CN110299103A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置,通过使第一等效电阻的电阻值大于第二等效电阻的电阻值,可以使第一等效电阻分压更高。这样在驱动第二类子像素点亮,而驱动第一类子像素不点亮时,虽然也会有漏电流作用,但是通过第一等效电阻分压更高的作用,可以避免第一类子像素被点亮,进而可以改善显示异常,提高显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点,广泛应用于显示领域中。一般在电致发光器件两端的电压大于其开启电压时会发光。然而,不同电致发光器件的开启电压不同,这样在仅点亮开启电压大的电致发光器件时,开启电压小的电致发光器件可能也会被点亮,从而导致显示异常。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,用以提高显示效果。
本发明实施例提供了一种显示面板,包括:多个像素单元与第一电源线;各所述像素单元包括多个子像素;各所述子像素包括电致发光器件与像素电路;所述电致发光器件的正极通过所述像素电路与所述第一电源线电连接;
所述多个子像素具有第一类子像素和第二类子像素;其中,所述第一类子像素中的电致发光器件的开启电压小于所述第二类子像素中的电致发光器件的开启电压;
所述第一类子像素内的每一个子像素中的所述电致发光器件的正极与所述第一电源线之间具有第一等效电阻,所述第二类子像素内的每一个子像素中的所述电致发光器件的正极与所述第一电源线之间具有第二等效电阻;并且,所述第一等效电阻的电阻值大于所述第二等效电阻的电阻值。
可选地,在本发明实施例中,所述像素电路包括:电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的多个薄膜晶体管;
所述第一等效电阻的电阻值包括:所述第一类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的有源层的电阻值之和;
所述第二等效电阻的电阻值包括:所述第二类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的有源层的电阻值之和。
可选地,在本发明实施例中,各所述薄膜晶体管的有源层具有沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源电极区和漏电极区;
所述第一等效电阻的电阻值包括:所述第一类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的源电极区的电阻值和漏电极区的电阻值之和;
所述第二等效电阻的电阻值包括:所述第二类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的源电极区的电阻值和漏电极区的电阻值之和。
可选地,在本发明实施例中,所述第一类子像素包括:第一颜色子像素,所述第二类子像素包括:第三颜色子像素;
针对至少一种不同子像素的同一位置处的晶体管的源电极区和漏电极区中的至少一个电极区,各所述第一颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值大于各所述第三颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值;
各所述第一颜色子像素和各所述第三颜色子像素内的其余晶体管的其余电极区的电阻值相同。
可选地,在本发明实施例中,所述第一类子像素包括:第二颜色子像素,所述第二类子像素包括:第三颜色子像素;
针对至少一种不同子像素的同一位置处的晶体管的源电极区和漏电极区中的至少一个电极区,各所述第二颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值大于各所述第三颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值;
各所述第二颜色子像素和各所述第三颜色子像素内的其余晶体管的其余电极区的电阻值相同。
可选地,在本发明实施例中,所述多个薄膜晶体管包括:驱动晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管;
所述第一发光控制晶体管的源电极区与所述第一电源线电连接,所述第一发光控制晶体管的漏电极区与所述驱动晶体管的源电极区电连接;
所述驱动晶体管的漏电极区与所述第二发光控制晶体管的源电极区电连接,所述第二发光控制晶体管的漏电极区与所述电致发光器件的正极电连接。
可选地,在本发明实施例中,电阻值大的电极区的横截面积小于电阻值小的电极区的横截面积;
所述电阻值大的电极区的电阻率不小于所述电阻值小的电极区的电阻率;
所述电阻值大的电极区的长度不小于所述电阻值小的电极区的长度。
可选地,在本发明实施例中,电阻值大的电极区的电阻率大于电阻值小的电极区的电阻率;
所述电阻值大的电极区的长度与所述电阻值小的电极区的长度相同;
所述电阻值大的电极区的横截面积与所述电阻值小的电极区的横截面积相同。
可选地,在本发明实施例中,电阻值大的电极区的长度大于电阻值小的电极区的长度;
所述电阻值大的电极区的横截面积与所述电阻值小的电极区的横截面积相同;所述电阻值大的电极区的电阻率与所述电阻值小的电极区的电阻率相同。
可选地,在本发明实施例中,第一颜色子像素为红色子像素,第二颜色子像素为绿色子像素,所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的显示面板及显示装置,第一类子像素内的每一个子像素中的第一电源线PVDD和第二电源线PVEE之间的电压差U0为电致发光器件L-1的正极和第一电源线PVDD之间的电压差U11与电致发光器件L-1的正极和负极之间的电压差U12之和,即U0=U11+U12。第二类子像素内的每一个子像素中的第一电源线PVDD和第二电源线PVEE之间的电压差U0为电致发光器件L-2的正极和第一电源线PVDD之间的电压差U21与电致发光器件L-2的正极和负极之间的电压差U22之和,即U0=U21+U22。通过使第一等效电阻RE1的电阻值大于第二等效电阻RE2的电阻值,可以使第一等效电阻RE1分压更高,以使U11更高,从而使得U12降低。这样在驱动第二类子像素Subpx-2点亮,而驱动第一类子像素Subpx-1不点亮时,虽然也会有漏电流作用,但是通过第一等效电阻RE1分压更高的作用,可以使U12小于电致发光器件L-1的开启电压,从而可以避免第一类子像素被点亮,进而可以改善显示异常,提高显示效果。
附图说明
图1为相关技术中的显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的像素电路的电路时序图;
图4为驱动晶体管驱动电致发光器件发光时,产生的驱动电流Ids流经路径的等效电路图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的第一类子像素中的驱动电流Ids流经路径的等效电路图;
图7为本发明实施例提供的第二类子像素中的驱动电流Ids流经路径的等效电路图;
图8为本发明实施例提供的像素电路的部分布局示意图;
图9为本发明实施例提供的一些半导体层的布局示意图;
图10为本发明实施例提供的又一些半导体层的布局示意图;
图11为图10所示的布局示意图中沿AA’方向的剖视结构示意图;
图12为本发明实施例提供的又一些半导体层的布局示意图;
图13为图12所示的布局示意图中沿AA’方向的剖视结构示意图;
图14为本发明实施例提供的又一些半导体层的布局示意图;
图15为图14所示的布局示意图中沿AA’方向的剖视结构示意图;
图16为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
结合图1与图2所示,显示面板可以包括多个像素单元,各像素单元包括多个子像素;各子像素包括电致发光器件L与像素电路110。其中,像素电路110可以包括:驱动晶体管M0、第一发光控制晶体管M1、第二发光控制晶体管M2、第三至第八开关晶体管M3~M8以及存储电容Cst。图2所示的像素电路对应的电路时序图如图3所示。其中,scan1代表第一扫描线SCAN1传输的信号,scan2代表第二扫描线SCAN2传输的信号,emit代表发光控制线EMIT传输的信号。
并且,图2所示的像素电路在图3所示的电路时序图的控制下,可以通过内部补偿改善因工艺和晶体管老化造成的驱动晶体管M0的阈值电压Vth漂移导致的显示不均的问题。
示例性地,图4为驱动晶体管M0驱动电致发光器件L发光时,产生的驱动电流Ids流经路径的等效电路图。具体地,结合图2至图4所示,第一电源线PVDD上传输高电压信号,第二电源线PVEE上传输低电压信号,驱动电流Ids由第一电源线PVDD依次流经第一发光控制晶体管M1、驱动晶体管M0以及第二发光控制晶体管M2,从而流入电致发光器件L的正极,以驱动电致发光器件L发光。需要说明的是,图2所示的像素电路结合图3所示的电路时序图的工作工程可以与相关技术中的基本相同,在此不作赘述。
由于工艺限制,一般相邻子像素中电致发光器件L的阳极并不能完全绝缘,这样使得相邻子像素之间会有漏电流作用。结合图1与图4所示,像素单元可以包括红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B。一般蓝色子像素B中的电致发光器件L的开启电压大于红色子像素R和绿色子像素G中的电致发光器件L的开启电压,在驱动显示面板中的蓝色子像素B点亮,而驱动红色子像素R和绿色子像素G不点亮时,由于漏电流原因,蓝色子像素B中的驱动电流Ids会对红色子像素R和绿色子像素G中的电致发光器件L的阳极充电,从而导致红色子像素R和绿色子像素G也被点亮,进而导致显示异常,降低显示效果。
有鉴于此,本发明实施例提供一种显示面板,用于改善显示异常,提高显示效果。
本发明实施例提供了一种显示面板,结合图2、图5至图7所示,包括:多个像素单元PX与第一电源线PVDD;各像素单元PX可以包括多个子像素;各子像素可以包括电致发光器件L与像素电路110;电致发光器件L的正极通过像素电路110与第一电源线PVDD电连接。并且,多个子像素可以具有第一类子像素Subpx-1和第二类子像素Subpx-2;其中,第一类子像素Subpx-1中的电致发光器件L-1的开启电压小于第二类子像素Subpx-2中的电致发光器件L-2的开启电压。以及第一类子像素Subpx-1内的每一个子像素中的电致发光器件L-1的正极与第一电源线PVDD之间具有第一等效电阻RE1,第二类子像素Subpx-2内的每一个子像素中的电致发光器件L-2的正极与第一电源线PVDD之间具有第二等效电阻RE2;并且,第一等效电阻RE1的电阻值大于第二等效电阻RE2的电阻值。
本发明实施例提供的显示面板,第一类子像素内的每一个子像素中的第一电源线PVDD和第二电源线PVEE之间的电压差U0为电致发光器件L-1的正极和第一电源线PVDD之间的电压差U11与电致发光器件L-1的正极和负极之间的电压差U12之和,即U0=U11+U12。第二类子像素内的每一个子像素中的第一电源线PVDD和第二电源线PVEE之间的电压差U0为电致发光器件L-2的正极和第一电源线PVDD之间的电压差U21与电致发光器件L-2的正极和负极之间的电压差U22之和,即U0=U21+U22。通过使第一等效电阻RE1的电阻值大于第二等效电阻RE2的电阻值,可以使第一等效电阻RE1分压更高,以使U11更高,从而使得U12降低。这样在驱动第二类子像素Subpx-2点亮,而驱动第一类子像素Subpx-1不点亮时,虽然也会有漏电流作用,但是通过第一等效电阻RE1分压更高的作用,可以使U12小于电致发光器件L-1的开启电压,从而可以避免第一类子像素被点亮,进而可以改善显示异常,提高显示效果。
示例性地,如图5所示,在具体实施时,在本发明实施例中,显示面板还包括衬底基板,一般在衬底基板上形成像素单元以及其他驱动信号线。其中,像素单元中的多个子像素可以具有红色子像素R,绿色子像素G以及蓝色子像素B,这样可以通过红绿蓝进行混色,以实现彩色显示。或者,像素单元中的多个子像素也可以具有红色子像素,绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素,这样可以通过红绿蓝白进行混色,以实现彩色显示。当然,在实际应用中,像素单元中的子像素的发光颜色可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
