CN110372222A - 玻璃面板及其制备方法、包含该玻璃面板的显示屏和终端 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种玻璃面板，包括玻璃面板本体和设置在所述玻璃面板本体一侧表面的AF防***，所述玻璃面板本体靠近所述AF防***的一侧表面具有腐蚀坑，所述玻璃面板设置有所述AF防***一侧的表面粗糙度Ra为8nm‑50nm，Rz为20nm‑100nm。该玻璃面板通过在玻璃面板本体表面形成腐蚀坑，提高了玻璃面板本体表面粗糙度，同时提高了AF镀膜后的玻璃面板表面粗糙度，从而大幅度抑制了撕膜操作中静电的产生。本发明实施例还提供了该玻璃面板的制备方法，及包含该玻璃面板的显示屏和终端。

Description

玻璃面板及其制备方法、包含该玻璃面板的显示屏和终端

技术领域

本发明实施例涉及触摸屏技术领域，特别是涉及玻璃面板及其制备方法、以及包含该玻璃面板的显示屏和终端。

背景技术

手机等电子产品触摸屏在组装与运输过程中，为避免触摸屏表面玻璃面板被划伤，需采用保护膜对玻璃面板表面进行保护。而为了提高玻璃面板抗脏污与爽滑性能，通常在玻璃面板表面形成有一层抗指纹(Anti-Fingerprint，AF)膜层，AF膜层材料包括全氟聚醚硅氧烷，主要含碳、氧、氟、硅元素，其中氟原子吸电子能力强，且AF材料阻抗＞10¹³Ω，其绝缘性导致电荷转移率低。因此当AF膜层上设置有保护膜，在将保护膜从触摸屏表面撕除时，容易产生较高静电压，且静电荷短时间内难以耗散。在智能手机等电子产品组装产线的来料检验、点胶压合等工序中都存在撕膜操作。撕膜产生的静电荷可能会从玻璃表面向下传导到触摸屏BTB(Button to Button，板对板)管脚端，组装过程中BTB管脚触碰金属中框或其他金属材料时会形成放电回路，产生电流泻放可能损伤IC芯片，导致触摸屏黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。因此，为避免触摸屏组装生产时撕膜产生的静电导致的显示不良，急需开发一种降低触摸屏玻璃面板撕膜静电的方法。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供一种玻璃面板，其玻璃面板本体表面经活化处理形成有腐蚀坑，从而提高了AF镀膜后玻璃面板表面粗糙度，降低了玻璃面板在撕膜过程中产生的静电，以在一定程度上解决现有手机等电子产品组装过程中，因撕膜产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。

具体地，本发明实施例第一方面提供一种玻璃面板，包括玻璃面板本体和设置在所述玻璃面板本体一侧表面的AF防***，所述玻璃面板本体靠近所述AF防***的一侧表面具有腐蚀坑，所述玻璃面板设置有所述AF防***一侧的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

本发明实施方式中，所述玻璃面板设置有所述AF防***一侧的表面粗糙度Ra为10nm-30nm，Rz为20nm-60nm。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的粗糙度Ra为5nm-100nm，Rz为10nm-500nm。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的羟基亲水基团的摩尔含量为0.001％-0.1％。所述羟基[OH]含量的计算方法为[OH]＝{[10^-2·(1/d)·lg(T₃₈₄₅/T₃₅₀₀)·M_OH]/ερ}×100％，其中d为玻璃面板本体厚度，T₃₈₄₅和T₃₅₀₀分别为玻璃面板本体3845cm^-1与3500cm^-1处的红外透过率，M_OH为羟基的摩尔质量，ρ为玻璃面板本体密度，ε为玻璃面板本体在3500cm^-1处的消光系数。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的电阻率为1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体和所述AF防***之间设置有二氧化硅层。

本发明实施方式中，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。

本发明实施例第一方面提供的玻璃面板，通过表面活化处理玻璃面板本体，提高了玻璃面板本体表面粗糙度，降低了玻璃面板表面电阻率，从而大幅降低了玻璃面板在撕膜过程中产生的静电。具体地，一方面，由于玻璃面板本体表面腐蚀坑的形成，使得玻璃面板本体表面粗糙度提高，AF镀膜后玻璃面板表面的粗糙度也随之提高，当保护膜覆盖在AF膜层表面时，可降低玻璃面板AF膜层与保护膜胶层的微观接触面积，削弱两者间的相互作用力，从而在撕膜过程中玻璃面板与保护膜胶层之间的电子转移量降低，大幅度抑制了撕膜静电的产生；另一方面，通过表面活化处理玻璃面板本体，玻璃面板本体表层被活化液腐蚀，表层氧化物晶体骨架结构变疏松，玻璃面板本体表层羟基类亲水基团增多，表面电阻率降低，从而增加了玻璃面板静电传导能力。

第二方面，本发明实施例还提供了一种玻璃面板的制备方法，包括：

玻璃面板本体经化学强化后，采用化学刻蚀法进行表面活化，使所述玻璃面板本体的表面形成腐蚀坑，所述玻璃面板本体的表面粗糙度Ra控制在5nm-100nm的范围内，Rz控制在10nm-500nm的范围内；

在活化后的所述玻璃面板本体形成有腐蚀坑的表面制备AF防***，制备AF防***后的所述玻璃面板的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

本发明实施方式中，所述化学刻蚀法包括碱刻蚀和/或酸刻蚀，刻蚀温度为23℃-99℃，刻蚀时间为1min-24h。

本发明实施方式中，所述碱刻蚀采用碱性活化液进行浸泡，所述碱性活化液包括碱金属氢氧化物和/或碱金属弱酸盐，以及水和/或有机溶剂，所述碱性活化液的pH值范围为8-14。

本发明实施方式中，所述酸刻蚀采用酸性活化液进行浸泡，所述酸性活化液包括氢氟酸或氟化铵类改性溶剂，所述酸性活化液的pH值范围为1-6。

本发明实施方式中，采用热蒸发的方式制备所述AF防***。

本发明实施方式中，所述制备方法进一步包括，在制备所述AF防***之前，先在所述玻璃面板表面制备二氧化硅层。

本发明实施方式中，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。

本发明实施例第二方面提供的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。

本发明实施例第三方面提供一种显示屏，包括显示屏模组和覆盖在所述显示屏模组上的玻璃面板，所述玻璃面板为本发明实施例第一方面所述的玻璃面板。

本发明实施例还提供一种终端，包括组装在所述终端外侧的外壳，以及位于所述外壳内部的电路板，所述外壳包括组装在前侧的显示屏，所述显示屏包括玻璃面板和设置在所述玻璃面板内侧的显示模组，所述玻璃面板包括玻璃面板本体和设置在所述玻璃面板本体朝向所述终端外侧的一侧表面的AF防***，所述玻璃面板本体靠近所述AF防***的一侧表面具有腐蚀坑，所述玻璃面板设置有所述AF防***一侧的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

本发明实施方式中，所述玻璃面板设置有所述AF防***一侧的表面粗糙度Ra为10nm-30nm，Rz为20nm-60nm。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的粗糙度Ra为5nm-100nm，Rz为10nm-500nm。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的羟基亲水基团的摩尔含量为0.001％-0.1％。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的电阻率为1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω。

本发明实施方式中，所述玻璃面板本体和所述AF防***之间设置有二氧化硅层。

本发明实施方式中，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。

本发明实施例提供的终端，由于其使用的玻璃面板具有较高的表面粗糙度，因此可降低玻璃面板在撕膜过程中产生的静电，以在一定程度上缓解现有手机等电子产品组装过程中，因撕膜产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的终端的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的玻璃面板的结构示意图；

图3为本发明另一实施例提供的玻璃面板的结构示意图；

图4为本发明实施例一的手机触摸屏玻璃面板正面的原子力显微镜图片；

图5为对比例的未进行表面活化的手机触摸屏玻璃面板正面的原子力显微镜图片。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例进行说明。

请参见图1，本发明实施例提供一种终端200，该终端200可以是手机、也可以是平板电脑、智能穿戴产品等电子产品，终端200包括组装在终端外侧的外壳，以及位于外壳内部的电路板，其中，外壳可包括组装在终端前侧的显示屏和组装在后侧的后盖。显示屏可包括玻璃面板100和设置在玻璃面板100内侧的显示模组。本发明实施方式中，显示屏可以是触摸显示屏。本发明一些实施方式中，终端100还可以包括连接在层叠设置的显示屏和后盖之间的中框，显示屏、中框和后盖共同围设形成包围空间，电池、电路板等元器件设置于该包围空间内。中框的具体设置方式不限，中框可以是与后盖融合在一起，也可以是中框内置于终端100内部，收容于显示屏和后盖围成的空间中。

如图2和图3所示，玻璃面板100包括玻璃面板本体10和设置在玻璃面板本体10一侧表面的AF防***11，玻璃面板本体10靠近AF防***11的一侧表面具有腐蚀坑，AF防***11完全覆盖玻璃面板本体10的一侧表面，且覆盖在腐蚀坑的表面上。通常，AF防指纹层设置在玻璃面板本体10朝向终端外侧的一侧表面上，即使用者可接触的一侧表面。在本发明其他一些应用场景中，也可根据实际应用需求，在玻璃面板本体10的两侧表面上均设置AF防指纹层。

本发明实施方式中，玻璃面板本体10表面的腐蚀坑，是通过对玻璃面板本体10表面进行化学活化处理形成，腐蚀坑的形成提高了玻璃面板本体10表面粗糙度。腐蚀坑是指玻璃表面通过化学活化腐蚀所形成的凹凸结构，其粗糙度可通过原子力显微镜表征，肉眼不可见。本发明实施方式中，玻璃面板本体10的表面粗糙度Ra控制在5nm-100nm，Rz控制在10nm-500nm。腐蚀坑的存在，使得AF防***覆盖后，腐蚀坑的位置仍然保留凹坑结构，从而使得玻璃面板表面仍然具有纳米级凹坑，表面呈现凹凸不平。通过将覆盖AF防***的玻璃面板100的表面粗糙度Ra控制在8nm-50nm，Rz控制在20nm-100nm，使得玻璃面板表面覆盖保护膜时，保护膜的胶层无法与腐蚀坑中的AF膜层接触，降低了AF防***与保护膜胶层的微观接触面积，削弱了两者间的相互作用力，从而在撕膜过程中玻璃面板与保护膜胶层之间电子转移量降低，大幅度抑制了撕膜静电的产生。本发明实施方式中，过高的玻璃面板粗糙度会影响玻璃的光学性能，为了更好地控制撕膜电压和玻璃面板的光学性能，可将Ra控制在10nm-30nm，Rz控制在20nm-60nm，具体地，Ra可以是10nm、15nm、20nm、25nm、30nm，Rz可以是20nm、30nm、40nm、50nm、60nm。本发明实施方式中，Ra为轮廓算术平均偏差，即在取样长度内轮廓偏距绝对值的算术平均值；Rz为轮廓最大高度，即轮廓峰顶线和谷底线之间的距离。

本发明实施方式中，玻璃面板本体10具有腐蚀坑的表面，二氧化硅晶体骨架结构疏松，且富含羟基亲水基团。具体地，在玻璃面板本体10化学活化时，玻璃表面二氧化硅骨架会被化学活化液腐蚀，玻璃结构中氧化物晶体骨架结构变疏松，K₂O与Na₂O先与化学活化液反应，Li₂O再与化学活化液反应，玻璃表面亲水基团(羟基)增多，玻璃表面电阻率降低，静电传导能力增加，以降低触摸屏撕膜静电。本发明实施方式中，玻璃面板本体10具有腐蚀坑的表面的羟基亲水基团的摩尔含量为0.001％-0.1％，进一步地，羟基亲水基团的摩尔含量为0.01％-0.1％。本发明实施方式中，玻璃面板本体10具有腐蚀坑的表面的表面电阻率为1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω，进一步地，表面电阻率可在1.0×10⁹Ω-9.9×10¹⁰Ω范围内。本发明实施方式中，为腐蚀工艺方便，当AF防***仅设置在玻璃面板本体10的一侧表面时，玻璃面板本体10的相对的另一侧表面也可以形成腐蚀坑。

