CN110408913B - 管式pecvd设备的压力控制装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了管式PECVD设备的压力控制装置,包括至少一组反应室,每组反应室对应设有VAT阀和主抽泵,各组反应室共用一个预抽泵,每组反应室包括第一反应室和第二反应室,每组反应室中的第一反应室通过第一主管路与主抽泵连通,第二反应室通过第二主管路与主抽泵连通,第一主管路与第二主管路并联形成汇流管路,汇流管路与主抽泵连接,VAT阀设于汇流管路上,各组反应室中的第一反应室均通过第一支管路与预抽泵连接,各组反应室中的第二反应室均通过第二支管路与预抽泵连接。本发明的核心在于两管共用主抽泵时,工艺过程是错开的,相当于时刻都只有一个主抽泵为一个反应室工作,其余时间另一管利用预抽泵工作,大大降低了设备的成本。
Description
技术领域
本发明涉及光伏制造中的管式PECVD设备,尤其涉及一种管式PECVD设备的压力控制装置。
背景技术
管式PECVD是光伏制造领域必不可少的装备,近年来,随着我国光伏产业的迅猛发展,光伏产品已经走进了我们的生活中,光伏产品的普及伴随的是产品成本的降低,生产电池片的成本一大部分来源于设备,所以,如何想办法降低设备成本,成为现在光伏设备研究的重要方面。
现有的一般管式PECVD每管(反应室)配一台泵,每管之间单独控制,成本比较高,还有一种技术方案是两管共用一台功率比较大的真空泵,也就是相当于一个泵同时抽两管。这种方案比第一种成本要低一些,不过泵的功率要比原来的加大,成本也降低不了多少,如何用不加大功率的泵来实现两管抽真空,成为降低成本的关键。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种有效降低成本的管式PECVD设备的压力控制装置。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种管式PECVD设备的压力控制装置,包括至少一组反应室,每组反应室对应设有VAT阀和主抽泵,各组反应室共用一个预抽泵,每组反应室包括第一反应室和第二反应室,每组反应室中的第一反应室通过第一主管路与主抽泵连通,每组反应室中的第二反应室通过第二主管路与主抽泵连通,且第一主管路与第二主管路并联形成汇流管路,所述汇流管路与主抽泵连接,所述VAT阀设于汇流管路上,各组反应室中的第一反应室均通过第一支管路与预抽泵连接,各组反应室中的第二反应室均通过第二支管路与预抽泵连接。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述第一主管路上设有第一薄膜规。
所述第一支管路设于第一主管路上,且位于VAT阀的上游,所述第一薄膜规位于第一支管路的上游。
所述第二主管路上设有第二薄膜规。
所述第二支管路设于第二主管路上,且位于VAT阀的上游,所述第二薄膜规位于第二支管路的上游。
所述第一主管路对应第一薄膜规的位置设有第一压力阀。
所述第二主管路对应第二薄膜规的位置设有第二压力阀。
所述第一主管路上于第一支管路与汇流管路之间设有第一主抽阀,所述第二主管路上于第二支管路与汇流管路之间设有第二主抽阀。
所述第一支管路上设有第一预抽阀,所述第二支管路上设有第二预抽阀。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
本发明的管式PECVD设备的压力控制装置,利用小功率泵来抽两管真空,同时增加一个公用的预抽泵,以十管为例,十管共用6台泵,达到降低成本的目的,本发明的核心在于在不影响反应室正常工艺流程的前提下,大大降低了设备的成本,因为两管共用主抽泵时,其工艺过程是错开的,相当于时刻都只有一个主抽泵为一个反应室工作,其余时间另一管利用共用预抽泵工作。同时,将两管的真空管道集成在一起,也减小了占用空间,使设备的集成程度更高。
附图说明
图1是本发明中一组反应室的原理图。
图2是本发明中两组反应室的原理图。
图3是本发明中各管路与各阀接口的结构示意图。
图中各标号表示:
1、VAT阀;2、主抽泵;3、预抽泵;4、第一反应室;5、第二反应室;6、第一主管路;7、第二主管路;8、汇流管路;9、第一支管路;10、第二支管路;11、第一薄膜规;12、第二薄膜规;13、第一压力阀;14、第二压力阀;15、第一主抽阀;16、第二主抽阀;17、第一预抽阀;18、第二预抽阀。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
本实施例的管式PECVD设备的压力控制装置,以具有五组(十管)反应室为例。每组反应室对应设有一个VAT阀1和一个主抽泵2,五组反应室共用一个预抽泵3,每组反应室包括第一反应室4和第二反应室5,每组反应室中的第一反应室4通过第一主管路6与主抽泵2连通,每组反应室中的第二反应室5通过第二主管路7与主抽泵2连通,且第一主管路6与第二主管路7并联形成汇流管路8,汇流管路8与主抽泵2连接,VAT阀1设于汇流管路8上,五组反应室中的第一反应室4均通过第一支管路9与预抽泵3连接,五组反应室中的第二反应室5均通过第二支管路10与预抽泵3连接。VAT阀1为精确控制蝶阀,用于控制第一反应室4和第二反应室5的压力。
