CN110412806A - 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置。该阵列基板包括第一衬底以及依次制作在第一衬底上的第一导电层、第一绝缘层、有源层、第二导电层、第二绝缘层和第三导电层。其中，第一导电层包括公共电极和栅极线，第二导电层包括数据线、源极和漏极，第三导电层包括屏蔽结构和通过贯穿第二绝缘层的过孔与漏极连接的像素电极，屏蔽结构在第一衬底上的正投影覆盖数据线在第一衬底上的正投影，因此，在获得高开口率的同时能够减少掩膜板的数量，简化生产工艺，降低生产成本；第二绝缘层采用喷涂方法制作且各处的厚度相同，与平坦化处理的第二绝缘层相比，像素电极与公共电极之间的距离减小，有利于降低阵列基板的工作电压。

Description

阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)通过控制液晶盒内电场的变化来实现液晶分子的偏转，从而达到显示效果。亮度是LCD的一个重要规格，影响LCD亮度的最重要的因素是LCD的开口率。
在相关技术中，通常采用屏蔽层遮挡数据线的方式来提高显示面板的开口率，但这会使得阵列基板生产过程中所用的掩膜板(mask)的数量增加，提高了工艺的复杂度，生产成本也有所增加。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，用以解决现有技术存在的为提升LCD的开口率而使mask增加的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：
第一衬底；
第一导电层，位于所述第一衬底的一侧且包括多个公共电极和多条栅极线；
第一绝缘层，位于所述第一导电层远离所述第一衬底的一侧；
有源层，位于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧；
第二导电层，位于所述有源层远离所述第一衬底的一侧且包括多条数据线、多个源极和多个漏极，所述源极与所述数据线连接；
第二绝缘层，位于所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧，所述第二绝缘层各处的厚度相同；
贯穿所述第二绝缘层的多个过孔；以及
第三导电层，位于所述第二绝缘层远离所述第一衬底的一侧，且包括多个像素电极和多个屏蔽结构，所述像素电极通过所述过孔与相应的所述漏极连接，所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影覆盖所述数据线在所述第一衬底上的正投影。
可选地，所述第二绝缘层的材料包括介电常数低于4的有机材料。
可选地，所述第二绝缘层的厚度为0.5～1.2微米。
第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。
可选地，所述显示面板还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板包括：
第二衬底；
黑色矩阵，位于所述第二衬底靠近所述阵列基板的一面；
多个滤光部，位于所述第二衬底靠近所述阵列基板的一面；
其中，所述黑色矩阵位于所述滤光部之间且与所述屏蔽结构接触，所述黑色矩阵在所述第一衬底上的正投影覆盖所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影。
第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
第四个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括：
提供一第一衬底，在所述第一衬底上沉积第一导电层，并对所述第一导电层进行图形化处理以形成多个公共电极和多条栅极线；
在所述第一导电层远离所述第一衬底的一侧依次制作栅极绝缘层、有源层和第二导电层，并对所述第二导电层进行图形化处理以形成多条数据线、多个源极和多个漏极，所述源极与所述数据线连接；
采用喷涂方法在所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧形成厚度均一的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成多个过孔；以及
在所述第二绝缘层远离所述第一衬底的一侧沉积第三导电层，并对所述第三导电层进行图形化处理以形成多个像素电极和多个屏蔽结构，其中，所述像素电极通过所述过孔与相应的所述漏极连接，所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影覆盖所述数据线在所述第一衬底上的正投影。
