CN110461065B - 一种可控硅切角控制电路及方法 - Google Patents
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Abstract
本公开揭示了一种可控硅切角控制电路，包括LED恒流驱动电路，用于控制LED灯组导通电流恒定；漏电流电路，用于向所述可控硅提供漏电流，并通过控制所述漏电流的大小对可控硅切角进行调整；泄放电路，用于提供维持电流使可控硅持续导通；漏电流控制电路，用于通过调整所述漏电流电路提供的漏电流大小，控制所述可控硅切角的大小。本公开还揭示了一种可控硅切角控制方法。本公开在可控硅切角较小时，通过调整漏电流的电流值，增大可控硅切角，使LED灯组导通时电流值与可控硅导通时的电流值接近，***无需消耗额外较多的维持电流，可有效降低***损耗，提高***效率。
Description
技术领域
本公开属于可控硅调光技术领域，具体涉及一种可控硅切角控制电路及方法。
背景技术
可控硅调光技术是通过电信号控制光亮度，是一项重要的LED电源技术，广泛用于各种电子设备和电子产品中，在人们生活中具有重要地位。
在现有技术中，LED控制电路多采用可控硅调光器与恒流控制电路相结合的方式，其中，可控硅调光器的调光方案为：在切角较小时，需额外向可控硅提供维持电流以维持其导通。在此情况下，若用于驱动LED的电压较大，则可控硅需要消耗更多***能量来维持其导通，因此，对整个LED***会产生较大的能量损耗，降低***效率的同时使LED控制芯片温度上升。
发明内容
针对现有技术中存在的不足，本公开的目的在于提供一种可控硅切角控制电路及方法，通过控制漏电流的大小对可控硅切角进行调整，使切角上升沿逼近LED电流的上升沿，缩短可控硅的导通时间，从而减少***的额外损耗以提高***的工作效率。
本公开的上述目的是通过以下技术方案予以实现的：
一种可控硅切角控制电路，包括：
所述LED恒流驱动电路的一端与LED灯组相连，另一端与所述漏电流控制电路相连，用于采集LED灯组导通时的导通电流并控制所述导通电流恒定；
所述漏电流电路的一端与所述漏电流控制电路相连，另一端通过AC电源与所述可控硅相连，用于向所述可控硅提供漏电流；
所述漏电流控制电路的一端与所述LED恒流驱动电路相连，另一侧与所述漏电流电路相连，用于通过调整所述漏电流电路提供的漏电流大小，控制所述可控硅的切角的大小；
所述泄放电路的一端通过AC电源与所述可控硅相连，另一端接地，用于提供维持电流使可控硅持续导通。
优选的，所述LED恒流驱动电路包括第一运放器A、第一控制开关Q1和第一检测电阻Rcs；其中，
所述第一控制开关Q1的栅极与所述第一运放器A的输出端VoutA连接，漏极与LED灯组连接，源极与所述第一检测电阻Rcs连接后接地；
所述第一运放器A的反向输入端VA2分别与所述第一检测电阻Rcs的非接地端和所述漏电流控制电路连接。
优选的，所述漏电流电路包括分压电路、可控硅导通控制电路和漏电流导通控制单元；其中，
所述分压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2，
所述第一电阻R1的一端与整流桥的正输出端相连接，另一端与所述第二电阻R2连接后接地，用于降低所述分压电路中各接入模块的输入电压；
所述可控硅导通控制电路包括第二控制开关Q2、第一比较器B，
所述第二控制开关Q2的漏极与所述第一电阻R1共同接入整流桥的正向输出端，源极与所述漏电流导通控制单元连接，
所述第一比较器B的正向输入端VB1与所述第一电阻R1的另一端连接，输出端Vout3与所述第二控制开关Q2的栅极连接，
所述第一比较器B的正向输入端VB1用于采集第一分压电压Vbus并与预设值Vth1进行比较，以控制所述第二控制开关Q2导通或截止；
所述漏电流导通控制单元包括第五控制开关Q5，
所述第五控制开关Q5的漏极与所述第二控制开关Q2的源极连接，栅极与所述漏电流控制电路连接，源极接地。
优选的，所述泄放电路包括第三控制开关Q3、第四控制开关Q4、泄放电流控制模块D、第二比较器C和泄放电流调节单元F；其中，