图1展示的是五组反应室中的一组的原理图,图2展示的是五组反应室中的两组的原理图,其余三组的连接结构类似。十管(反应室)中每两管共用一台小功率的主抽泵2用于主抽,一台大功率的预抽泵3用于十管共用的预抽,这样总共只需要6台泵,两管工作时,两管的工艺时间错开,当第一反应室4进行工艺时,接通第一主管路6(工艺时需要开启主抽泵2和VAT阀1,此时精确控制第一反应室4的内压力,也就是应用小功率的主抽泵2),断开第一支管路9,而第二反应室5只需要进行预抽,接通第二支管路10(利用大功率预抽泵3,此时第二反应室5内压力不需要精确控制,到达一定真空度即可),断开第二主管路7。
当第一反应室4的工艺时间完成,将第一主管路6切断,接通第一支管路9,第一反应室4与预抽泵3连接,与主抽泵2断开,进行预抽阶段,于此同时,接通第二主管路7,断开第二支管路10,这样第二反应室5与主抽泵2连接,与预抽泵3断开,第二反应室5在预抽完毕后即可进行主抽,利用小功率主抽泵2和共用的VAT阀1来进行工艺。第一反应室41预抽完之后,可以进入下一轮工作程序。
本发明就是在考虑了现有技术缺点的前提下,利用小功率泵来抽两管真空,同时增加一个公用的预抽泵,这样,十管共用6台泵(5小1大),达到降低成本的目的(现有技术为要么10台小泵,要么5台大功率泵)。本发明的核心在于在不影响反应室正常工艺流程的前提下,大大降低了设备的成本,因为两管共用主抽泵2时,其工艺过程是错开的,相当于时刻都只有一个主抽泵2为一个反应室工作,其余时间另一管利用共用预抽泵3工作。
本实施例中,第一主管路6上设有第一薄膜规11。第一支管路9设于第一主管路6上,且位于VAT阀1的上游,第一薄膜规11位于第一支管路9的上游。第二主管路7上设有第二薄膜规12。第二支管路10设于第二主管路7上,且位于VAT阀1的上游,第二薄膜规12位于第二支管路10的上游。第一薄膜规11用来测量第一反应室4的压力,第二薄膜规12用来测量第二反应室5的压力,测得的压力均反馈给控制器,由控制器根据压力值反馈给VAT阀1,由VAT阀1来调节各反应室的压力。
本实施例中,第一主管路6对应第一薄膜规11的位置设有第一压力阀13。第二主管路7对应第二薄膜规12的位置设有第二压力阀14。第一反应室4不做工艺制作预抽时,精度要求不高,可以用第一压力阀13来检测,同理,第二反应室5不做工艺制作预抽时,精度要求不高,可以用第二压力阀14来检测。第一薄膜规11和第二薄膜规12在第一反应室4和第二反应室5做工艺(主抽)时检测。
本实施例中,第一主管路6上于第一支管路9与汇流管路8之间设有第一主抽阀15,第二主管路7上于第二支管路10与汇流管路8之间设有第二主抽阀16。第一支管路9上设有第一预抽阀17,第二支管路10上设有第二预抽阀18。通过各个阀来控制各管路的通断。
图3为本实施例中各阀门与管路的结构图。a为第五层的共用主抽泵2接口,b为第五层的两管反应室接口,c为第五层的VAT阀7,d为第五层两个预抽阀接口,e为第一到第四层的共用主抽泵2接口,f为十管共用预抽泵3的接口,每一层的预抽管路都通过预抽阀d接口(第五层为d,其他各层类似)接到预抽泵3的接口f上。将两管的真空管道集成在一起,也减小了占用空间,使设备的集成程度更高。
需要说明的是,本实施例以常用的十管五组反应室为例,除本实施例外,也可以是多余或者少于五组。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围的情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均应落在本发明技术方案保护的范围内。
Claims (5)
1.一种管式PECVD设备的压力控制装置,其特征在于:包括多组反应室,每组反应室对应设有VAT阀(1)和主抽泵(2),各组反应室共用一个预抽泵(3),每组反应室包括第一反应室(4)和第二反应室(5),每组反应室中的第一反应室(4)通过第一主管路(6)与主抽泵(2)连通,每组反应室中的第二反应室(5)通过第二主管路(7)与主抽泵(2)连通,且第一主管路(6)与第二主管路(7)并联形成汇流管路(8),所述汇流管路(8)与主抽泵(2)连接,所述VAT阀(1)设于汇流管路(8)上用于控制第一反应室(4)和第二反应室(5)的压力,各组反应室中的第一反应室(4)均通过第一支管路(9)与预抽泵(3)连接,各组反应室中的第二反应室(5)均通过第二支管路(10)与预抽泵(3)连接,所述第一主管路(6)上设有第一薄膜规(11),所述第二主管路(7)上设有第二薄膜规(12),第一薄膜规11用来测量第一反应室4做工艺时的压力,第二薄膜规12用来测量第二反应室5做工艺时的压力,所述第一主管路(6)对应第一薄膜规(11)的位置设有第一压力阀(13),所述第二主管路(7)对应第二薄膜规(12)的位置设有第二压力阀(14),第一反应室4不做工艺制作预抽时用第一压力阀13来检测,第二反应室5不做工艺制作预抽时用第二压力阀14来检测。
2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备的压力控制装置,其特征在于:所述第一支管路(9)设于第一主管路(6)上,且位于VAT阀(1)的上游,所述第一薄膜规(11)位于第一支管路(9)的上游。
3.根据权利要求1所述的管式PECVD设备的压力控制装置,其特征在于:所述第二支管路(10)设于第二主管路(7)上,且位于VAT阀(1)的上游,所述第二薄膜规(12)位于第二支管路(10)的上游。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备的压力控制装置,其特征在于:所述第一主管路(6)上于第一支管路(9)与汇流管路(8)之间设有第一主抽阀(15),所述第二主管路(7)上于第二支管路(10)与汇流管路(8)之间设有第二主抽阀(16)。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备的压力控制装置,其特征在于:所述第一支管路(9)上设有第一预抽阀(17),所述第二支管路(10)上设有第二预抽阀(18)。
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
CN113416944B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-04-19 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备及其工作方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5575853A (en) * | 1994-07-01 | 1996-11-19 | Tokyo Electron Limited | Vacuum exhaust system for processing apparatus |
US7585141B2 (en) * | 2005-02-01 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Load lock system for ion beam processing |
CN102741975A (zh) * | 2010-04-30 | 2012-10-17 | 应用材料公司 | 双腔室处理*** |
JP2015045075A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
CN105552001A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种真空*** |
JP2017089512A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | 真空排気装置 |
CN107675145A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-02-09 | 湖南顶立科技有限公司 | 一种真空设备压强调控***及真空设备 |
CN109023305A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管间资源共用的管式pecvd设备 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11230036A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-24 | Ebara Corp | 真空排気システム |
DE102017214687A1 (de) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | centrotherm international AG | Behandlungsvorrichtung für Substrate und Verfahren zum Betrieb einer solchen Behandlungsvorrichtung |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5575853A (en) * | 1994-07-01 | 1996-11-19 | Tokyo Electron Limited | Vacuum exhaust system for processing apparatus |
US7585141B2 (en) * | 2005-02-01 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Load lock system for ion beam processing |
CN102741975A (zh) * | 2010-04-30 | 2012-10-17 | 应用材料公司 | 双腔室处理*** |
JP2015045075A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2017089512A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | 真空排気装置 |
CN105552001A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种真空*** |
CN107675145A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-02-09 | 湖南顶立科技有限公司 | 一种真空设备压强调控***及真空设备 |
CN109023305A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管间资源共用的管式pecvd设备 |
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