可选地，采用喷涂方法在所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧形成厚度均一的第二绝缘层，包括：将介电常数低于4的有机材料喷涂在所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧以形成厚度均一的所述第二绝缘层。
第五个方面，本申请实施例提供了一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括上述的阵列基板的制作方法。
可选地，所述显示面板包括所述阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板包括第二衬底、位于所述第二衬底靠近所述阵列基板一面上的黑色矩阵和多个滤光部，其中，所述黑色矩阵位于所述滤光部之间；所述制作方法还包括：将所述阵列基板与所述彩膜基板对合，其中，所述屏蔽结构与所述黑色矩阵接触，所述黑色矩阵在所述第一衬底上的正投影覆盖所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例提供的阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置，通过将栅极线与公共电极同层设置，将屏蔽结构与像素电极同层设置，并采用喷涂方法制作第二绝缘层，使得阵列基板的生产过程只需要4道mask即可，在保证高开口率的同时能够简化阵列基板的生产工艺，有利于降低生产成本；而且，由于采用喷涂方法制作第二绝缘层的各处的厚度相同，相对于平坦化处理的第二绝缘层来说，使得像素电极与公共电极之间的距离减小，这有利于降低阵列基板的工作电压，从而降低了阵列基板的功耗。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为相关技术中的一种阵列基板中的子像素的结构示意图；
图2为图1中沿M-M线的截面示意图；
图3为本申请实施例提供的一种阵列基板中的子像素的结构示意图；
图4为图3中沿A-A线的截面示意图；
图5为本申请实施例提供的一种显示面板的截面示意图；
图6为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；
图7为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S1的工艺示意图；
图8为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S2的工艺示意图；
图9为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S3的工艺示意图；
图10为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S4的工艺示意图；
图11为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法中步骤S5的工艺示意图。
附图说明：
1-第一衬底；
2-第一导电层；21-公共电极；22-栅极线；
3-第一绝缘层；
4-有源层；
5-第二导电层；51-数据线；52-源极；53-漏极；
6-第二绝缘层；61-过孔；
7-第三导电层；71-像素电极；72-屏蔽结构；
8-第二衬底；
9-滤光部；
10-液晶层；
BM-黑色矩阵。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人考虑到，开口率是影响液晶显示装置亮度的重要因素，为了提高液晶显示装置的开口率，可以使用屏蔽结构对数据线的信号进行屏蔽。
如图1所示，数据线(Data Line)通常与源极S和漏极D同层设置，且Data Line与源极S连接以将信号传输至源极S。由于Data Line上的信号是高频率变化的，因此，Data Line容易与公共电极COMEL(Common Electrode)之间发生耦合，引起漏光现象，为了防止漏光的发生，一般会将漏光区域进行遮挡，这会使得开口率降低。而将Data Line用屏蔽结构(Shielding)进行屏蔽后，Data Line不会与公共电极COM EL之间发生耦合，从而避免了漏光现象，也就可以缩窄遮挡区域，从而提升显示面板的开口率。
请参见图2，为了形成图2中所示的阵列基板的膜层结构，在生产过程中需要使用mask的情况为：栅极金属层(形成栅极线G)需要1道mask；源漏极金属层(形成源极S、漏极D和Data Line)需要1道mask；平坦层PL(Planarization Layer)需要1道mask；公共电极COMEL和屏蔽结构Shielding制作在同一层，需要1道mask；像素电极Pixel EL(PixelElectrode)需要1道mask；为了实现像素电极Pixel EL与漏极D的连接，需要制作贯穿第一绝缘层(Passivation)P1和第二绝缘层P2的过孔，需要1道mask。在一些技术中，有源层ACT也需要使用mask，第一绝缘层P1和第二绝缘层P2上的过孔不同时制作，也会增加一道mask，也就是该阵列基板在生产过程中最少需要使用6道mask，多则可能达到8道mask，工艺较为复杂，生产成本也较高。
本申请提供的阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本实施例提供了一种阵列基板，请参见图3和图4，该阵列基板包括：
第一衬底1；
第一导电层2，位于第一衬底1的一侧且包括多个公共电极21和多条栅极线22；
第一绝缘层3，位于第一导电层2远离第一衬底1的一侧；
有源层4，位于第一绝缘层3远离栅极线22的一侧；
第二导电层5，位于有源层4远离第一衬底1的一侧且包括多条数据线51、多个源极52和多个漏极53，源极52和数据线51连接；
第二绝缘层6，位于第二导电层5远离第一衬底1的一侧，第二绝缘层6采各处的厚度相同；
贯穿第二绝缘层6的多个过孔61；以及
第三导电层7，位于第二绝缘层6远离第一衬底1的一侧，且包括多个像素电极71和多个屏蔽结构72，像素电极71通过过孔61与相应的漏极53连接，屏蔽结构72在第一衬底1上的正投影覆盖数据线51在第一衬底1上的正投影。
需要说明的是，图3中的子像素的结构仅为示例性说明，并不用于限定公共电极21、像素电极71等的具体形状。本实施例提供的阵列基板，通过将栅极线22与公共电极21同层设置，将屏蔽结构72与像素电极71同层设置，能够减少mask的使用量，不仅工艺较为简单，也有利于降低生产成本；而且，由于第二绝缘层6的各处的厚度相同，相对于平坦化处理的第二绝缘层来说，使得像素电极与公共电极之间的距离减小，这有利于降低阵列基板的工作电压Vop，从而降低了阵列基板的功耗。
请继续参见图4，在本实施例提供的阵列基板中，第二绝缘层6的材料包括介电常数低于4的有机材料。采用介电常数较低的材料来制作第二绝缘层6，有利于进一步降低阵列基板的工作电压Vop，从而进一步降低阵列基板的功耗。
请继续参见图3和图4，在本实施例提供的阵列基板中，第二绝缘层6的厚度为0.5～1.2微米。第二绝缘层6的厚度在上述范围内，不仅能够在保证工作电压Vop较低，也能够保证第二导电层5与第三导电层8之间的绝缘性能。
请继续参见图3和图4，第一导电层2包括公共电极21，第三导电层7包括像素电极71，而公共电极21和像素电极71位于开口区，因此，第一导电层2和第三导电层7应采用透明导电材料制成，例如氧化铟锡、氧化锌铝等透明导电材料。而第二导电层5包括的数据线51、源极52和漏极53都位于开口区之间的暗区，因此，第二导电层5可以采用金属材料来制作。
请继续参见图3和图4，本申请中的第一绝缘层3采用的材料可与现有技术中的栅极绝缘层的材料相同，例如氮化硅、氧化硅等，在制作时采用的通常为气相沉积方法。
基于同一发明构思，本实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述实施例中的阵列基板，能够实现相应的阵列基板的有益效果，在此不再赘述。
进一步地，如图5所示，显示面板还包括与阵列基板相对设置的彩膜基板，彩膜基板包括：
第二衬底8；
黑色矩阵BM，位于第二衬底8靠近阵列基板的一面；
多个滤光部9，位于第二衬底8靠近阵列基板的一面；
其中，黑色矩阵BM位于滤光部9之间且黑色矩阵BM的厚度大于滤光部9的厚度，黑色矩阵BM与屏蔽结构72接触，黑色矩阵BM在第一衬底1上的正投影覆盖屏蔽结构72在第一衬底1上的正投影。
显示面板中还包括位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层10，液晶层10在阵列基板提供的电场的控制下进行旋转，从而控制背光源发出的光线是否射出显示面板进行显示。
每个滤光部9与一个子像素相对应，通常，滤光部9可分为红色滤光部、绿色滤光部和蓝色滤光部，以实现显示面板的彩色显示。
本实施例提供的显示面板中，能够实现本申请提供的阵列基板的有益效果；此外，由于阵列基板中第二绝缘层6各处的厚度相同，使得阵列基板的设置有数据线51的区域的厚度大于其他区域，并且由于黑色矩阵BM的厚度大于滤光部9的厚度，因此，可以将屏蔽结构72(设置有数据线51的区域)与BM接触，就可以将设置有数据线51的区域和黑色矩阵BM替代隔垫物，能够使得显示面板的制作工序得以简化；进一步地，由于不必设置隔垫物，并且彩膜基板中的黑色矩阵BM以及阵列基板的数据线51、屏蔽结构72等都不容易产生形变，这能够有效降低配向膜被划伤的概率，即使阵列基板和彩膜基板发生较大的相对移动，对配向膜的损伤也能够控制在允许范围内，因此，不容易发生漏光问题，也就能够为避免漏光问题而过多的增加的BM的面积，从而进一步提升显示面板的开口率，进而提升显示效果。
基于同一发明构思，本实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中的显示面板，能够实现相应的显示面板的有益效果，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本实施例提供了一种阵列基板的制作方法，以下将结合图6至图11对本实施例提供的阵列基板的制作方法进行说明，该制作方法包括：
S1：提供一第一衬底1，在第一衬底1上沉积第一导电层2，并对第一导电层2进行图形化处理以形成多个公共电极21和多条栅极线22。如图7所示，可以采用第一掩膜板I对第一导电层2进行图形化处理。
S2：在第一导电层2远离第一衬底1的一侧依次制作第一绝缘层3、有源层4和第二导电层5，并对第二导电层5进行图形化处理以形成多条数据线51、多个源极52和多个漏极53，其中，源极52与数据线51连接。如图8所示，可以采用第二掩膜板II对第二导电层5进行图形化处理。
S3：采用喷涂方法在第二导电层5远离第一衬底1的一侧形成厚度均一的第二绝缘层6。如图9所示，利用喷嘴N将第二绝缘层6的材料喷涂在第二导电层5远离第一衬底1的一侧形成厚度均一的第二绝缘层6。
S4：在第二绝缘层6上形成多个过孔61。如图10所示，利用第三掩膜板III在第二绝缘层6上形成多个过孔61。
S5：在第二绝缘层6远离第一衬底1的一侧沉积第三导电层7，并对第三导电层7进行图形化处理以形成多个像素电极71和多个屏蔽结构72；其中，像素电极71通过过孔61与相应的漏极53连接，屏蔽结构72在第一衬底上1的正投影覆盖数据线51在第一衬底1上的正投影。如图11所示，利用第四掩膜板IV对第三导电层7进行图形化处理以形成多个像素电极71和多个屏蔽结构72。
本实施例提供的阵列基板的制作方法，通过将栅极线22与公共电极21同层制作，将屏蔽结构72与像素电极71同层制作，并采用喷涂方法制作第二绝缘层6，使得阵列基板的生产过程只需要4道mask即可，工艺较为简单，也有利于降低生产成本；而且，由于采用喷涂方法制作第二绝缘层6的各处的厚度相同，相对于平坦化处理的第二绝缘层来说，使得像素电极与公共电极之间的距离减小，这有利于降低阵列基板的工作电压Vop，从而降低了阵列基板的功耗。
进一步地，请参见图9，本实施例提供的阵列基板的制作方法中，步骤S3包括：将介电常数低于4的有机材料喷涂在第二导电层5远离第一衬底1的一侧以形成第二绝缘层6。采用介电常数较低的材料来制作第二绝缘层6，有利于进一步降低阵列基板的工作电压Vop，从而进一步降低阵列基板的功耗。图9中显示的为喷涂第二绝缘层6的过程中的阵列基板的结构示意图，喷嘴N将有机材料喷涂在第二导电层5远离第一衬底1的一侧。喷涂时可以根据喷涂的有机材料的种类以及第二绝缘层的厚度等，控制喷嘴N喷出的液滴的尺寸以及喷速，以保证形成的第二绝缘层各处的厚度相同。
进一步地，请继续参见图9，为了兼顾第二绝缘层6的绝缘性与阵列基板工作电压Vop，控制喷涂参数使形成的第二绝缘层6的厚度为0.5～1.2微米。
基于同一发明构思，本实施例提供了一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括上述实施例中的阵列基板的制作方法，能够实现上述阵列基板的制作方法的有益效果。
进一步地，请参见图5，显示面板包括阵列基板和与阵列基板相对设置的彩膜基板，彩膜基板包括第二衬底8、位于第二衬底8靠近阵列基板一面上的黑色矩阵BM和多个滤光部9，其中，黑色矩阵BM位于滤光部之间，本实施例提供的显示面板的制作方法还包括：
将阵列基板与彩膜基板对合，其中，屏蔽结构72与黑色矩阵BM接触，黑色矩阵BM在第一衬底1上的正投影覆盖屏蔽结构72在第一衬底1上的正投影。
本实施例提供的显示面板的制作方法，能够实现本申请提供的阵列基板的有益效果；此外，由于阵列基板中第二绝缘层6各处的厚度相同，使得阵列基板的设置有数据线51区域的厚度大于其他区域，并且由于黑色矩阵BM的厚度大于滤光部9的厚度，因此，可以将屏蔽结构72(设置有数据线51的区域)与BM接触，就可以将设置有数据线51区域和黑色矩阵BM替代隔垫物，能够使得显示面板的制作工序得以简化；进一步地，由于不必设置隔垫物，并且彩膜基板中的黑色矩阵BM以及阵列基板的设置有数据线51、屏蔽结构72等都不容易产生形变，这能够有效降低配向膜被划伤的概率，即使阵列基板和彩膜基板发生较大的相对移动，对配向膜的损伤也能够控制在允许范围内，因此，不容易发生漏光问题，也就能够为避免漏光问题而过多的增加的BM的面积，从而进一步提升显示面板的开口率，进而提升显示效果。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例提供的阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置，通过将栅极线与公共电极同层设置，将屏蔽结构与像素电极同层设置，并采用喷涂方法制作第二绝缘层，使得阵列基板的生产过程只需要4道mask即可，在保证高开口率的同时能够简化阵列基板的生产工艺，有利于降低生产成本；而且，由于采用喷涂方法制作第二绝缘层的各处的厚度相同，相对于平坦化处理的第二绝缘层来说，使得像素电极与公共电极之间的距离减小，这有利于降低阵列基板的工作电压，从而降低了阵列基板的功耗。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一衬底；
第一导电层，位于所述第一衬底的一侧且包括多个公共电极和多条栅极线；
第一绝缘层，位于所述第一导电层远离所述第一衬底的一侧；
有源层，位于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧；
第二导电层，位于所述有源层远离所述第一衬底的一侧且包括多条数据线、多个源极和多个漏极，所述源极与所述数据线连接；
第二绝缘层，位于所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧，所述第二绝缘层各处的厚度相同；
贯穿所述第二绝缘层的多个过孔；以及
第三导电层，位于所述第二绝缘层远离所述第一衬底的一侧，且包括多个像素电极和多个屏蔽结构，所述像素电极通过所述过孔与相应的所述漏极连接，所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影覆盖所述数据线在所述第一衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二绝缘层的材料包括介电常数低于4的有机材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为0.5～1.2微米。
4.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的阵列基板。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板包括：
第二衬底；
黑色矩阵，位于所述第二衬底靠近所述阵列基板的一面；
多个滤光部，位于所述第二衬底靠近所述阵列基板的一面；
其中，所述黑色矩阵位于所述滤光部之间且与所述屏蔽结构接触，所述黑色矩阵在所述第一衬底上的正投影覆盖所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4或5所述的显示面板。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一第一衬底，在所述第一衬底上沉积第一导电层，并对所述第一导电层进行图形化处理以形成多个公共电极和多条栅极线；
在所述第一导电层远离所述第一衬底的一侧依次制作栅极绝缘层、有源层和第二导电层，并对所述第二导电层进行图形化处理以形成多条数据线、多个源极和多个漏极，所述源极与所述数据线连接；
采用喷涂方法在所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧形成厚度均一的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成多个过孔；以及
在所述第二绝缘层远离所述第一衬底的一侧沉积第三导电层，并对所述第三导电层进行图形化处理以形成多个像素电极和多个屏蔽结构，其中，所述像素电极通过所述过孔与相应的所述漏极连接，所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影覆盖所述数据线在所述第一衬底上的正投影。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，采用喷涂方法在所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧形成厚度均一的第二绝缘层，包括：
将介电常数低于4的有机材料喷涂在所述第二导电层远离所述第一衬底的一侧以形成厚度均一的所述第二绝缘层。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括权利要求7或8所述的阵列基板的制作方法。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括所述阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板包括第二衬底、位于所述第二衬底靠近所述阵列基板一面上的黑色矩阵和多个滤光部，其中，所述黑色矩阵位于所述滤光部之间；
所述制作方法还包括：
将所述阵列基板与所述彩膜基板对合，其中，所述屏蔽结构与所述黑色矩阵接触，所述黑色矩阵在所述第一衬底上的正投影覆盖所述屏蔽结构在所述第一衬底上的正投影。
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