CN110391189A - 一种柔性基板上的增透减反薄膜及其封装方法 - Google Patents
一种柔性基板上的增透减反薄膜及其封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110391189A CN110391189A CN201810364249.9A CN201810364249A CN110391189A CN 110391189 A CN110391189 A CN 110391189A CN 201810364249 A CN201810364249 A CN 201810364249A CN 110391189 A CN110391189 A CN 110391189A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- layer
- reflection
- flexible base
- base board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 40
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 153
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Wrappers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，包括基板、光化学薄膜、水氧阻隔膜，光化学薄膜的两侧分别与水氧阻隔膜、基板连接，光化学薄膜背离于水氧阻隔膜的一侧设有一层厚度为100‑500nm的纳米结构层，基板背离于水氧阻隔膜的一侧与柔性基板连接，水氧阻隔膜为由阻隔层与吸收层通过湿法镀膜依次交替制备的复合薄膜层，复合薄膜层与基板、光化学薄膜连接的一侧均为阻隔层，且构成复合薄膜层的相邻两层均为一层阻隔层、一层吸收层。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件封装技术领域，具体涉及一种柔性基板上的增透减反薄膜及其封装方法。
背景技术
为了保证柔性基板等电子器件的性能，通常在进行封装时需要对柔性基板先封装一侧保护膜再进行整体的封装，柔性基板上通常使用的保护膜多为水氧阻隔膜，水氧阻隔膜是为了将氧气、水分都阻隔在外部防止进入到柔性基板等电子器件的内部，但是现有的水氧阻隔膜所需原料过多并且制作过于繁琐，同时的透光效果极差，成本非常高，寿命降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种柔性基板上的增透减反薄膜，能够通过采用湿法镀膜将阻隔层与吸收层依次交替制备形成复合薄膜层，提高了制作效率以及复合薄膜层的阻水性、阻氧性，提高整个水氧阻隔膜的使用寿命；复合薄膜层与纳米结构层之间增设的光化学薄膜具有增透减反的效果，提高整个膜层的透射率，并且适用于各种柔性基板，结构简单，便于使用，用以解决现有技术导致的缺陷。
本发明还提供一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法。
为解决上述技术问题本发明提供以下的技术方案：一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，包括基板、光化学薄膜、水氧阻隔膜，所述光化学薄膜的两侧分别与所述水氧阻隔膜、所述基板连接，所述光化学薄膜背离于所述水氧阻隔膜的一侧设有一层厚度为100-500nm的纳米结构层，所述基板背离于所述水氧阻隔膜的一侧与柔性基板连接。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述水氧阻隔膜为由阻隔层与吸收层通过湿法镀膜依次交替制备的复合薄膜层，所述复合薄膜层与所述基板、所述光化学薄膜连接的一侧均为所述阻隔层，且构成所述复合薄膜层的相邻两层均为一层所述阻隔层、一层所述吸收层。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法，其中，包括以下步骤：
步骤一：在基板上通过湿法镀膜法制备水氧阻隔膜，所述水氧阻隔膜为由阻隔层与吸收层交替设置的复合薄膜层，所述复合薄膜层的最顶层与最底层均为所述阻隔层；
步骤二：制备涂膜溶液，将所述涂膜溶液涂抹至所述复合薄膜层的顶层，静置、固化得到光化学薄膜；
步骤三：在所述光化学薄膜之上通过原子层沉积法、化学气相沉积法、真空蒸镀法、干法镀膜法中任一个方法制备纳米结构层。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述复合薄膜层的厚度在0.6微米-1.2微米之间，所述基板厚度在0.1微米-0.2微米之间，所述光化学薄膜在0.05微米与0.1微米之间。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述基板背离于所述复合薄膜层的一侧设有与所述柔性基板贴合的防静电层。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述防静电层为SMC复合材料制成。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述阻隔层与所述吸收层均为无机薄膜。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述阻隔层为含有PA、PET、PEN、PI中任意一种或多种元素组成的阻隔薄膜。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述吸收层为含有In、Zn、Ga、Sn、Cd中任意一种或多种元素组成的非晶结构薄膜。
上述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，所述光化学薄膜为TEOS加EG、AG、BG、HG、OG中任意一种或多种元素组成的PMO薄膜。
依据上述本发明一种柔性基板上的增透减反薄膜提供的技术方案效果是：采用湿法镀膜将阻隔层与吸收层依次交替制备形成复合薄膜层，提高了制作效率以及复合薄膜层的阻水性、阻氧性，提高整个水氧阻隔膜的使用寿命；复合薄膜层与纳米结构层之间增设的光化学薄膜具有增透减反的效果，提高整个膜层的透射率，并且适用于各种柔性基板，结构简单，便于使用。
附图说明
图1为本发明一种柔性基板上的增透减反薄膜的结构示意图。
其中，附图标记如下：基板101、光化学薄膜102、复合薄膜层103、柔性基板104、纳米结构层105、阻隔层106、吸收层107、防静电层108。
具体实施方式
为了使发明实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本发明。
本发明的一较佳实施例是提供一种柔性基板上的增透减反薄膜，目的是通过采用湿法镀膜将阻隔层与吸收层依次交替制备形成复合薄膜层，提高了制作效率以及复合薄膜层的阻水性、阻氧性，提高整个水氧阻隔膜的使用寿命；复合薄膜层与纳米结构层之间增设的光化学薄膜具有增透减反的效果，提高整个膜层的透射率，并且适用于各种柔性基板，结构简单，便于使用。
如图1所示，一种柔性基板上的增透减反薄膜，其中，包括基板101、光化学薄膜102、水氧阻隔膜，光化学薄膜102的两侧分别与水氧阻隔膜、基板101连接，光化学薄膜102背离于水氧阻隔膜的一侧设有一层厚度为100-500nm的纳米结构层105，基板101背离于水氧阻隔膜的一侧与柔性基板104连接。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的水氧阻隔膜为由阻隔层106与吸收层107通过湿法镀膜依次交替制备的复合薄膜层103，复合薄膜层103与基板101、光化学薄膜102连接的一侧均为阻隔层106，且构成复合薄膜层103的相邻两层均为一层阻隔层106、一层吸收层107。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法包括以下步骤：
步骤一：在基板101上通过湿法镀膜法制备水氧阻隔膜，水氧阻隔膜为由阻隔层106与吸收层107交替设置的复合薄膜层103，复合薄膜层103的最顶层与最底层均为阻隔层106；
步骤二：制备涂膜溶液，将涂膜溶液涂抹至复合薄膜层103的顶层，静置、固化得到光化学薄膜102；
步骤三：在光化学薄膜102之上通过原子层沉积法、化学气相沉积法、真空蒸镀法、干法镀膜法中任一个方法制备纳米结构层105。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的复合薄膜层103的厚度在0.6微米-1.2微米之间，基板101厚度在0.1微米-0.2微米之间，光化学薄膜102在0.05微米与0.1微米之间。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的基板101背离于复合薄膜层103的一侧设有与柔性基板104贴合的防静电层108。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的防静电层108为SMC复合材料制成。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的阻隔层106与吸收层107均为无机薄膜。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的阻隔层106为含有PA、PET、PEN、PI中任意一种或多种元素组成的阻隔薄膜。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的吸收层107为含有In、Zn、Ga、Sn、Cd中任意一种或多种元素组成的非晶结构薄膜。
本实施例提供的一种柔性基板上的增透减反薄膜，采用的光化学薄膜102为TEOS加EG、AG、BG、HG、OG中任意一种或多种元素组成的PMO薄膜。
综上，本发明的一种柔性基板上的增透减反薄膜，能够通过采用湿法镀膜将阻隔层与吸收层依次交替制备形成复合薄膜层，提高了制作效率以及复合薄膜层的阻水性、阻氧性，提高整个水氧阻隔膜的使用寿命；复合薄膜层与纳米结构层之间增设的光化学薄膜具有增透减反的效果，提高整个膜层的透射率，并且适用于各种柔性基板，结构简单，便于使用。
以上对发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改做出若干简单推演、变形或替换，这并不影响发明的实质内容。
Claims (10)
1.一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，包括基板、光化学薄膜、水氧阻隔膜，所述光化学薄膜的两侧分别与所述水氧阻隔膜、所述基板连接，所述光化学薄膜背离于所述水氧阻隔膜的一侧设有一层厚度为100-500nm的纳米结构层，所述基板背离于所述水氧阻隔膜的一侧与柔性基板连接。
2.如权利要求1所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述水氧阻隔膜为由阻隔层与吸收层通过湿法镀膜依次交替制备的复合薄膜层，所述复合薄膜层与所述基板、所述光化学薄膜连接的一侧均为所述阻隔层，且构成所述复合薄膜层的相邻两层均为一层所述阻隔层、一层所述吸收层。
3.如权利要求2所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：在基板上通过湿法镀膜法制备水氧阻隔膜，所述水氧阻隔膜为由阻隔层与吸收层交替设置的复合薄膜层，所述复合薄膜层的最顶层与最底层均为所述阻隔层；
步骤二：制备涂膜溶液，将所述涂膜溶液涂抹至所述复合薄膜层的顶层，静置、固化得到光化学薄膜；
步骤三：在所述光化学薄膜之上通过原子层沉积法、化学气相沉积法、真空蒸镀法、干法镀膜法中任一个方法制备纳米结构层。
4.如权利要求3所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述复合薄膜层的厚度在0.6微米-1.2微米之间，所述基板厚度在0.1微米-0.2微米之间，所述光化学薄膜在0.05微米与0.1微米之间。
5.如权利要求4所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述基板背离于所述复合薄膜层的一侧设有与所述柔性基板贴合的防静电层。
6.如权利要求5所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述防静电层为SMC复合材料制成。
7.如权利要求4所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述阻隔层与所述吸收层均为无机薄膜。
8.如权利要求7所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述阻隔层为含有PA、PET、PEN、PI中任意一种或多种元素组成的阻隔薄膜。
9.如权利要求7所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述吸收层为含有In、Zn、Ga、Sn、Cd中任意一种或多种元素组成的非晶结构薄膜。
10.如权利要求4所述的一种柔性基板上的增透减反薄膜，其特征在于，所述光化学薄膜为TEOS加EG、AG、BG、HG、OG中任意一种或多种元素组成的PMO薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810364249.9A CN110391189B (zh) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810364249.9A CN110391189B (zh) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110391189A true CN110391189A (zh) | 2019-10-29 |
| CN110391189B CN110391189B (zh) | 2021-08-10 |
Family
ID=68284380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810364249.9A Expired - Fee Related CN110391189B (zh) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 一种柔性基板上的增透减反薄膜的封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110391189B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105609655A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-25 | 天马微电子股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法 |
| CN105977278A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-28 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN106711348A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-24 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-04-19 CN CN201810364249.9A patent/CN110391189B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105609655A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-25 | 天马微电子股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法 |
| CN105977278A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-28 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN106711348A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-24 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110391189B (zh) | 2021-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI650389B (zh) | 電子裝置 | |
| CN104882564B (zh) | 粘合膜和使用其包封有机电子装置的方法 | |
| CN101223015B (zh) | 带有载体的预浸料及其制造工艺、薄双面板及其制造工艺和多层印刷电路板的制造工艺 | |
| EP2659520B1 (en) | Back sheet for solar cells and method for preparing the same | |
| JP6393619B2 (ja) | 多層プリント配線基板の製造方法及びベース基材 | |
| US9643155B2 (en) | Absorbent laminate provided with absorbent film, electronic device containing same, and method for producing same | |
| CN104553147B (zh) | 成型用包装材料 | |
| CN104505468B (zh) | 发光器件及其封装方法 | |
| JP2013504205A5 (zh) | ||
| JP2007096260A5 (zh) | ||
| CN104201298A (zh) | 一种锂离子电池用软包装铝塑膜 | |
| CN102001201A (zh) | 层压膜和复合膜 | |
| KR101390067B1 (ko) | 그래핀 적층 배리어 필름 | |
| CN110479110A (zh) | 导电的、透明的、半透明的和/或反光的材料 | |
| TWI549823B (zh) | 複合膜及其製造方法 | |
| US20190315106A1 (en) | Multilayer oxygen barrier film with improved hot water resistance | |
| WO2014153997A1 (zh) | 太阳能电池背板及太阳能电池组件 | |
| CN104553115A (zh) | 复合气体阻隔膜及其制备方法 | |
| CN110391189A (zh) | 一种柔性基板上的增透减反薄膜及其封装方法 | |
| TWI597167B (zh) | Backsheet for solar cell with moisture absorption layer and solar cell using the same | |
| CN103249265B (zh) | 一种盲孔填孔方法 | |
| CN109244268B (zh) | 有机发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN108777914B (zh) | 一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法 | |
| CN109830542A (zh) | 耐久阻隔膜及其制备方法 | |
| CN203618215U (zh) | 防阶梯式印制板翘曲的排板结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210713 Address after: 518000 703, Huafeng international business building, 4018 Baoan Avenue, Yantian community, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: Shenzhen future new material industry Co.,Ltd. Address before: 1534, 185 Moyu Road, Anting Town, Jiading District, Shanghai, 201800 Applicant before: SHANGHAI JIANHU INSTRUMENT EQUIPMENT Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210810 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |