CN110401467B - 射频前端装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种射频前端装置和电子设备，装置包括：第一射频通路；第二射频通路；第一射频模块，第一射频模块包括中高频放大模组和低频放大模组，中高频放大模组和低频放大模组通过第一射频通路传输信号；第二射频模块，第二射频模块包括5G放大模组，5G放大模组通过第二射频通路传输信号；第三射频模块，第三射频模块包括多频多模放大模组，多频多模放大模组通过第二射频通路传输信号。由此，多频多模放大模组和5G放大模组连接同一射频通路，中高频放大模组和低频放大模组连接另一射频通路，从而，可实现4G和5G频段之间不同EN‑DC组合配置。

Description

射频前端装置和电子设备
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频前端装置和电子设备。
背景技术
2019年被定义为5G通信元年，全球各大通信运营商也在今年正式拉开5G移动通信网络的建设，由于考虑到5G SA(stand alone，独立组网)成本太高，国内外绝大多数运营商选择前期采用NSA(Non-standalone，非独立组网),也即EN-DC(E-UTRA and New radioDual Connectivity，4G无线接入网与5G新空口的双连接)的形式。EN-DC意味着整个射频前端架构将会变得比较复杂，同时一些运营商提出对传统的600MHz～2700MHz频带的频段进行refarming,，这将进一步增大移动终端射频前端架构的设计难度。
发明内容
本申请的一个目的在于提出一种射频前端装置，通过设置低成本的多频多模放大模组，可实现4G和5G频段之间的不同EN-DC组合配置。
本申请的另一个目的在于提出一种电子设备。
为达上述目的，本申请第一方面实施例提出一种射频前端装置，包括：第一射频通路；第二射频通路；第一射频模块，所述第一射频模块包括中高频放大模组和低频放大模组，所述中高频放大模组和所述低频放大模组通过所述第一射频通路传输信号；第二射频模块，所述第二射频模块包括5G放大模组，所述5G放大模组通过所述第二射频通路传输信号；第三射频模块，所述第三射频模块包括多频多模放大模组，所述多频多模放大模组通过所述第二射频通路传输信号。
根据本申请实施例提出的射频前端装置，第一射频模块包括中高频放大模组和低频放大模组，中高频放大模组和低频放大模组通过第一射频通路传输信号，第二射频模块包括5G放大模组，5G放大模组通过第二射频通路传输信号，第三射频模块包括多频多模放大模组，多频多模放大模组通过第二射频通路传输信号。由此，本申请实施例的射频前端装置，多频多模放大模组和5G放大模组连接同一射频通路，中高频放大模组和低频放大模组连接另一射频通路，从而，可实现4G和5G频段之间不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
根据本申请的一个实施例，射频前端装置还包括：与所述第一射频通路对应的第一供电通路，所述第一供电通路与所述第一射频模块相连，以给所述第一射频模块供电；与所述第二射频通路对应的第二供电通路，所述第二供电通路与所述第二射频模块相连，以给所述第二射频模块供电；第三供电通路，所述第三供电通路与所述第三射频模块相连，以给所述第三射频模块供电。
根据本申请的一个实施例，所述第一供电通路和所述第二供电通路支持ET供电模式，所述第三供电通路采用APT供电模式。
根据本申请的一个实施例，所述5G放大模组包括第一5G放大模块和第二5G放大模块，所述第一5G放大模块通过所述第二射频通路传输信号，所述第二5G放大模块通过所述第二射频通路传输信号，其中，所述第一5G放大模块与所述第二5G放大模块支持不同的5G频段。
根据本申请的一个实施例，所述第一5G放大模块支持N78频段、或N77频段、或N79频段，所述第二5G放大模块支持N41频段。
根据本申请的一个实施例，所述中高频放大模组包括第一中频放大器和第一高频放大器，所述第一中频放大器和所述第一高频放大器通过所述第一射频通路传输信号；所述低频放大模组包括第一低频放大器，所述第一低频放大器通过所述第一射频通路传输信号。
根据本申请的一个实施例，所述多频多模放大模组包括第一低频放大器、第一中频放大器和第一高频放大器，所述第一低频放大器、第一中频放大器和第一高频放大器通过所述第二射频通路传输信号。
根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，所述第一射频模块与所述第二射频模块同时工作，或者，所述第一射频模块与所述第三射频模块同时工作。
根据本申请的一个实施例，当所述第一射频模块与所述第二射频模块同时工作时，所述第一射频模块用于进行LTE频段的通信，所述第二射频模块用于进行5G NR频段的通信；当所述第一射频模块与所述第三射频模块同时工作时，所述第一射频模块用于进行5Grefarming频段的通信，所述第三射频模块用于进行LTE频段的通信。
根据本申请的一个实施例，在4G独立组网模式下，所述第一射频模块进行工作，以进行LTE频段的通信。
为达上述目的，本申请第二方面实施例提出一种电子设备，包括本申请第一方面实施例所述的射频前端装置。
根据本申请实施例提出的电子设备，通过设置的射频前端装置，多频多模放大模组和5G放大模组连接同一射频通路，中高频放大模组和低频放大模组连接另一射频通路，从而，可实现4G和5G频段之间不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
附图说明
图1为根据本申请实施例的射频前端装置的方框示意图；
图2为根据本申请一个实施例的射频前端装置的方框示意图；
图3为根据本申请另一个实施例的射频前端装置的方框示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例中，引入MMPA(Multi-band multi-mode power amplifier，多频多模放大器)和NR PA(5G放大模组)，MMPA用于EN-DC工作时的LTE频段，同时，MMPA与和NRPA连接同一射频通路，低频PAMID(Power amplifier module integrated duplexer，集成双工器的功率放大器模组)(低频放大模组)、中高频PAMID(中高频放大模组)连接另一射频通路，并且低频PAMID、中高频PAMID以及NR PA(5G放大模组)使用与其射频通路对应的PAPMIC ETDAC通路(供电通路)，从而，可实现4G和5G频段之间的不同EN-DC组合配置，且每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
下面参考附图详细描述本申请实施例的射频前端装置和电子设备。
图1为根据本申请实施例的射频前端装置的方框示意图。如图1所示，本申请实施例的射频前端装置100包括第一射频通路10、第二射频通路20、第一射频模块30、第二射频模块40和第三射频模块50。
其中，第一射频模块30包括中高频放大模组31和低频放大模组32，中高频放大模组31和低频放大模组32通过第一射频通路10传输信号；第二射频模块40包括5G放大模组41，5G放大模组41通过第二射频通路20传输信号；第三射频模块50包括多频多模放大模组51，多频多模放大模组51通过第二射频通路20传输信号。
作为一个示例，多频多模放大模组51可以为PHASE 2低中高频MMPA，即低成本的MMPA。
可理解，5G放大模组41可与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输5G信号，中高频放大模组31可与第一射频通路10相连，以通过第一射频通路10传输中高频信号例如LTE频段的中高频信号，低频放大模组32可与第一射频通路10相连，以通过第一射频通路10传输低频信号例如LTE频段的低频信号，多频多模放大模组51可与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输LTE频段的信号。
进一步地，根据本申请的一个实施例，如图2-3所示，射频前端装置100还包括：第一供电通路60、第二供电通路70和第三供电通路80，第一供电通路60与第一射频通路10对应，第一供电通路60与第一射频模块30相连，以给第一射频模块30供电；第二供电通路70与第二射频通路20对应，第二供电通路70与第二射频模块40相连，以给第二射频模块40供电；第三供电通路80与第三射频模块50相连，以给第三射频模块50供电。
需要说明的是，第一供电通路60、第二供电通路70和第三供电通路80上可包括PMIC(Power management IC，电源管理芯片)，其中，如图3所示，第一供电通路60上设置有PMIC0#，PMIC0#与第一射频模块30连接，第二供电通路70上设置有PMIC1#，PMIC1#与第二射频模块40连接，第三供电通路80设置有PMIC2#，PMIC2#与第三射频模块50连接。
根据本申请的一个实施例，第一供电通路60和第二供电通路70支持ET(Enveloptracking，包络追踪)供电模式，第三供电通路80采用APT(Average powertracking，平均功率追踪)供电模式。也就是说，第一供电通路60和第二供电通路70的供电模式可包括ET模式，第三供电通路80的供电模式可包括APT模式，其中ET模式最为省电，APT模式次之，换言之，与第一射频通路10对应的第一供电通路60的供电模式为ET模式，与第二射频通路20对应的第二供电通路70的供电模式为ET模式。
具体而言，PMIC0#可使用ET模式给第一射频模块30供电，PMIC1#可使用ET模式给第二射频模块40供电，PMIC2#可使用APT模式给第三射频模块50供电，其中，在第一供电通路60和第二供电通路70工作在ET模式时，供电通路上还需连接数模转换器，以实现包络追踪，作为一个示例，如图3所示，第一供电通路60上可连接数模转换器DAC0，第二供电通路70上可连接数模转换器DAC1。
也就是说，第一供电通路60和第二供电通路70可为ET供电通路，第三供电通路80可为APT供电通路。
由此，通过将多频多模放大模组51和5G放大模组连接同一射频通路即第二射频通路20，低频放大模组32和中高频放大模组31连接另一射频通路即第一射频通路10，并且低频放大模组32、中高频放大模组31以及5G放大模组41使用与其射频通路对应的供电通路即ET供电通路，从而，可保证5G NR频段及5G rafarming频段工作在ET模式，有效节约功耗。
具体地，根据本申请的一个实施例，如图2-3所示，5G放大模组41包括第一5G放大模块NR1和第二5G放大模块NR2，第一5G放大模块NR1通过第二射频通路20传输信号，第二5G放大模块NR2通过第二射频通路20传输信号，其中，第一5G放大模块NR1与第二5G放大模块NR2支持不同的5G频段。
需要说明的是，第一5G放大模块NR1和第二5G放大模块NR2可集成设置在5G放大模组41中。
其中，第一5G放大模块NR1支持N78频段、或N77频段、或N79频段，第二5G放大模块NR2支持N41频段。
也就是说，第一5G放大模块NR1与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输N78频段、或N77频段、或N79频段的5G信号，第二5G放大模块NR2与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输N41频段的5G信号。
进一步地，根据本申请的一个实施例，如图2-3所示，中高频放大模组31包括第一中频放大器310和第一高频放大器311，第一中频放大器310和第一高频放大器311通过第一射频通路10传输信号；低频放大模组32包括第一低频放大器320，第一低频放大器320通过第一射频通路10传输信号。
具体而言，第一中频放大器310与第一射频通路10相连，以通过第一射频通路10传输例如LTE频段的中频信号，第一高频放大器311与第一射频通路10相连，以通过第一射频通路10传输例如LTE频段的高频信号，第一低频放大器320与第一射频通路10相连，以通过第一射频通路10传输例如LTE频段的低频信号。
进一步地，根据本申请的一个实施例，如图2-3所示，多频多模放大模组51包括第一低频放大器510、第一中频放大器511和第一高频放大器512，第一低频放大器510、第一中频放大器511和第一高频放大器512通过第二射频通路20传输信号。
具体而言，第一低频放大器510与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输例如LTE频段的低频信号，第一中频放大器511与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输例如LTE频段的中频信号，第一高频放大器512与第二射频通路20相连，以通过第二射频通路20传输例如LTE频段的高频信号。
根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，第一射频模块30与第二射频模块40同时工作，或者，第一射频模块30与第三射频模块50同时工作。
其中，当第一射频模块30与第二射频模块40同时工作时，第一射频模块30用于进行LTE频段的通信，第二射频模块40用于进行5G NR频段的通信；当第一射频模块30与第三射频模块50同时工作时，第一射频模块30用于进行5G refarming频段的通信，第三射频模块50用于进行LTE频段的通信。
具体地，在非独立组网模式下，当第一射频模块30与第一5G放大模块NR1同时工作时，第一射频模块30用于进行LTE频段的通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的通信。
或者，在非独立组网模式下，当第一射频模块30与第二5G放大模块NR2同时工作时，第一射频模块30用于进行LTE频段的通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的通信。
进一步地，根据本申请的一个实施例，在4G独立组网模式下，第一射频模块30进行工作，以进行LTE频段的通信。
可理解，在4G独立组网模式下，第一中频放大器310进行工作，以进行LTE频段的中频信号的通信，第一高频放大器311进行工作，以进行LTE频段的高频信号的通信，第一低频放大器320进行工作，以进行LTE频段的低频信号的通信。
具体地，5G NSA模式(5G非独立组网模式)下可以实现的配置如下表1所示：
表1
Figure BDA0002137238450000061
其中，TX1表示接通第二射频通路20，TX0表示接通第一射频通路10，X表示没有接通射频通路；4G only表示中高频放大模组31和低频放大模组32进行工作，此时，中高频放大模组31和低频放大模组32均用于进行LTE频段的通信；LB+LMHB(NR)ENDC表示第一射频模块30与第三射频模块50同时工作，也即多频多模放大模组51中的第一低频放大器510与中高频放大模组31和低频放大模组32同时进行工作，此时，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行5G refarming频段的通信，第一低频放大器510用于进行LTE频段的低频信号的通信；MB+LMH(NR)ENDC表示第一射频模块30与第三射频模块50同时工作，也即多频多模放大模组51中的第一中频放大器511与中高频放大模组31和低频放大模组32同时进行工作，此时，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行5G refarming频段的通信，第一中频放大器511用于进行LTE频段的中频信号的通信；HB+LMH(NR)ENDC表示第一射频模块30与第三射频模块50同时工作，也即多频多模放大模组51中的第一高频放大器512与中高频放大模组31和低频放大模组32同时进行工作，此时，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行5G refarming频段的通信，第一高频放大器512用于进行LTE频段的高频信号的通信；DC_LMHB-N78表示中高频放大模组31、低频放大模组32与第一5G放大模块NR1同时工作，此时，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行LET频段的通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信；DC_LMHB-n41表示中高频放大模组31、低频放大模组32与第二5G放大模块NR2同时工作，此时，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行LET频段的通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信。
可理解，在4G独立组网模式下，当中高频放大模组31和低频放大模组32接通第一射频通路10时，中高频放大模组31和低频放大模组32可进行LTE频段的通信。
当中高频放大模组31和低频放大模组32接通第一射频通路10，多频多模放大模组51中的第一低频放大器510接通第二射频通路20时，中高频放大模组31、低频放大模组32以及多频多模放大模组51中的第一低频放大器510同时进行工作，其中，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行5G refarming频段的通信，第一低频放大器510用于进行LTE频段的通信。
当中高频放大模组31和低频放大模组32接通第一射频通路10，多频多模放大模组51中的第一中频放大器511接通第二射频通路20时，中高频放大模组31、低频放大模组32以及多频多模放大模组51中的第一中频放大器511同时进行工作，其中，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行5G refarming频段的通信，第一中频放大器511用于进行LTE频段的通信。
当中高频放大模组31和低频放大模组32接通第一射频通路10，多频多模放大模组51中的第一高频放大器512接通第二射频通路20时，中高频放大模组31、低频放大模组32以及多频多模放大模组51中的第一高频放大器512同时进行工作，其中，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行5G refarming频段的通信，第一高频放大器512用于进行LTE频段的通信。
当中高频放大模组31和低频放大模组32接通第一射频通路10，第一5G放大模块NR1接通第二射频通路20时，中高频放大模组31、低频放大模组32与第一5G放大模块NR1同时进行工作，其中，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行LET频段的通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信。
当中高频放大模组31和低频放大模组32接通第一射频通路10，第二5G放大模块NR2接通第二射频通路20时，中高频放大模组31、低频放大模组32与第二5G放大模块NR2同时进行工作，其中，中高频放大模组31和低频放大模组32用于进行LET频段的通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信。
由此，通过将多频多模放大模组51和5G放大模组连接同一射频通路，中高频放大模组31和低频放大模组32连接另一射频通路，可实现4G和5G频段之间不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
综上，根据本申请实施例提出的射频前端装置，第一射频模块包括中高频放大模组和低频放大模组，中高频放大模组和低频放大模组通过第一射频通路传输信号，第二射频模块包括5G放大模组，5G放大模组通过第二射频通路传输信号，第三射频模块包括多频多模放大模组，多频多模放大模组通过第二射频通路传输信号。由此，本申请实施例的射频前端装置，多频多模放大模组和5G放大模组连接同一射频通路，中高频放大模组和低频放大模组连接另一射频通路，从而，可实现4G和5G频段之间不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
基于上述实施例的射频前端装置，本申请实施例还提出了一种电子设备，包括前述的射频前端装置。
根据本申请实施例提出的电子设备，通过设置的射频前端装置，多频多模放大模组和5G放大模组连接同一射频通路，中高频放大模组和低频放大模组连接另一射频通路，从而，可实现4G和5G频段之间不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种射频前端装置，其特征在于，包括：
第一射频通路；
第二射频通路；
第一射频模块，所述第一射频模块包括中高频放大模组和低频放大模组，所述中高频放大模组和所述低频放大模组通过所述第一射频通路传输信号；
第二射频模块，所述第二射频模块包括5G放大模组，所述5G放大模组通过所述第二射频通路传输信号；所述5G放大模组包括第一5G放大模块和第二5G放大模块，所述第一5G放大模块通过所述第二射频通路传输信号，所述第二5G放大模块通过所述第二射频通路传输信号，其中，所述第一5G放大模块与所述第二5G放大模块支持不同的5G频段；
第三射频模块，所述第三射频模块包括多频多模放大模组，所述多频多模放大模组通过所述第二射频通路传输信号；
其中，当所述第一射频模块与所述第二射频模块同时工作时，所述第一射频模块用于进行LTE频段的通信，所述第二射频模块用于进行5G NR频段的通信；
当所述第一射频模块与所述第三射频模块同时工作时，所述第一射频模块用于进行5Grefarming频段的通信，所述第三射频模块用于进行LTE频段的通信。
2.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，还包括：
与所述第一射频通路对应的第一供电通路，所述第一供电通路与所述第一射频模块相连，以给所述第一射频模块供电；
与所述第二射频通路对应的第二供电通路，所述第二供电通路与所述第二射频模块相连，以给所述第二射频模块供电；
第三供电通路，所述第三供电通路与所述第三射频模块相连，以给所述第三射频模块供电。
3.根据权利要求2所述的射频前端装置，其特征在于，所述第一供电通路和所述第二供电通路支持ET供电模式，所述第三供电通路采用APT供电模式。
4.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，所述第一5G放大模块支持N78频段、或N77频段、或N79频段，所述第二5G放大模块支持N41频段。
5.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，
所述中高频放大模组包括第一中频放大器和第一高频放大器，所述第一中频放大器和所述第一高频放大器通过所述第一射频通路传输信号；
所述低频放大模组包括第一低频放大器，所述第一低频放大器通过所述第一射频通路传输信号。
6.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，所述多频多模放大模组包括第一低频放大器、第一中频放大器和第一高频放大器，所述第一低频放大器、第一中频放大器和第一高频放大器通过所述第二射频通路传输信号。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的射频前端装置，其特征在于，在非独立组网模式下，所述第一射频模块与所述第二射频模块同时工作，或者，所述第一射频模块与所述第三射频模块同时工作。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的射频前端装置，其特征在于，在4G独立组网模式下，所述第一射频模块进行工作，以进行LTE频段的通信。
9.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1-8中任一项所述的射频前端装置。
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