示例性地,电致发光二极管包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极。其中,像素电路可以与电致发光二极管的阳极电连接,以将阳极作为其正极。电致发光二极管的阴极可以与第二电源线电连接,以将阴极作为其负极。进一步地,电致发光二极管可以包括:OLED和QLED中的至少一种。
示例性地,在具体实施时,在本发明实施例中,结合图2、图6以及图7所示,像素电路110可以包括:电连接于第一电源线PVDD与电致发光器件L的正极之间的多个薄膜晶体管。这样可以使驱动电流Ids流经这些薄膜晶体管后输入到电致发光器件L。如图8所示,为本发明实施例提供的像素电路的布局(Layout)图。其中,图8仅示出了像素电路中的晶体管的部分膜层(例如有源层)、第一扫描线SCAN1、第二扫描线SCAN2、发光控制线EMIT以及电致发光器件的阳极。其中,半导体层211通过第一过孔与第一电源线PVDD电连接,半导体层211通过第二过孔与电致发光器件L的阳极220电连接。其中,电连接于第一电源线PVDD与电致发光器件L的正极之间的多个薄膜晶体管可以沿着图8中的半导体层210形成。并且,半导体层210可以具有弯曲或弯折形状。半导体层210可以包括与每一个薄膜晶体管对应的有源层,使得驱动电流Ids流经这些薄膜晶体管的有源层形成的路径L1后输入到电致发光器件L的阳极220。
示例性地,在具体实施时,在本发明实施例中,如图6所示,第一等效电阻RE1的电阻值可以包括:第一类子像素Subpx-1内的一个子像素中且电连接于第一电源线PVDD与电致发光器件L-1的正极之间的所有薄膜晶体管的有源层的电阻值之和。
示例性地,在具体实施时,在本发明实施例中,如图7所示,第二等效电阻RE2的电阻值包括:第二类子像素Subpx-1内的一个子像素中且电连接于第一电源线PVDD与电致发光器件L-2的正极之间的所有薄膜晶体管的有源层的电阻值之和。
示例性地,半导体层的膜层厚度相同,也就是说,各有源层的膜层厚度相同。进一步地,有源层的材料可以包括多晶硅。当然,在实际应用中,半导体层的材料也可以包括其他材料,在此不作限定。
一般,有源层可以具有沟道区、源电极区以及漏电极区。沟道区可以不掺杂有杂质,以使沟道区具有半导体特性。源电极区和漏电极区分别位于沟道区的两侧,并且,源电极区和漏电极区掺杂有杂质,以使源电极区和漏电极区具有导电性。其中,杂质的类型可以根据薄膜晶体管是P型晶体管还是N型晶体管而变化。在具体实施时,各薄膜晶体管的有源层可以具有沟道区以及分别位于沟道区两侧的源电极区和漏电极区。由于沟道区的电阻变化受栅极电压影响较大,并且为了保证沟道区的性能,在本发明实施例中,第一等效电阻的电阻值可以包括:第一类子像素内的一个子像素中且电连接于第一电源线与电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的源电极区的电阻值和漏电极区的电阻值之和。以及,第二等效电阻的电阻值包括:第二类子像素内的一个子像素中且电连接于第一电源线与电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的源电极区的电阻值和漏电极区的电阻值之和。
在具体实施时,在本发明实施例中,结合图2、图6至图9所示,多个薄膜晶体管可以包括:驱动晶体管M0、第一发光控制晶体管M1以及第二发光控制晶体管M2;其中,第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S与第一电源线PVDD电连接,第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D与驱动晶体管M0的源电极区M0-S电连接。驱动晶体管M0的漏电极区M0-D与第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S电连接,第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D与电致发光器件L的正极电连接。其中,第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S和漏极区M1-D分别位于其沟道区M1-G两侧,驱动晶体管M0的源电极区M0-S和漏极区M0-D分别位于其沟道区M0-G两侧,第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S和漏极区M2-D分别位于其沟道区M2-G两侧。这样可以使第一发光控制晶体管M1、驱动晶体管M0,第二发光控制晶体管M2形成驱动电流Ids流通的路径L1。进一步地,本发明实施例提供的像素电路的具体结构可以参见图2,在此不作赘述。
在具体实施时,在本发明实施例中,第一类子像素可以包括:第一颜色子像素,第二类子像素可以包括:第三颜色子像素。其中,针对至少一种不同子像素的同一位置处的晶体管的源电极区和漏电极区中的至少一个电极区,各第一颜色子像素内的同一位置处的晶体管的电极区的电阻值大于各第三颜色子像素内的同一位置处的晶体管的电极区的电阻值;并且,各第一颜色子像素和各第三颜色子像素内的其余晶体管的其余电极区的电阻值相同。这样可以通过调整源电极区和漏电极区中的至少一个电极区的电阻值,以实现第一等效电阻的电阻值大于第二等效电阻的电阻值的效果。并且,这样还可以不用对沟道区进行调整,以保证薄膜晶体管的特性。
示例性地,本发明实施例提供的电连接于第一电源线与电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管可以具有三种位置,第一种位置的晶体管为第一发光控制晶体管M1,第二种位置的晶体管为驱动晶体管M0,第三种位置的晶体管为第二发光控制晶体管M2。在具体实施时,第一种不同子像素的同一位置处的晶体管指的可以为:第一颜色子像素内的第一发光控制晶体管M1和第三颜色子像素内的第一发光控制晶体管M1。第二种不同子像素的同一位置处的晶体管指的可以为:第一颜色子像素内的驱动晶体管M0和第三颜色子像素内的驱动晶体管M0。第三种不同子像素的同一位置处的晶体管指的可以为:第一颜色子像素内的第二发光控制晶体管M2和第三颜色子像素内的第二发光控制晶体管M2。
