CN110517719A - 一种动态NandFlash危险块筛选的方法 - Google Patents

一种动态NandFlash危险块筛选的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110517719A
CN110517719A CN201910794154.5A CN201910794154A CN110517719A CN 110517719 A CN110517719 A CN 110517719A CN 201910794154 A CN201910794154 A CN 201910794154A CN 110517719 A CN110517719 A CN 110517719A
Authority
CN
China
Prior art keywords
block
error bit
threshold value
dangerous
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910794154.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张明
魏智汎
王展南
曾瑞华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201910794154.5A priority Critical patent/CN110517719A/zh
Priority to PCT/CN2019/105122 priority patent/WO2021035803A1/zh
Publication of CN110517719A publication Critical patent/CN110517719A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0619—Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38—Response verification devices
    • G11C29/42—Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明公开了一种动态NandFlash危险块筛选的方法，将在默认电压下出现ECC Fail的块中的页使用所有的可读取电压，并看是否有电压能将页的Error Bit降到阈值以下，若使用所有可读取电压读出的Error Bit都大于阈值T，则将这个块标记为危险块，若有一个读取电压读出的Error Bit不大于阈值T，则认为这个块是正常的，该发明可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块，用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。

Description

一种动态NandFlash危险块筛选的方法
技术领域
本发明涉及数据存储技术领域，具体为一种动态NandFlash危险块筛选的方法。
背景技术
NandFlash可以在无电源的情况下仍然保持电荷，存储方式基于浮栅(FloatingGate)的技术，在栅极(控制栅)与漏极之间存在浮置栅，用于存储数据。
数据在NandFlash中的存储是以电荷形式存储的，栅极及主板利用氧化膜进行绝缘处理，所以可以使电荷存储很长时间，但是如果氧化膜存在缺陷或者遭到破坏，那么数据就会收到破坏。
由于制作工艺或者硬件电气特性的影响，存储在NandFlash存储器中的数据位会发生反转。当前使用NandFlash的产品中，都会通过解码模块对Nand进行解码，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，可能就会产生数据丢失。
所以在读取数据时容易发生ECC Fail，所以我们要提前监测出比较危险的块(Dangerous Block)，防止在某次读取数据时直接丢失数据，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种动态NandFlash危险块筛选的方法，在Nand的使用过程中通过读写辨别出危险块的存在，基于该筛选的结果，NandFlash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，规避使用危险块带来的影响，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种动态NandFlash危险块筛选的方法，包括以下步骤：
步骤一：在NandFlash使用过程中使用默认电压出现ECC Fail；
步骤二：使用厂商提供的读取电压表，并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的Error Bit，如果在每个读取电压表的条件下Error Bit都大于阈值T，那么就把这个块标为危险块；
步骤三：只要块中有一个页经过所有的读取电压表的Error Bit都大于阈值T，就说明该块为危险块，进行标注，并进行下一个块的筛选；
步骤四：若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把Error Bit降低到阈值T以下则认为是正常的块。
优选的，所述步骤一中ECC Fail为发生数据丢失。
优选的，所述步骤二中Error Bit为错误位。
优选的，所述步骤二中Error Bit阈值T根据ECC纠错能力设置，所述Error Bit阈值T为解码极限的85%。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明充分考虑了环境温度、磨损次数、Endurance、Error Bit阈值等因素影响，可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块。用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。
附图说明
图1为本发明流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种动态NandFlash危险块筛选的方法，包括以下步骤：
步骤一：在NandFlash使用过程中使用默认电压出现ECC Fail；
