CN110427931A - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及显示装置。包括：衬底基板；指纹识别单元；指纹识别单元包括光感结构；遮光层和电极连接结构；遮光层以及电极连接结构均位于光感结构背离衬底基板一侧；遮光层设置有准直孔，准直孔在衬底基板上的垂直投影与光感结构在衬底基板上的垂直投影部分交叠；电极连接结构与光感结构之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔，电极连接结构通过电极过孔连接光感结构；准直孔在衬底基板上的垂直投影与电极过孔在衬底基板上的垂直投影不交叠。本发明实施例提供的技术方案可以降低工艺难度，防止光阻残留以及减小光损耗。

Description

一种阵列基板及显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
屏下指纹识别是一项将指纹采集窗设置在显示装置的显示区的技术，它使得显示装置的非显示区不必预留空间来设置指纹采集窗，有利于增大屏占比，实现真正的全面屏。
屏下指纹识别主要利用超声波和光学等穿透技术。其中，在光学指纹识别技术中，通常在显示装置的阵列基板上设置指纹识别单元，指纹识别单元一般采用光电二极管作为光感结构，光感结构的中间位置设置有准直孔和电极过孔，准直孔用于防止光线的串扰，电极过孔用于为电极连接结构提供通道，以使电极连接结构与光感结构连接。但是，将准直孔和电极孔套合(沿垂直于阵列基板所在平面方向)，工艺难度较大，且容易造成光阻残留以及光损耗。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示装置，以实现降低工艺难度，防止光阻残留以及减小光损耗。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
指纹识别单元；指纹识别单元包括光感结构；
遮光层和电极连接结构；遮光层以及电极连接结构均位于光感结构背离衬底基板一侧；
遮光层设置有准直孔，准直孔在衬底基板上的垂直投影与光感结构在衬底基板上的垂直投影部分交叠；
电极连接结构与光感结构之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔，电极连接结构通过电极过孔连接光感结构；
准直孔在衬底基板上的垂直投影与电极过孔在衬底基板上的垂直投影不交叠。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明任意实施例所述的阵列基板。
本发明实施例提供的阵列基板，通过设置准直孔在光感结构上的垂直投影与光感结构部分交叠，电极过孔在光感结构上的垂直投影与光感结构部分交叠，并且准直孔在光感结构上的垂直投影与电极过孔在光感结构上的垂直投影不交叠，使得准直孔和电极过孔错开分布在光感结构所在区域。
附图说明
图1是本发明提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种指纹识别单元的等效电路原理图；
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图13是图12中B处的局部放大示意图；
图14是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图1，该阵列基板包括：衬底基板10’、指纹识别单元20’、遮光层30’和电极连接结构40’，指纹识别单元20’包括光感结构210’。遮光层30’位于光感结构210’背离衬底基板10’一侧，电极连接结构40’位于遮光层30’背离衬底基板10’一侧。遮光层30’上设置有准直孔31’，准直孔31’在衬底基板10’上的垂直投影与光感结构210’在衬底基板10’上的垂直投影部分交叠。电极连接结构40’与光感结构210’之间设置有绝缘层，绝缘层上设置有电极过孔50’，电极连接结构40’通过电极过孔50’连接光感结构210’。电极过孔50’在衬底基板10’上的垂直投影落在准直孔31’在衬底基板上的垂直投影上。继续参见图1，本发明申请人发现图1所示的阵列基板具有如下问题：在垂直于衬底基板10’所在平面方向，准直孔31’和电极过孔50’套合如此，电极过孔50’穿过多个膜层，该多个膜层中的每个膜层在电极过孔50’所在区域具有膜层过孔，该多个膜层过孔套合，容易造成光阻残留，且工艺难度较大。此外，由于工艺限制，位于准直孔31’背离衬底基板10’一侧的膜层上的膜层过孔的侧壁与垂直于衬底基板10’所在平面方向会有一定的角度，当光线入射到膜层过孔的侧壁上时会出现反射的情况，造成反射光的浪费。
有鉴于此，本发明申请人进行了进一步研究，本发明实施例提供了另一种阵列基板，包括：衬底基板；指纹识别单元；指纹识别单元包括光感结构；遮光层和电极连接结构；遮光层以及电极连接结构均位于光感结构背离衬底基板一侧；遮光层设置有准直孔，准直孔在衬底基板上的垂直投影与光感结构在衬底基板上的垂直投影部分交叠；电极连接结构与光感结构之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔，电极连接结构通过电极过孔连接光感结构；准直孔在衬底基板上的垂直投影与电极过孔在衬底基板上的垂直投影不交叠。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图2，该阵列基板包括：衬底基板110、指纹识别单元120、遮光层130和电极连接结构140，指纹识别单元120包括光感结构121。遮光层130以及电极连接结构140均位于光感结构121背离衬底基板110一侧，遮光层130设置有准直孔131，准直孔131在衬底基板110上的垂直投影与光感结构121在衬底基板110上的垂直投影部分交叠。电极连接结构140与光感结构121之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔150，电极连接结构140通过电极过孔150连接光感结构121。准直孔131在衬底基板上110的垂直投影与电极过孔150在衬底基板110上的垂直投影不交叠。
可选的，沿衬底基板110指向遮光层130的方向，光感结构121包括依次层叠设置的N型半导体层n、本征半导体层i以及P型半导体层p，电极连接结构140通过电极过孔150连接P型半导体层p，如图2所示；或者，沿衬底基板110指向遮光层130的方向，光感结构121包括依次层叠设置的P型半导体层p、本征半导体层i以及N型半导体层n；电极连接结构140通过电极过孔150连接N型半导体层n。
具体的，P型半导体层p的材料为P型多晶硅，本征半导体层i的材料为本征非晶硅，N型半导体层n的材料可以为N型多晶硅或N型非晶硅中的任一种，从而使光感结构121通过多晶硅和非晶硅混合堆叠而成。
具体的，继续参见图2，阵列基板包括显示区20和指纹识别区10，显示区20具有多个像素单元，能够显示图像，指纹识别区10具有多个指纹识别单元120，能够实现指纹识别。示例性的，图3是本发明实施例提供的一种指纹识别单元的等效电路原理图。参见图2和图3，指纹识别单元120包括光感结构121和存储电容122(图2中未示出)，光感结构121和存储电容122并联。整个指纹识别阶段可包括准备阶段、指纹识别信号采集阶段和指纹信号检测阶段。在准备阶段，开关薄膜晶体管T1导通，存储电容122充电，直至存储电容32充电完成。在指纹识别阶段，开关薄膜晶体管T1关闭，经由触摸主体反射回的光线照射在光感结构121上，光感结构121形成光电流，存储电容122与光感结构121形成放电回路，光电流的方向为由节点H2指向节点H1，进而使得节点H2的电位发生变化。在指纹信号检测阶段，可以直接检测节点H2的电位变化量，进而确定光电流的大小，以实现指纹识别功能。
具体的，指纹识别区10可以设置多个光感结构121，遮光层130上可以开设多个准直孔131，多个准直孔131与多个光感结构121一一对应设置。遮光层130上的准直孔131使得从触摸主体反射回的光线中，与垂直于阵列基板所在平面方向夹角小于预设值的光线照射在与该准直孔131正对的光感结构121上，屏蔽掉与垂直于阵列基板所在平面方向夹角大于预设值的光线，从而避免经由触摸主体不同位置反射的光线照射至同一光感结构121造成串扰。准直孔131的形状可以为圆形或矩形等，本领域技术人员可根据实际情况设定。
具体的，电极连接结构140用于连接光感结构121。电极连接结构140可以一端通过电极过孔150与光感结构121贴合连接，另一端通过信号线(图2未示出)与为光感结构121提供工作电压信号的端子(图2未示出)连接，从而使得光感结构121能够接收到工作电压信号。电极连接结构140的材料可以为ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜，Indium TinOxides)或ATO(锑掺杂的二氧化锡，Antimony Doped Tin Oxide)中的任一种，也可为其他透明导电材质，本申请不作限定。
可以理解的是，本发明实施例，将准直孔131和电极过孔150错开分布，使得电极过孔150穿过的膜层的数量减少(至少不必穿过遮光层)，从而降低形成电极过孔150的工艺难度，降低光阻残留的可能性。并且，将准直孔131和电极过孔150错开分布，使得位于准直孔131背离衬底基板110一侧的膜层在准直孔131对应位置不必设置膜层过孔，防止光线入射到这些膜层时产生反射光浪费。
具体的，准直孔131和电极过孔150错开分布的具体实施方式有多种，可选的，光感结构121包括中心区和围绕中心区的边缘区，可以设置准直孔131在光感结构121上的垂直投影位于中心区，设置电极过孔150在光感结构121上的垂直投影位于边缘区，如图2所示，这样设置的好处在于，有利于电极连接结构140绕过准直孔131所在区域，即电极连接结构140在遮光层130上的垂直投影与准直孔131不交叠，进而减少经由触摸主体反射回的光线穿过的膜层的数量，减少光损耗。
本发明实施例提供的阵列基板，通过设置准直孔在光感结构上的垂直投影与光感结构部分交叠，电极过孔在光感结构上的垂直投影与光感结构部分交叠，并且准直孔在光感结构上的垂直投影与电极过孔在光感结构上的垂直投影不交叠，可以达到降低工艺难度，防止光阻残留以及减小光损耗的效果。
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。参见图2、图4和图5，可选的，阵列基板还包括多个像素单元210，像素单元210包括像素电极211和公共电极212，电极连接结构140与像素电极211或公共电极212同层设置且采用同种材料。
可选的，像素电极211和公共电极212异层设置，且公共电极212位于像素电极211和衬底基板之间，如图2所示。此时，电极连接结构140可以与像素电极211同层设置，也可以与公共电极212同层设置。优选的，电极连接结构140与公共电极212同层设置，如图2所示。如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
可选的，像素电极211和公共电极212异层设置，且像素电极211位于公共电极212和衬底基板之间，如图4所示。此时，电极连接结构140可以与像素电极211同层设置，也可以与公共电极212同层设置。优选的，电极连接结构140与像素电极211同层设置，如图4所示。如此，可以减少电极过孔150需要贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
可选的，像素电极211和公共电极212同层设置且采用同种材料，如图5所示。这样设置的好处在于，可以使得阵列基板膜层设置关系更简单，更易于实现薄型化阵列基板设计要求。
具体的，像素电极211和公共电极212的材料可以为ITO或ATO中的任一种，也可为其他透明导电材质，本申请不作限定。
需要说明的是，上述设置方式，通过将电极连接结构140与像素电极211层或公共电极212层同层设置且采用同种材料，可以保证电极连接结构140的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证电极连接结构140制备工艺简单，还可以使得阵列基板膜层设置关系简单，易于实现薄型化阵列基板设计要求。
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图7是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。参见图6和7，可选的，阵列基板还可以包括多个像素单元210，像素单元包括像素电极211和公共电极212，部分数量像素电极211或部分数量公共电极212复用为电极连接结构140，电极连接结构140在显示阶段为像素电极211或公共电极212提供显示驱动信号，电极连接结构140在指纹识别阶段为光感结构121提供工作电压信号。
具体的，多个像素电极211中，在光感结构121上的垂直投影与光感结构121至少部分交叠的像素电极211可以复用为电极连接结构140。具体的，多个公共电极212中，在光感结构121上的垂直投影与光感结构121至少部分交叠的公共电极212可以复用为电极连接结构140，像素电极211和公共电极212的形状可以为矩形或菱形等，本申请对此不作限定。
可选的，像素电极211和公共电极212异层设置，且公共电极212位于像素电极211和衬底基板之间。此时，可以设置部分数量像素电极211复用为电极连接结构140，也可以设置部分数量公共电极212复用为电极连接结构140。优选的，设置部分数量公共电极212复用为电极连接结构140，如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
可选的，像素电极211和公共电极212异层设置，且像素电极211位于公共电极212和衬底基板之间，如图6所示。此时，可以设置部分数量像素电极211复用为电极连接结构140，也可以设置部分数量公共电极212复用为电极连接结构140。优选的，部分数量像素电极211复用为电极连接结构140，如图6所示。如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
可选的，像素电极211和公共电极212同层设置且采用同种材料，如图7所示。这样设置的好处在于，可以使得阵列基板膜层设置关系更简单，更易于实现薄型化阵列基板设计要求。此时，可以设置部分数量像素电极211复用为电极连接结构140，如图7所示，也可以设置部分数量公共电极212复用为电极连接结构140，还可以设置部分数量像素电极211以及部分数量公共电极212复用为电极连接结构140，本申请对此不作限定。
需要说明的是，上述设置方式，通过设置部分数量像素电极211或部分数量公共电极212复用为电极连接结构140，使得在像素电极211所在膜层上或部分数量公共电极212所在膜层上，不必为电极连接结构140预留空间，从而不必更改公共电极212所在膜层上公共电极212原有的分布情况以及像素电极211所在膜层上像素电极211原有的分布情况。