在具体实施时,在本发明实施例中,第一类子像素包括:第二颜色子像素,第二类子像素包括:第三颜色子像素;其中,针对至少一种不同子像素的同一位置处的晶体管的源电极区和漏电极区中的至少一个电极区,各第二颜色子像素内的同一位置处的晶体管的电极区的电阻值大于各第三颜色子像素内的同一位置处的晶体管的电极区的电阻值;并且,各第二颜色子像素和各第三颜色子像素内的其余晶体管的其余电极区的电阻值相同。这样可以通过调整源电极区和漏电极区中的至少一个电极区的电阻值,以实现第一等效电阻的电阻值大于第二等效电阻的电阻值的效果。并且,这样还可以不用对沟道区进行调整,以保证薄膜晶体管的特性。
示例性地,本发明实施例提供的电连接于第一电源线与电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管可以具有三种位置,第一种位置的晶体管为第一发光控制晶体管M1,第二种位置的晶体管为驱动晶体管M0,第三种位置的晶体管为第二发光控制晶体管M2。在具体实施时,第一种不同子像素的同一位置处的晶体管指的可以为:第二颜色子像素内的第一发光控制晶体管M1和第三颜色子像素内的第一发光控制晶体管M1。第二种不同子像素的同一位置处的晶体管指的可以为:第二颜色子像素内的驱动晶体管M0和第三颜色子像素内的驱动晶体管M0。第三种不同子像素的同一位置处的晶体管指的可以为:第二颜色子像素内的第二发光控制晶体管M2和第三颜色子像素内的第二发光控制晶体管M2。
示例性地,第一颜色子像素可以为红色子像素,第二颜色子像素可以为绿色子像素,第三颜色子像素可以为蓝色子像素。当然,在实际应用中,第一颜色子像素和第三颜色子像素可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
下面以第一颜色子像素为红色子像素,第二颜色子像素为绿色子像素,第三颜色子像素为蓝色子像素为例,结合具体实施例,对本发明进行详细说明。需要说明的是,读者应知,下述实施例是为了更好的解释本发明,其具体实施方式不局限于此。
1、在一些可能的实施例方式中,结合图6至图9所示,可以使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值,绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值。并且,使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同,红色子像素R中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。以及,使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值相同。绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同,绿色子像素G中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。这样可以仅需要调整红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值,即可以使红色子像素R的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值,以及使绿色子像素G的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值。
对于由某种材料制成的导体,其电阻值R0与长度L0成正比,与横截面积S0成反比,即:其中,ρ代表电阻率。在具体实施时,在本发明实施例中,可以使电阻值大的电极区的横截面积小于电阻值小的电极区的横截面积,电阻值大的电极区的电阻率不小于电阻值小的电极区的电阻率,电阻值大的电极区的长度不小于电阻值小的电极区的长度。其中,上述源电极区和漏电极区的电阻率可以通过改变掺杂离子的浓度,种类等因素而改变。
示例性地,可以使电阻值大的电极区的横截面积小于电阻值小的电极区的横截面积,电阻值大的电极区的电阻率与电阻值小的电极区的电阻率相同,电阻值大的电极区的长度与电阻值小的电极区的长度相同。这样可以通过改变红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积以改变电阻值的大小。例如,如图10至图13所示,使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积S0R-M1-S小于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积S0B-M1-S。并且,红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻率与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻率相同。以及,红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的长度与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的长度相同。如图12至图15所示,使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积S0G-M1-S小于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积S0B-M1-S。并且,绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻率与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻率相同。以及,绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的长度与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的长度相同。