本发明实施方式中，玻璃面板本体10的一侧或两侧表面分布有大量腐蚀坑，腐蚀坑大都为不规则形状，也可以是规则形状，腐蚀坑可以是均匀分布，也可以是不均匀分布，具体尺寸和分布由玻璃面板本体10的组成、化学活化液种类、活化时间等因素决定。

如图2所示，本发明实施方式中，所述玻璃面板本体10和AF防***11之间进一步包括二氧化硅层12。在本发明一些实施例中，二氧化硅层12的厚度可设置在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度可在1nm-300nm的范围内。二氧化硅层12的设置可以提高全氟聚醚硅氧烷在玻璃表面的接枝率，提升AF防***11在玻璃面板表面的附着力。

本发明实施方式中，玻璃面板本体10可以是现有常规的玻璃材质，包括但不限于是可化学强化的铝硅玻璃面板。AF防***11为现有常规膜层，膜层中包含全氟聚醚硅氧烷，膜层厚度可为5nm-50nm，具体厚度可以是5nm、15nm、20nm、30nm、40nm、50nm。

本发明实施方式中，触摸屏玻璃面板撕膜电压评价方法为，在20℃-25℃温度与40-50％RH湿度下，采用Trek520静电压测试仪测试玻璃面板撕膜后表面静电压峰值，要求测试员佩戴电手套与腕带，手持玻璃面板进行撕膜操作，玻璃面板与桌面距离大于30cm，撕膜剥离速度＞20cm/s。由于本发明实施例的玻璃面板，在镀膜AF防***之前，对玻璃面板进行表面活化处理，形成了纳米级腐蚀坑，在镀覆AF防***之后，玻璃面板表面仍然呈现凹凸不平，因此降低了AF防***与保护膜胶层的微观接触面积，削弱了两者间的相互作用力，从而在撕膜过程中玻璃面板与保护膜胶层电子转移量降低，大幅度抑制了撕膜静电产生。因此，相比现有玻璃面板本体未设置腐蚀坑的触摸屏玻璃面板，在相同测试条件下，本发明实施例的玻璃面板具有更低的撕膜电压，因而可以有效解决现有手机等电子产品组装过程中，因撕膜产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。

另外，本发明实施例还提供了一种玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：

S10、将玻璃面板本体进行化学强化后，通过化学刻蚀法进行表面活化，以使玻璃面板本体表面形成腐蚀坑，玻璃面板本体表面粗糙度Ra控制在5nm-100nm的范围内，Rz控制在10nm-500nm的范围内；

S20、将表面活化后的玻璃面板本体一侧表面进行油墨印刷，再在形成有腐蚀坑的另一侧表面制备AF防***，制备AF防***后的玻璃面板的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

本发明实施方式中，化学刻蚀法包括碱刻蚀和/或酸刻蚀，刻蚀温度可以为23℃-99℃，刻蚀时间可以为1min-24h。在本发明一些实施例中，可以通过碱刻蚀对玻璃面板本体表面进行表面活化，碱刻蚀过程具体操作可以是采用碱性活化液进行浸泡，碱性活化液可包括碱金属氢氧化物和/或碱金属弱酸盐，以及水和/或有机溶剂，碱性活化液的pH值范围为8-14，进一步地，碱性活化液的pH值范围可为12-14。在本发明另一些实施例中，也可以通过酸刻蚀对玻璃面板本体表面进行表面活化，酸刻蚀过程具体操作可以是采用酸性活化液进行浸泡，酸性活化液可包括氢氟酸或氟化铵类改性溶剂，氟化铵类改性溶剂包括氟化铵和改性添加剂，具体可以是氟化铵、草酸、硫酸铵、硫酸钡、水和甘油形成的混合溶液，酸性活化液的pH值范围为1-6，进一步地，酸性活化液的pH值范围可为1-3。

