，实时采样率不低于每秒10G采样点，采集通道数不低于2个。在本实施例中，超高速信号采集装置4采用高速示波器，其模拟带宽4GHz，实时采样率每秒40G采样点，2采样通道。
所述方法还包括：
步骤o、确定标准探针的响应高度；具体地：
步骤o1、将标准探针放置于GTEM3内；
步骤o2、以多个频率在100MHz～2GHz、步进10MHz的连续正弦波电压激励GTEM3；
步骤o3、同时测量标准探针所在位置的电场Er(f)和标准探针的激励电压Vr(f)；
步骤o4、根据公式(1)：
求得标准探针的响应高度Href(f)。
在本实施例中，需要单独的将标准探针放入GTEM3中，求得标准探针的响应高度Href(f)，然后再计算被试传感器的等效响应高度。
所述步骤i，具体地：
将标准探针的响应电压vmr(t)和被试传感器的响应电压vms(t)分别进行快速傅里叶变换，得到标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)；
在标准探针对应的各耦合脉冲电压vrg(t)和被试传感器对应的各耦合脉冲电压vsg(t)中，选取其相关系数ρ大于0.97的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)；
根据相关系数ρ大于0.97的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)，以及标准探针的响应高度Href(f)，得到被试传感器的等效响应高度Hsense(f)：
公式(2)中，Vmr(f)和Vms(f)分别为具有预设波形相似度的vrg(t)和vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压和被试传感器变换后的响应电压。
所述具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)指的是相关系数为预定相关系数的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)。
在本实施例中，找具有预设波形相似度的vrg(t)和vsg(t)，其实就是寻找波形相似度高的vrg(t)和vsg(t)。找两个相似度高波形，在本领域中具有多种方法，在此不赘述。
相关系数ρ的计算公式为：
在本实施例中，由于高频脉冲发生器1发送的两组(每组多次)脉冲信号在控制参数上也会有微小的差距。由于射频耦合器2的设置，使得超高速信号采集装置4能够同时测量射频耦合器2耦合端的耦合脉冲电压和GTEM3安装窗口中的标准探针或被试传感器的响应电压。再根据射频耦合器2的分配比例n，可以计算得到分别进入GTEM3的输出脉冲电压vrg(t)和vsg(t)；由于输出脉冲电压vrg(t)和vsg(t)是可知的，又要尽量保证vrg(t)和vsg(t)完全相同，所以在本实施例中，选用相关系数ρ大于0.97的vrg(t)和vsg(t)进行被试传感器的等效响应高度Hsense(f)的计算。
实施例2：
在原理上，其实是需要寻找具有预定波形相似度的标准探针对应的输出脉冲电压和被试传感器对应的输出脉冲电压。因为输出脉冲电压是用于激励GTEM3，但是在实际测量中，激励电压(输出脉冲电压)不容易测量，而由于超宽带射频耦合器使耦合脉冲电压与输出脉冲电压的比值是n，所以为例实验测量方便，本实施例采用直接寻找具有预设波形相似度的vrg(t)和vsg(t)。
如果采用寻找具有预定波形相似度的标准探针对应的输出脉冲电压和被试传感器对应的输出脉冲电压，则针对某次预定脉冲信号：
在实施例1的步骤i，之前还包括：
根据射频耦合器2的分配比例和标准探针对应的耦合脉冲电压vrg(t)，计算得到该预定脉冲信号产生的射频耦合器2输出端发送的输出脉冲电压v’rg(t)；
根据射频耦合器2的分配比例和被试传感器对应的耦合脉冲电压vsg(t)，计算得到该预定脉冲信号产生的射频耦合器2输出端发送的输出脉冲电压v’sg(t)；
根据标准探针的响应高度、标准探针的响应电压vmr(t)和对应输出脉冲电压v’rg(t)，以及被试传感器的响应电压vms(t)和对应输出脉冲电压v’sg(t)，计算被试传感器的等效响应高度；
然后，计算传感器的等效响应高度的其余步骤和实施例1完全相同，只是将实施例1中的所有耦合脉冲电压vrg(t)更换为输出脉冲电压v’rg(t)；将实施例1中的所有耦合脉冲电压vsg(t)更换为输出脉冲电压v’sg(t)。
在本发明中，对现有技术中进行特高频局部放电传感器性能检测进行了改进，使用了射频耦合器，这样就使得特高频脉冲发生器发出的脉冲信号是可测的。因此，可以对两次特高频脉冲发生器脉冲信号波形进行监测，使得在计算最终测量结果的过程中可以有选择性的选取数据，从而使减小最终测量结果的偏差。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (9)
1.一种特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，包括：
步骤a、将标准探针放置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤b、特高频脉冲发生器发出多次相同控制参数的预定脉冲信号；
步骤c、射频耦合器将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；
步骤d、吉赫横电磁波传输室根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；
步骤e、超高速信号采集装置同时获取标准探针根据各激励电场产生的响应信号，以及对应耦合脉冲信号；
步骤f、将被试传感器分置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤g、重复步骤b～d；
步骤h、超高速信号采集装置同时获取被试传感器根据激励电场产生的响应信号，以及对应耦合脉冲信号；
步骤i、根据标准探针的响应高度、标准探针的各响应信号和对应耦合脉冲信号，以及被试传感器的各响应信号和对应耦合脉冲信号，得到被试传感器的等效响应高度；
所述步骤i，具体包括：
将标准探针的响应电压vmr(t)和被试传感器的响应电压vms(t)分别进行快速傅里叶变换，得到标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)；
在标准探针对应的各耦合脉冲电压vrg(t)和被试传感器对应的各耦合脉冲电压vsg(t)中，选取具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)；
根据具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)，以及标准探针的响应高度Href(f)，得到被试传感器的等效响应高度。
2.根据权利要求1所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，步骤e中，标准探针的响应信号为标准探针的响应电压vmr(t)，对应耦合脉冲信号为同一预定脉冲信号产生的射频耦合器耦合端发送的耦合脉冲电压vrg(t)；
步骤h中，被试传感器的响应信号为被试传感器的响应电压vms(t)，对应耦合脉冲信号为同一预定脉冲信号产生的射频耦合器耦合端发送的耦合脉冲电压vsg(t)。
3.根据权利要求2所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤o、确定标准探针的响应高度。
4.根据权利要求3所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，所述步骤o，具体包括：