示例性地,也可以使电阻值大的电极区的横截面积小于电阻值小的电极区的横截面积,电阻值大的电极区的电阻率大于电阻值小的电极区的电阻率,电阻值大的电极区的长度与电阻值小的电极区的长度相同。这样不仅可以通过改变红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积以改变电阻值的大小,还可以通过改变红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的掺杂离子的浓度,种类等改变其电阻率的大小,从而改变电阻值的大小。
示例性地,也可以使电阻值大的电极区的横截面积小于电阻值小的电极区的横截面积,电阻值大的电极区的电阻率大于电阻值小的电极区的电阻率,电阻值大的电极区的长度大于电阻值小的电极区的长度。这样不仅可以通过改变红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的横截面积以改变电阻值的大小,还可以通过改变红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的掺杂离子的浓度,种类等改变其电阻率的大小,从而改变电阻值的大小。以及还可以通过改变红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的长度以改变电阻值的大小。
2、在一些可能的实施例方式中,结合图6至图9所示,也可以使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值,绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值。并且,使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同,红色子像素R中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。以及,使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同。绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同,绿色子像素G中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。这样可以仅需要调整红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值,即可以使红色子像素R的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值,以及使绿色子像素G的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值。并且,电阻值大小的实施方式可以参照上述实施例,在此不作赘述。
在具体实施时,在本发明实施例中,可以使电阻值大的电极区的电阻率大于电阻值小的电极区的电阻率,电阻值大的电极区的长度与电阻值小的电极区的长度相同,电阻值大的电极区的横截面积与电阻值小的电极区的横截面积相同。这样可以仅通过改变电阻率以改变电阻值的大小。
示例性地,可以使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率。并且使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度相同。以及使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积相同。这样可以仅通过改变红色子像素R与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率以改变电阻值的大小。
示例性地,可以使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率。并且使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度相同。以及使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积相同。这样可以仅通过改变绿色子像素G与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率以改变电阻值的大小。
3、在一些可能的实施例方式中,结合图6至图9所示,也可以使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值,以及使红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值大于蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值。使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值。以及使绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值大于蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值。并且,使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。红色子像素R中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。以及,使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同。绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。绿色子像素G中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。这样可以仅需要调整红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与驱动晶体管M0的源电极区M0-S,即可以使红色子像素R的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值,以及使绿色子像素G的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值。需要说明的是,结合图8所示,在实际制备过程中,驱动晶体管M0的源电极M0-S与第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D是采用同一半导体层制备完成的,因此,在制备时,可以将驱动晶体管M0的源电极M0-S与第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D作为一个整体,以采用相同的制备工艺得到其所需要的电阻值。
在具体实施时,在本发明实施例中,可以使电阻值大的电极区的长度大于电阻值小的电极区的长度,电阻值大的电极区的横截面积与电阻值小的电极区的横截面积相同,电阻值大的电极区的电阻率与电阻值小的电极区的电阻率相同。这样可以仅通过改变长度以改变电阻值的大小。
示例性地,可以使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度。并且使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率相同。以及使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积相同。这样可以仅通过改变红色子像素R与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度以改变电阻值的大小。
示例性地,可以使红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的长度大于蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的长度。并且使红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻率与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻率相同。以及使红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的横截面积与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的横截面积相同。这样可以仅通过改变红色子像素R与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的长度以改变电阻值的大小。
示例性地,可以使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度大于蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度。并且使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻率相同。以及使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的横截面积相同。这样可以仅通过改变绿色子像素G与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的长度以改变电阻值的大小。
示例性地,可以使绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的长度大于蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的长度。并且使绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻率与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻率相同。以及使绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的横截面积与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的横截面积相同。这样可以仅通过改变绿色子像素G与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的长度以改变电阻值的大小。
4、在一些可能的实施例方式中,结合图6至图9所示,也可以使红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值大于蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值,以及使红色子像素R中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值大于蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值。使绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值大于蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值。以及使绿色子像素G中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值大于蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值。并且,使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同,红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值相同,红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同。以及,使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同。绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值相同。绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值相同。绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同。这样可以仅需要调整红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与驱动晶体管M0的漏电极区M0-D,即可以使红色子像素R的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值,以及使绿色子像素G的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值。需要说明的是,结合图8所示,在实际制备过程中,驱动晶体管M0的漏电极M0-D与第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S是采用同一半导体层制备完成的,因此,在制备时,可以将驱动晶体管M0的漏电极M0-D与第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S作为一个整体,以采用相同的制备工艺得到其所需要的电阻值。并且,电阻值大小的实施方式可以参照上述实施例,在此不作赘述。
5、在一些可能的实施例方式中,结合图6至图9所示,也可以使红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值大于蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值,绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值大于蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值。并且,使红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同,红色子像素R中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值相同。红色子像素R中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,红色子像素R中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同,红色子像素R中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。以及,使绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的源电极区M1-S的电阻值相同。绿色子像素G中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值与蓝色子像素B中的第一发光控制晶体管M1的漏电极区M1-D的电阻值相同。绿色子像素G中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值与蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的源电极区M2-S的电阻值相同,绿色子像素G中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的源电极区M0-S的电阻值相同,绿色子像素G中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值与蓝色子像素B中的驱动晶体管M0的漏电极区M0-D的电阻值相同。这样可以仅需要调整红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B中的第二发光控制晶体管M2的漏电极区M2-D的电阻值,即可以使红色子像素R的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值,以及使绿色子像素G的第一等效电阻的电阻值大于蓝色子像素B的第二等效电阻的电阻值。并且,电阻值大小的实施方式可以参照上述实施例,在此不作赘述。
需要说明的是,在不冲突的情况下,上述实施方式与实施方式中的特征可以相互组合,在此不做赘述。
需要说明的是,在实际工艺中,由于工艺条件的限制或其他因素,上述各特征中的相同并不能完全相同,可能会有一些偏差,因此上述各特征之间的相同关系只要大致满足上述条件即可,均属于本发明的保护范围。例如,上述相同可以是在误差允许范围之内所指的相同。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似,因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施,重复之处在此不再赘述。
在具体实施时,本发明实施例提供的显示装置可以为如图16所示的全面屏手机。当然,在实际应用中,本发明实施例提供的显示装置也可以为:平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置,第一类子像素内的每一个子像素中的第一电源线PVDD和第二电源线PVEE之间的电压差U0为电致发光器件L-1的正极和第一电源线PVDD之间的电压差U11与电致发光器件L-1的正极和负极之间的电压差U12之和,即U0=U11+U12。第二类子像素内的每一个子像素中的第一电源线PVDD和第二电源线PVEE之间的电压差U0为电致发光器件L-2的正极和第一电源线PVDD之间的电压差U21与电致发光器件L-2的正极和负极之间的电压差U22之和,即U0=U21+U22。通过使第一等效电阻RE1的电阻值大于第二等效电阻RE2的电阻值,可以使第一等效电阻RE1分压更高,以使U11更高,从而使得U12降低。这样在驱动第二类子像素Subpx-2点亮,而驱动第一类子像素Subpx-1不点亮时,虽然也会有漏电流作用,但是通过第一等效电阻RE1分压更高的作用,可以使U12小于电致发光器件L-1的开启电压,从而可以避免第一类子像素被点亮,进而可以改善显示异常,提高显示效果。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:多个像素单元与第一电源线;各所述像素单元包括多个子像素;各所述子像素包括电致发光器件与像素电路;所述电致发光器件的正极通过所述像素电路与所述第一电源线电连接;
所述多个子像素具有第一类子像素和第二类子像素;其中,所述第一类子像素中的电致发光器件的开启电压小于所述第二类子像素中的电致发光器件的开启电压;
所述第一类子像素内的每一个子像素中的所述电致发光器件的正极与所述第一电源线之间具有第一等效电阻,所述第二类子像素内的每一个子像素中的所述电致发光器件的正极与所述第一电源线之间具有第二等效电阻;并且,所述第一等效电阻的电阻值大于所述第二等效电阻的电阻值。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路包括:电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的多个薄膜晶体管;
所述第一等效电阻的电阻值包括:所述第一类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的有源层的电阻值之和;
所述第二等效电阻的电阻值包括:所述第二类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的有源层的电阻值之和。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,各所述薄膜晶体管的有源层具有沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源电极区和漏电极区;
所述第一等效电阻的电阻值包括:所述第一类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的源电极区的电阻值和漏电极区的电阻值之和;
所述第二等效电阻的电阻值包括:所述第二类子像素内的一个所述子像素中且电连接于所述第一电源线与所述电致发光器件的正极之间的所有薄膜晶体管的源电极区的电阻值和漏电极区的电阻值之和。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一类子像素包括:第一颜色子像素,所述第二类子像素包括:第三颜色子像素;
针对至少一种不同子像素的同一位置处的晶体管的源电极区和漏电极区中的至少一个电极区,各所述第一颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值大于各所述第三颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值;
各所述第一颜色子像素和各所述第三颜色子像素内的其余晶体管的其余电极区的电阻值相同。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一类子像素包括:第二颜色子像素,所述第二类子像素包括:第三颜色子像素;
针对至少一种不同子像素的同一位置处的晶体管的源电极区和漏电极区中的至少一个电极区,各所述第二颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值大于各所述第三颜色子像素内的所述同一位置处的晶体管的所述电极区的电阻值;
各所述第二颜色子像素和各所述第三颜色子像素内的其余晶体管的其余电极区的电阻值相同。
6.如权利要求2-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述多个薄膜晶体管包括:驱动晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管;
所述第一发光控制晶体管的源电极区与所述第一电源线电连接,所述第一发光控制晶体管的漏电极区与所述驱动晶体管的源电极区电连接;
所述驱动晶体管的漏电极区与所述第二发光控制晶体管的源电极区电连接,所述第二发光控制晶体管的漏电极区与所述电致发光器件的正极电连接。
7.如权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,电阻值大的电极区的横截面积小于电阻值小的电极区的横截面积;
所述电阻值大的电极区的电阻率不小于所述电阻值小的电极区的电阻率;
所述电阻值大的电极区的长度不小于所述电阻值小的电极区的长度。
8.如权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,电阻值大的电极区的电阻率大于电阻值小的电极区的电阻率;
所述电阻值大的电极区的长度与所述电阻值小的电极区的长度相同;
所述电阻值大的电极区的横截面积与所述电阻值小的电极区的横截面积相同。
9.如权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,电阻值大的电极区的长度大于电阻值小的电极区的长度;
所述电阻值大的电极区的横截面积与所述电阻值小的电极区的横截面积相同;所述电阻值大的电极区的电阻率与所述电阻值小的电极区的电阻率相同。
10.如权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,第一颜色子像素为红色子像素,第二颜色子像素为绿色子像素,所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20191001 |