步骤二：使用厂商提供的读取电压表，并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的Error Bit，如果在每个读取电压表的条件下Error Bit都大于阈值T，那么就把这个块标为危险块；
步骤三：只要块中有一个页经过所有的读取电压表的Error Bit都大于阈值T，就说明该块为危险块，进行标注，并进行下一个块的筛选；
步骤四：若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把Error Bit降低到阈值T以下则认为是正常的块。
在任何使用Nand的存储设备使用过程中，都会在默认电压下发生数据丢失。在默认电压下出现ECC Fail的条件下，可以启动危险块标记。将在默认电压下出现ECC Fail的块（Block）中的页（Page）使用所有的可读取电压，并看是否有电压能将Page的Error Bit降到阈值以下。若使用所有可读取电压（Retry Table）读出的Error Bit都大于阈值T，则将这个块（Block）标记为危险块。若有一个读取电压读出的Error Bit不大于阈值T，则认为这个块（Block）是正常的。
以下实施例用若干个U盘进行测试。
实施例一：
采用第一个U盘进行测试，该U盘容量为2gb，该U盘的Error Bit的阈值为140，在默认电压下其中一个块中的页出现了ECC Fail，随后电压将Page的Error Bit降到120，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，然后另一个块中的页也出现了ECC Fail，随后电压将Page的Error Bit降到95，即判断该块为正常的块，继续测试，第三次另一个块中的页出现了ECC Fail，随后电压将Page的Error Bit降到80，即判断该块为正常的块，继续测试，结束前未出现ECC Fail，完成测试。
本实施例在测试过程中出现了三次ECC Fail，随后通过电压将Error Bit均降到阈值140以下，均判断为正常的块。
实施例二：
采用第二个U盘进行测试，该U盘容量为2gb，该U盘的Error Bit的阈值为140，在默认电压下其中一个块中的页出现了ECC Fail，随后电压将Page的Error Bit降到85，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，然后另一个块中的页也出现了ECC Fail，随后电压将Page的Error Bit降到170，即判断该块为危险块，显示为红色并进行标记，继续测试，在默认电压下其中一个块中的页出现了ECC Fail，随后电压将Page的Error Bit降到130，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，在默认电压下其中一个块中的页出现了ECCFail，电压将Page的Error Bit降到110，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，在默认电压下其中一个块中的页出现了ECC Fail，电压将Page的Error Bit降到150，即判断该块为危险块，显示为红色并进行标记，继续测试，结束前未出现ECC Fail。
本实施例在测试过程中出现了五次ECC Fail，其中有三次通过电压将Error Bit均降到阈值140以下，这三次均判断为正常的块，其中有两次通过电压未将Error Bit均降到阈值140以下，这两次均判断为危险块，并进行了标记。
本发明充分考虑了环境温度、磨损次数、Endurance、Error Bit阈值等因素影响，可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块，用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种动态NandFlash危险块筛选的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：在NandFlash使用过程中使用默认电压出现ECC Fail；
步骤二：使用厂商提供的读取电压表，并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的Error Bit，如果在每个读取电压表的条件下Error Bit都大于阈值T，那么就把这个块标为危险块；
步骤三：只要块中有一个页经过所有的读取电压表的Error Bit都大于阈值T，就说明该块为危险块，进行标注，并进行下一个块的筛选；
步骤四：若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把Error Bit降低到阈值T以下则认为是正常的块。
2.根据权利要求1所述的一种动态NandFlash危险块筛选的方法，其特征在于：所述步骤一中ECC Fail为发生数据丢失。
3.根据权利要求1所述的一种动态NandFlash危险块筛选的方法，其特征在于：所述步骤二中Error Bit为错误位。
4.根据权利要求1所述的一种动态NandFlash危险块筛选的方法，其特征在于：所述步骤二中Error Bit阈值T根据ECC纠错能力设置，所述Error Bit阈值T为解码极限的85%。
CN201910794154.5A 2019-08-27 2019-08-27 一种动态NandFlash危险块筛选的方法 Pending CN110517719A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910794154.5A CN110517719A (zh) 2019-08-27 2019-08-27 一种动态NandFlash危险块筛选的方法
PCT/CN2019/105122 WO2021035803A1 (zh) 2019-08-27 2019-09-10 一种动态NandFlash危险块筛选的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910794154.5A CN110517719A (zh) 2019-08-27 2019-08-27 一种动态NandFlash危险块筛选的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110517719A true CN110517719A (zh) 2019-11-29

Family

ID=68628031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910794154.5A Pending CN110517719A (zh) 2019-08-27 2019-08-27 一种动态NandFlash危险块筛选的方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110517719A (zh)
WO (1) WO2021035803A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140068377A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 SK Hynix Inc. Semiconductor memory device and method of operating the same
CN106981314A (zh) * 2017-03-10 2017-07-25 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘快速纠错的方法
CN107240411A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 爱思开海力士有限公司 存储***及其操作方法
US20180107540A1 (en) * 2016-10-18 2018-04-19 SK Hynix Inc. Data storage apparatus and operation method thereof
US20180268919A1 (en) * 2017-03-20 2018-09-20 SK Hynix Inc. Data storage device and operating method thereof
CN109271275A (zh) * 2018-09-06 2019-01-25 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘中的坏块的标记方法、装置、设备及介质

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7567472B2 (en) * 2006-04-12 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Memory block testing
CN100477009C (zh) * 2006-10-19 2009-04-08 骆建军 一种nand flash存储器件
CN102789813B (zh) * 2012-06-20 2015-03-18 深圳市江波龙电子有限公司 一种控制存储设备内非最低有效位页使用的方法及装置
CN105630701B (zh) * 2015-05-29 2018-09-14 上海磁宇信息科技有限公司 数据存储装置及使用不可用页表或不可用块表的读写方法
CN106776109B (zh) * 2016-12-26 2020-01-24 湖南国科微电子股份有限公司 固态硬盘读错误检测装置及读不可纠错误原因的检测方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140068377A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 SK Hynix Inc. Semiconductor memory device and method of operating the same
CN107240411A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 爱思开海力士有限公司 存储***及其操作方法
US20180107540A1 (en) * 2016-10-18 2018-04-19 SK Hynix Inc. Data storage apparatus and operation method thereof
US10248501B2 (en) * 2016-10-18 2019-04-02 SK Hynix Inc. Data storage apparatus and operation method thereof
CN106981314A (zh) * 2017-03-10 2017-07-25 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘快速纠错的方法
US20180268919A1 (en) * 2017-03-20 2018-09-20 SK Hynix Inc. Data storage device and operating method thereof
CN109271275A (zh) * 2018-09-06 2019-01-25 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘中的坏块的标记方法、装置、设备及介质

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021035803A1 (zh) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106981315B (zh) 一种固态硬盘坏块识别的方法
US10521292B2 (en) Error correction code unit, self-test method and associated controller applied to flash memory device for generating soft information
CN110148435B (zh) 一种闪存颗粒筛选分级方法
CN107247636B (zh) 一种固态硬盘中数据重建优化的方法及装置
EP3201776B1 (en) Short detection and inversion
US20140164873A1 (en) Techniques For Storing Bits in Memory Cells Having Stuck-at Faults
CN112596672B (zh) 主控芯片的存储处理方法及装置、处理器和电子设备
CN106205731B (zh) 信息处理方法及存储设备
TW201626398A (zh) 測試及識別記憶體裝置之系統及方法
CN102135925A (zh) 用于检测错误检查和纠正内存的方法和装置
CN106844166B (zh) 一种数据处理方法及装置
CN111078151A (zh) 固态硬盘数据重读方法、装置和固态硬盘
CN110517719A (zh) 一种动态NandFlash危险块筛选的方法
CN108121616A (zh) 存储器电路、多端口存储器电路及其操作方法
US9952775B2 (en) Unusable column mapping in flash memory devices
CN116705138B (zh) 固态硬盘的测试方法及存储介质
CN105004957A (zh) 一种sd卡测试方法和测试设备
JP2010108029A (ja) 不揮発性メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システム
CN116612803A (zh) 一种闪存的测试方法、***、装置及存储介质
CN109375869A (zh) 实现数据可靠读写的方法以及***、存储介质
CN110597674B (zh) 一种存储器检测方法、装置、录像***及存储介质
CN114047879A (zh) 固态硬盘的数据存储方法、固态硬盘及终端设备
CN110908826B (zh) 数据处理方法及相关产品
CN109710445B (zh) 内存校正方法和电子设备
CN102841836A (zh) 测试方法以及可编程处理器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20191129

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication