CN110416049A - 可调节边缘射频等离子体分布的ccp刻蚀装置及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其包含：相对设置的上电极以及下电极；射频功率源，连接所述下电极或上电极；偏置功率源，连接所述下电极；边缘电极，呈环形，设置在所述下电极***，并与下电极同心；阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；静电夹盘，设置在所述下电极上方；绝缘环，设置在所述下电极***的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。其优点是：通过配置边缘电极以及阻抗匹配装置，以控制射频接地回路阻抗，实现对边缘射频耦合的无源调节。

Description

可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法
技术领域
本发明涉及用于加工半导体器件的电容耦合等离子体处理装置技术领域，具体涉及一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法。
背景技术
在CCP（Capacitively Coupled Plasma）电容耦合等离子体刻蚀中，由于待处理基片或晶元边缘射频电磁场的不连续性，容易产生边缘效应，并且这种边缘效应对边缘工艺组件的几何尺寸和材料都很敏感，例如，紧贴围绕晶圆的的等离子体聚焦环（Focus Ring）由于等离子体刻蚀作用，其尺寸会随着使用时间增加而变小，从而使得边缘鞘层分布也随着时间逐渐变化，导致刻蚀效果变差，例如，刻蚀孔或沟槽的倾斜角会随着聚焦环的高度变低而变大，这样就会影响边缘组件使用寿命，从而增加可消耗部件使用成本。
为了改善边缘效应及保持刻蚀效果的稳定性，一种途径是补偿由于刻蚀组件尺寸变化引起的鞘层变形。现有技术多采用有源调节的方式，即通过在边缘环加上一个电极，然后通过此电极馈入射频或直流电压来调节边缘鞘层分布，如图1所示，图中100’为CCP刻蚀装置局部结构示意图，101’为待处理基片，102’为静电夹盘，103’为上电极通常接地，104’为下电极、105’为射频功率源连接下电极104’，106’为偏置功率源，107’为匹配电路，108’为滤波器，109’为聚焦环，由于位于晶圆边缘也可叫边缘环，110’为隔离用的绝缘套管，这样做的缺陷是必须增加另外一路电源输入（即偏置功率源106’、 匹配电路107’为、滤波器108’），并且必须和加在静电夹盘102’的射频功率源105’有效隔离，增加了成本及工程实现的复杂性。
如图2所示，是现有的另一种常见的CCP刻蚀装置的结构示意图，其采用的是双频电容放电射频方式，双频指用于控制等离子体密度的射频功率（由射频功率源HF发生器和阻抗匹配单元HF匹配网络组成，为高频在40Mhz-200Mhz）以及用于控制等离子体的鞘层厚度和直流偏压的偏置功率（由偏置功率源LF发生器和阻抗匹配单元LF匹配网络组成，为低频在100kHZ-10MHZ），图中，201’为腔体，202’为移动环，203’为约束环用于控制反应气体及其副产物的排出、中和其中的带电粒子，从而将等离子体放电基本约束在处理区域，204’为喷淋头，205’为待处理基片，206’为静电夹盘，207’为工艺套件，208’为绝缘环，209’为覆盖环用于隔离等离子体，避免等离子体直接与静电卡盘接触造成电流导通，从而避免静电夹盘206’被等离子体打坏。该CCP刻蚀装置中的电极结构为平行电极，射频功率将高频施加在下（或上）电极上，通常施加在下电极上，主要的射频回路是电流从下电极通过等离子体耦合到上电极，通过反应腔体接地。由于电极边缘离腔体侧壁较远，所以从电极边缘直接耦合到腔体侧壁的射频电流很小，这样，等离子体中射频电流的分布主要由上下电极间隙和大小控制。很小的横向电流无法有效调节晶圆边缘***区域（工艺套件207’/边缘环109’）的射频功率大小。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法，通过配置边缘电极以及阻抗匹配装置，以控制射频接地回路阻抗，实现对边缘射频耦合的无源调节。
为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征是，包含：
相对设置的上电极以及下电极；
射频功率源，连接所述下电极或上电极；
偏置功率源，连接所述下电极；
边缘电极，呈环形，设置在所述下电极***，并与下电极同心；
阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；
静电夹盘，设置在所述下电极上方；
绝缘环，设置在所述下电极***的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其中，所述的阻抗调节单元包含：
串联的电容和电感。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其中，还包含：
控制单元，连接阻抗调节单元中的电容和/或电感，以调节阻抗调节单元的阻抗。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其中：
所述的电容和/或电感为可变的。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其中，还包含：
传感器，设置在边缘射频电流接地通路中，以采集射频参数。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其中，还包含：
控制单元，连接阻抗调节单元以及传感器，以监测射频参数的变化并根据变化情况对阻抗调节单元的阻抗进行在线调节。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其中：
所述静电夹盘用于固定待刻蚀的晶圆，还包括一个工艺套件位于绝缘环上方，所述工艺套件环绕所述晶圆，其中边缘电极的内侧壁直径大于等于所述工艺套件的外侧直径。
一种可调节边缘射频等离子体分布的方法，采用上述的CCP刻蚀装置来实现，其特征是：
同时将射频功率源以及偏置功率源施加到所述下电极上；
根据需要对阻抗调节单元的阻抗进行调节，以调节边缘射频耦合，进而达到刻蚀均匀性调节的目的。
上述的可调节边缘射频等离子体分布的方法，其中：
所述的阻抗调节单元包含串联的电容和电感；
所述阻抗调节单元的阻抗调节方法是：
对电容值和电感值进行调节，选择第一电感值配合第一可变电容值，以实现对高频40MHz-200MHz的高阻抗和对低频100kHz-10MHz阻抗的调节；
对电容值和电感值进行调节，选择第二电感值配合第二可变电容值，以实现对低频100kHz-10MHz的高阻抗和对高频40MHz-200MHz阻抗的调节。
本发明与现有技术相比具有以下优点：通过配置边缘电极以及阻抗匹配装置，以控制射频接地回路阻抗，实现对边缘射频耦合的无源调节，减少了附加电源、射频输入及射频隔离装置的使用，简化了腔体设计以及减少了硬件成本。
附图说明
图1为现有技术的一种CCP刻蚀装置局部结构示意图；
图2为现有技术的另一种CCP刻蚀装置的结构示意图；
图3为本发明的一实施例的CCP刻蚀装置的结构示意图；
图4为本发明的另一实施例的CCP刻蚀装置的结构示意图；
图5为本发明的实施例中CCP刻蚀装置的阻抗调节单元的等效射频回路图；
图6为本发明的实施例中CCP刻蚀装置的调节边缘低频接地阻抗情况下的电容大小与射频阻抗的曲线关系图；
图7为本发明的实施例中CCP刻蚀装置的调节边缘高频接地阻抗情况下的电容大小与射频阻抗的曲线关系图。
具体实施方式
以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。
如图3所示，本发明提出了一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其为一种双频等离子体***，其包含：在腔体1内相对设置的上电极以及下电极；射频功率源（通常在40MHz-200MHz），连接所述下电极，用来将上电极、下电极之间的反应气体激发为等离子体，其通常由HF发生器以及HF匹配网络组成；偏置功率源（通常在100kHz-10MHz），连接所述下电极或上电极，用来控制等离子体能量的分布即等离子体鞘层厚度和直流偏压，其通常由LF发生器以及LF匹配网络组成，本实施例是以连接下电极为例；边缘电极10，设置在腔体1内，呈环形，设置在所述下电极***，并与下电极同心；阻抗调节单元11，一端连接边缘电极10，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路，即从下电极到上电极到边缘电极10再到地，以达到控制射频接地回路阻抗，即通过控制通过边缘电极的接地射频电流从而调节边缘射频耦合以达到调节等离子体特性以及鞘层分布的目的，通常上述控制方式可以通过增加一个控制单元来实现。
通常CCP刻蚀装置的腔体1内还包含：静电夹盘6用于吸附待加工待处理基片5，设静电夹盘6置在所述下电极上方；绝缘环8，设置在所述下电极***的延展部上方，设置在腔体1内侧壁上的移动环2、设置在上电极下方的用来喷射反应气体的喷淋头4、工艺套件7、限制环3以及盖环9，如图3所示，本实施例中，所述边缘电极10可以埋设在该绝缘环8内。
如图4所示，还可以在边缘射频电流接地通路中设置一个传感器，以采集射频参数，并且，可以将控制单元连接阻抗调节单元以及传感器，以监测射频参数的变化并根据变化情况对阻抗调节单元的阻抗进行在线调节。
如图5所示，为边缘电极10的等效射频回路的一种，其中，所述的阻抗调节单元11包含：串联的电容和电感，当然，电容和电感的数量不限，较佳的，所述的电容和/或电感为可变的，将控制单元连接阻抗调节单元中的至少一个电容或电感，就可以达到调节阻抗调节单元的阻抗的目的，射频元件的规格可以根据需求选择不同的，以形成对低频或高频的不同阻抗，从而控制不同频率射频功率在边缘的对地耦合电流大小。
本发明还提出了一种可调节边缘射频等离子体分布的方法，采用上述的CCP刻蚀装置来实现，其包含：同时将射频功率源以及偏置功率源施加到所述下电极上；根据需要对阻抗调节单元的阻抗进行调节，以调节边缘射频耦合，进而达到刻蚀均匀性调节的目的。
如图6、7所示，展示了电容大小对高频和低频的影响，电容主要对低频电流有限制作用，而在一个双频等离子体***中，电感对高频（＞10MHz）的阻抗远大于对低频（＜10MHz）的阻抗，基于该关系，在所述的阻抗调节单元11包含串联的电容和电感的实施例中，所述阻抗调节单元11的阻抗调节方法是：对电容值和电感值进行调节，选择第一电感值配合第一可变电容值，以实现对高频40MHz-200MHz的高阻抗和对低频100kHz-10MHz阻抗的调节；对电容值和电感值进行调节，选择第二电感值配合第二可变电容值，以实现对低频100kHz-10MHz的高阻抗和对高频40MHz-200MHz阻抗的调节，这里所提到的第一、第二电容值或第一、第二可变电感值的大小取值可以根据对高频的阻抗和对低频的阻抗要求由本领域技术人员根据经验计算得到，并且，第一电感值应当是一个较大的电感值，第二电感值应当是一个较小的电感值，第一电感值＞第二电感值，第一可变电容值应当是一个较大的可变电容值，第二可变电容值应当是一个较小的可变电容值，第一可变电容值＞第二可变电容值。
本发明提出的阻抗调节单元是通过对阻抗的调节选择经过边缘电极流入接地端的电流，但是本发明的目的在于调节到达晶圆边缘区域，也就是环形的工艺套件7上方的等离子体分布，需要足够的射频能量供应到工艺套件7上方，所以边缘电极10不适合设置在下电极与工艺套件7之间，以防止大量射频功率直接被导走，到不了工艺套件7。因此本发明的边缘电极10需要位于工艺套件7和反应腔侧壁之间，也就是边缘电极10的内侧壁直径需要大于等于工艺套件7的外侧壁直径。
综上所述，本发明通过配置边缘电极以及阻抗匹配装置，以控制射频接地回路阻抗，实现对边缘射频耦合的无源调节，减少了附加电源、射频输入及射频隔离装置的使用，简化了腔体设计以及减少了硬件成本。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，包含：
相对设置的上电极以及下电极；
射频功率源，连接所述下电极或上电极；
偏置功率源，连接所述下电极；
边缘电极，呈环形，设置在所述下电极***，并与下电极同心；
阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；
静电夹盘，设置在所述下电极上方；
绝缘环，设置在所述下电极***的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。
2.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，所述的阻抗调节单元包含：
串联的电容和电感。
3.如权利要求2所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：
控制单元，连接阻抗调节单元中的电容和/或电感，以调节阻抗调节单元的阻抗。
4.如权利要求3所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于：
所述的电容和/或电感为可变的。
5.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：
传感器，设置在边缘射频电流接地通路中，以采集射频参数。
6.如权利要求5所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：
控制单元，连接阻抗调节单元以及传感器，以监测射频参数的变化并根据变化情况对阻抗调节单元的阻抗进行在线调节。
7.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于：
所述静电夹盘用于固定待刻蚀的晶圆，还包括一个工艺套件位于绝缘环上方，所述工艺套件环绕所述晶圆，其中边缘电极的内侧壁直径大于等于所述工艺套件的外侧直径。
8.一种可调节边缘射频等离子体分布的方法，采用如权利要求1所述的CCP刻蚀装置来实现，其特征在于：
同时将射频功率源以及偏置功率源施加到所述下电极上；
根据需要对阻抗调节单元的阻抗进行调节，以调节边缘射频耦合，进而达到刻蚀均匀性调节的目的。
9.如权利要求8所述的可调节边缘射频等离子体分布的方法，其特征在于：
所述的阻抗调节单元包含串联的电容和电感；
所述阻抗调节单元的阻抗调节方法是：
对电容值和电感值进行调节，选择第一电感值配合第一可变电容值，以实现对高频40MHz-200MHz的高阻抗和对低频100kHz-10MHz阻抗的调节；
对电容值和电感值进行调节，选择第二电感值配合第二可变电容值，以实现对低频100kHz-10MHz的高阻抗和对高频400MHz-200MHz阻抗的调节，其中第一电感值大于第二电感值。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111211078A (zh) * 2020-01-14 2020-05-29 长江存储科技有限责任公司 一种晶圆校准装置和方法及一种晶圆边缘刻蚀设备和方法
WO2020253514A1 (zh) * 2019-06-17 2020-12-24 北京北方华创微电子装备有限公司 下电极装置及等离子体***
CN112838040A (zh) * 2019-11-25 2021-05-25 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备
US20210217593A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-15 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
CN113130284A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
CN113838734A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及基片处理方法
CN113936988A (zh) * 2021-10-12 2022-01-14 大连理工大学 一种边缘等离子体分布调节装置
CN114203514A (zh) * 2021-12-14 2022-03-18 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑座及工艺腔体
CN114664622A (zh) * 2020-12-23 2022-06-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及调节方法
CN114695045A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023240003A1 (en) * 2022-06-08 2023-12-14 Lam Research Corporation Rf and dc frequency and phase locked pulsed edge tilt control system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130008605A1 (en) * 2005-08-05 2013-01-10 Gerald Yin Multi-station decoupled reactive ion etch chamber
CN103715049A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法
CN103915308A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
CN107665804A (zh) * 2016-07-25 2018-02-06 朗姆研究公司 通过同步主和边缘rf发生器实现预定因子的***和方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5006760A (en) * 1987-01-09 1991-04-09 Motorola, Inc. Capacitive feed for plasma reactor
TW506234B (en) * 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
US7244311B2 (en) * 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9275838B2 (en) * 2009-09-02 2016-03-01 Lam Research Corporation Arrangements for manipulating plasma confinement within a plasma processing system and methods thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130008605A1 (en) * 2005-08-05 2013-01-10 Gerald Yin Multi-station decoupled reactive ion etch chamber
CN103715049A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法
CN103915308A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
CN107665804A (zh) * 2016-07-25 2018-02-06 朗姆研究公司 通过同步主和边缘rf发生器实现预定因子的***和方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020253514A1 (zh) * 2019-06-17 2020-12-24 北京北方华创微电子装备有限公司 下电极装置及等离子体***
CN112838040A (zh) * 2019-11-25 2021-05-25 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备
CN112838040B (zh) * 2019-11-25 2023-10-20 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备
CN113130284A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
CN113130284B (zh) * 2019-12-31 2023-01-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
US20210217593A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-15 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
US11887820B2 (en) * 2020-01-10 2024-01-30 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
CN111211078A (zh) * 2020-01-14 2020-05-29 长江存储科技有限责任公司 一种晶圆校准装置和方法及一种晶圆边缘刻蚀设备和方法
CN113838734B (zh) * 2020-06-24 2023-09-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及基片处理方法
CN113838734A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及基片处理方法
CN114664622A (zh) * 2020-12-23 2022-06-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及调节方法
CN114695045A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
CN113936988A (zh) * 2021-10-12 2022-01-14 大连理工大学 一种边缘等离子体分布调节装置
CN114203514A (zh) * 2021-12-14 2022-03-18 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑座及工艺腔体

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