步骤o1、将标准探针放置于吉赫横电磁波传输室测量位置；
步骤o2、以多个不同频率的预设连续波激励吉赫横电磁波传输室；
步骤o3、同时测量标准探针所在位置的电场Er(f)和标准探针的激励电压Vr(f)；
步骤o4、根据公式(1)：
求得标准探针的响应高度Href(f)。
5.根据权利要求1所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，被试传感器的等效响应高度Hsense(f)的计算公式为：
公式(2)中，Vmr(f)和Vms(f)分别为具有预设波形相似度的vrg(t)和vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压和被试传感器变换后的响应电压。
6.根据权利要求5所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，所述具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)指的是相关系数为预定相关系数的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)。
7.根据权利要求6所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，根据公式(3)：
求得相关系数ρ。
8.根据权利要求7所述的特高频局部放电传感器性能改进检测方法，其特征在于，所述相关系数ρ的取值范围为0.95～1。
9.一种特高频局部放电传感器性能改进检测***，其特征在于，包括：
特高频脉冲发生器(1)，用于发出多次相同控制参数的预定脉冲信号；
射频耦合器(2)，用于将当前预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；
吉赫横电磁波传输室(3)，用于根据当前输出脉冲信号产生对应的激励电场；
超高速信号采集装置(4)，用于同时获取吉赫横电磁波传输室中根据各激励电场产生的响应信号，以及射频耦合器耦合端的耦合脉冲信号；
所述特高频脉冲发生器(1)与射频耦合器(2)输入端相连；
所述射频耦合器(2)的输出端与吉赫横电磁波传输室(3)输入端相连；
所述超高速信号采集装置(4)分别与射频耦合器(2)的耦合端和吉赫横电磁波传输室(3)的安装窗口相连；
所述吉赫横电磁波传输室(3)的测量位置上设置有被试传感器；
所述超高速信号采集装置(4)同时获取被试传感器根据激励电场产生的响应信号，以及对应耦合脉冲信号；
所述被试传感器的等效响应高度通过如下方式获取：
将标准探针的响应电压vmr(t)和被试传感器的响应电压vms(t)分别进行快速傅里叶变换，得到标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)；
在标准探针对应的各耦合脉冲电压vrg(t)和被试传感器对应的各耦合脉冲电压vsg(t)中，选取具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)；
根据具有预定波形相似度的脉冲电压vrg(t)和脉冲电压vsg(t)分别对应的标准探针变换后的响应电压Vmr(f)和被试传感器变换后的响应电压Vms(f)，以及标准探针的响应高度Href(f)，得到被试传感器的等效响应高度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910917410.5A CN110531298B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 特高频局部放电传感器性能改进检测方法及*** |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910917410.5A CN110531298B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 特高频局部放电传感器性能改进检测方法及*** |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110531298A CN110531298A (zh) | 2019-12-03 |
| CN110531298B true CN110531298B (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=68670417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910917410.5A Active CN110531298B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 特高频局部放电传感器性能改进检测方法及*** |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110531298B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114002636B (zh) * | 2021-11-15 | 2023-10-17 | 国网江苏省电力有限公司宿迁供电分公司 | 一种宽带电磁传感器动态范围自动标定装置及标定方法 |
| CN114325276A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-04-12 | 国网江西省电力有限公司电力科学研究院 | 一种局部放电检测装置模式识别自动校验方法及*** |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102866375A (zh) * | 2012-09-07 | 2013-01-09 | 广东电网公司电力科学研究院 | 一种局部放电特高频检测设备接收性能的标定***及方法 |
| CN202854315U (zh) * | 2012-09-07 | 2013-04-03 | 广东电网公司电力科学研究院 | 一种局部放电特高频检测设备接收性能的标定*** |
| CN105093147A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | 中国人民解放军63973部队 | 一种电磁脉冲电场探头时域校准方法 |
| CN106842092A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-06-13 | 国网北京市电力公司 | 局部放电带电检测装置中传感器频响特性标定方法和装置 |
| CN107462853A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-12-12 | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种特高频局部放电检测***的标定方法 |
| CN207232368U (zh) * | 2017-08-21 | 2018-04-13 | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种变压器局部放电特高频传感器有效高度的检验电路 |
| CN109239466A (zh) * | 2018-06-15 | 2019-01-18 | 北京理工大学 | 一种基于经典鬼成像的网络测试*** |
| CN110261673A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-09-20 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于电压、电流双脉冲信号的虚拟脉冲功率测量***及方法 |
-
2019
- 2019-09-26 CN CN201910917410.5A patent/CN110531298B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102866375A (zh) * | 2012-09-07 | 2013-01-09 | 广东电网公司电力科学研究院 | 一种局部放电特高频检测设备接收性能的标定***及方法 |
| CN202854315U (zh) * | 2012-09-07 | 2013-04-03 | 广东电网公司电力科学研究院 | 一种局部放电特高频检测设备接收性能的标定*** |
| CN105093147A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | 中国人民解放军63973部队 | 一种电磁脉冲电场探头时域校准方法 |
| CN106842092A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-06-13 | 国网北京市电力公司 | 局部放电带电检测装置中传感器频响特性标定方法和装置 |
| CN107462853A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-12-12 | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种特高频局部放电检测***的标定方法 |
| CN207232368U (zh) * | 2017-08-21 | 2018-04-13 | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种变压器局部放电特高频传感器有效高度的检验电路 |
| CN109239466A (zh) * | 2018-06-15 | 2019-01-18 | 北京理工大学 | 一种基于经典鬼成像的网络测试*** |
| CN110261673A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-09-20 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于电压、电流双脉冲信号的虚拟脉冲功率测量***及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110531298A (zh) | 2019-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110531298B (zh) | 特高频局部放电传感器性能改进检测方法及*** | |
| CN104777443B (zh) | 一种局部放电特高频传感器的性能测试装置与测试方法 | |
| KR20140120331A (ko) | 부분 방전의 분석 및 위치파악 시스템 | |
| CN103217658A (zh) | 基于gtem的局部放电特高频检测装置的标定评价***及方法 | |
| Karthik et al. | EMI developed test methodologies for short duration noises | |
| CN110471019B (zh) | 特高频局部放电传感器性能检测方法及*** | |
| CN105425014A (zh) | 板级射频电流的时域测量、测量校准及校准验证*** | |
| Gautschi et al. | Calibration of UHF sensors for GIS: Comparison of different methods and testing of a calibration system based on a conical antenna | |
| Hamdani et al. | Application of ultra-wideband double layer printed antenna for partial discharge detection | |
| CN102608425A (zh) | 一种宽频阻抗测量***及宽频阻抗测量方法 | |
| Song et al. | Research on time-domain transfer impedance measurement technology for high frequency current transformers in partial discharge detection of cables | |
| Karnas et al. | Calibration of electric field antennae operating in the ELF-MF frequency range at the lightning research station in Rzeszow | |
| CN111239557B (zh) | 基于在线校准的局部放电定位方法 | |
| CN108333486A (zh) | 基于标准传感器的超高频局部放电监测装置的校准方法 | |
| CN113804987A (zh) | 一种基于余数差特征值的光学欠采样多频频率计算方法 | |
| Stone et al. | A review of the history of the development of partial discharge testing | |
| Malek et al. | Low cost transient earth voltage probe for partial discharge detection | |
| CN219533375U (zh) | 一种用于微波传感器标定的超宽带脉冲辐射装置 | |
| Gataullin | Development of method for high-voltage electrical equipment insulators monitoring in UHF range of electromagnetic radiation | |
| CN217741725U (zh) | 一种小型化线缆及射频端口测量装置 | |
| Wang et al. | Review of the Calibration for Partial Discharge Detectors by Electromagnetic and Acoustic Methods | |
| Hanai et al. | Technique for discriminating the type of PD in SF 6 gas using the UHF method and the PD current with a metallic particle | |
| CN108508388A (zh) | 一种超高频法局部放电测量校准方法 | |
| Kichouliya et al. | Characterization of Derivative Sensor Without Using Transient Source | |
| Wang et al. | Research on Effective Time with Mode Stirred Operation in Reverberation Chamber |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |