CN110491759A - 一种等离子体刻蚀*** - Google Patents

一种等离子体刻蚀*** Download PDF

Info

Publication number
CN110491759A
CN110491759A CN201910772838.5A CN201910772838A CN110491759A CN 110491759 A CN110491759 A CN 110491759A CN 201910772838 A CN201910772838 A CN 201910772838A CN 110491759 A CN110491759 A CN 110491759A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio
coil
electrode
frequency power
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910772838.5A
Other languages
English (en)
Inventor
刘海洋
胡冬冬
李娜
刘小波
程实然
郭颂
吴志浩
许开东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd filed Critical Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd
Priority to CN201910772838.5A priority Critical patent/CN110491759A/zh
Publication of CN110491759A publication Critical patent/CN110491759A/zh
Priority to JP2022503573A priority patent/JP7296677B2/ja
Priority to KR1020227002197A priority patent/KR102659362B1/ko
Priority to PCT/CN2020/076753 priority patent/WO2021031546A1/zh
Priority to US17/626,501 priority patent/US20220319816A1/en
Priority to TW109125954A priority patent/TWI745009B/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种等离子体刻蚀***，包括反应腔室、位于反应腔室内用于承载工件的底座和位于反应腔室上的介质窗；所述介质窗的外表面上设置有平板式电极和线圈电极；所述平板式电极位于底座正上方；所述线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域；所述线圈电极与介质窗的外表面之间还设置有法拉第屏蔽层。本发明通过所述介质窗的外表面的中心处设置平板式电极，配合线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域，减弱了刻蚀过程中介质窗中部区域的污染状况，且提高了刻蚀均匀性；同时平板式电极能够对介质窗的中部区域进行有效清洗。

Description

一种等离子体刻蚀***
技术领域
本发明属于半导体刻蚀技术领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀***。
背景技术
在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序。在进行一些非挥发性金属材料的刻蚀过程中，等离子体在偏压的作用下加速达到金属材料表面，从刻蚀材料表面溅射出的金属颗粒会附着在反应腔体内所有暴露的表面上，包括腔体内壁及腔体顶部的介质窗，造成污染。现有技术中的射频电极通常采用线圈电极，线圈电极形成的电场主要集中于中部区域，造成中部刻蚀过快，同时会使得溅射的污染物较多的沉积在介质窗中部区域。
为了解决污染，可以采用静电屏蔽件，在反应腔室内部通入清洗气体后，在顶部加载射频功率对清洗气体进行电离，带走污染颗粒。法拉第屏蔽用于等离子体处理***中可以减少等离子体对腔体材料的侵蚀，但仍有部分等离子体可以穿过法拉第屏蔽单元间的狭缝而污染介质窗。另外经过长时间的清洗测试，上述方案对于介质窗的外边缘区域清洗效果较好，而中部区域的清洗效果不佳。
发明内容
为解决上述问题，本发明提出一种等离子体刻蚀***，减弱了刻蚀过程中介质窗中部区域的污染状况，同时能够对介质窗的中部区域进行有效清洗。
技术方案：本发明提出一种等离子体刻蚀***，包括反应腔室、位于反应腔室内用于承载工件的底座和位于反应腔室上的介质窗；所述介质窗的外表面上设置有平板式电极和线圈电极；所述平板式电极位于底座正上方；所述线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域；所述线圈电极与介质窗的外表面之间还设置有法拉第屏蔽层。
进一步，所述平板式电极的尺寸为工件尺寸的1/2至1。
进一步，所述线圈电极为立式锥形线圈。
进一步，所述线圈电极由若干立式锥形线圈耦合构成。
进一步，还包括射频电源、射频匹配器和射频功率分配盒；所述射频电源的射频功率经射频匹配器，由射频功率分配盒分配连接至平板式电极和线圈电极。
进一步，所述等离子体刻蚀***还包括线圈射频电源和线圈射频匹配器；所述线圈射频电源的射频功率经线圈射频匹配器连接至线圈电极；
所述等离子体刻蚀***还包括平板射频电源和平板射频匹配器；所述平板射频电源的射频功率经平板射频匹配器连接至平板式电极。
有益效果：本发明通过所述介质窗的外表面的中心处设置平板式电极，配合线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域，减弱了刻蚀过程中介质窗中部区域的污染状况，且提高了刻蚀均匀性；同时平板式电极能够对介质窗的中部区域进行有效清洗。
附图说明
图1为本发明的一种实施方式的结构示意图；
图2为本发明的另一种实施方式的结构示意图；
图3为本发明的应用工艺流程图。
具体实施方式
本发明是一种等离子体刻蚀***，包括反应腔室1、位于反应腔室1内用于承载工件3的底座2和位于反应腔室1上的介质窗10。介质窗10的中部安装有进气喷嘴11，为反应腔室1的提供工艺反应气。
所述介质窗10的外表面上设置有平板式电极50和线圈电极80。所述平板式电极50位于底座2正上方。所述线圈电极80环绕布置在平板式电极50的外周区域；所述线圈电极80与介质窗10的外表面之间还设置有法拉第屏蔽层15。
介质窗10的中部采用了平板式电极50，平板式电极50感抗相对于线圈电极80低，因此平板式电极50与线圈结构的电极相比，刻蚀工艺过程中产生的电场强度较低，在一定程度上降低了中部刻蚀速度，使得中部刻蚀速度与边缘刻蚀速度相接近，提高了刻蚀均匀性。同时平板式电极50产生较少的溅射污染物沉积在介质窗10中部区域，同时平板式电极50在刻蚀过程中产生比线圈结构的电极更高的偏压，使得介质窗10上的溅射污染物在刻蚀工艺中就被部分清洗掉，减弱了刻蚀过程中介质窗中部区域的污染状况，为后续的清洗工艺降低难度和节约时间成本。
在清洗工艺时，平板式电极50在其正下方的介质窗10上产生较高的偏压，有利于活性等离子体轰击平板式电极50正下方的介质窗10下表面，对介质窗10下表面进行有效的清洗，减少非挥发性金属颗粒在顶部的沉积。
所述平板式电极50的尺寸为工件尺寸的1/2至1。平板式电极50的最大直径不可过大，否则中部电场强度减弱至低于边缘区域电场强度，造成中部激发的等离子体强度减弱，从而降低刻蚀速率。
所述线圈电极80为立式锥形线圈。锥形线圈可以扩大线圈电极80的覆盖面积，使电场分布均匀。如果单个立式锥形线圈的感抗低达不到使用要求，可以采用若干立式锥形线圈耦合构成线圈电极80。
本发明的射频功率的供应可以选用以下两种方式：
第一种、本发明包括射频电源、射频匹配器和射频功率分配盒；所述射频电源的射频功率经射频匹配器，由射频功率分配盒分配连接至平板式电极50和线圈电极80。功率分配盒可以根据需要分配射频功率至平板式电极50以及线圈电极80。
第二种、所述等离子体刻蚀***还包括线圈射频电源和线圈射频匹配器；所述线圈射频电源的射频功率经线圈射频匹配器连接至线圈电极80。所述等离子体刻蚀***还包括平板射频电源和平板射频匹配器；所述平板射频电源的射频功率经平板射频匹配器连接至平板式电极50。
法拉第屏蔽层15也配备有法拉第射频电源和法拉第射频匹配器。
当反应腔室1进行刻蚀工艺时，平板式电极50和线圈电极80接通射频电源，关闭法拉第射频电源，电离反应腔室1内的工艺气体，形成等离子体，进行刻蚀；当刻蚀工艺结束，开始进行腔室清洗，停止线圈电极80的射频功率，将射频功率加载到法拉第屏蔽层15和平板式电极50上，在反应腔室1上部电离清洗气体，形成活性等离子体，对反应腔室1尤其是介质窗10内表面进行彻底的清洗。

Claims (6)