所述第三控制开关Q3的漏极与所述漏电流电路连接，源极接地；
所述第二比较器C的正向输入端VC1与电源输入端连接，输出端Vout2分别与所述第三控制开关Q3的栅极和所述第四控制开关Q4的漏极连接；
所述泄放电流控制模块D与所述第四控制开关Q4的栅极连接，用于控制第四控制开关Q4截止；
所述泄放电流调节单元F的一端与所述第四控制开关Q4的源极连接，另一端与所述第二比较器C的正向输入端VC1连接，用于调节第三控制开关Q3截止，
所述泄放电流调节单元F包括第三电阻Rvs，用于调节泄放电路电流值，
所述第三电阻Rvs的一端与所述第二比较器C的正向输入端VC1连接，另一端接地。
优选的，所述漏电流控制电路包括可控硅漏电流控制模块E，用于调节所述漏电流电路向可控硅提供的漏电流的大小。
本公开还提供一种可控硅切角控制方法，包括如下步骤：
S001：向可控硅提供漏电流，可控硅导通；
S002：向可控硅提供维持电流维持可控硅持续导通，并通过调整所述漏电流的大小控制可控硅切角的大小；
S003：向LED灯组提供导通电流使LED灯组导通，同时，所述维持电流减小并趋于0；
S004：比较步骤S001中可控硅导通时的第一时间与步骤S003中LED灯组导通时的第二时间的差值与预设值的大小，根据比较结果对所述漏电流进行调整，使可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的时间差缩短。
优选的，步骤S004中，当所述可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的差值大于预设值时，则降低漏电流使可控硅切角上升沿与LED灯组导通时电流上升沿的时间差缩短。
优选的，步骤S004中，当所述可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的差值小于预设值时，则调整所述漏电流上升到上限电流值后保持不变。
优选的，步骤S004中，所述可控硅导通时的第一时间是指可控硅切角达到上升沿的时间。
优选的，步骤S004中，所述LED灯组导通时的第二时间是指LED灯组导通电流达到上升沿的时间。
与现有技术相比，本公开带来的有益效果为：
本发明实施例的技术方案是在可控硅切角较小时，通过调整漏电流电路的电流值，从而增大可控硅切角，使LED灯组导通时电流值与可控硅导通时的电流值接近，因此***无需消耗额外较多的维持电流，由此，可有效降低***损耗，提高***效率。
附图说明
图1是本公开中一个实施例所示的可控硅切角控制电路的结构示意图；
图2是本公开中一个实施例所示的LED恒流驱动电路的结构示意图；
图3是本公开中一个实施例所示的漏电流电路的结构示意图；
图4是本公开一个实施例所示的泄放电路的结构示意图；
图5是本公开中一个实施例所示的漏电流控制电路的结构示意图；
图6是本公开一个实施例所示的一种可控硅切角控制方法流程图；
图7(a)至图7(b)是当可控切角电流上升沿时刻与LED导通电流上升沿时刻差值始终大于预设值时，控制漏电流电路电流上升的波形图，其中，图7(a)是可控切角调节前的电流波形图；7(b)是可控切角调节前的电流波形图；
图8(a)至图8(b)是当可控切角电流上升沿时刻与LED导通电流上升沿时刻差值始终小于预设值时，控制漏电流电路电流上升的波形图，其中，图8(a)是漏电流未调整前电流波形图；图8(b)是漏电流经过n周期调整后电流波形图。
具体实施方式
下面结合附图1至图8(b)和实施例对本公开的技术方案进行详细说明。
参见图1，本公开提供一种可控硅切角控制电路，包括：可控硅、LED恒流驱动电路、漏电流电路、泄放电路和漏电流控制电路；其中，
所述LED恒流驱动电路的一端与LED灯组相连，另一端与所述漏电流控制电路相连，用于采集LED灯组导通时的导通电流并控制所述导通电流恒定；
所述漏电流电路的一端与所述漏电流控制电路相连，另一端通过AC电源与所述可控硅相连，用于向所述可控硅提供漏电流；
所述漏电流控制电路的一端与所述LED恒流驱动电路相连，另一侧与所述漏电流电路相连，用于通过调整所述漏电流电路提供的漏电流大小，控制所述可控硅的切角的大小；
所述泄放电路的一端通过AC电源与所述可控硅相连，另一端接地，用于提供维持电流使可控硅持续导通。
上述实施例构成了本公开的完整实施例。与现有技术相比，本公开在可控硅切角较小时，通过调整漏电流电路的电流值，从而增大可控硅切角，使LED灯组导通时电流值与可控硅导通时的电流值接近，因此***无需消耗额外较多的维持电流，可有效降低***损耗，提高***效率。
另一个实施例中，如图2所示，所述LED恒流驱动电路包括第一运放器A、第一控制开关Q1和第一检测电阻Rcs；其中，
所述第一控制开关Q1的栅极与所述第一运放器A的输出端VoutA连接，漏极与LED灯组连接，源极与所述第一检测电阻Rcs连接后接地；
所述第一运放器A的反向输入端VA2分别与所述第一检测电阻Rcs的非接地端和所述漏电流控制电路连接。
本实施例中，当LED导通时，第一运放器A采集LED导通电流Iled，即流经第一检测电阻Rcs上的电流Ics，与第一运放器A的正向输入端VA1的输入电流比较，当反向输入端VA2的输入电流值大于正向输入端VA1的输入电流值时，输出端VoutA向反向输入端VA2反馈一个负电流信号，抑制反向输入端VA2的输入电流继续增大，从而使LED导通电流Ics电流达到平衡。
另一个实施例中，如图3所示，所述漏电流电路包括分压电路、可控硅导通控制电路和漏电流导通控制单元；其中，
所述分压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2，
所述第一电阻R1的一端与整流桥的正输出端相连接，另一端与所述第二电阻R2连接后接地，用于降低所述分压电路中各接入模块的输入电压；
所述可控硅导通控制电路包括第二控制开关Q2、第一比较器B，
所述第二控制开关Q2的漏极与所述第一电阻R1共同接入整流桥的正向输出端，源极与所述漏电流导通控制单元连接，
所述第一比较器B的正向输入端VB1与所述第一电阻R1的另一端连接，输出端Vout3与所述第二控制开关Q2的栅极连接，
所述第一比较器B的正向输入端VB1用于采集第一分压电压Vbus并与预设值Vth1进行比较，以控制所述第二控制开关Q2导通或截止；
所述漏电流导通控制单元包括第五控制开关Q5，
所述第五控制开关Q5的漏极与所述第二控制开关Q2的源极连接，栅极与所述漏电流控制电路连接，源极接地。
本实施例中，所述第五控制开关Q5在可控硅导通控制电路导通后闭合，在可控硅导通后，通过可控硅漏电流控制模块E调整漏电流I1大小，使第一时间T1与第二时间T2的差值deltaT小于预设值T。当第一比较器B的正向输入端VB1的电压大于反向输入端VB2的电压，即Vbus大于Vth1时，第一比较器B输出高电平驱动第二控制开关Q2导通，当第二控制开关Q2导通时，第五控制开关Q5导通，向可控硅提供漏电流I1。
另一个实施例中，如图4所示，所述泄放电路包括第三控制开关Q3、第四控制开关Q4、泄放电流控制模块D、第二比较器C和泄放电流调节单元F；其中，
所述第三控制开关Q3的漏极与所述漏电流电路连接，源极接地；
所述第二比较器C的正向输入端VC1与电源输入端连接，输出端Vout2分别与所述第三控制开关Q3的栅极和所述第四控制开关Q4的漏极连接；
所述泄放电流控制模块D与所述第四控制开关Q4的栅极连接，用于控制第四控制开关Q4截止；
所述泄放电流调节单元F的一端与所述第四控制开关Q4的源极连接，另一端与所述第二比较器C的正向输入端VC1连接，用于调节第三控制开关Q3截止，
所述泄放电流调节单元F包括第三电阻Rvs，用于调节泄放电路电流值，
所述第三电阻Rvs的一端与所述第二比较器C的正向输入端VC1连接，另一端接地。
本实施例中，当所述可控硅导通时，电流Ivs控制第四开关Q4截止，第二比较器C驱动第三控制开关Q3导通，向可控硅提供维持电流I2；当所述LED导通电流Iled发生变化时，所述泄放电路电流I2将变化，变化方向与Iled方向相反；当所述第二比较器C的反向输入端VC2的电压Vth2大于正向输入端VC1的电压V2时，第三控制开关Q3截止；
需要说明的是，所述第二比较器C正向输入端VC1的电压V2即第三电阻Rvs的电压值。
当可控硅未导通时，第二比较器C的反向输入端VC2的电压值小于正向输入端VC1的电压值，即Vth2小于V2，第二比较器C输出高电平驱动第四控制开关Q4导通；
当可控硅导通时，第二比较器C的反向输入端VC2的电压值为基准电压值，正向输入端VC1通过检测第三电阻Rvs的电压反馈，并调节第三控制开关Q3的电流I2来维持第三电阻Rvs上的电流Ivs的恒定；
当LED导通时，泄放电路中流经第三电阻Rvs的电流Ivs与LED导通电流Ics和维持电流I2满足下述公式：
Ivs＝Iled(Ics)+I2＞＝Vth2/Rvs
随着LED导通电流Ics的增大，维持电流I2电流值逐渐减小，当电压值V2小于第二比较器C反向输入端VC2的电压值时，第二比较器C输出低电平，第三控制开关Q3截止，此时泄放电路不再提供维持电流I2。
另一个实施例中，如图5所示，所述漏电流控制电路包括可控硅漏电流控制模块E，用于调节所述漏电流电路向可控硅提供的漏电流的大小。
本实施例中，所述可控硅漏电流控制模块E分别与第一检测电阻Rcs、第五控制开关Q5、第一电阻R1连接；可控硅漏电流控制模块E通过与第一检测电阻Rcs连接采集LED导通第二时间T2，通过与第一电阻R1连接采集可控硅导通第一时间T1，其与第五控制开关Q5连接用于调节漏电流I1的大小。
当所述第一时间T1与所述第二时间T2的差值deltaT大于预设值T时，可控硅漏电流控制模块E在下个周期降低漏电流I1，并且每个周期降低预设单位ΔI；当在第N个周期时，可控硅漏电流控制模块E检测到可控硅导通电流与LED导通电流接近，即第一时间T1与第二时间T2的差值deltaT小于预设值T时，可控硅漏电流控制模块E不再降低漏电流I1，而是维持这一漏电流值。
当所述第一时间T1与所述第二时间T2的差值deltaT始终小于预设值T时，可控硅漏电流控制模块E在下个周期增大漏电流I1，并且每个周期增加预设单位ΔI；当在第N周期时，可控硅漏电流控制模块E检测到可控硅漏电流I1达到上限电流，即达到I1limit时不再增加，维持这一电流值。
另一个实施例中，如图6所示，本公开还提供一种可控硅切角控制方法，包括如下步骤：
S001：向可控硅提供漏电流I1，可控硅导通；
该步骤中，当第一比较器B采集到第一电阻R1输出端电压Vbus大于第一比较器B正向输入端VB1的电压Vth1时，第一比较器B输出高电平驱动第二控制开关Q2、第五控制开关Q5导通，电路中产生漏电流I1；若第二比较器C的正向输入端VC1的电压值V2大于反向输入端VC2的电压Vth2时，第二比较器C输出高电平驱动第四控制开关Q4导通。
S002：向可控硅提供维持电流I2维持可控硅持续导通，并通过调整所述漏电流I1的大小控制可控硅切角的大小；
该步骤中，当可控硅导通，LED灯组未导通时，所述泄放电流控制模块调节所述第四控制开关截止，所述第二比较器驱动所述第三控制开关导通，所述第五控制开关延时一段时间后截止；所述泄放电路向可控硅提供维持电流I2。
S003：向LED灯组提供导通电流Ics使LED灯组导通，同时，所述维持电流I2减小并趋于0。
该步骤中，当LED导通时，泄放电路中流经第三电阻Rvs的电流Ivs与LED导通电流Ics和泄放电流I2满足下述公式：
Ivs＝Iled(Ics)+I2＞＝Vth2/Rvs
随着LED导通电流Ics的增大，维持电流I2的电流值逐渐减小，当电压值V2小于第二比较器C输入端VC2电压值时，第二比较器C输出低电平，第三控制开关Q3截止，此时泄放电路不再提供维持电流I2。
S004：比较步骤S001中可控硅导通时的第一时间与步骤S003中LED灯组导通时的第二时间的差值与预设值的大小，根据比较结果对所述漏电流进行调整，使可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的时间差缩短。
该步骤中，当LED灯组导通后，可控硅漏电流控制模块E通过采集可控硅导通时的第一时间T1、LED灯组导通时的第二时间T2并将其差值deltaT与预设值T进行比较，当deltaT大于T时，可控硅漏电流控制模块E将在下个周期降低漏电流I1，每个周期降低预设单位ΔI，使得可控硅切角上升沿与LED导通时电流上升沿的时间差缩短，可控硅泄放电流I2维持时间降低，从而降低***损耗。
当可控硅漏电流控制模块E检测第一时间T1与第二时间T2的差值deltaT小于预设值T时，此时漏电流I1值将不再降低，电路将维持这一电流。当可控硅切角较大，即可控硅导通第一时间T1与LED导通第二时间T2差值deltaT始终小于预设值T时，可控硅漏电流控制模块E则使漏电流I1在每个周期上升一个预设单位ΔI，直至I1电流值达到I1limit，即达到I1上限电流值，之后I1不再上升。
另一个实施例中，步骤S004中，所述可控硅导通时的第一时间是指可控硅切角达到上升沿的时间。
另一个实施例中，步骤S004中，所述LED灯组导通时的第二时间是指LED灯组导通电流达到上升沿的时间。
图7(a)至图7(b)是可控硅导通第一时间与LED导通第二时间差值大于预设值时，LED控制电路电流波形图。图7(a)示例性的给出了本公开可控切角调节前的电流波形图，图7(b)示例性的给出了本公开经n个周期可控硅切角调节后的电流波形图。其中1表示可控硅导通时刻，即可控硅切角上升沿时刻；2表示可控切角调整后的可控硅导通时刻；3表示LED灯组导通时刻，即可控硅上升沿时刻。综合对比图7(a)和图7(b)可知：本公开的LED控制电路通过对可控硅切角的调整，将可控硅导通时刻1调整到2，使其与LED导通时刻3差值deltaT缩小，从而使得维持电流I2的持续时间缩短。
需要说明的是，本实施例中提到的1与本公开实施例所述第一时间T1相同，2表示可控硅切角调节后的第一时间T1，3与本公开实施例所述第二时间相同。
图8(a)至8(b)是可控硅导通第一时间与LED导通第二时间差值始终小于预设值时，LED控制电路电路工作波形图。图8(a)是漏电流I1未调整前电流波形图，图8(b)是经过n周期调整后电流波形图。综合对比图8(a)和图8(b)可知：可控硅导通第一时间与LED导通第二时间差值始终小于预设值时，
可控硅导通第一时间与LED导通第二时间差值始终小于预设值，改变可控硅调光器内储能电容C1储能电流值如曲线I1所示，将图8(a)中I1电流值增大至图8(b)曲线I1所述值时，可控硅切角大小并未发生变化。
尽管以上结合附图对本公开的实施方案进行了描述，但本公开并不局限于上述的具体实施方案和应用领域，上述的具体实施方案仅仅是示意性的、指导性的，而不是限制性的。本领域的普通技术人员在本说明书的启示下和在不脱离本公开权利要求所保护的范围的情况下，还可以做出很多种的形式，这些均属于本公开保护之列。
Claims (9)
1.一种可控硅切角控制电路，包括：可控硅、LED恒流驱动电路、漏电流电路、泄放电路和漏电流控制电路；其中，
所述LED恒流驱动电路的一端与LED灯组相连，另一端与所述漏电流控制电路相连，用于采集LED灯组导通时的导通电流并控制所述导通电流恒定，所述LED恒流驱动电路包括第一运放器A、第一控制开关Q1和第一检测电阻Rcs；其中，
所述第一控制开关Q1的栅极与所述第一运放器A的输出端VoutA连接，漏极与LED灯组连接，源极与所述第一检测电阻Rcs连接后接地；
所述第一运放器A的反向输入端VA2分别与所述第一检测电阻Rcs的非接地端和所述漏电流控制电路连接；
所述漏电流电路的一端与所述漏电流控制电路相连，另一端通过AC电源与所述可控硅相连，用于向所述可控硅提供漏电流；
所述漏电流控制电路的一端与所述LED恒流驱动电路相连，另一侧与所述漏电流电路相连，用于通过调整所述漏电流电路提供的漏电流的电流值，增大可控硅切角，使得LED灯组导通时的电流值和可控硅导通时的电流值接近；
所述泄放电路的一端通过AC电源与所述可控硅相连，另一端接地，用于提供维持电流使可控硅持续导通。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述漏电流电路包括分压电路、可控硅导通控制电路和漏电流导通控制单元；其中，
所述分压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2，
所述第一电阻R1的一端与整流桥的正输出端相连接，另一端与所述第二电阻R2连接后接地，用于降低所述分压电路中各接入模块的输入电压；
所述可控硅导通控制电路包括第二控制开关Q2、第一比较器B，
所述第二控制开关Q2的漏极与所述第一电阻R1共同接入整流桥的正向输出端，源极与所述漏电流导通控制单元连接，
所述第一比较器B的正向输入端VB1与所述第一电阻R1的另一端连接，输出端Vout3与所述第二控制开关Q2的栅极连接，
所述第一比较器B的正向输入端VB1用于采集第一分压电压Vbus并与预设值Vth1进行比较，以控制所述第二控制开关Q2导通或截止；
所述漏电流导通控制单元包括第五控制开关Q5，
所述第五控制开关Q5的漏极与所述第二控制开关Q2的源极连接，栅极与所述漏电流控制电路连接，源极接地。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述泄放电路包括第三控制开关Q3、第四控制开关Q4、泄放电流控制模块D、第二比较器C和泄放电流调节单元F；其中，
所述第三控制开关Q3的漏极与所述漏电流电路连接，源极接地；
所述第二比较器C的正向输入端VC1与电源输入端连接，输出端Vout2分别与所述第三控制开关Q3的栅极和所述第四控制开关Q4的漏极连接；
所述泄放电流控制模块D与所述第四控制开关Q4的栅极连接，用于控制第四控制开关Q4截止；
所述泄放电流调节单元F的一端与所述第四控制开关Q4的源极连接，另一端与所述第二比较器C的正向输入端VC1连接，用于调节第三控制开关Q3截止，
所述泄放电流调节单元F包括第三电阻Rvs，用于调节泄放电路电流值，
所述第三电阻Rvs的一端与所述第二比较器C的正向输入端VC1连接，另一端接地。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述漏电流控制电路包括可控硅漏电流控制模块E，用于调节所述漏电流电路向可控硅提供的漏电流的大小。
5.一种根据权利要求1-4任一所述的电路对可控硅切角进行控制的方法，包括如下步骤：
S001：向可控硅提供漏电流，可控硅导通；
S002：向可控硅提供维持电流维持可控硅持续导通，并通过调整所述漏电流的大小控制可控硅切角的大小；
S003：向LED灯组提供导通电流使LED灯组导通，同时，所述维持电流减小并趋于0；
S004：比较步骤S001中可控硅导通时的第一时间与步骤S003中LED灯组导通时的第二时间的差值与预设值的大小，根据比较结果对所述漏电流进行调整，使可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的时间差缩短。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S004中，当所述可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的差值大于预设值时，则降低漏电流使可控硅切角上升沿与LED灯组导通时电流上升沿的时间差缩短。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S004中，当所述可控硅导通时的第一时间与LED灯组导通时的第二时间的差值小于预设值时，则调整所述漏电流上升到上限电流值后保持不变。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S004中，所述可控硅导通时的第一时间是指可控硅切角达到上升沿的时间。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S004中，所述LED灯组导通时的第二时间是指LED灯组导通电流达到上升沿的时间。
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