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图8，该阵列基板包括：衬底基板110、指纹识别单元120、遮光层130和电极连接结构140，指纹识别单元120包括光感结构121。遮光层130以及电极连接结构140均位于光感结构121背离衬底基板110一侧，遮光层130设置有准直孔131，准直孔131在衬底基板110上的垂直投影与光感结构121在衬底基板110上的垂直投影部分交叠。电极连接结构140与光感结构121之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔150，电极连接结构140通过电极过孔150连接光感结构121。准直孔131在衬底基板上110的垂直投影与电极过孔150在衬底基板110上的垂直投影不交叠。可选的，阵列基板还包括多个像素单元210以及触控电极层220，触控电极层200位于光感结构121背离衬底基板的一侧；像素单元包括像素电极211和公共电极212；电极连接结构140与触控电极层220同层设置且采用同种材料。
具体的，触控电极层220可以位于像素电极211以及公共电极212靠近衬底基板的一侧，如图8所示，也可以位于像素单元以及公共电极212远离衬底基板的一侧，还可以位于像素电极211和公共电极212之间。优选的，触控电极层220位于像素电极211以及公共电极212靠近衬底基板的一侧，即触控电极层220位于像素电极211和衬底基板之间，且触控电极层220位于公共电极212和衬底基板之间，如图8所示。这样设置的好处在于，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
具体的，触控电极层220的材料可以为ITO或ATO中的任一种，也可为其他透明导电材质，本申请不作限定。
需要说明的是，上述设置方式，通过将电极连接结构140与触控电极层220同层设置且采用同种材料，可以保证电极连接结构140的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证电极连接结构140制备工艺简单，还可以使得阵列基板膜层设置关系简单，易于实现薄型化阵列基板设计要求。
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。参见图9，可选的，阵列基板还可以包括多个像素单元210以及触控电极层220，触控电极层220位于光感结构121背离衬底基板的一侧。像素单元210包括像素电极211和公共电极212。触控电极层220包括多个触控电极221，部分数量的触控电极221复用为电极连接结构140，电极连接结构140在触控阶段为触控电极211提供触控信号；电极连接结构140在指纹识别阶段为光感结构121提供工作电压信号。
具体的，多个触控电极221中，在光感结构121上的垂直投影与光感结构121至少部分交叠的触控电极221可以复用为电极连接结构140。
具体的，触控电极层220可以位于像素电极211以及公共电极212靠近衬底基板的一侧，如图9所示，也可以位于像素单元以及公共电极212远离衬底基板的一侧，还可以位于像素电极211和公共电极212之间。优选的，触控电极层220位于像素电极211以及公共电极212靠近衬底基板的一侧，即触控电极层220位于像素电极211和衬底基板之间，且触控电极层220位于公共电极212和衬底基板之间，如图9所示。这样设置的好处在于，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
需要说明的是，上述设置方式，通过设置部分数量触控电极221复用为电极连接结构140，使得可以不必为电极连接结构140预留空间，从而不必更改触控电极层220中触控电极221原有的分布情况。
需要说明的是，图8和图9仅示例性的示出了，阵列基板包括一层触控电极层220，但并非对本申请的限定，本领域技术人员可根据实际情况设置触控电极层220的层数。当触控电极层220的层数为至少两层时，本领域技术人员可根据实际情况设置电极连接结构140与哪一层触控电极层220同层设置且采用同种材料(或者可根据实际情况设置哪一层触控电极层220中的部分数量触控电极211复用为电极连接结构140)，优选的，至少两层触控电极层220中，最靠近衬底基板一侧的触控电极层220为第一触控电极层，电极连接结构140与第一触控电极层同层设置且采用同种材料(或者第一触控电极层中的部分数量触控电极211复用为电极连接结构140)。这样设置的好处在于，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
图10是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图10，该阵列基板包括：衬底基板110、指纹识别单元120、遮光层130和电极连接结构140，指纹识别单元120包括光感结构121。遮光层130以及电极连接结构140均位于光感结构121背离衬底基板110一侧，遮光层130设置有准直孔131，准直孔131在衬底基板110上的垂直投影与光感结构121在衬底基板110上的垂直投影部分交叠。电极连接结构140与光感结构121之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔150，电极连接结构140通过电极过孔150连接光感结构121。准直孔131在衬底基板上110的垂直投影与电极过孔150在衬底基板110上的垂直投影不交叠。可选的，阵列基板还包括：触控电极层220以及触控引线230，触控电极层220位于光感结构121背离衬底基板的一侧，触控引线230与触控电极层220电连接，电极连接结构140与触控引线230同层设置且采用同种材料。
具体的，触控电极层220可以作为独立膜层单独占用阵列基板中一个膜层的位置，如图10所示。触控电极层220中的触控电极还可以与公共电极212复用，这样设置的好处在于，可以使得阵列基板膜层设置关系更简单，更易于实现薄型化阵列基板设计要求。
可选的，触控电极层220与触控引线230同层设置且采用同种材料。可选的，触控电极层220与触控引线230异层设置，此时，触控引线230可以位于触控电极层220和衬底基板110之间，如图10所示，也可以位于触控电极层220背离衬底基板110的一侧，优选的，触控引线230位于触控电极层220和衬底基板110之间，如图10所示。如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
图11是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图11，可选的，阵列基板还可以包括：触控电极层220和触控引线230，触控电极层220位于光感结构121所在平面背离衬底基板110的一侧，触控引线230与触控电极层220电连接，触控电极层220包括多个触控电极221，触控引线230包括多条触控子引线231；每条触控子引线231连接一触控电极221。部分数量的触控子引线231复用为电极连接结构140，电极连接结构140在触控阶段为触控电极提供触控信号，电极连接结构140在指纹识别阶段为光感结构121提供工作电压信号。
具体的，多个触控子引线231中，在光感结构121上的垂直投影与光感结构121至少部分交叠的触控子引线可以复用为电极连接结构140。
可选的，触控电极层220与所有触控子引线231同层设置且采用同种材料。可选的，触控电极层220与所有触控子引线231异层设置，此时，触控引线230可以位于触控电极层220和衬底基板110之间，如图10所示，也可以位于触控电极层220背离衬底基板110的一侧，优选的，触控引线230位于触控电极层220和衬底基板110之间，如图10所示。如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。可选的，多条触控子引线中，与触控电极层230同层设置的触控子引线231为第一触控子引线，与触控电极层230异层设置的触控子引线231为第二触控子引线，此时，第一触控子引线可以复用为电极连接结构140，第二触控子引线也可以复用为电极连接结构，优选的，设置最靠近衬底基板110一侧的触控子引线复用为电极连接结构140。
需要说明的是，上述设置方式，通过设置部分数量触控子引线231复用为电极连接结构140，使得可以不必为电极连接结构140预留空间，从而不必更改触控引线230所在膜层中触控子引线231原有的分布情况。
在上述各技术方案的基础上，继续参见图2、图4、图5、图8、图9或图10，可选的，像素电极211和/或公共电极212在遮光层130上的垂直投影与准直孔131不交叠。
具体的，当经由触摸主体反射回的光线照射在两种材料不同的膜层的交界面时，会发生反射，造成光损耗。此外，像素电极211和公共电极212的材料通常为ITO或ATO，对于ITO来说，其穿透率约为90％，光损耗较大。因此上述设置方式可以减少经由触摸主体反射回的光线穿过的膜层的数量，减少光损耗，进而使得到达光感结构121处的光强足够大。
继续参见图7、图8或图10，可选的，触控电极层220在遮光层130上的垂直投影与准直孔131不交叠。这样设置的好处在于，可以减少经由触摸主体反射回的光线穿过的膜层的数量，减少光损耗，进而使得到达光感结构121处的光强足够大。
继续参见图10，可选的，触控引线230在遮光层130上的垂直投影与准直孔131不交叠。这样设置的好处在于，可以减少经由触摸主体反射回的光线穿过的膜层的数量，减少光损耗，进而使得到达光感结构121处的光强足够大。
在上述技术方案的基础上，图12是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图13是图12中B处的局部放大示意图。参见图12和图13，可选的，该阵列基板还包括多个像素单元210，像素单元210与准直孔131不交叠，阵列基板110还包括配向层240。在准直孔131所在区域，配向层240朝向衬底基板110的一侧的表面为第一表面241，在像素单元210所在区域，配向层240朝向衬底基板110的一侧的表面为第二表面242，在电极过孔150所在区域，配向层110朝向衬底基板110的一侧的表面为第三表面243，第一表面241与第二表面242之间的高度差小于第三表面243与第二表面242之间的高度差。
需要说明的是，第二表面242指的是，在像素单元210所在区域中距离衬底基板110最远的子区域，配向层240朝向衬底基板110的一侧的表面。
具体的，第一表面241与第二表面242之间的高度差可以来源于准直孔131的设置、触控引线230绕过准直孔、触控电极层220绕过准直孔、像素电极221绕过准直孔以及公共电极222绕过准直孔中的至少一种。第一表面241与第三表面243之间的高度差主要来源于电极过孔150的设置。
可以理解的是，在实际面板制备过程中，平坦化层250的厚度远厚于其它层间绝缘层以及各功能性膜层，因此，贯穿平坦化层250的电极过孔150使得第二表面242与第三表面243之间的高度差远大于第一表面241与第二表面242之间的高度差。如此，相对于图1所示，，在准直孔131所在区域，阵列基板上形成的凹坑的深度相对变浅，该凹坑存储的配向层材料相对较少，最终该凹坑处的配向层厚度与阵列基板的平坦处的配向层厚度差变小，缓解由于配向层材料积累带来的光线穿透率降低的问题。
需要说明的是，为作图方便，图2、图3-图11中，未示出准直孔131所在区域由于准直孔131设置以及其它膜层绕过准直孔131设置带来的凹坑。
需要说明的是，由于阵列基板包括的膜层较多，图2以及图3-图12中，示例性的示出了，与本申请相关的功能性膜层、第一遮光层(位于衬底基板110朝向遮光层130的表面)、缓冲层(位于第一遮光层朝向遮光层130的表面)、显示薄膜晶体管T2以及设置于各功能性膜层之间的绝缘层或平坦化层250，其余阵列基板的膜层可根据现有技术中的相关结构进行理解，本申请不作赘述。
图14是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图14，该阵列基板包括衬底基板110、指纹识别单元120、遮光层130和电极连接结构140，指纹识别单元120包括光感结构121。遮光层130以及电极连接结构140均位于光感结构121背离衬底基板110一侧，遮光层130设置有准直孔131，准直孔131在衬底基板110上的垂直投影与光感结构121在衬底基板110上的垂直投影部分交叠。电极连接结构140与光感结构121之间设置有绝缘层，绝缘层设置有电极过孔150，电极连接结构140通过电极过孔150连接光感结构121。准直孔131在衬底基板上110的垂直投影与电极过孔150在衬底基板110上的垂直投影不交叠。可选的，该阵列基板还包括多个发光单元260，发光单元260位于光感结构121背离衬底基板110的一侧，电极连接结构140与发光单元260的阴极262或者阳极261同层设置且采用同种材料。
可选的，阳极261位于阴极262和衬底基板110之间，如图14所示。此时，电极连接结构140可以与阳极261同层设置，也可以与阴极262同层设置。优选的，电极连接结构140与阳极261同层设置，如图14所示。如此，可以减少电极过孔140贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔140的工艺难度。
可选的，阴极262位于阳极261和衬底基板110之间，此时，电极连接结构140可以与阳极261同层设置，也可以与阴极2同层设置。优选的，电极连接结构140与阴极262同层设置。如此，可以减少电极过孔140需要贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔140的工艺难度，避免光阻残留。
具体的，阳极261和阴极262的材料可以为ITO或ATO中的任一种，也可为其他透明导电材质，本申请不作限定。
需要说明的是，上述设置方式，通过将电极连接结构与阳极或阴极同层设置且采用同种材料，可以保证电极连接结构的制备工艺与现有阵列基板的制备工艺相匹配，保证电极连接结构制备工艺简单，还可以使得阵列基板膜层设置关系简单，易于实现薄型化阵列基板设计要求。
图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。参见图15，可选的，阵列基板还包括：多个发光单元260，位于光感结构121背离衬底基板110的一侧，发光单元260包括阴极262、阳极261，以及位于阴极262和阳极261之间的发光功能层263，部分数量的阴极262或部分数量的阳极261用为电极连接结构140，电极连接结构140在显示阶段为阴极262或阳极261提供显示驱动信号；电极连接结构140在指纹识别阶段为光感结构121提供工作电压信号。
具体的，多个阳极261中，在光感结构121上的垂直投影与光感结构121至少部分交叠的阳极261可以复用为电极连接结构140。具体的，多个阴极262中，在光感结构121上的垂直投影与光感结构121至少部分交叠的阴极262可以复用为电极连接结构140，阳极261和阴极262的形状可以为矩形或菱形等，本申请对此不作限定。
可选的，阳极261位于阴极262和衬底基板之间，如图15所示。此时，可以设置部分数量阳极261复用为电极连接结构140，也可以设置部分数量阴极262复用为电极连接结构140。优选的，设置部分数量阳极261复用为电极连接结构140，如图15所示，如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
可选的，阴电极位于阳极261和衬底基板之间。此时，可以设置部分数量阴极262复用为电极连接结构140，也可以设置部分数量阳极261复用为电极连接结构140。优选的，设置部分数量阴极262复用为电极连接结构140，如此，可以减少电极过孔150贯穿的膜层的数量，从而降低电极过孔150的工艺难度，避免光阻残留。
需要说明的是，上述设置方式，通过设置部分数量阳极261或部分数量阴极262复用为电极连接结构140，使得阴极261所在膜层上或者阴极262所在膜层上不必为电极连接结构140预留空间，从而不必更改阳极261所在膜层上阳极261的原有分布情况以及阴极262所在膜层上阴极262原有的分布情况。
可选的，阴极262和/或阳极261在遮光层130上的垂直投影与准直孔131不交叠。这样设置的好处在于，可以减少经由触摸主体反射回的光线穿过的膜层的数量，减少光损耗，进而使得到达光感结构处的光强足够大。
需要说明的是，由于阵列基板包括的膜层较多，图14以及图15中，示例性的示出了，与本申请相关的功能性膜层、第一遮光层(位于衬底基板110朝向遮光层130的表面)、缓冲层(位于第一遮光层朝向遮光层130的表面)、驱动薄膜晶体管T2、以及设置于各功能性膜层之间的绝缘层或平坦化层250，其余阵列基板的膜层可根据现有技术中的相关结构进行理解，本申请不作赘述。
需要说明的是，为了清晰的展示本实施例中阵列基板与背景技术中阵列基板的各个组成部分的区别，本实施例中阵列基板与背景技术中阵列基板的同一名称的各个组成部分使用不同的附图标记。
基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任一实施例所述的阵列基板。本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的曲面背光模组相应的有益效果，这里不再赘述。示例性的，该显示装置可以是车载显示屏、手机、电脑或电视等电子显示设备，本申请对此均不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (20)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
指纹识别单元，包括光感结构；
遮光层和电极连接结构；所述遮光层以及所述电极连接结构均位于所述光感结构背离所述衬底基板一侧；
所述遮光层设置有准直孔，所述准直孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述光感结构在所述衬底基板上的垂直投影部分交叠；
所述电极连接结构与所述光感结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层设置有电极过孔，所述电极连接结构通过所述电极过孔连接所述光感结构；
所述准直孔在所述衬底基板上的垂直投影与所述电极过孔在所述衬底基板上的垂直投影不交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和公共电极；
所述电极连接结构与所述像素电极或所述公共电极同层设置且采用同种材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和公共电极；
部分数量所述像素电极或部分数量所述公共电极复用为所述电极连接结构；所述电极连接结构在显示阶段为所述像素电极或所述公共电极提供显示驱动信号；所述电极连接结构在指纹识别阶段为所述光感结构提供工作电压信号。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多个像素单元以及触控电极层，
所述触控电极层位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；所述像素单元包括像素电极和公共电极；
所述电极连接结构与所述触控电极层同层设置且采用同种材料。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多个像素单元以及触控电极层，
所述触控电极层位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；所述像素单元包括像素电极和公共电极；
所述触控电极层包括多个触控电极，部分数量的所述触控电极复用为所述电极连接结构，所述电极连接结构在触控阶段为所述触控电极提供触控信号；所述电极连接结构在指纹识别阶段为所述光感结构提供工作电压信号。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极层位于所述像素电极和所述衬底基板之间，且所述触控电极层位于所述公共电极和所述衬底基板之间。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极层位于所述像素电极和所述衬底基板之间，且所述触控电极层位于所述公共电极和所述衬底基板之间。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
触控电极层，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；
触控引线，与所述触控电极层电连接；
所述电极连接结构与所述触控引线同层设置且采用同种材料。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
触控电极层，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；触控引线，与所述触控电极层电连接；所述触控电极层包括多个触控电极，所述触控引线包括多条触控子引线；每条所述触控子引线连接一所述触控电极；
部分数量的所述触控子引线复用为所述电极连接结构，所述电极连接结构在触控阶段为所述触控电极提供触控信号；所述电极连接结构在指纹识别阶段为所述光感结构提供工作电压信号。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述触控引线位于所述触控电极层和所述衬底基板之间。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述触控引线位于所述触控电极层和所述衬底基板之间。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多个发光单元，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；
所述电极连接结构与所述发光单元的阴极或者阳极同层设置且采用同种材料。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多个发光单元，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；
所述发光单元包括阴极、阳极，以及位于所述阴极和所述阳极之间的发光功能层；
部分数量的阴极或部分数量的阳极用为所述电极连接结构，所述电极连接结构在显示阶段为所述阴极或所述阳极提供显示驱动信号；所述电极连接结构在指纹识别阶段为所述光感结构提供工作电压信号。
14.根据权利要求2、3、4、5、6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和/或所述公共电极在所述遮光层上的垂直投影与所述准直孔不交叠。
15.根据权利要求4、5、6、7、8、9、10或11所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极层在所述遮光层上的垂直投影与所述准直孔不交叠。
16.根据权利要求8、9、10或11所述的阵列基板，其特征在于，所述触控引线在所述遮光层上的垂直投影与所述准直孔不交叠。
17.根据权利要求12或13所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极和/或所述阳极在所述遮光层上的垂直投影与所述准直孔不交叠。
18.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括：多个像素单元，所述像素单元与所述准直孔不交叠；
所述阵列基板还包括配向层；
在所述准直孔所在区域，所述配向层朝向所述衬底基板的一侧的表面为第一表面；在所述像素单元所在区域，所述配向层朝向所述衬底基板的一侧的表面为第二表面；在所述电极过孔所在区域，所述配向层朝向所述衬底基板的一侧的表面为第三表面；
所述第一表面与所述第二表面之间的高度差小于所述第三表面与所述第二表面之间的高度差。
19.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述光感结构包括：沿所述衬底基板指向所述遮光层方向，依次层叠设置的N型半导体层、本征半导体层以及P型半导体层；所述电极连接结构通过所述电极过孔连接所述P型半导体层；或者，
所述光感结构包括：沿所述衬底基板指向所述遮光层方向，依次层叠设置的P型半导体层、本征半导体层以及N型半导体层；所述电极连接结构通过所述电极过孔连接所述N型半导体层。
20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-19任一所述的阵列基板。
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