CN110380609A - 一种变换器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种变换器。一种变换器包括误差放大器、脉宽调制电路、功率管、第一反相器、同步管、储能电感、滤波电容、第一电阻、第二电阻、第一比较器和第一NMOS管。当***输出端输出电流过大时，所述第一电阻和所述第二电阻分压得到的反馈电压就会小于基准电压，所述第一比较器的输出为高电平，所述第一NMOS管是导通的，这样就会把反馈电压拉到基准电压VREF1，所述误差放大器的输出为零，使得所述功率管关掉，就不会对所述功率管造成损坏。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及到一种变换器。
背景技术
当变换器输出电流过大时，如果没有很好地去控制功率管输出，会导致功率管造成损坏，严重造成整个电源***损坏。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种变换器。
一种变换器，包括误差放大器、脉宽调制电路、功率管、第一反相器、同步管、储能电感、滤波电容、第一电阻、第二电阻、第一比较器和第一NMOS管：
所述误差放大器是对经过所述第一电阻和所述第二电阻分压产生的反馈电压和基准电压VREF1的差值进行放大；所述脉宽调制电路是根据所述误差放大器的输出端的高低进行调节所述功率管和所述同步管的开启时间；所述功率管是对所述储能电感进行储能，并输出电流；所述同步管是为了所述储能电感续流；所述储能电感是对所述功率管流过的电流进行储能，对所述同步管流过的电流进行续流；所述滤波电容对所述储能电感输出的电压进行滤波产生直流电压；所述第一电阻和所述第二电阻组成分压反馈电阻是对输出电压进行分压反馈给所述误差放大器；所述第一比较器和所述第一NMOS管构成钳位电路，对输出电流进行检测并钳位，过流时反馈电压低于基准电压VREF2进行钳位反馈电压等于VREF1对所述功率管进行关断，防止损坏所述功率管。
所述误差放大器的负输入端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端和所述第一NMOS管的漏极，正输入端接基准电压VREF2，输出端接所述脉宽调制电路的输入端；所述脉宽调制电路的输入端接所述误差放大器的输出端，输出端接所述功率管的栅极和所述第一反相器的输入端；所述功率管的栅极接所述脉宽调制电路的输出端和所述第一反相器的输入端，漏极接所述储能电感的一端和所述同步管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一反相器的输入端接所述脉宽调制电路的输出端和所述功率管的栅极，输出端接所述同步管的栅极；所述同步管的栅极接所述第一反相器的输出端，漏极接所述功率管的漏极和所述储能电感的一端，源极接地；所述储能电感的一端接所述功率管的漏极和所述同步管的漏极，另一端为***输出端VOUT和所述滤波电容的一端和所述第一电阻的一端，所述滤波电容的另一端接地；所述第一电阻的一端接所述滤波电容的一端和所述储能电感的一端并作为***输出端VOUT，另一端接所述第二电阻的一端和所述误差放大器的负输入端和所述第一比较器的负输入端和所述第一NMOS管的漏极，所述第二电阻的另一端接地；所述第一比较器的正输入端接基准电压VREF2，负输入端接所述误差放大器的负输入端和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端，漏极接所述第一比较器的负输入端和所述误差放大器的负输入端和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，源极接基准电压。
当***正常输出时，所述第一电阻和所述第二电阻分压得到的反馈电压大于基准电压VREF2，所述第一比较器的输出为低电平，所述第一NMOS管是截止的，不会对所述功率管产生任何影响；当***输出端输出电流过大时，所述第一电阻和所述第二电阻分压得到的反馈电压就会小于基准电压VREF2，所述第一比较器的输出为高电平，所述第一NMOS管是导通的，这样就会把反馈电压拉到基准电压VREF1，所述误差放大器的输出为零，使得所述功率管关掉，就不会对所述功率管造成损坏。
附图说明
图1为本发明的变换器的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进一步说明。
一种变换器，如图1所示，包括误差放大器101、脉宽调制电路102、功率管103、第一反相器104、同步管105、储能电感106、滤波电容107、第一电阻108、第二电阻109、第一比较器110和第一NMOS管111：
所述误差放大器101是对经过所述第一电阻108和所述第二电阻109分压产生的反馈电压和基准电压VREF1的差值进行放大；所述脉宽调制电路102是根据所述误差放大器101的输出端的高低进行调节所述功率管103和所述同步管105的开启时间；所述功率管103是对所述储能电感106进行储能，并输出电流；所述同步管105是为了所述储能电感106续流；所述储能电感106是对所述功率管103流过的电流进行储能，对所述同步管105流过的电流进行续流；所述滤波电容107对所述储能电感106输出的电压进行滤波产生直流电压；所述第一电阻108和所述第二电阻109组成分压反馈电阻是对输出电压进行分压反馈给所述误差放大器101；所述第一比较器110和所述第一NMOS管111构成钳位电路，对输出电流进行检测并钳位，过流时反馈电压低于基准电压VREF2进行钳位反馈电压等于VREF1对所述功率管103进行关断，防止损坏所述功率管103。
