CN110286564A - 飞秒激光直写与dmd无掩膜光刻一体化打印设备 - Google Patents

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Abstract

飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，属于光学技术领域，包括运动平台、DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒、DMD无掩膜光刻***投影物镜、飞秒激光直写***显微物镜调节套筒、飞秒激光直写***显微物镜、样品架、三维精密可控位移平台、飞秒激光直写***以及DMD无掩膜光刻***。本发明同时具有DMD打印高效率、低成本的特点，和飞秒激光加工高分辨率、高精度的优点，对于毫米量级的原件，可节省加工时间80％以上，同时使用多种光敏材料，能够实现大型、复杂的包括微光学元器件在内的集成结构、生物支架结构以及微流控芯片等的加工。

Description

飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备
技术领域
本发明属于光学技术领域，特别是涉及到一种可大面积加工微纳结构的集成设备。
背景技术
飞秒激光直写是以紧聚焦飞秒激光束进行单点扫描的加工技术，通常使用显微物镜对光束聚焦，焦点处光斑大小一般只有几个微米，当激光焦点固定不动，通过程序控制所加工的样品移动，就能制备出任意图案的微结构。这种技术灵活、精度高，远低于衍射极限限定的尺寸，但在制备大面积的微结构尤其图案结构较复杂时，逐点扫描的方式耗时很长，导致加工效率很低。同时飞秒激光器的成本也很高，因此这种方法非常不利于批量生产和工业应用。现有技术中提出的飞秒激光壳层扫描配合二次曝光的加工方法，虽然节省了时间，提高了加工效率，但这种方式只适用于固态光刻胶，对于大部分的液态光敏材料，内外液体压力差会导致壳层塌陷，加工失败。因而，如何在保持加工灵活性、高精度的基础上，提高加工效率是飞秒激光微加工技术领域亟需解决的关键问题。
而基于DMD的无掩膜数字光刻***则是通过计算机将光刻图案经图形生成器输入到DMD芯片中，根据图形中黑白像素的分布改变DMD的微反射镜的转角，并通过准直光源照射到DMD的表面形成与光刻图案一致的图像，再利用光刻镜头将该图像投影到基片表面并通过控制样品台的扫描运动，实现任意形状的大面积微结构的制备。由于DMD的微反射镜的数目多达200万个，并且每一个微反射镜都可以等效为一个独立的光源，因而其曝光过程相当于多光束逐点曝光。同时DMD微反射镜的开关频率与样品台的运行速度相匹配，能实现图形的滚动曝光，与飞秒激光直写***相比，大大提高了***的生产效率，降低了制作成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，同时具有DMD打印高效率、低成本的特点，和飞秒激光加工高分辨率、高精度的优点，对于毫米量级的原件，可节省加工时间80％以上，同时使用多种光敏材料，能够实现大型、复杂的包括微光学元器件在内的集成结构、生物支架结构以及微流控芯片等的加工。
飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：包括运动平台、DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒、DMD无掩膜光刻***投影物镜、飞秒激光直写***显微物镜调节套筒、飞秒激光直写***显微物镜、样品架、三维精密可控位移平台、飞秒激光直写***以及DMD无掩膜光刻***，所述运动平台距离光学平台35厘米，所述DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒和飞秒激光直写***显微物镜调节套筒均设置在运动平台上，所述DMD无掩膜光刻***投影物镜设置在DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒上，DMD无掩膜光刻***投影物镜与DMD无掩膜光刻***连接；所述飞秒激光直写***显微物镜设置在飞秒激光直写***显微物镜调节套筒上，飞秒激光直写***显微物镜与飞秒激光直写***连接；所述三维精密可控位移平台与样品架连接；所述飞秒激光直写***和DMD无掩膜光刻***均设置在光学平台上。
所述飞秒激光直写***包括红外飞秒激光器、衰减片、透镜Ⅰ、光闸、透镜Ⅱ、反射镜Ⅰ、振镜、透镜Ⅲ、透镜Ⅳ、二向色镜、反射镜Ⅱ、透镜Ⅴ、CCD摄像头、照明光源以及计算机Ⅰ，所述红外飞秒激光器出射激光依次经过衰减片、透镜Ⅰ、光闸以及透镜Ⅱ，经过反射镜Ⅰ反射光进入振镜，振镜出射光经过由透镜Ⅲ和透镜Ⅳ组成的望远***和二向色镜进入飞秒激光直写***显微物镜；所述照明光源发出的光经过飞秒激光直写***显微物镜透过二向色镜经过反射镜Ⅱ反射，通过透镜Ⅴ聚焦后进入CCD摄像头。
所述DMD无掩膜光刻***包括LED光源、DMD空间光调制器、分光棱镜、CCD相机、转接镜、45°反射镜、图像生成器、DMD控制器以及计算机Ⅱ，所述LED光源出射光进入DMD空间光调制器经分光棱镜一部分进入CCD相机，一部分经过转接镜和45°反射镜进入DMD无掩膜光刻***投影物镜；所述计算机Ⅱ与图像生成器连接，图像生成器与DMD控制器连接。
所述DMD空间光调制器的芯片由1024*768个微反射镜阵列式排布组成，每个反射镜尺寸为13.68μm*13.68μm，且由控制器单独控制。
所述飞秒激光直写***的光学元件在光学平台上的位置通过准直激光器采用自准直法调节。
所述DMD无掩膜光刻***的光学原件在光学平台上的位置通过准直激光器采用自准直法调节。
通过上述设计方案，本发明可以带来如下有益效果：飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，同时具有DMD打印高效率、低成本的特点，和飞秒激光加工高分辨率、高精度的优点，对于毫米量级的原件，可节省加工时间80％以上，同时使用多种光敏材料，能够实现大型、复杂的包括微光学元器件在内的集成结构、生物支架结构以及微流控芯片等的加工。
进一步的，本发明将飞秒激光直写和DMD无掩膜光刻***的物镜集成在同一个运动平台上，可实现无需移动样品，既可以进行飞秒激光加工，又可进行DMD无掩膜光刻，达到两***一体化的目的。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明：
图1为本发明飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备结构示意图。
图2为本发明飞秒激光直写***结构示意图。
图3为本发明DMD无掩膜光刻***结构示意图。
图4为本发明具体实施方式通过自准直法进行光学原件装调的原理示意图。
图中1-运动平台、2-DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒、3-DMD无掩膜光刻***投影物镜、4-飞秒激光直写***显微物镜调节套筒、5-飞秒激光直写***显微物镜、6-样品架、7-三维精密可控位移平台、8-飞秒激光直写***、9-DMD无掩膜光刻***、11-红外飞秒激光器、12-衰减片、13-透镜Ⅰ、14-光闸、15-透镜Ⅱ、16-反射镜Ⅰ、17-振镜、18-透镜Ⅲ、19-透镜Ⅳ、20-二向色镜、22-反射镜Ⅱ、23-透镜Ⅴ、24-CCD摄像头、25-照明光源、26-计算机Ⅰ、31-LED光源、32-DMD空间光调制器、33-分光棱镜、34-CCD相机、35-转接镜、36-45°反射镜、37-图像生成器、38-DMD控制器、39-计算机Ⅱ、40-准直激光器、41-光阑Ⅰ、42-光阑Ⅱ。
具体实施方式
飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，如图1所示：包括运动平台1、DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒2、DMD无掩膜光刻***投影物镜3、飞秒激光直写***显微物镜调节套筒4、飞秒激光直写***显微物镜5、样品架6、三维精密可控位移平台7、飞秒激光直写***8以及DMD无掩膜光刻***9，所述运动平台1距离光学平台35厘米，所述DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒2和飞秒激光直写***显微物镜调节套筒4均设置在运动平台1上，所述DMD无掩膜光刻***投影物镜3设置在DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒2上，DMD无掩膜光刻***投影物镜3与DMD无掩膜光刻***9连接；所述飞秒激光直写***显微物镜5设置在飞秒激光直写***显微物镜调节套筒4上，飞秒激光直写***显微物镜5与飞秒激光直写***8连接；所述三维精密可控位移平台7与样品架6连接；所述飞秒激光直写***8和DMD无掩膜光刻***9均设置在光学平台上；其中三维精密可控位移平台7可实现样品架6沿x轴、y轴以及z轴方向移动。
飞秒激光直写***8，如图2所示，包括红外飞秒激光器11、衰减片12、透镜Ⅰ13、光闸14、透镜Ⅱ15、反射镜Ⅰ16、振镜17、透镜Ⅲ18、透镜Ⅳ19、二向色镜20、反射镜Ⅱ22、透镜Ⅴ23、CCD摄像头24、照明光源25以及计算机Ⅰ26，所述红外飞秒激光器11出射激光依次经过衰减片12、透镜Ⅰ13、光闸14以及透镜Ⅱ15，经过反射镜Ⅰ16反射光进入振镜17，振镜17出射光经过由透镜Ⅲ18和透镜Ⅳ19组成的望远***和二向色镜20进入飞秒激光直写***显微物镜5；所述照明光源25发出的光经过飞秒激光直写***显微物镜5透过二向色镜20经过反射镜Ⅱ22反射，通过透镜Ⅴ23聚焦后进入CCD摄像头24；其中透镜Ⅰ13和透镜Ⅱ15组成扩束***，透镜Ⅲ18和透镜Ⅳ19组成望远***。
本实施例的红外飞秒激光器11出射光波长为808nm，出射激光束经二向色镜20反射后，经飞秒激光直写***显微物镜5聚焦到光敏树脂内部，从而实现加工过程，该二向色镜20对808nm红外光反射率为99％以上，对于其它的光可以透射；照明光源25发出的光，经过飞秒激光直写***显微物镜5，透过二向色镜20，经反射镜Ⅱ22反射，通过透镜Ⅴ23聚焦后进入CCD摄像头24，通过计算机Ⅰ26实现对整个加工过程的实时监控。
DMD无掩膜光刻***9，如图3所示，包括LED光源31、DMD空间光调制器32、分光棱镜33、CCD相机34、转接镜35、45°反射镜36、图像生成器37、DMD控制器38以及计算机Ⅱ39，所述LED光源31出射光进入DMD空间光调制器32经分光棱镜33一部分进入CCD相机34，一部分经过转接镜35和45°反射镜36进入DMD无掩膜光刻***投影物镜3；所述计算机Ⅱ39与图像生成器37连接，图像生成器37与DMD控制器38相连接。
本实施例的LED光源31为365nm紫外光，DMD空间光调制器32的芯片由1024*768个微反射镜阵列式排布组成，每个反射镜尺寸为13.68μm*13.68μm，并且都可由控制器单独控制。数字信号只有“1”和“0”两种状态，当不给数字信号即不给微反射镜阵列加电压时，微反射镜处于初始状态，入射到其上的光会被反射出去；给数字信号为“1”时，由于上下电极间的静电力的作用驱动微镜，微反射镜镜面发生+12°的偏转，使出射光入射到投影物镜内部，在加工基片上形成一个“明像素”；给数字信号“0”时，微反射镜镜面发生-12°的偏转，出射光打到投影物镜外部，在加工基片上形成一个“暗像素”。当DMD控制器38读取图形数据时，DMD空间光调制器32的芯片上对应形成由“明像素”和“暗像素”组成的阵列，由此形成掩模图形。当365nm LED光源31发出的光经匀光后以24°空间角入射到DMD芯片上时，计算机Ⅱ39会通过图像生成器37以及DMD控制器38控制数字微镜的偏转形成“虚拟”的数字图像，该图像经过DMD无掩膜光刻***投影物镜3成像在处于运动平台1上的基片的光刻胶面上。而由基片反射回来的光场分布信息可通过CCD相机34实时监控。计算机Ⅱ39通过控制DMD面内的光图像与运动平台1的同步运动来实现扫描光刻。
本发明飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备包含上述的所有光学元件装调均通过自准直法实现，以DMD无掩膜光刻***9在XY平面内的光学原件装调为例，如图4所示，首先使光阑Ⅰ41和光阑Ⅱ42的中心高度相等，并通过光学平台的孔位使它们共轴摆放并固定，然后调节准直激光器40，使激光通过两个光阑的中心，此时激光的出射光线是平行光。调整DMD空间光调制器32的位置，使得由光阑Ⅱ42出射并入射到DMD上的激光经DMD窗口反射后能穿过两个光阑的中心原路返回，此时DMD所在平面与准直激光束所在光轴严格垂直。然后根据相同的原理，依次确定分光棱镜33、转接镜35和450反射镜36的位置。最后，调节CCD相机34的位置，使得经基片反射回来的光场分布的数字图像清晰。同理可完成本发明涉及的其它光学元件的装调。

Claims (6)

1.飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：包括运动平台(1)、DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒(2)、DMD无掩膜光刻***投影物镜(3)、飞秒激光直写***显微物镜调节套筒(4)、飞秒激光直写***显微物镜(5)、样品架(6)、三维精密可控位移平台(7)、飞秒激光直写***(8)以及DMD无掩膜光刻***(9)，所述运动平台(1)距离光学平台35厘米，所述DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒(2)和飞秒激光直写***显微物镜调节套筒(4)均设置在运动平台(1)上，所述DMD无掩膜光刻***投影物镜(3)设置在DMD无掩膜光刻***投影物镜调节套筒(2)上，DMD无掩膜光刻***投影物镜(3)与DMD无掩膜光刻***(9)连接；所述飞秒激光直写***显微物镜(5)设置在飞秒激光直写***显微物镜调节套筒(4)上，飞秒激光直写***显微物镜(5)与飞秒激光直写***(8)连接；所述三维精密可控位移平台(7)与样品架(6)连接；所述飞秒激光直写***(8)和DMD无掩膜光刻***(9)均设置在光学平台上。
2.根据权利要求1所述的飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：所述飞秒激光直写***(8)包括红外飞秒激光器(11)、衰减片(12)、透镜Ⅰ(13)、光闸(14)、透镜Ⅱ(15)、反射镜Ⅰ(16)、振镜(17)、透镜Ⅲ(18)、透镜Ⅳ(19)、二向色镜(20)、反射镜Ⅱ(22)、透镜Ⅴ(23)、CCD摄像头(24)、照明光源(25)以及计算机Ⅰ(26)，所述红外飞秒激光器(11)出射激光依次经过衰减片(12)、透镜Ⅰ(13)、光闸(14)以及透镜Ⅱ(15)，经过反射镜Ⅰ(16)反射光进入振镜(17)，振镜(17)出射光经过由透镜Ⅲ(18)和透镜Ⅳ(19)组成的望远***和二向色镜(20)进入飞秒激光直写***显微物镜(5)；所述照明光源(25)发出的光经过飞秒激光直写***显微物镜(5)透过二向色镜(20)经过反射镜Ⅱ(22)反射，通过透镜Ⅴ(23)聚焦后进入CCD摄像头(24)。
3.根据权利要求1所述的飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：所述DMD无掩膜光刻***(9)包括LED光源(31)、DMD空间光调制器(32)、分光棱镜(33)、CCD相机(34)、转接镜(35)、45°反射镜(36)、图像生成器(37)、DMD控制器(38)以及计算机Ⅱ(39)，所述LED光源(31)出射光进入DMD空间光调制器(32)经分光棱镜(33)一部分进入CCD相机(34)，一部分经过转接镜(35)和45°反射镜(36)进入DMD无掩膜光刻***投影物镜(3)；所述计算机Ⅱ(39)与图像生成器(37)连接，图像生成器(37)与DMD控制器(38)连接。
4.根据权利要求3所述的飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：所述DMD空间光调制器(32)的芯片由1024*768个微反射镜阵列式排布组成，每个反射镜尺寸为13.68μm*13.68μm，且由控制器单独控制。
5.根据权利要求2所述的飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：所述飞秒激光直写***(8)的光学元件在光学平台上的位置通过准直激光器(40)采用自准直法调节。
6.根据权利要求3所述的飞秒激光直写与DMD无掩膜光刻一体化打印设备，其特征是：所述DMD无掩膜光刻***(9)的光学原件在光学平台上的位置通过准直激光器(40)采用自准直法调节。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113050390A (zh) * 2021-04-06 2021-06-29 上海大学 基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备***和方法
CN113126453A (zh) * 2021-04-23 2021-07-16 东北师范大学 飞秒激光直写与dmd无掩模光刻复合加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104111590A (zh) * 2014-07-04 2014-10-22 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于复合涡旋双瓣聚焦光斑的激光直写装置
CN106707692A (zh) * 2015-07-27 2017-05-24 中国科学院理化技术研究所 一种跨尺度结构协同工作的无掩模光刻***
CN108563101A (zh) * 2018-05-24 2018-09-21 华中科技大学 一种光刻胶、微纳温湿敏感智能器件及其制备方法
CN109774128A (zh) * 2019-03-13 2019-05-21 东北师范大学 基于dmd的光刻与打印一体化设备及其构建方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104111590A (zh) * 2014-07-04 2014-10-22 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于复合涡旋双瓣聚焦光斑的激光直写装置
CN106707692A (zh) * 2015-07-27 2017-05-24 中国科学院理化技术研究所 一种跨尺度结构协同工作的无掩模光刻***
CN108563101A (zh) * 2018-05-24 2018-09-21 华中科技大学 一种光刻胶、微纳温湿敏感智能器件及其制备方法
CN109774128A (zh) * 2019-03-13 2019-05-21 东北师范大学 基于dmd的光刻与打印一体化设备及其构建方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
中国机械工程学会特种加工分会: "《特种加工技术路线图》", 30 November 2016 *
刘胜德 等: "《光学实验》", 31 July 2017 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113050390A (zh) * 2021-04-06 2021-06-29 上海大学 基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备***和方法
CN113126453A (zh) * 2021-04-23 2021-07-16 东北师范大学 飞秒激光直写与dmd无掩模光刻复合加工方法

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