本发明实施方式中，通过表面活化之后，玻璃面板本体表面形成腐蚀坑，腐蚀坑的形成提高了玻璃面板本体表面粗糙度，通过控制化学活化液(包括酸性活化液和碱性活化液)的浓度、pH、活化温度与时间等，可以调控玻璃面板本体的表面粗糙度。本发明实施例通过将玻璃面板本体表面粗糙度Ra控制在5nm-100nm范围内，Rz控制在10nm-500nm范围内，使得在镀覆AF防***后，玻璃面板表面粗糙度能保持在Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm，从而在玻璃面板表面覆盖保护膜时，保护膜的胶层无法与纳米级腐蚀坑中的AF防***接触，降低了AF防***与保护膜胶层的微观接触面积，削弱了两者间的相互作用力，从而在撕膜过程中玻璃面板与保护膜胶层电子转移量降低，大幅度抑制了撕膜静电产生。同时，化学活化时，玻璃表面二氧化硅骨架会被化学活化液腐蚀，玻璃结构中氧化物晶体骨架结构变疏松，K₂O与Na₂O先与化学活化液反应，Li₂O再与化学活化液反应，玻璃表面亲水基团(羟基)增多，玻璃表面电阻率降低，静电传导能力增加，从而可以降低触摸屏撕膜静电。本发明实施方式中，玻璃面板本体具有腐蚀坑的表面的羟基亲水基团的摩尔含量为0.001％-0.1％，进一步地，羟基亲水基团的摩尔含量为0.01％-0.1％。本发明实施方式中，玻璃面板本体10具有腐蚀坑的表面的表面电阻率为1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω，进一步地，表面电阻率可在1.0×10⁹Ω-9.9×10¹⁰Ω范围内。

本发明实施方式中，表面活化过程中，可以是对整个玻璃面板本体表面进行活化，使玻璃面板本体的两侧表面均形成腐蚀坑，也可以仅在制备AF防***的一侧形成腐蚀坑。

本发明一些实施例中，可采用热蒸发的方式制备AF防***。具体地，加热AF膜料药丸，使AF分子蒸镀于玻璃面板本体上，AF膜料的化学成分为全氟聚醚硅氧烷，分子量为300g/mol-8000g/mol。本发明另一些实施例中，也可采用喷涂的方式制备AF防***。AF防***厚度可控制在5nm-50nm范围内，进一步地，厚度可控制在10nm-25nm范围内。

本发明实施方式中，在制备AF防***之前，可先在玻璃面板本体表面制备二氧化硅层。在本发明一些实施例中，可采用热蒸发的方式制备二氧化硅层，具体地，通过电子枪加热蒸发纯度为95-99.99wt％的SiO₂晶体。在本发明另一些实施例中，也可以采用磁控溅射的方式制备二氧化硅层，具体地，采用硅靶(单质硅含量90-99.99wt％)磁控溅射氧化制备。

在本发明一些实施例中，二氧化硅层的厚度可设置在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度在1nm-300nm的范围内。

本发明实施方式中，化学强化的操作可以是现有常规的操作，可以是进行一步离子交换，也可以进行两步离子交换。具体地，在本发明一些实施例中，可以是将玻璃面板本体置于NaNO₃与KNO₃的熔盐中进行化学强化处理。

本发明实施方式中，玻璃面板本体在进行化学强化和油墨印刷之后，均可以包括采用水和/或洗涤剂进行清洗的步骤。

本发明实施例上述提供的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。

下面以手机触摸屏玻璃面板的制备为例，分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。

实施例一

一种手机触摸屏玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：

(1)根据手机触摸屏面板尺寸与外形轮廓，选取铝硅类玻璃基材切割成相应尺寸玻璃面板，并通过扫磨或热弯或CNC成型相应外形轮廓玻璃面板，再将玻璃面板放置于NaNO₃与KNO₃熔盐中进行化学强化处理，并清洗干燥后，得到化学强化后的玻璃面板本体；

(2)将上述化学强化后的玻璃面板本体放置于仿形插架内固定，再将插架浸泡于pH为11.8的KOH水溶液中，将KOH水溶液加热至40.1℃并浸泡25min，随后通过清水清洗干净并干燥后，得到活化后的玻璃面板本体；然后通过丝印、移印或黄光工艺在玻璃面板本体背面(即朝向手机内部的一面)印刷油墨，再将玻璃面板放入真空镀膜机的真空腔内，通过热蒸发在玻璃面板本体正面(即朝向手机外部的一面)镀二氧化硅层，再在二氧化硅层上镀AF防***，得到手机触摸屏玻璃面板。

将本发明实施例一中制备所得手机触摸屏玻璃面板正面进行原子力显微镜观察，同时以未进行表面活化的手机触摸屏玻璃面板作为对比例。其中未进行表面活化的手机触摸屏玻璃面板的其他制备步骤同实施例一。图4为本发明实施例一的手机触摸屏玻璃面板正面的原子力显微镜图片。图5为对比例的未进行表面活化的手机触摸屏玻璃面板正面的原子力显微镜图片。从图4和图5可以看出，未进行表面活化的手机触摸屏玻璃面板，其覆盖AF防***后，表面粗糙度Ra为2nm，而本发明实施例一经表面活化的玻璃面板，其覆盖AF防***后，表面粗糙度Ra为9nm。

将本发明实施例一中AF镀膜前后的玻璃面板进行电阻率测试，测得AF镀膜前的玻璃面板的表面电阻率为8.4×10⁹Ω-3.1×10¹⁰Ω；AF镀膜后的玻璃面板的表面电阻率为8.4×10¹²Ω-1.4×10¹³Ω。

将本发明实施例一中的手机触摸屏玻璃面板和对比例的未进行表面活化的手机触摸屏玻璃面板分别组装成触摸显示屏，并进行相同保护膜撕膜静电测试。测试方法为：在20℃-25℃温度与40-50％RH湿度下，采用Trek520静电压测试仪测试玻璃面板撕膜后表面静电压峰值，要求测试员佩戴电手套与腕带，手持玻璃面板进行撕膜操作，玻璃面板与桌面距离大于30cm，撕膜剥离速度＞20cm/s，测试结果如表1所示。

表1

表1显示，对比例的未表面活化触摸屏的撕膜电压为320V-750V，而本发明实施例一的表面活化后触摸屏的撕膜电压为129V-442V，由此可看出，本发明实施例经表面活化的触摸屏玻璃面板撕膜电压大幅度降低。

本发明实施例的手机触摸屏玻璃面板，仅需要在玻璃面板加工过程中，增加一步表面活化处理，以提高玻璃面板表面粗糙度，降低玻璃表面电阻率，即可实现手机触摸屏撕膜电压的大幅度降低，有效避免手机组装过程中因摩擦或撕膜静电而导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题，工艺过程高效便捷，成本低廉，有利于大规模工业化生产。

实施例二

本实施例中手机触摸屏玻璃面板制备工艺与实施例一一致，区别仅在于：

将化学强化后玻璃面板放置于玻璃插架内固定，再将插架浸泡于pH为1的氟化铵(24wt％)、硫酸铵(16wt％)、硫酸钡(24wt％)的水(18wt％)、草酸(12wt％)与甘油(6wt％)混合溶液中，将活化液稳定在50℃并浸泡10min。将实施例二中玻璃面板组装成触摸显示屏后测试撕膜电压仅为69V-254V，无撕膜黑屏、花屏、静电横纹等现象。

实施例三

本实施例中手机触摸屏玻璃面板制备工艺与实施例一一致，区别仅在于：

将化学强化后玻璃面板放置于玻璃插架内固定，再将插架浸泡于pH为14的NaOH水溶液中，将KOH水溶液加热至25℃并浸泡120min。

将实施例三中玻璃面板组装成触摸显示屏后测试撕膜电压仅为33V-145V，无撕膜黑屏、花屏、静电横纹等现象。

在本发明其他实施例中，还可以采用其他组成的化学活化液使玻璃面板本体表面形成腐蚀坑，本发明实施例不作特殊限定。

Claims (22)

1.一种玻璃面板，其特征在于，包括玻璃面板本体和设置在所述玻璃面板本体一侧表面上的AF防***，所述玻璃面板本体靠近所述AF防***的一侧表面具有腐蚀坑，所述玻璃面板设置有所述AF防***的一侧的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

2.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板设置有所述AF防***的一侧的表面粗糙度Ra为10nm-30nm，Rz为20nm-60nm。

3.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的粗糙度Ra为5nm-100nm，Rz为10nm-500nm。

4.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的羟基亲水基团的摩尔含量为0.001％-0.1％。

5.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的电阻率为1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω。

6.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本体和所述AF防***之间设置有二氧化硅层。

7.如权利要求6所述的玻璃面板，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。

8.一种玻璃面板的制备方法，其特征在于，包括：

玻璃面板本体经化学强化后，采用化学刻蚀法进行表面活化，使所述玻璃面板本体的表面形成腐蚀坑，所述玻璃面板本体的表面粗糙度Ra控制在5nm-100nm的范围内，Rz控制在10nm-500nm的范围内；

在活化后的所述玻璃面板本体形成有腐蚀坑的表面制备AF防***，制备AF防***后的所述玻璃面板的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述化学刻蚀法包括碱刻蚀和/或酸刻蚀，刻蚀温度为23℃-99℃，刻蚀时间为1min-24h。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述碱刻蚀采用碱性活化液进行浸泡，所述碱性活化液包括碱金属氢氧化物和/或碱金属弱酸盐，以及水和/或有机溶剂，所述碱性活化液的pH值范围为8-14。

11.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述酸刻蚀采用酸性活化液进行浸泡，所述酸性活化液包括氢氟酸或氟化铵类改性溶剂，所述酸性活化液的pH值范围为1-6。

12.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用热蒸发或喷涂的方式制备所述AF防***。

13.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，进一步包括，在制备所述AF防***之前，先在所述玻璃面板本体表面制备二氧化硅层。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。

15.一种显示屏，其特征在于，包括显示屏模组和覆盖在所述显示屏模组上的玻璃面板，所述玻璃面板为权利要求1-7任一项所述的玻璃面板。

16.一种终端，其特征在于，包括组装在所述终端外侧的外壳，以及位于所述外壳内部的电路板，所述外壳包括组装在前侧的显示屏，所述显示屏包括玻璃面板和设置在所述玻璃面板内侧的显示模组，所述玻璃面板包括玻璃面板本体、设置在所述玻璃面板本体朝向所述终端外侧的一侧表面上的AF防***，所述玻璃面板本体靠近所述AF防***的一侧表面具有腐蚀坑，所述玻璃面板设置有所述AF防***一侧的表面粗糙度Ra为8nm-50nm，Rz为20nm-100nm。

17.如权利要求16所述的终端，其特征在于，所述玻璃面板设置有所述AF防***的一侧的表面粗糙度Ra为10nm-30nm，Rz为20nm-60nm。

18.如权利要求16所述的终端，其特征在于，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的粗糙度Ra为5nm-100nm，Rz为10nm-500nm。

19.如权利要求16所述的终端，其特征在于，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的羟基亲水基团的摩尔含量为0.001％-0.1％。

20.如权利要求16所述的终端，其特征在于，所述玻璃面板本体具有腐蚀坑的一侧表面的电阻率为1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω。

21.如权利要求16所述的终端，其特征在于，所述玻璃面板本体和所述AF防***之间设置有二氧化硅层。

22.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。