1.一种等离子体刻蚀***，包括反应腔室、位于反应腔室内用于承载工件的底座和位于反应腔室上的介质窗，其特征在于：所述介质窗的外表面上设置有平板式电极和线圈电极；所述平板式电极位于底座正上方；所述线圈电极环绕布置在平板式电极的外周区域；所述线圈电极与介质窗的外表面之间还设置有法拉第屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀***，其特征在于：所述平板式电极的尺寸为工件尺寸的1/2至1。
3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀***，其特征在于：所述线圈电极为立式锥形线圈。
4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀***，其特征在于：所述线圈电极由若干立式锥形线圈耦合构成。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的等离子体刻蚀***，其特征在于：还包括射频电源、射频匹配器和射频功率分配盒；所述射频电源的射频功率经射频匹配器，由射频功率分配盒分配连接至平板式电极和线圈电极。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的等离子体刻蚀***，其特征在于：所述等离子体刻蚀***还包括线圈射频电源和线圈射频匹配器；所述线圈射频电源的射频功率经线圈射频匹配器连接至线圈电极；
所述等离子体刻蚀***还包括平板射频电源和平板射频匹配器；所述平板射频电源的射频功率经平板射频匹配器连接至平板式电极。
CN201910772838.5A 2019-08-21 2019-08-21 一种等离子体刻蚀*** Pending CN110491759A (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910772838.5A CN110491759A (zh) 2019-08-21 2019-08-21 一种等离子体刻蚀***
JP2022503573A JP7296677B2 (ja) 2019-08-21 2020-02-26 プラズマエッチングシステム
KR1020227002197A KR102659362B1 (ko) 2019-08-21 2020-02-26 플라즈마 에칭 시스템
PCT/CN2020/076753 WO2021031546A1 (zh) 2019-08-21 2020-02-26 一种等离子体刻蚀***
US17/626,501 US20220319816A1 (en) 2019-08-21 2020-02-26 Plasma etching system
TW109125954A TWI745009B (zh) 2019-08-21 2020-07-31 電漿蝕刻系統

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910772838.5A CN110491759A (zh) 2019-08-21 2019-08-21 一种等离子体刻蚀***

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110491759A true CN110491759A (zh) 2019-11-22

Family

ID=68551587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910772838.5A Pending CN110491759A (zh) 2019-08-21 2019-08-21 一种等离子体刻蚀***

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220319816A1 (zh)
JP (1) JP7296677B2 (zh)
KR (1) KR102659362B1 (zh)
CN (1) CN110491759A (zh)
TW (1) TWI745009B (zh)
WO (1) WO2021031546A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021031546A1 (zh) * 2019-08-21 2021-02-25 江苏鲁汶仪器有限公司 一种等离子体刻蚀***
WO2021129471A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备及其介质窗的清洗方法
CN113130285A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 江苏鲁汶仪器有限公司 一种陶瓷进气接射频清洗装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115881533A (zh) * 2021-08-12 2023-03-31 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种刻蚀方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5470426A (en) * 1993-10-29 1995-11-28 Nec Corporation Plasma processing apparatus
CN1422434A (zh) * 2000-03-31 2003-06-04 拉姆研究公司 在感应耦合等离子体腐蚀***中有效地控制高频峰－峰电压的装置和方法
CN101019211A (zh) * 2004-09-14 2007-08-15 自适应等离子体技术公司 适应性等离子源及使用该等离子源加工半导体晶片的方法
TW200830941A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Jehara Corp Plasma generating apparatus
CN202873172U (zh) * 2012-11-08 2013-04-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子反应器
CN203910743U (zh) * 2014-04-09 2014-10-29 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种适应性耦合等离子刻蚀机
CN105632860A (zh) * 2014-10-31 2016-06-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体加工设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6077384A (en) 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US6308654B1 (en) * 1996-10-18 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome
JP5047423B2 (ja) 2000-03-31 2012-10-10 ラム リサーチ コーポレーション 誘導結合型プラズマエッチング装置
US6597117B2 (en) * 2001-11-30 2003-07-22 Samsung Austin Semiconductor, L.P. Plasma coil
KR101045146B1 (ko) 2002-07-31 2011-06-30 램 리서치 코포레이션 전력을 공급받는 패러데이 실드의 전압을 조절하기 위한방법
TW200845197A (en) 2007-03-28 2008-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma etching apparatus
US9966236B2 (en) * 2011-06-15 2018-05-08 Lam Research Corporation Powered grid for plasma chamber
CN203787383U (zh) * 2014-04-09 2014-08-20 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种适应性耦合等离子刻蚀机
JP6471963B2 (ja) * 2015-02-04 2019-02-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置
US9767996B2 (en) * 2015-08-21 2017-09-19 Lam Research Corporation Application of powered electrostatic faraday shield to recondition dielectric window in ICP plasmas
CN209199868U (zh) * 2018-12-11 2019-08-02 江苏鲁汶仪器有限公司 一种静电卡盘
CN110491759A (zh) * 2019-08-21 2019-11-22 江苏鲁汶仪器有限公司 一种等离子体刻蚀***

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5470426A (en) * 1993-10-29 1995-11-28 Nec Corporation Plasma processing apparatus
CN1422434A (zh) * 2000-03-31 2003-06-04 拉姆研究公司 在感应耦合等离子体腐蚀***中有效地控制高频峰－峰电压的装置和方法
CN101019211A (zh) * 2004-09-14 2007-08-15 自适应等离子体技术公司 适应性等离子源及使用该等离子源加工半导体晶片的方法
TW200830941A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Jehara Corp Plasma generating apparatus
CN202873172U (zh) * 2012-11-08 2013-04-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子反应器
CN203910743U (zh) * 2014-04-09 2014-10-29 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种适应性耦合等离子刻蚀机
CN105632860A (zh) * 2014-10-31 2016-06-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体加工设备

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021031546A1 (zh) * 2019-08-21 2021-02-25 江苏鲁汶仪器有限公司 一种等离子体刻蚀***
WO2021129471A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备及其介质窗的清洗方法
CN113130285A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 江苏鲁汶仪器有限公司 一种陶瓷进气接射频清洗装置
TWI734436B (zh) * 2019-12-31 2021-07-21 大陸商江蘇魯汶儀器有限公司 陶瓷進氣接射頻清洗裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220319816A1 (en) 2022-10-06
TW202109667A (zh) 2021-03-01
JP2022541052A (ja) 2022-09-21
KR20220024839A (ko) 2022-03-03
TWI745009B (zh) 2021-11-01
KR102659362B1 (ko) 2024-04-23
JP7296677B2 (ja) 2023-06-23
WO2021031546A1 (zh) 2021-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110491759A (zh) 一种等离子体刻蚀***
TWI755798B (zh) 電感耦合電漿處理系統
KR101780013B1 (ko) 전세정 챔버 및 반도체 가공 장치
TWI758786B (zh) 具有法拉第遮罩裝置的電漿處理系統
US5449411A (en) Microwave plasma processing apparatus
CN107154332B (zh) 一种等离子体处理装置及方法
KR102036944B1 (ko) 피처리 기체에 대한 미립자 부착의 제어 방법, 및 처리 장치
JPS60134423A (ja) マイクロ波プラズマエツチング装置
CN101250680B (zh) 等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置
TWI615882B (zh) 電漿處理裝置及其清洗方法
JP2012222295A (ja) プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法
JP4945566B2 (ja) 容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置
JP4933692B2 (ja) イオンエネルギの低減
CN104103484B (zh) 气体供应装置及等离子体处理装置
TWI733401B (zh) 具有開合法拉第元件的等離子體處理系統及其開合法拉第元件
TW202145294A (zh) 等離子體刻蝕系統及其可用於加熱的法拉第屏蔽裝置
TWI491764B (zh) 時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法
JP4175021B2 (ja) 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
CN104733275A (zh) 等离子体工艺设备
JP7325256B2 (ja) プラズマ処理装置
Han et al. Experimental Study of SiO2 Sputter Etching Process in 13.56 MHz rf-Biased Inductively Coupled Plasma
TWI667555B (zh) 光刻膠去除裝置及其清洗方法
JP7296678B2 (ja) セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置
JPS63282259A (ja) スパツタ装置
KR100222597B1 (ko) Rie형 실리콘 산화막 식각장치에서의 미립자 성장방지방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191122