CN110459567B - 发光装置 - Google Patents

Abstract

一种发光装置包括基板、有源元件、第一遮光层、光转换层、透明电极、第二遮光层、电致发光元件、顶电极与光感测元件。第一遮光层位于有源元件上且包括第一开口，光转换层位于第一开口中，透明电极位于第一遮光层与光转换层上且电性连接有源元件，第二遮光层位于透明电极上且包括对应第一开口的第二开口，且电致发光元件位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间，电致发光元件位于顶电极与透明电极之间。光感测元件包括第一电极、第二电极与光感测层，光感测层对应第一开口设置，且第一电极与第二电极分别电性连接光感测层。

Description

发光装置

技术领域

本发明是关于一种发光装置，且特别是关于一种用于显示面板的发光装置。

背景技术

现有一种显示面板，此显示面板具有多个发光装置，每个发光装置包括量子点与对应的有源元件，每个量子点的出光开口可形成一个像素，且这些量子点的出光开口会排列而形成像素阵列，而此像素阵列可用以显示图像。其中每个量子点填有电致发光材料与光转换材料，且每个量子点中的电致发光元件会电性连接至对应的有源元件。显示面板的控制模块可控制每个有源元件，并以有源元件驱动对应的量子点中的电致发光元件，使电致发光材料发光。对应的光转换材料会将电致发光材料所发出的光转换为特定颜色的光，而此特定颜色的光会由对应的出光开***出。当显示面板的控制模块在同一帧画面给予每个有源元件相同的电压或电流时，每个电致发光材料的出光亮度应该是相同的，而每个光转换材料的出光亮度也应该是相同的，且像素阵列在这一帧画面所呈现的亮度或颜色，整体而言应该是一致的。

发明内容

根据现有的此种显示面板，即使每个量子点中的电致发光材料接收到的电压或电流是相同的，但对应各量子点的各像素的亮度却可能不一致。原因之一在于工艺上的误差与元件本身的公差，导致量子点中的电致发光元件的效率或光转换材料的厚度无法完全相同，因此在相同电压或电流下，各个量子点中的电致发光材料的出光亮度可能略有差异，且各个量子点中的光转换材料的出光亮度亦可能略有差异。此外，光转换材料需要将电致发光元件提供的入射光转换特定波长的光，使得由出光开***出的光会具有特定颜色。但因为光转换材料的厚度有一定限制，原本该被转换的入射光仍会有一定比率漏出。并且，由于各量子点的光转换材料的厚度无法完全相同，因而每个量子点的漏光率亦有差异，这也会造成各像素所发出的光的亮度与色纯度无法完全一致。由此可知，现有显示面板的发光装置会导致色不均(mura)的现象。

本发明的至少一实施例提出一种发光装置，以确保发光装置的出光亮度可符合预期，并降低色不均的现象。

本发明的至少一实施例提出一种发光装置，其包括基板、有源元件、第一遮光层、光转换层、透明电极、第二遮光层、电致发光元件、顶电极与光感测元件。有源元件位于基板上，第一遮光层位于有源元件上且包括第一开口，光转换层位于第一开口中，透明电极位于第一遮光层与光转换层上且电性连接有源元件，第二遮光层位于透明电极上且包括对应第一开口的第二开口，且电致发光元件位于第二开口中。其中透明电极位于第一开口与第二开口之间，电致发光元件位于顶电极与透明电极之间。光感测元件包括第一电极、第二电极与光感测层，光感测层对应第一开口设置，且第一电极与第二电极分别电性连接光感测层。

综上所述，根据本发明至少一实施例的发光装置，其可通过光感测元件感测到第一开口的出光亮度，以利于根据此亮度维持或调整有源元件用来驱动电致发光元件的电压或电流，从而确保发光装置的出光亮度可符合预期，并降低色不均的现象。

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域普通技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及附图，任何本领域普通技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的发光装置的底视示意图；

图2所示为图1的2-2线段处的剖面示意图；

图3所示为图1的发光装置的***方块示意图；

图4所示为本发明第二实施例的发光装置的剖面示意图；

图5所示为本发明第三实施例的发光装置的剖面示意图；

图6所示为本发明第四实施例的发光装置的剖面示意图；

图7所示为本发明第五实施例的发光装置的剖面示意图；以及

图8所示为本发明第六实施例的发光装置的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

100 发光装置

110 基板

120 有源元件

121 沟道层

122 栅极绝缘层

123 层间绝缘层

124 第一导体层

125 第二导体层

130 第一遮光层

131 第一开口

132 第一部分

133 第二部分

140 光转换层

141 色阻层

150 透明电极

160 第二遮光层

161 第二开口

170 电致发光元件

171 第一传输层

172 第二传输层

173 发光层

180 顶电极

190 光感测元件

191 第一电极

192 第二电极

193 光感测层

210 第三遮光层

211 第三开口

220 第一绝缘层

230 第二绝缘层

240 封装层

250 第二光感测元件

251 第一电极

252 第二电极

253 光感测层

300 控制模块

D 漏极

G 栅极

ND 法线方向

S 源极

W11、W12、W21、W22 宽度

具体实施方式

请参照图1与图2，图1为本发明第一实施例的发光装置100的底视示意图，图2为图1的2-2线段处的剖面示意图。如图1与图2所示，在本实施例中，发光装置100包括基板110、有源元件120、第一遮光层130、光转换层140、透明电极150、第二遮光层160、电致发光元件170、顶电极180与光感测元件190。有源元件120位于基板110上，且第一遮光层130位于有源元件120上。第一遮光层130包括第一开口131，且光转换层140位于第一开口131中。透明电极150位于第一遮光层130与光转换层140上，且透明电极150是电性连接有源元件120。第二遮光层160位于透明电极150上，且第二遮光层160包括第二开口161，且电致发光元件170位于第二开口161中。第二开口161是对应第一开口131，例如第一开口131与第二开口161是在基板110的法线方向ND上彼此对齐。透明电极150是位于第一遮光层130上，且透明电极150是位于第一开口131与第二开口161之间。顶电极180位于第二开口161远离透明电极150的一侧，电致发光元件170位于顶电极180与透明电极150之间，且电致发光元件170的两端分别电性连接透明电极150与顶电极180。在一些实施例中，顶电极180亦可位于第二遮光层160上，且顶电极180延伸进入第二开口161中以电性连接电致发光元件170。

如图2所示，在本实施例中，有源元件120包括沟道层121、栅极绝缘层122、层间绝缘层123、第一导体层124的栅极G与第二导体层125的源极S与漏极D。沟道层121位于基板110上，栅极绝缘层122位于沟道层121上，栅极G位于栅极绝缘层122上，而栅极绝缘层122位于栅极G与沟道层121之间。层间绝缘层123位于栅极G与栅极缘层上，源极S与漏极D位于层间绝缘层123上，且层间绝缘层123位于源极S与栅极G之间以及漏极D与栅极G之间。栅极G是由第一导体层124形成，例如在第一导体层124形成于栅极绝缘层122上之后，进一步使第一导体层124图案化而形成栅极G。源极S与漏极D是由第二导体层125形成，例如在第二导体层125形成于层间绝缘层123上之后，进一步使第二导体层125图案化而形成源极S与漏极D。栅极G与沟道层121是被栅极绝缘层122隔开，源极S与漏极D则是分别穿过层间绝缘层123与栅极绝缘层122而电性连接至沟道层121。

如图2所示，在本实施例中，第一遮光层130包括第一部分132与第二部分133，第一部分132与第二部分133是彼此连接。第一部分132实质上覆盖有源元件120，而第二部分133是延伸至层间绝缘层123与栅极绝缘层122中，且第一开口131是贯穿第一遮光层130的第二部分133。透明电极150是穿过第一遮光层130的第一部分132并电性连接漏极D。在本实施例中，第二部分133是贯穿层间绝缘层123与栅极绝缘层122。

如图1与图2所示，在本实施例中，发光装置100还包括第三遮光层210。第三遮光层210位于基板110与有源元件120之间，且第三遮光层210包括第三开口211。第三开口211是对应第一开口131，例如第一开口131与第三开口211是在基板110的法线方向ND上彼此对齐。

如图2所示，在本实施例中，有源元件120用以驱动电致发光元件170。例如有源元件120是以特定电压或电流驱动电致发光元件170，使电致发光元件170发光。并且，第一遮光层130、第二遮光层160、第三遮光层210与顶电极180是不透明的，而基板110是透明的。电致发光元件170发出的光会自第二开口161穿过透明电极150而进入第一开口131中，而第一开口131中的光转换层140会将来自于电致发光元件170的光转换为特定颜色。例如电致发光元件170发出的光是蓝光，而光转换层140会将蓝光转换成特定波长的光，使蓝光转成绿光、红光或特定颜色的光。经由光转换层140转换的特定颜色的光会自第二开口161朝第三开口211射出，自第二开口161射出的光会进一步穿过第三开口211与基板110射出。在本实施例中，自第二开口161射出的光可能以球面的型态扩散，第三遮光层210可阻挡扩散的光，并限制光只能自第三开口211射出，从而使穿过基板110的光会集中在对应于第三开口211的范围。在一些实施例中，发光装置100亦可不包括第三遮光层210，因而穿过基板110的光会集中在对应于第一开口131的范围。

如图2所示，在本实施例中，光转换层140包括色阻层141，色阻层141位于第一开口131远离透明电极150的一侧。色阻层141可吸收漏光，例如电致发光元件170发出的光是蓝光，而光转换层140会将蓝光转成红光，则色阻层141可包括红色色阻材料，以吸收漏出的蓝光，使光转换层140射出的光都是红光。在一些实施例中，光转换层140包括量子点材料，如钙钛矿材料、硒化镉、磷化铟等，但不限于此。在一些实施例中，色阻层141包括滤光材料，如染料、色素、荧光材料等，但不限于此。

如图2所示，在本实施例中，电致发光元件170包括第一传输层171、发光层173与第二传输层172。发光层173于第一传输层171与第二传输层172之间，第一传输层171连接透明电极150，且第二传输层172连接顶电极180。第一传输层171与第二传输层172的其中一者为电子传输层，另一者为空穴传输层。在一些实施例中，第一传输层171料可包括氧化镍，而第二传输层172可包括氧化锌，但不限于此。在一些实施例中，发光层173可包括有机发光材料或量子点材料，如钙钛矿，但不限于此。

如图2所示，在本实施例中，第一开口131是呈倒锥形，而第二开口161是呈锥形。第一开口131远离透明电极150的一侧的宽度W11是小于第一开口131靠近透明电极150的一侧的宽度W12，且第一开口131是自远离透明电极150的一侧至靠近透明电极150的一侧渐宽。第二开口161远离透明电极150的一侧的宽度W22是小于第二开口161靠近透明电极150的一侧的宽度W21，且第二开口161是自远离透明电极150的一侧至靠近透明电极150的一侧渐宽。在本实施例中，第二开口161靠近透明电极150的一侧的宽度W21是大于或等于第一开口131靠近透明电极150的一侧的宽度W12，但不限于此。在一些实施例中，第二开口161亦可呈倒锥形，即第二开口161远离透明电极150的一侧的宽度W22是大于第二开口161靠近透明电极150的一侧的宽度W21。在一些实施例中，第二开口161亦可呈柱形，即第二开口161远离透明电极150的一侧的宽度W22是等于第二开口161靠近透明电极150的一侧的宽度W21。

在一些实施例中，发光装置100可应用于有源式发光的显示面板，而有源元件120可包括多组源极S、漏极D、沟道层121与栅极G，且第一遮光层130、第二遮光层160与第三遮光层210可分别包括多个第一开口131、多个第二开口161与多个第三开口211。各组源极S、漏极D、沟道层121与栅极G中的漏极D是透过对应的透明电极150电性连接对应的第二开口161中的电致发光元件170，且各第二开口161是在基板110的法线方向ND上对齐对应的第一开口131与第三开口211。如图1所示，第三遮光层210的多个第三开口211是以矩阵方式排列，但不限于此。如图2所示，每一第三开口211是对齐一组对应的电致发光元件170与光转换层140。每一组源极S、漏极D、沟道层121与栅极G可独立驱动对应的电致发光元件170发光，且电致发光元件170所发出的光会由对应的第三开口211射出。换言之，各第三开口211分别为显示面板的像素阵列的各个像素发光口。

如图2所示，在本实施例中，光感测元件190包括第一电极191、第二电极192与光感测层193。光感测层193是对应第一开口131设置，以接收通过第一开口131的光或自第一开口131射出的光。第一电极191与第二电极192分别电性连接光感测层193，以在光感测层193接收光之后产生光电流。第一电极191是位于基板110与有源元件120之间，且第二电极192是位于有源元件120与第一遮光层130之间。在本实施例中，当电致发光元件170发出的光被光转换层140转换并自第一开口131射出，光感测元件190可用来感测第一开口131的出光亮度。在一些实施例中，光感测层193包括光电二极管(photodiode)，但不限于此。

如图2所示，在本实施例中，第三遮光层210为金属层。光感测元件190的第一电极191是与第三遮光层210整合为一体，也就是说，第三遮光层210除了遮光外，还可作为光感测元件190的第一电极191。光感测层193是接触第三遮光层210且邻近第三开口211，而第二电极192是位在层间绝缘层123与第一遮光层130之间。在本实施例中，层间绝缘层123与栅极绝缘层122位于第二电极192与光感测层193之间，且源极S、漏极D与第二电极192是同时成形。换言之，第二导体层125是经由图案化而同时形成源极S、漏极D与第二电极192，第二电极192是穿过层间绝缘层123与栅极绝缘层122而连接光感测层193。在一些实施例中，第三遮光层210会反射由第一开口131扩散的光，光感测元件190亦可感测来自第三遮光层210的反射光。

如图2所示，在本实施例中，发光装置100还包括第一绝缘层220与第二绝缘层230。第一绝缘层220位于第三遮光层210上，且第一绝缘层220透过第三开口211接触基板110。第二绝缘层230位在第一绝缘层220上，且第二绝缘层230是位于有源元件120与第一绝缘层220之间、第一遮光层130的第二部分133与第一绝缘层220之间以及光转换层140与第一绝缘层220之间。在一些实施例中，第一遮光层130的第二部分133还可贯穿第一绝缘层220与第二绝缘层230的至少一层。

如图2所示，在本实施例中，发光装置100还包括封装层240。封装层240位于第二遮光元件与顶电极180上，且封装层240可包括玻璃基板、绝缘材料等，但不限于此。

在一些实施例中，第三遮光层210的厚度大于50纳米。在一些实施例中，透明电极150的厚度小于139纳米。在一些实施例中，光转换层140的厚度大于5微米，且色阻层141的厚度小于1微米。

请参照图3，图3为图1的发光装置100的***方块示意图。如图3所示，在本实施例中，发光装置100还包括控制模块300，控制模块300是电性连接光感测元件190与有源元件120，且控制模块300可控制有源元件120以驱动电致发光元件170发光。在图3中，控制模块300、有源元件120、电致发光元件170与光感测元件190之间的实线箭头表示为电性连接，而光感测元件190、光转换层140与电致发光元件170之间的虚线箭头表示为光学性连接。

在一些实施例中，控制模块300可控制栅极G电压，使沟道层121形成电性导通或断开。当沟道层121导通时，控制模块300可透过源极S、沟道层121、漏极D与透明电极150对电致发光元件170施加电压或电流，使电致发光元件170发光。举例来说，当控制模块300控制有源元件120对电致发光元件170施加第一电压，电致发光元件170是相应于第一电压发光，且电致发光元件170所发的光具有第一亮度。电致发光元件170所发的光会自第二开口161进入第一开口131，并经过光转换层140的转换，接着自第一开口131朝向第三开口211射出。此时，光转换层140射出的光会有一部分投射到光感测层193，且第一电极191与第二电极192之间会相应产生光电流，此光电流会回馈至控制模块300，且经过控制模块300运算而转换为亮度，也就是说，光感测元件190回馈的光电流可视为一种亮度信号或对应亮度的参考信号。控制模块300会根据亮度信号所转换的亮度，对应控制有源元件120并对电致发光元件170施加第二电压，以驱动电致发光元件170发出具有第二亮度的光。根据此亮度信号，第二电压可以等于、大于或小于第一电压，相应地，第二亮度会等于、大于或小于第一亮度。换句话说，控制模块300可根据光感测元件190所感测到的亮度来决定是否维持或是调整有源元件120所施加于电致发光元件170的电压，以维持或补偿电致发光元件170的出光亮度。

举例来说，当控制模块300控制有源元件120对电致发光元件170施加3伏特电压，而电致发光元件170的出光亮度为2流明。控制模块300会比对光感测层193感测到的亮度与预期亮度，此预期亮度是对应于在施加第一电压于电致发光元件170的情况下，光转换层140应有的出光亮度。假设预期亮度为1.8流明，而光感测层193所感测的亮度为1.5流明，其低于预期亮度(例如光转换层140的厚度与设计标准值之间有误差而造成光转换层140的出光损失)，则控制模块300会将施加于电致发光元件170的电压增加为3.5伏特，使电致发光元件170的出光亮度增加，而光转换层140的出光亮度也会相应增加，此时光感测元件190所感测到的亮度达到预期亮度1.8流明。若光感测层193感测到的亮度为1.9流明，其高于预期亮度(例如光转换层140的厚度与设计标准值之间有误差而造成光转换层140的漏光率增加)，则控制模块300会将施加于电致发光元件170的电压减少为2.8伏特，光转换层140的出光亮度会相应减少，使光感测元件190所感测到的亮度达到预期亮度1.8流明。在一些实施例中，控制模块300亦可通过调整电流来改变电致发光元件170的出光亮度。

在一些实施例中，发光装置100是应用于显示面板，且在各电致发光元件170被施加相同电压的情况下，各光转换层140的出光的预期亮度是相同的，而显示面板的各像素的亮度也应该是相同的。但基于上述各种误差，显示面板的各像素的亮度可能略有差异而产生色不均的现象。因此，通过各光感测元件190分别对各光转换层140的出光亮度进行感测并回馈亮度信号，控制模块300可透过有源元件120即时且分别调整施加于各电致发光元件170的电压，使显示面板的各像素的亮度皆达到预期亮度，从而避免色不均的现象。

请参照图4，图4为本发明第二实施例的发光装置100的剖面示意图。图4与图2的实施例的差异在于图4的光感测元件190的第二电极192的位置。在本实施例中，第二电极192是位在光感测层193与层间绝缘层123之间，栅极绝缘层122是位在第二电极192与光感测层193之间，且第二电极192与栅极G同时成形。第一导体层124是经由图案化而同时形成栅极G与第二电极192，且第二电极192是穿过栅极绝缘层122而连接光感测层193。

请参照图5，图5所示为本发明第三实施例的发光装置100的剖面示意图。图5与图2的实施例的差异在于，图5的发光装置100还包括第二光感测元件250。在本实施例中，第二光感测元件250包括第一电极251、第二电极252与光感测层253。第二光感测元件250的光感测层253是位于透明电极150与层间绝缘层123之间，且光感测层253是对应第二开口161设置，而第二光感测元件250的第一电极251与第二电极252是分别电性连接光感测层253。由于电致发光元件170的发光效率与设计标准值之间亦可能存在误差而造成出光亮度与预期亮度不符，因此光感测层253可用来感测电致发光元件170的出光亮度，且第二光感测元件250会将对应的亮度信号回馈给如图3所示的控制模块300，且控制模块300可根据亮度信号维持或调整有源元件120施加于电致发光元件170的电压或电流。

如图5所示，在本实施例中，第二光感测元件250的第一电极251位于层间绝缘层123与第一遮光层130之间，且源极S、漏极D、光感测元件190的第二电极192与第二光感测元件250的第一电极251是同时成形，亦即第二导体层125是经由图案化而同时形成源极S、漏极D、光感测元件190的第二电极192与第二光感测元件250的第一电极251。在本实施例中，第二光感测元件250的第二电极252位于第一遮光层130与第二遮光层160之间，且第二光感测元件250的第二电极252与透明电极150是同时成形。在一些实施例中，透明电极150是由氧化铟锡薄膜制成，此氧化铟锡薄膜是先形成于第一遮光层130与光转换层140上，且氧化铟锡薄膜是再经由图案化而同时形成第二光感测元件250的第二电极252与透明电极150。

请参照图6，图6所示为本发明第四实施例的发光装置100的剖面示意图。图6与图2的实施例的差异在于图6的光感测元件190的位置。在本实施例中，光感测层193是邻近第一开口131远离透明电极150的一侧。举例来说，光感测层193与色阻层141在基板110的法线方向ND上未重叠。在本实施例中，光感测层193与沟道层121是同时成形，且光感测层193与沟道层121包括相同的材料，如多晶硅，但不限于此。在本实施例中，第一电极191是位于光感测层193与层间绝缘层123之间，且第二电极192是位于层间绝缘层123与第一遮光层130之间。第一电极191与栅极G是同时成形，而第二电极192、源极S与漏极D是同时成形。第一导体层124是经由图案化而同时形成栅极G与第一电极191，而第二导体层125是经由图案化而同时形成源极S、漏极D与第二电极192。在本实施例中，光感测层193与层间绝缘层123之间可不存在栅极绝缘层122，亦即此处的栅极绝缘层122会在工艺中先被移除，再依序形成第一导体层124的栅极G与第一电极191、层间绝缘层123与第二导体层125的源极S、漏极D与第二电极192，且第一电极191直接连接光感测层193，而第二电极192是贯穿层间绝缘层123而连接光感测层193。

请参照图7，图7所示为本发明第五实施例的发光装置100的剖面示意图。图7与图6的实施例的差异在于图7的光感测层193的位置。在本实施例中，光感测层193与光转换层140在基板110的法线方向ND上重叠，例如色阻层141与光感测层193在基板110的法线方向ND上重叠且彼此接触。并且，光感测层193与沟道层121是同时成形，且光感测层193与沟道层121包括相同的材料。在本实施例中，第一电极191与第二电极192位于第一开口131的相对两侧，第一电极191与栅极G是同时成形，而第二电极192、源极S与漏极D是同时成形，且第二电极192是贯穿层间绝缘层123与栅极绝缘层122而连接光感测层193。

如图7所示，在本实施例中，光感测层193可允许光转换层140的光通过，且可感测来自光转换层140的所有光线，因此光感测元件190回馈的亮度信号具有更高的精确度。不过，光感测层193会吸收一部分的光，使得第三开口211的出光亮度减低。为了兼顾透光与光感测的效果，光感测层193的厚度需控制在一定范围内。在本实施例中，光感测层193的厚度介于20纳米至500纳米之间。在一些实施例中，光感测层193的厚度为430纳米。

请参照图8，图8所示为本发明第六实施例的发光装置100的剖面示意图。图8与图2的实施例的差异在于图8的光感测层193的位置。在本实施例中，光感测层193是位于第一开口131中，且光感测层193与光转换层140是整合为一体，换句话说，光转换层140本身亦可作为光感测材料。在本实施例中，第一电极191与栅极G是同时成形，而第二电极192、源极S与漏极D是同时成形。并且，第一电极191是位于栅极绝缘层122与层间绝缘层123之间，且第一电极191贯穿第一开口131而接触光转换层140的一侧。第二电极192是位于栅极绝缘层122与第一遮光层130之间，且第二电极192贯穿层间绝缘层123与第一开口131而接触光转换层140远离第一电极191的另一侧。在本实施例中，在光转换层140接收来自于电致发光元件170的光之后，第一电极191与第二电极192之间会产生光电流，此光电流可视为一种亮度信号或对应亮度的参考信号，且亮度信号会回馈给如图3所示的控制模块300，而控制模块300可根据亮度信号维持或调整有源元件120施加于电致发光元件170的电压或电流。

综上所述，根据本发明至少一实施例的发光装置，其可通过光感测元件感测到第一开口的出光亮度，以利于根据此亮度维持或调整有源元件用来驱动电致发光元件的电压或电流，从而确保发光装置的出光亮度可符合预期。在发光装置应用于显示面板的情况下，可通过各光感测元件感测对应的第一开口的出光亮度，从而确保显示面板的每个像素的亮度或颜色符合预期，以避免色不均的现象。

虽然本发明的技术内容已经以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神所作些许的更动与润饰，皆应涵盖于本发明的范畴内，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求为准。

Claims (8)

1.一种发光装置，包括：

一基板；

一有源元件，位于该基板上；

一第一遮光层，位于该有源元件上且包括一第一开口；

一光转换层，位于该第一开口中；

一透明电极，位于该第一遮光层与该光转换层上且电性连接该有源元件；

一第二遮光层，位于该透明电极上且包括对应该第一开口的一第二开口；

一电致发光元件，位于该第二开口中，其中该透明电极位于该第一开口与该第二开口之间；

一顶电极，其中该电致发光元件位于该顶电极与该透明电极之间；以及

一第一光感测元件，包括一第一电极、一第二电极与一光感测层，该光感测层对应该第一开口设置，且该第一电极与该第二电极分别电性连接该光感测层；

其中该有源元件包括：

一沟道层，位于该基板上；

一栅极，位于该沟道层上；

一栅极绝缘层，位于该栅极与该沟道层之间；

一源极与一漏极，分别电性连接至该沟道层；以及

一层间绝缘层，位于该源极与该栅极之间以及该漏极与该栅极之间，

其中该第一遮光层包括：

一第一部分，实质上覆盖该有源元件；以及

一第二部分，连接该第一部分，该第二部分穿入该层间绝缘层与该栅极绝缘层，且该第一开口贯穿该第二部分；

该发光装置还包括一第二光感测元件，该第二光感测元件包括一第一电极、一第二电极与一光感测层，该第二光感测元件的该光感测层位于该透明电极与该层间绝缘层之间且对应该第二开口设置，且该第二光感测元件的该第一电极与该第二光感测元件的该第二电极分别电性连接该第二光感测元件的该光感测层。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二光感测元件的该第一电极位于该层间绝缘层与该第一遮光层之间。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二光感测元件的该第二电极位于该第一遮光层与该第二遮光层之间。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该光转换层包括一色阻层，该色阻层位于该第一开口远离该透明电极的一侧。

5.如权利要求4所述的发光装置，其中该光转换层的厚度大于5微米，且该色阻层的厚度小于1微米。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二开口远离该透明电极的一侧的宽度小于该第二开口靠近该透明电极的一侧的宽度，且该第二开口靠近该透明电极的一侧的宽度大于或等于该第一开口靠近该透明电极的一侧的宽度。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中该透明电极的厚度小于139纳米。

8.如权利要求1所述的发光装置，还包括一控制模块，其中该控制模块电性连接该第一光感测元件与该有源元件，该控制模块控制该有源元件以驱动该电致发光元件产生具有一第一亮度的光，该第一光感测元件感测自该光转换层射出的光而产生一亮度信号，且该控制模块根据该亮度信号控制该有源元件以驱动该电致发光元件产生一第二亮度。

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