CN110462760A - 用于超导磁体的热总线热交换器 - Google Patents
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Abstract
一种超导磁体包括：液氦储存器(14)；超导磁体绕组(12)，其被设置在所述液氦储存器中；真空夹套壁(20、22、26)，其容纳包围所述液氦储存器的真空体积(24)；以及热屏蔽罩(30)，其被设置在所述真空体积中并且包围所述液氦储存器。热总线(50)被紧固到所述热屏蔽罩。所述热总线包括整体式热交换器，所述整体式热交换器包括穿过所述热总线的流体通道(60)。入口流体管道(62)将所述液氦储存器与所述流体通道的入口相连接，并且出口流体管道(64)将所述流体通道的出口与环境空气相连接。所述热总线(50)通过导热连接件(46)被连接到冷头(40)的第一级冷站。
Description
技术领域
下面总体上涉及超导磁体领域、磁共振成像(MRI)领域、热管理领域以及相关领域。
背景技术
在用于磁共振成像(MRI)***的典型超导磁体中，超导绕组浸没在容纳在由真空夹套包围的液氦(LHe)储存器中的LHe中。高传导性热屏蔽罩片材被设置在真空夹套中以包围LHe储存器。制造后，抽真空，将LHe储存器充满LHe。为了将LHe维持低温(即，低于4K)，冷头用于为LHe容器提供制冷。冷头的第一级穿透到真空体积中，并且第一级冷站通过高导热链被连接到热屏蔽罩，高导热链与被附接到热屏蔽罩的热总线相连接。冷头的第二级继续进入LHe体积，以置于LHe储存器中的LHe面以上的气态He超压中。
下面公开了一种新的且改进的***和方法。
发明内容
在一个公开的方面中，一种超导磁体包括：超导磁体绕组，其被设置在所述液氦储存器中；真空夹套壁，其容纳包围所述液氦储存器的真空体积；以及热屏蔽罩，其被设置在所述真空体积中并且包围所述液氦储存器。热交换器被紧固到所述热屏蔽罩，并且流体通道具有与所述液氦储存器流体连通的入口和与环境空气流体连通的出口。所述热交换器可以是热总线。冷头可以被焊接到具有第一级冷站和第二级冷站的所述真空夹套壁，所述第一级冷站被设置在所述真空体积中，所述第二级冷站被设置在所述液氦储存器中，并且所述热总线通过导热连接件被适当连接到所述第一级冷站。
在另一个公开的方面中，一种磁共振成像(MRI)设备包括：如前一段中所阐述的超导磁体，其通常是圆柱形的并且限定水平膛；一组磁场梯度线圈，其被布置为将磁场梯度叠加在由所述超导磁体在所述水平膛中生成的静态磁场上。在另一个公开的方面中，一种与如前一段中所阐述的超导磁体结合执行的方法包括：关闭所述冷头；并且当关闭所述冷头时，经由穿过所述热总线的流体通道使气氦从所述液氦储存器流动到环境空气。然后，在关闭所述冷头时可以运输所述超导磁体，由此经由穿过所述热总线的所述流体通道使气氦从所述液氦储存器到环境空气的流动减少了在运输期间的氦蒸发。
在另一个公开的方面中，公开了一种用于对超导磁体的液氦储存器进行热屏蔽的热屏蔽装置，所述超导磁体包括被设置在所述液氦储存器中的超导绕组。所述热屏蔽装置包括：热屏蔽罩，其包括一个或多个铝合金片材热屏蔽罩层，所述一个或多个铝合金片材热屏蔽罩层的尺寸和形状被设计为包围所述液氦储存器；以及热总线，其被紧固到所述热屏蔽罩并且包括整体式热交换器，所述整体式热交换器包括穿过所述热总线的流体通道。
一个优点在于提供了具有减少的液氦(LHe)蒸发的超导磁体。
另一个优点在于提供了在冷头被关闭的长间隔期间具有降低的淬火可能性的超导磁体。
另一个优点在于提供了具有低的热泄漏的气氦排放的超导磁体。
另一个优点在于提供了能够利用LHe电荷运输更长距离的超导磁体。
另一个优点在于提供了能够使其冷头关闭更长时间间隔以便于更长距离运输和延长维护等的超导磁体。
另一个优点在于提供了在冷头被关闭或未操作的间隔期间因通过具有如本文所公开的整体式热交换器的热总线的方式冷却热屏蔽罩而具有减少的液氦蒸发的超导磁体。
另一个优点在于提供了因通过具有如本文所公开的整体式热交换器的热总线的方式对热屏蔽罩进行额外冷却而具有更小和/或更高能效的冷头的超导磁体。
给定的实施例可以提供前述优点中的零个、一个、两个、更多个或所有优点，并且/或者可以提供本领域普通技术人员在阅读和理解了本公开内容后变得明显的其他优点。
附图说明
本发明可以采用各种部件和各种部件的布置，以及各个步骤和各个步骤的安排的形式。附图仅出于图示优选实施例的目的，并且不应被解释为对本发明的限制。
图1示意性地图示了包括具有整体式热交换器的热总线的磁共振成像(MRI)***的侧剖视图。
图2示意性地图示了图1的描绘具有整体式热交换器的热总线的侧剖视图的部分的放大视图。
图3示意性地图示了具有整体式热交换器的热总线的说明性实施例的俯视图。
图4示意性地图示了具有整体式热交换器的热总线的另一说明性实施例的侧视图、俯视图和端视图，并且仅在俯视图中示出了连接的气氦入口和出口歧管。
图5示意性地图示了利用液氦(LHe)对图1的超导磁体充电并将超导磁体从工厂运输到目的地的过程。
具体实施方式
在填充LHe储存器之后，关闭冷头，加载LHe电荷，抽真空，将MR磁体运输到目的地。如果空运MR磁体，则冷头在整个运输时间间隔期间保持关闭状态。如果船运MR磁体，则可以对MR磁体进行制冷；然而，即使在这种情况下，在装载和卸载冷头以及卡车为运输冷头而往返于造船厂期间(在此期间关闭冷头)也存在长的时间间隔。当没有主动制冷时，LHe缓慢蒸发。通常提供排放路径(例如，氦气排放波纹管)作为用于因蒸发产生的任何气He超压的压力释放路径。入口流动路径和出口流动路径(例如，LHe填充管线和压力释放排放路径)是热泄漏路径。这些考虑因素会限制运输距离或限制运输选择。
每当超导磁体的冷头关闭长的时间段时(例如，在维护期间，长时间停电，在MRI***的重新定位期间等)，都可能出现类似的问题。由于超导线圈连续地承载超导电流，因此LHe损失有可能导致超导状态的转变，这被称为MR磁体的“淬火”。
在本文公开的改进方案中，热屏蔽罩的汇流条被修改为包括整体的热交换器，其入口被管线或其他流体管道连接到LHe储存器中的气氦超压，并且其出口排放到环境中。因此，气He(其在LHe储存器内处于接近LHe沸点的低温，即，～4K)在被排放到大气之前流过热总线的热交换器。这具有以下优点：提供了气氦超压排放路径，从而利用了冷气He的显热冷却能力而在冷头关闭的时间间隔内提供对热屏蔽罩的连续冷却。
参考图1，示出了采用超导磁体的磁共振成像(MRI)设备10的侧剖视图。该磁体包括被设置在液氦(LHe)储存器14中的超导绕组12，LHe储存器14大部分填充有LHe；然而，存在LHe面16上方的气态氦(气He)超压。说明性设备10采用水平膛磁体，在水平膛磁体中，超导磁体通常是圆柱形的并且包围(即，限定)水平膛18；然而，也可以预想到其他磁体几何形状。为了对LHe储存器14提供热隔离，包围其的真空夹套具有内部真空夹套壁20和外部真空夹套壁22，在这两个真空夹套壁之间是抽空的真空体积24。换句话说，真空夹套壁(例如，内部真空夹套壁20、外部真空夹套壁22以及任选的额外壁，例如，侧面真空夹套壁26)包含真空体积24。内部真空夹套壁20将真空体积24与LHe储存器14分开。外部真空夹套壁22将真空体积24与环境空气分开。(在未示出的变型实施例中，预想到具有外部低温夹套，其例如包含液氮，包围外部真空壁22)。在图1中用阴影线指示真空体积24。由诸如铝合金金属片(或铜合金金属片或一些其他高导热金属片)之类的坚固导热材料制成的热屏蔽罩30被设置在真空体积24中并且包围LHe储存器14。热屏蔽罩30与内部真空夹套壁20隔开以避免从热屏蔽罩30向LHe储存器14的热传导。在一些实施例中，热屏蔽罩30可以包括两个或更多个彼此隔开的热屏蔽罩层(未示出变型)，并且最内屏蔽罩层与内部真空夹套壁20隔开。
继续参考图1并且进一步参考图2，冷头40使用氦作为工作流体运行制冷循环以提供对热屏蔽罩30和LHe储存器14的主动冷却。为此，冷头40包括第一级42，第一级42穿透外部真空壁22进入真空体积24。第一级42具有第一级冷站44，第一级冷站44通过高导热链46与热屏蔽罩30相连接，高导热链46与热总线50相连接，热总线50被焊接、铜焊或以其他方式被紧固到热屏蔽罩30。冷头40还包括第二级52，第二级52穿过内部真空壁20进入LHe储存器14；并且冷头40具有第二级冷站54，第二级冷站54被设置在LHe储存器14中的LHe面16上方的气态He超压中。冷头40包括电动头或其他机械机构56，该电动头或其他机械机构56驱动一个或多个内部活塞(未示出)以循环压缩工作氦来执行对第一冷站44和第二冷站54进行冷却的制冷循环。(注意，冷头40的部件42、44、52、54、56仅在图2的放大视图中被标示出)。冷头40被设计和操作为将第二级冷站54冷却至氦的液化温度以下并将第一级冷站44冷却至较高温度(但是足以冷却热屏蔽罩30以提供对LHe储存器14有效的热屏蔽)。为了提供紧密真空密封，冷头40通常被焊接到外部真空壁22和内部真空壁20。
另外，提供合适的真空管线连接(未示出)来用于抽空真空体积24，并且填充线(未示出)经由焊接密封件穿透真空壁20、22以提供用于将LHe电荷加载到LHe储存库14中的进入路径。填充线或具有合适的焊接密封件的另一入口路径还提供***导电引线等以用于与磁体绕组12连接和电激励磁体绕组12。流过这些绕组12的静态电流生成静态B0磁场，静态B0磁场在水平膛磁体的说明性情况下是水平的，如图1所示。在将磁体绕组12中的电流斜坡上升到选定的电平以提供所期望的|B0|磁场强度之后，能够撤回触点，并且在此之后超导磁体绕组12的零电阻确保电流以持久方式继续流动。从现在开始，应当维持LHe储存器14中的LHe电荷；否则，超导绕组12会被加热到高于针对磁体绕组12的超导临界温度的温度，从而导致磁体淬火。(为了在必须移除LHe电荷的情况下提供受控关闭，优选重新***引线并且在移除LHe电荷之前将磁体电流斜坡降低至零)。
MRI设备任选地包括本领域中已知的各种其他部件，例如，一组磁场梯度线圈58，其用于将选定的磁场梯度叠加到x方向、y方向和/或z方向中的B0磁场上；全身射频(RF)线圈(未示出)，其用于激励和/或检测磁共振信号；患者卧榻(未示出)，其用于将医学患者或其他成像对象装载到MRI设备10的膛18中以用于成像等。
常规地，第一级冷站44与热屏蔽罩30(例如通过编织铜线46)相连接所经由的热总线是铝、铜、铝合金、铜合金或其他易于被附接到热屏蔽罩30的高导热金属的实心棒或其他实心零件。
继续参考图1和图2，与这种常规的实心金属热总线相比，热屏蔽罩30的热总线50被修改以结合热交换器。换句话说，热总线50包括热交换器，或者所述又一种方式，热总线50包括整体式热交换器。为此，热总线50包括流体通道60，流体通道60包括穿过热总线50的流体通道。流体通道60具有与LHe储存器14流体连通的入口，在说明性实施例中，连接入口以通过管线或其他入口流体导管62来接收从LHe储存器14中的气氦超压流入的气氦，该管线或其他入口流体导管62通过密封通道穿过内部真空壁20。流体通道60具有与环境空气流体连通的出口，在说明性实施例中，连接出口以通过管线或其他出口流体导管64而排出到环境空气中，该管线或其他出口流体导管64经由焊接的通道穿过外部真空壁22。流体通道60可以是穿过热总线50的开口，使得热总线50的材料限定流体通道60的壁，或者在其他实施例中，流体通道60可以是嵌入热总线50以形成流体通道60的壁的单独的管线或其他单独的导管。
流体通道60和热总线50用作热交换器，这是因为从热屏蔽罩30流入热总线50的热量能够流入流过流体通道60的低温气氦，使得经由气氦流将热量排放到排放线64。有利地，当冷头40关闭时，该热传递过程是可操作的。通过操作冷头40而使对热总线50的主动冷却不足，这提供了经由热交换器驱动热传递的温差。
热总线50的整体式热交换器具有两个益处：提供气氦超压排放路径，以及利用冷气He的显热冷却能力以在冷头40关闭时的时间间隔内提供对热屏蔽罩30的连续冷却。有利地，对热总线50的修改包括使整体式热交换器最小化，从而需要增加流体通道60并将流动路径62、64与通过真空壁20、22的焊接通道相连接。热总线50是紧凑型部件，例如，其通常具有金属棒或束的外形(或者，在一些实施例中为多个棒或束以提供额外的热接触)，其被(或)焊接到热屏蔽罩30，使得便于操作加工或以其他方式处理热总线50以并入流体通道60。在热总线包括多个棒或束的实施例中，预想到通过这些棒或束中的每个或仅仅通过它们的子集来提供流体通道60。
如果磁体不是零蒸发(ZBO)磁体，则热总线50的整体式热交换器甚至在冷头打开时也可以提供额外的冷却能力，使得氦气继续流过热交换器。另一方面，如果磁体是ZBO磁体，则热总线50的整体式交换器将不会在这种状态下提供额外的冷却能力，这是因为没有氦气流过整体式热交换器。
在原理上，包括入口流体管道62的流体路径，穿过热总线50的流体通道60以及出口流体管道64都呈现环境空气经由其可以进入LHe储存器14的流动路径。在实践中，LHe在LHe储存器14中产生气氦超压，这确保了通过该流动路径62、60、64的流包括从LHe储存器14流向环境空气的气氦(而不是流入LHe储存器14的环境空气)。然而，预想到在流动路径62、60、64上包括止回阀(或两组冗余的止回阀)以防止环境空气“反向”流入LHe储存器14的任何可能性。在另一预想到的变型中，在流动路径62、60、64上安装手动阀或自动阀以使得流动路径62、60、64能够在超导磁体的正常操作期间(例如当冷头时40正在运行时)被关闭。
参考图3，图示了具有整体式热交换器的热总线50的第一非限制性说明性实施例。在图3的实施例中，热总线501包括单个蛇形流体通道601。这种方法在结构上是直线的，但是要求：能够将蛇形流体通道601形成到形成热总线501的块中的制造工艺；或者能够将形成蛇形流体通道601的单独管线嵌入形成热总线501的块中的制造工艺。这通常需要在形成热总线501的同时形成或引入流体通道601，例如通过使用限定流体通道601的路径的模具来铸造流体通道601。与直线路径相比，流体通道601的蛇形路径有利地提供了用于热传递的显著更大的表面积。
在图4的实施例中，热总线502包括说明性的三个平行的直线流体通道602，其入口通过入口歧管72在外部连接，并且其出口通过出口歧管74在外部连接。平行流体通道602的数量能够是两个、三个、四个、五个或更多个，并且优选被选择以提供足够的表面积以用于热传递，同时维持热总线502的结构完整性。直线流体通道602的优点在于它们能够通过在形成热总线502的金属块之后执行的钻孔或其他加工工艺来形成。歧管72、74通过焊接、铜焊或其他工艺被适当连接到流体通道602。
在图4的实施例的变型(未示出)中，入口歧管和出口歧管可以整体地形成在热总线50中，使得流体通道60作为单个入口和单个出口穿过热总线50但是分支在热总线内部进入多个流路。还应当注意，图3和图4的实施例可以不同地组合，使得穿过热总线50的流体通道60可以包括多个蛇形流体通道。
说明性实施例有利地利用了经修改的热总线50来执行用作热交换器的辅助功能，该热交换器利用冷气He的显热冷却能力以在冷头40关闭时的时间间隔内提供对热屏蔽罩30的连续冷却。然而，预想到将热交换器提供为与热总线分开的部件。例如，与热总线分开的热交换器可以被额外地附接到热总线或热屏蔽罩，其入口与液氦储存器流体连通，并且其出口与环境空气流体连通。
参考图5，描述了用于加载LHe电荷并运输图1的MRI设备10的超导磁体的过程。从制造的磁体开始，在操作80中，使用外部真空壁22上的合适的真空耦合器(图1中未示出)将真空体积24抽空。在操作81中，将液氦储存器14抽空。在操作82中，打开冷头40，并且在操作84中，经由穿过外部真空壁22的填充线(图1中未示出)加载液氦(LHe)电荷。应当理解，可以以不同的顺序执行操作82、84，并且/或者可以执行本领域中已知的额外操作。通常，操作84需要在LHe流入LHe储存器14之前从LHe储存器14抽出空气。在利用LHe对超导磁体充电之后，在操作86中，关闭冷头40，准备(一个或多个)运输操作90，在(一个或多个)运输操作90中，运输(填充有LHe电荷的)超导磁体。在(一个或多个)操作90期间，热总线50的热交换器操作为提供对热屏蔽罩30的冷却以及为LHe储存器14中的气氦超压提供排放路径。由于LHe储存器14中的气氦是LHe面16上方的超压，因此气氦的温度高于但相对接近于LHe的蒸发温度(即，在(接近于)大气压下约为4K)。因此，即使没有冷头40的操作，热总线50的热交换器也操作为提供用于冷却热屏蔽罩30的被动机构，这又降低了LHe储存器14中的LHe的蒸发速率。LHe蒸发速率的降低允许更长的运输时间并因此实现了更长的可实现的运输距离。在到达目的地之后，在操作92中，重新打开冷头40，在此之后为LHe储存器14提供主动冷却。如果磁体是ZBO磁体，那么当实现零蒸发状态时，由热总线50的热交换器提供的额外冷却会因氦气流停止而停止运行。另一方面，如果磁体不是ZBO磁体，那么即使在操作92中打开冷头40之后，热总线50的热交换器仍然会继续提供额外的冷却能力。因此，在非ZBO磁体的情况下，热总线50的热交换器使得能够使用更高能效的冷头，例如，更小的和/或具有更低的电能输入的冷头。
虽然参考图5描述了具有整体式热交换器的热总线50在磁体运输期间产生的优点，但是应当理解，对于冷却40在长时间段内关闭或进行操作的任何流程或情况(例如，在维护期间，长时间停电期间或冷头40发生故障期间等关闭冷头40时，上述情况会影响或阻止经由冷头进行主动冷却)，都将获得类似的益处。在这种情况下，降低的LHe蒸发降低了LHe电荷被过度耗尽的可能性并且降低了LHe耗尽可能导致磁体淬火的可能性。
已经参考优选实施例描述了本发明。他人在阅读和理解前面的具体描述的情况下可以想到修改和替代。本文旨在将本发明解释为包括所有这样的修改和替代，只要它们落入权利要求书及其等价方案的范围内。
Claims (21)
1.一种超导磁体，包括：
液氦储存器(14)；
超导磁体绕组(12)，其被设置在所述液氦储存器中；
真空夹套壁(20、22、26)，其容纳包围所述液氦储存器的真空体积(24)；
热屏蔽罩(30)，其被设置在所述真空体积中并且包围所述液氦储存器；以及
热交换器(50)，其被紧固到所述热屏蔽罩并且包括流体通道(60)，所述流体通道具有与所述液氦储存器流体连通的入口并且具有与环境空气流体连通的出口。
2.根据权利要求1所述的超导磁体，还包括：
入口流体管道(62)，其穿过所述真空夹套壁(20、22、26)的内部真空夹套壁(20)，所述内部真空夹套壁将所述真空体积(24)与所述液氦储存器(14)分开，所述入口流体管道将所述液氦储存器与所述热交换器(50)的所述流体通道(60)的所述入口相连接。
3.根据权利要求1-2中的任一项所述的超导磁体，还包括：
出口流体导管(64)，其穿过所述真空夹套壁(20、22、26)的外部真空夹套壁(20)并且将所述热交换器(50)的所述流体通道(60)的所述出口与环境空气相连接。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的超导磁体，其中，所述热交换器是热总线(50)，并且穿过所述热总线(50)的所述流体通道(60)是穿过所述热总线的开口，使得所述热总线的材料限定穿过所述热总线的所述流体通道的壁。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的超导磁体，其中，所述热交换器是热总线(50)，并且穿过所述热总线(50)的所述流体通道(60)包括与所述热总线分开的管道，所述导管被嵌入在所述热总线中以形成所述流体通道的壁。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的超导磁体，其中，所述热交换器(50)的所述流体通道(60)包括蛇形流体通道(601)。
7.根据权利要求1-6中的任一项所述的超导磁体，其中，所述热交换器(50)的所述流体通道(60)包括多个流体通道(602)。
8.根据权利要求7所述的超导磁体，还包括：
入口歧管(72)，其连接所述多个流体通道(602)的入口；以及
出口歧管(74)，其连接所述多个流体通道的出口。
9.根据权利要求1-8中的任一项所述的超导磁体，还包括：
冷头(40)，其被焊接到所述真空夹套壁并且具有被设置在所述真空体积中的第一级冷站(44)和被设置在所述液氦储存器中的第二级冷站(54)；
其中，所述热交换器是通过导热连接件(46)连接到所述第一级冷站的热总线(50)。
10.根据权利要求1-9中的任一项所述的超导磁体，其中，所述热屏蔽罩(30)包括彼此隔开的一个或多个热屏蔽罩层，其中，每个热屏蔽罩层都包括高导热片，并且所述热交换器(50)包括高导热材料。
11.根据权利要求1-10中的任一项所述的超导磁体，其中，所述热交换器(50)被焊接或铜焊到所述热屏蔽罩(30)。
12.一种磁共振成像(MRI)设备，包括：
根据权利要求1-11中的任一项所述的超导磁体，其通常是圆柱形的并且限定水平膛(18)；以及
一组磁场梯度线圈(58)，其被布置为将磁场梯度叠加在由所述超导磁体在所述水平膛中生成的静态磁场上。
13.一种与超导磁体结合执行的方法，所述超导磁体包括：液氦储存器(14)；超导磁体绕组(12)，其被设置在所述液氦储存器中；真空夹套壁(20、22、26)，其容纳包围所述液氦储存器的真空体积(24)；冷头(40)其被焊接到所述真空夹套壁并且具有被设置在所述真空体积中的第一级冷站(44)和被设置在所述液氦储存器中的第二级冷站(54)；热屏蔽罩(30)，其被设置在所述真空体积中并且包围所述液氦储存器；以及热总线(50)，其被紧固到所述热屏蔽罩并且被热连接到所述第一级冷站，所述方法包括：
关闭所述冷头；并且
当关闭所述冷头时，经由穿过所述热总线的流体通道(60)使气氦从所述液氦储存器流动到环境空气。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：
在关闭所述冷头时运输所述超导磁体，由此经由穿过所述热总线(50)的所述流体通道(60)使气氦从所述液氦储存器到环境空气的流动减少了在运输期间的氦蒸发。
15.一种用于对超导磁体的液氦储存器(14)进行热屏蔽的热屏蔽装置，所述超导磁体包括被设置在所述液氦储存器中的超导绕组，所述热屏蔽装置包括：
热屏蔽罩(30)，其包括一个或多个高导热片热屏蔽罩层，所述一个或多个高导热片热屏蔽罩层的尺寸和形状被设计为包围所述液氦储存器；以及
热总线(50)，其被紧固到所述热屏蔽罩并且包括整体式热交换器，所述整体式热交换器包括穿过所述热总线的流体通道(60)。
16.根据权利要求15所述的热屏蔽装置，还包括：
入口流体管道(62)，其将所述液氦储存器(14)与通过所述热总线(50)的所述流体通道(60)的入口相连接；以及
出口流体管道(64)，其将通过所述热总线(50)的所述流体通道(60)的出口与环境空气相连接。
17.根据权利要求15-16中的任一项所述的热屏蔽装置，其中，穿过所述热总线(50)的所述流体通道(60)是以下两项中的一个：
(i)开口，其穿过所述热总线，使得所述热总线的材料限定穿过所述热总线的所述流体通道的壁；或者
(ii)管道，其与所述热总线分开，所述管道被嵌入在所述热总线中以形成所述流体通道的壁。
18.根据权利要求15-17中的任一项所述的热屏蔽装置，其中，穿过所述热总线(50)的所述流体通道(60)包括蛇形流体通道(601)。
19.根据权利要求15-18中的任一项所述的热屏蔽装置，其中，穿过所述热总线(50)的所述流体通道(60)包括多个流体通道(602)。
20.根据权利要求15-19中的任一项所述的热屏蔽装置，其中，所述热总线(50)包括高导热材料。
21.根据权利要求15-20中的任一项所述的热屏蔽装置，其中，所述热总线(50)被焊接或铜焊到所述热屏蔽罩(30)。
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