CN110459580A - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开关于一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法，涉及显示技术领域。该显示面板包括阵列基板、封装层、封装基板、辅助电极和导电连接结构，阵列基板包括像素界定层和设于像素界定层一侧的透明的阴极层，像素界定层限定出多个像素区。封装层覆盖阴极层，且封装层设有露出阴极层的通孔，通孔在阵列基板上的投影位于像素界定层内。封装基板与阵列基板对盒设置。辅助电极设于封装基板靠近阵列基板的表面，辅助电极在阵列基板上的投影位于像素界定层内。导电连接结构覆盖辅助电极，且穿入通孔与阴极层电连接。本公开的显示面板可提高封装效果。

Description

显示装置、显示面板及其制造方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法。

背景技术

目前，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示面板，因其具有广色域、广视角等优点，而获得了广泛的应用。现有OLED显示面板包括顶发射和底发射两种类型，其中，顶发射的OLED显示面板应用较多。现有OLED显示面板一般包括具有多个发光器件的阵列基板，且为了对发光器件进行保护，还需要对阵列基板进行封装。但是现有OLED显示面板的封装效果仍有待提高。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法，可提高封装效果。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：

阵列基板，包括像素界定层和设于所述像素界定层一侧的透明的阴极层，所述像素界定层限定出多个像素区；

封装层，覆盖所述阴极层，且所述封装层设有露出所述阴极层的通孔，所述通孔在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

封装基板，与所述阵列基板对盒设置；

辅助电极，设于所述封装基板靠近所述阵列基板的表面，所述辅助电极在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

导电连接结构，覆盖所述辅助电极，且穿入所述通孔与所述阴极层电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的***区，所述像素区均位于所述显示区；所述显示面板还包括：

阻挡坝，设于所述封装基板和所述封装层之间，且位于所述***区，所述阻挡坝与所述封装基板和所述封装层围成一封闭的空腔，所述辅助电极位于所述空腔内；

填充层，填充于所述空腔内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述封装层的材料包括无机材料，所述阻挡坝的材料包括有机材料，所述填充层的材料包括干燥剂。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电连接结构包括：

绝缘隔垫物，设于所述辅助电极靠近所述阵列基板的表面的局部；

透明导电层，覆盖所述绝缘隔垫物、所述辅助电极和所述封装基板。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

阳极层，设于所述像素界定层背离所述阴极层的一侧，且包括被各所述像素区一一对应露出的多个电极单元，所述阳极层为遮光材料；

发光层，设于所述阳极层和所述阴极层之间，且填充各所述像素区。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光层覆盖所述像素界定层，所述阴极层覆盖所述发光层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，各所述发光单元一一对应的填充于各所述像素区内，所述阴极层覆盖所述像素界定层和所述发光层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述封装基板包括：

封装盖板，与所述阵列基板对盒设置；

彩膜层，设于所述封装盖板靠近所述阵列基板的表面；

黑矩阵，设于封装盖板靠近所述阵列基板的表面，且将所述彩膜层分割为多个彩膜单元，所述彩膜单元一一正对于各所述像素区设置，所述辅助电极在所述封装盖板上的投影位于所述黑矩阵内；

平坦层，覆盖所述彩膜层和所述黑矩阵。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：

提供一阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括像素界定层和设于所述像素界定层一侧的透明的阴极层，所述像素界定层限定出多个像素区；

形成覆盖所述阴极层的封装层，且所述封装层设有露出所述阴极层的通孔，所述通孔在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

在所述封装基板靠近所述阵列基板的表面形成辅助电极，所述辅助电极在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

形成覆盖所述辅助电极且向背离所述封装基板的方向凸起的导电连接结构；

将所述封装基板与所述阵列基板对盒设置，并使所述导电连接结构穿入所述通孔与所述阴极层电连接。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述显示面板。

本公开的显示装置、显示面板及其制造方法，在通过封装基板对阵列基板进行封装的同时，通过封装层对阵列基板的阴极进行覆盖，直接对阵列基板进一步封装，从而提高封装效果。同时，由于封装层设有露出阴极的通孔，使得辅助电极可通过导电连接结构穿入通孔与阴极电连接，从而可通过辅助电极降低阴极的阻抗，进而减小电路的压降，以降低功耗，在实现封装的同时，不影响辅助电极与阴极的电连接。此外，由于通孔在阵列基板上的投影位于像素界定层内，避免辅助电极遮蔽发光区域。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开显示面板一实施方式的示意图。

图2为本公开显示面板另一实施方式的示意图。

图3为本公开显示面板一实施方式中阵列基板及封装层的示意图。

图4为本公开显示面板的制造方法一实施方式的流程图。

附图标记说明：

1、阵列基板；11、衬底；12、驱动层；13、像素界定层；14、阴极层；15、阳极层；16、发光层；2、封装层；21、通孔；3、封装基板；31、封装盖板；32、黑矩阵；33、彩膜层；34、平坦层；4、辅助电极；5、导电连接结构；51、绝缘隔垫物；52、透明导电层；6、阻挡坝；7、填充层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

相关技术中，顶发射的OLED显示面板一般包括阵列基板和与阵列基板对盒封装的封装基板，阵列基板中包括向靠近封装基板的方向依次层叠的薄膜晶体管阵列、阳极、发光层和阴极，其中，阴极为透明结构，以实现顶发射。为了降低阴极的阻抗，封装基板靠近阵列基板的一侧设有辅助电极，该辅助电极与阴极电连接。但是，相关技术中仅通过封装基板覆盖的方式进行封装，封装效果有待提高。

本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可以是顶发射的OLED显示面板，如图1-图3所示，该显示面板包括阵列基板1、封装层2、封装基板3、辅助电极4和导电连接结构5，其中：

阵列基板1包括像素界定层13和设于像素界定层13一侧的透明的阴极层14，像素界定层13限定出多个像素区。封装层2覆盖阴极层14，且封装层2设有露出阴极层14的通孔21，通孔21在阵列基板1上的投影位于像素界定层13内。

封装基板3与阵列基板1对盒设置；辅助电极4设于封装基板3靠近阵列基板1的表面，辅助电极4在阵列基板1上的投影位于像素界定层13内；导电连接结构5覆盖辅助电极4，且穿入通孔21与阴极层14电连接。

本公开实施方式显示面板，在通过封装基板3对阵列基板1进行封装的同时，通过封装层2对阵列基板1的阴极进行覆盖，直接对阵列基板1进一步封装，从而提高封装效果。同时，由于封装层2设有露出阴极的通孔21，使得辅助电极4可通过导电连接结构5穿入通孔21与阴极电连接，从而可通过辅助电极4降低阴极的阻抗，进而减小电路的压降，以降低功耗，在实现封装的同时，不影响辅助电极4与阴极的电连接。此外，由于通孔21在阵列基板1上的投影位于像素界定层13内，避免辅助电极4遮蔽发光区域。

下面对本公开实施方式显示面板的各部分进行详细说明：

如图1-图3所示，阵列基板1可用于发光，以显示图像，其可包括衬底11、驱动层12和显示层，其中：

衬底11可为玻璃等硬质材料，也可以采用柔性材料，例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等，其厚度和形状在此不做特殊限定。

驱动层12设于衬底11上，驱动层12包括阵列分布的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的类型可以是顶栅或底栅型，在此不对薄膜晶体管的类型和结构做特殊限定。

显示层设于驱动层12背离衬底11的表面，且包括像素界定层13、阴极层14、阳极层15和发光层16，其中：

像素界定层13为遮光材质，其可设于驱动层12背离衬底11的一侧。同时，像素界定层13开设有多个镂空的像素区，仅在像素区透光。

阴极层14设于像素界定层13背离衬底11的一侧，阴极层14为透明或半透明的导电膜层，以便形成顶发射OLED发光器件，阴极层14的材料可为ITO(氧化铟锡)等，在此不做特殊限定。

阳极层15可设于像素界定层13背离阴极层14的一侧，且被像素界定层13覆盖。同时，阳极层15包括阵列分布的多个电极单元，电极单元的分布方式与像素区的分布方式匹配，且各电极单元被各像素区一一对应的露出。同时，阳极层15可为遮光材质，避免向背离阴极层14的方向出光。

发光层16可设于阳极层15和阴极层14之间，且填充各像素区，通过阳极层15和阴极层14向发光层16施加电流，可使发光层16发光，且由于阳极层15遮光，而阴极层14透光，从而可由阴极层14出射光线，实现顶发射。其中，通过各像素区可限定出多个发光器件，每个发光器件为一子像素，各发光器件与薄膜晶体管一一对应的连接，从而可在薄膜晶体管的控制下发光。

在一实施方式中，如图1所示，发光层16可为覆盖像素界定层13的连续膜层，阴极层14覆盖发光层16背离阳极层15的表面。同时，发光层16填充各像素区，且与阳极层15接触。

在另一实施方式中，如图2所示，发光层16包括多个间隔设置的发光单元，各发光单元一一对应的填充于各像素区内，发光单元背离阳极层15的表面可与像素界定层13平齐，阴极层14可同时覆盖像素界定层13和发光层16。对于本实施方式的发光层16而言，其可通过打印工艺形成各个发光单元，当然，也可通过蒸镀工艺配合掩膜版形成各个发光单元。

如图1-图3所示，封装层2覆盖阴极层14，从而对阵列基板1进行封装，同时，为了避免封装层2阻碍辅助电极4和阴极层14连接，可在封装层2开设通孔21，通孔21露出阴极层14，同时，为了保证封装效果，可使通孔21位于与像素界定层13对应的位置，即通孔21在阵列基板1上的投影位于像素界定层13内，以避开像素区，保证封装层2对像素区限定出的发光器件的封装效果，特别是对于上述包括多个间隔的发光单元的发光层16而言，封装效果更好。封装层2的厚度可为当然，也可以者更大或更小。

封装层2的材料可包括无机材料，例如包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一个，或者，也可以包括其它无机材料。当然，封装层2还可以采用有机材料，只要能保护阵列基板1即可。

如图1-图3所示，封装基板3与阵列基板1对盒设置，从而可在封装层2的基础上，对阵列基板1实现进一步的封装。

在一实施方式中，阵列基板1的发光层16用于发射白光，即各个发光器件均发白光。封装基板3在实现封装的同时，还可起到彩膜基板的作用，具体的，封装基板3可包括封装盖板31、黑矩阵32、彩膜层33和平坦层34，其中：

封装盖板31可与阵列基板1对盒设置，其可为玻璃等硬质材料，也可以采用柔性材料，例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。

黑矩阵32为遮光材质，且设于封装盖板31靠近阵列基板1的表面，且黑矩阵32可限定出多个透光区，各透光区与上述各像素区一一正对设置，即透光区在阵列基板1上的投影与各像素区一一对应的重合，黑矩阵32在阵列基板1上的投影与像素界定层13重合，而不遮蔽像素区。

彩膜层33设于封装盖板31靠近阵列基板1的表面，且被黑矩阵32分割为多个彩膜单元，各彩膜单元一一对应的设于各透光区，从而一一正对于各像素区。阵列基板1的各发光器件发出的光线可通过正对的彩膜单元，通过彩膜单元进行滤光，以实现彩色显示，彩膜层33的详细结构在此不再详述。

平坦层34覆盖彩膜层33和黑矩阵32，以对彩膜层33进行保护，并实现平坦化，平坦层34的材料在此不做特殊限定。

在另一实施方式中，发光层16也可用于发出单色光，只要能与彩膜层33配合显示图像即可。

当然，在本公开的其它实施方式中，阵列基板1的发光层16中，不同的发光器件可独立发光，且不同的发光器件的发光颜色可以不同，则封装基板3可不设置彩膜层33。

如图1-图3所示，辅助电极4可设于封装基板3靠近阵列基板1的表面，例如，设于上述平坦层34靠近阵列基板1的表面。辅助电极4为钼或其它导电的金属材质，且其在阵列基板1上的投影位于像素界定层13内，从而且不遮蔽像素区及相应的发光器件。同时，辅助电极4与通孔21正对，即辅助电极4在封装层2上的投影与通孔21重合。进一步的，辅助电极4在封装盖板31上的投影位于黑矩阵32内，从而避免遮挡彩膜层33。

导电连接结构5覆盖辅助电极4，且向阵列基板1凸起，同时，导电连接结构5穿入通孔21与阴极层14电连接，从而将辅助电极4与阴极层14连接起来，可通过辅助电极4降低阴极层14的阻抗，有利于降低能耗。

在一实施方式中，如图1和图2所示，导电连接结构5包括绝缘隔垫物51和透明导电层52，其中：

绝缘隔垫物51可设于辅助电极4靠近阵列基板1的表面，绝缘隔垫物51可为垂直于封装基板3的柱状结构，其高度小于辅助电极4与封装层2的距离。通过绝缘隔垫物51可在阵列基板1和封装基板3之间起到支撑的作用。

透明导电层52的材料可包括ITO等透明导电材料，其可覆盖绝缘隔垫物51、辅助电极4和封装基板3，相应的，透明导电层52随形贴合于绝缘隔垫物51的外表面，从而在对应于绝缘隔垫物51位置向通孔21凸起，且透明导电层52向通孔21凸起的区域伸入通孔21，并与阴极层14接触。同时，透明导电层52至少与辅助电极4的侧壁接触，从而实现阴极层14和辅助电极4的电连接。

进一步的，上述的绝缘隔垫物51覆盖，即绝缘隔垫物51不完全遮蔽辅助电极4，透明导电层52可覆盖辅助电极4未被绝缘隔垫物51覆盖的区域，以扩大接触面积。

在本公开的其它实施方式中，导电连接结构还可以是其它结构，例如：导电连接结构可为柱状结构，其材料包括有机树脂，该有机树脂中添加有导电颗粒。该导电连接结构设置位于和形状可与上述的导电连接结构5相同，在起到导电作用的同时，起到支撑作用。

在本公开实施方式的显示面板中，阵列基板1可包括显示区和围绕显示区的***区，阵列基板1的各像素区均位于显示区。如图1和图2所示，为了进一步的提高封装效果，该显示面板还包括阻挡坝6和填充层7，其中：

阻挡坝6可为环形结构，其可设于封装基板3和封装层2之间，且位于***区。阻挡坝6可与封装基板3和封装层2围成一封闭的空腔，辅助电极4位于空腔内。举例而言，如图1和图3所示，阻挡坝6可设于透明导电层52和封装层2之间。

填充层7填充于空腔内，可在封装基板3和阵列基板1间起到进一步吸收水汽和氧气的作用。

上述阻挡坝6的材料可包括有机材料，例如有机树脂等，为了避免水汽侵入显示区，填充层7的材料包括干燥剂，以便吸收透过阻挡坝6的水汽。当然，阻挡坝6也可以采用无机材料。

本公开实施方式提供一种显示面板的制造方法，该显示面板可为上述实施方式的显示面板，其具体结构在此不再详述。如图4所示，本公开实施方式的制造方法包括步骤S110-步骤S150，其中：

步骤S110、提供一阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括像素界定层和设于所述像素界定层一侧的透明的阴极层，所述像素界定层限定出多个像素区。

步骤S120、形成覆盖所述阴极层的封装层，且所述封装层设有露出所述阴极层的通孔，所述通孔在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内。

步骤S130、在所述封装基板靠近所述阵列基板的表面形成辅助电极，所述辅助电极在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内。

步骤S140、形成覆盖所述辅助电极且向背离所述封装基板的方向凸起的导电连接结构。

步骤S150、将所述封装基板与所述阵列基板对盒设置，并使所述导电连接结构穿入所述通孔与所述阴极层电连接。

本公开实施方式的制造方法的有益效果可参考上述显示面板的实施方式，在此不再赘述。

在步骤S110-步骤S150中，阵列基板、封装基板、封装层、辅助电极和导电连接结构的已在上述显示面板的实施方式中进行了详细说明，在此不再详述。其中，封装层的形成可采用CVD(化学气相沉积)的方式形成，例如，封装层的材料包括氮化硅和氮氧化硅中至少一种，可采用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积)工艺在阴极层上形成覆盖阴极层的封装层，封装层的厚度可为当然，也可以更大或更小。在形成封装层的过程中，可采用精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)或其它掩膜版实现封装层的图案化，形成露出阴极层的通孔。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

本公开实施方式还提供一种显示装置，包括上述显示面板，该显示面板具体结构在此不再详述。由于该显示装置采利用了上述的显示面板，因而二者能解决相同的技术问题，且具有相同的有益效果。本公开实施方式的显示装置可用于手机、平板电脑或电子纸等电子设备。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括像素界定层和设于所述像素界定层一侧的透明的阴极层，所述像素界定层限定出多个像素区；

封装层，覆盖所述阴极层，且所述封装层设有露出所述阴极层的通孔，所述通孔在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

封装基板，与所述阵列基板对盒设置；

辅助电极，设于所述封装基板靠近所述阵列基板的表面，所述辅助电极在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

导电连接结构，覆盖所述辅助电极，且穿入所述通孔与所述阴极层电连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的***区，所述像素区均位于所述显示区；所述显示面板还包括：

阻挡坝，设于所述封装基板和所述封装层之间，且位于所述***区，所述阻挡坝与所述封装基板和所述封装层围成一封闭的空腔，所述辅助电极位于所述空腔内；

填充层，填充于所述空腔内。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述封装层的材料包括无机材料，所述阻挡坝的材料包括有机材料，所述填充层的材料包括干燥剂。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电连接结构包括：

绝缘隔垫物，设于所述辅助电极靠近所述阵列基板的表面的局部；

透明导电层，覆盖所述绝缘隔垫物、所述辅助电极和所述封装基板。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

阳极层，设于所述像素界定层背离所述阴极层的一侧，且包括被各所述像素区一一对应露出的多个电极单元，所述阳极层为遮光材料；

发光层，设于所述阳极层和所述阴极层之间，且填充各所述像素区。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光层覆盖所述像素界定层，所述阴极层覆盖所述发光层。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，各所述发光单元一一对应的填充于各所述像素区内，所述阴极层覆盖所述像素界定层和所述发光层。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述封装基板包括：

封装盖板，与所述阵列基板对盒设置；

彩膜层，设于所述封装盖板靠近所述阵列基板的表面；

黑矩阵，设于封装盖板靠近所述阵列基板的表面，且将所述彩膜层分割为多个彩膜单元，所述彩膜单元一一正对于各所述像素区设置，所述辅助电极在所述封装盖板上的投影位于所述黑矩阵内；

平坦层，覆盖所述彩膜层和所述黑矩阵。

9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括像素界定层和设于所述像素界定层一侧的透明的阴极层，所述像素界定层限定出多个像素区；

形成覆盖所述阴极层的封装层，且所述封装层设有露出所述阴极层的通孔，所述通孔在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

在所述封装基板靠近所述阵列基板的表面形成辅助电极，所述辅助电极在所述阵列基板上的投影位于所述像素界定层内；

形成覆盖所述辅助电极且向背离所述封装基板的方向凸起的导电连接结构；

将所述封装基板与所述阵列基板对盒设置，并使所述导电连接结构穿入所述通孔与所述阴极层电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述显示面板。