所述误差放大器101的负输入端接所述第一电阻108的一端和所述第二电阻109的一端和所述第一比较器110的负输入端和所述第一NMOS管111的漏极，正输入端接基准电压VREF2，输出端接所述脉宽调制电路102的输入端；所述脉宽调制电路102的输入端接所述误差放大器101的输出端，输出端接所述功率管103的栅极和所述第一反相器104的输入端；所述功率管103的栅极接所述脉宽调制电路102的输出端和所述第一反相器104的输入端，漏极接所述储能电感106的一端和所述同步管105的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一反相器104的输入端接所述脉宽调制电路102的输出端和所述功率管103的栅极，输出端接所述同步管105的栅极；所述同步管105的栅极接所述第一反相器104的输出端，漏极接所述功率管103的漏极和所述储能电感106的一端，源极接地；所述储能电感106的一端接所述功率管103的漏极和所述同步管105的漏极，另一端为***输出端VOUT和所述滤波电容107的一端和所述第一电阻108的一端，所述滤波电容107的另一端接地；所述第一电阻108的一端接所述滤波电容107的一端和所述储能电感106的一端并作为***输出端VOUT，另一端接所述第二电阻109的一端和所述误差放大器101的负输入端和所述第一比较器110的负输入端和所述第一NMOS管111的漏极，所述第二电阻109的另一端接地；所述第一比较器110的正输入端接基准电压VREF2，负输入端接所述误差放大器101的负输入端和所述第一电阻108的一端和所述第二电阻109的一端和所述第一NMOS管111的漏极，输出端接所述第一NMOS管111的栅极；所述第一NMOS管111的栅极接所述第一比较器110的输出端，漏极接所述第一比较器110的负输入端和所述误差放大器101的负输入端和所述第一电阻108的一端和所述第二电阻109的一端，源极接基准电压VREF1。
当***正常输出时，所述第一电阻108和所述第二电阻109分压得到的反馈电压大于基准电压VREF2，所述第一比较器110的输出为低电平，所述第一NMOS管111是截止的，不会对所述功率管103产生任何影响；当***输出端输出电流过大时，所述第一电阻108和所述第二电阻109分压得到的反馈电压就会小于基准电压VREF2，所述第一比较器110的输出为高电平，所述第一NMOS管111是导通的，这样就会把反馈电压拉到基准电压VREF1，所述误差放大器101的输出为零，使得所述功率管103关掉，就不会对所述功率管103造成损坏。
对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种变换器，其特征在于：包括误差放大器、脉宽调制电路、功率管、第一反
相器、同步管、储能电感、滤波电容、第一电阻、第二电阻、第一比较器和第一NMOS管；
所述误差放大器的负输入端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端和所述第一NMOS管的漏极，正输入端接基准电压VREF2，输出端接所述脉宽调制电路的输入端；所述脉宽调制电路的输入端接所述误差放大器的输出端，输出端接所述功率管的栅极和所述第一反相器的输入端；所述功率管的栅极接所述脉宽调制电路的输出端和所述第一反相器的输入端，漏极接所述储能电感的一端和所述同步管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一反相器的输入端接所述脉宽调制电路的输出端和所述功率管的栅极，输出端接所述同步管的栅极；所述同步管的栅极接所述第一反相器的输出端，漏极接所述功率管的漏极和所述储能电感的一端，源极接地；所述储能电感的一端接所述功率管的漏极和所述同步管的漏极，另一端为***输出端VOUT和所述滤波电容的一端和所述第一电阻的一端，所述滤波电容的另一端接地；所述第一电阻的一端接所述滤波电容的一端和所述储能电感的一端并作为***输出端VOUT，另一端接所述第二电阻的一端和所述误差放大器的负输入端和所述第一比较器的负输入端和所述第一NMOS管的漏极，所述第二电阻的另一端接地；所述第一比较器的正输入端接基准电压VREF2，负输入端接所述误差放大器的负输入端和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端，漏极接所述第一比较器的负输入端和所述误差放大器的负输入端和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，源极接基准电压。
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| CN201910621754.1A CN110380609A (zh) | 2019-07-11 | 2019-07-11 | 一种变换器 |
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| CN201910621754.1A CN110380609A (zh) | 2019-07-11 | 2019-07-11 | 一种变换器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112034924A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-12-04 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 一种自适应快速响应的ldo电路及其芯片 |
-
2019
- 2019-07-11 CN CN201910621754.1A patent/CN110380609A/zh not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112034924A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-12-04 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 一种自适应快速响应的ldo电路及其芯片 |
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Legal Events
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