CN110273124A - 一种掩膜板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜板及其制作方法,掩膜板包括掩膜板框和固定在掩膜板框上的掩膜本体;所述掩膜本体上设置有掩膜图案,所述掩膜图案包括贯穿所述掩膜本体的通孔,所述掩膜本体与掩膜板框通过电铸方法一体成型。本申请的掩膜本体和掩膜板框是通过电铸一体成型工艺得到的,节省了传统掩膜板制作过程中的张网和焊接制程,减少了张网焊接设备的高额投资,进而降低了掩膜板的制作成本;同时避免了张网加工过程中造成的对位误差和张网不紧等问题,避免了焊接制程中造成的不良和浪费,增强了掩膜板的机械强度,提高了掩膜板的制作良率和效率;提高了有机发光材料的蒸镀质量和良品率。
Description
技术领域
本发明涉及掩膜板的制作领域,更具体的说是涉及一种掩膜板及其制作方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diodes,OLED)以其自发光、低成本、高亮度、高对比度、响应快、低功耗、视角广、外观轻薄、可柔性显示等优点,已逐渐取代液晶显示器(LCD),成为当前显示主流,广泛应用在智能手机、智能手表、平板电脑、电视等领域。OLED的制作流程为依次在基板上制作驱动电路和阳极,然后在阳极上沉积有机功能层、有机发光层和阴极。有机发光层的材料一般分为大分子有机材料和小分子有机材料,当前应用以小分子有机材料为主。对于小分子有机材料,通常利用真空蒸镀的方法,在阳极上形成各有机功能层、有机发光层,最后再形成器件的阴极。
在利用真空蒸镀方法制作OLED器件的过程当中,需要用到蒸镀模具-掩膜板作为媒介进行OLED发光像素图案的的蒸镀。掩膜板分为大开口金属掩膜板(Open Mask)和高精度金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM),前者主要用于功能层和阴极的真空蒸镀成膜,后者主要用于红(R)、绿(G)、蓝(B)各发光层和各发光层专用功能层的真空蒸镀成膜。
掩膜板的材质一般为金属或金属合金,常用的为因瓦合金(Invar)。其主要由制作有对应的OLED发光图案的掩膜本体和掩膜板框组成。因为人们对显示质量的需求,要求显示高分辨率,高端显示都要求分辨率做到500PPI以上,这样就要求在显示屏上的子像素必须做到很小,达到10um甚至更小,相应的就要求对应用到的掩膜板特别是FMM要求开口很小,厚度要很薄(25um以内)才能满足高分辨率OLED的制作要求,大大的增加了FMM的制作难度和良率。掩膜板框的作用是用于固定掩膜本体和配合在OLED蒸镀设备中的运输传送,需要较好的平整度和强度。随着生产线的高世代化,掩膜板框越来越大,单个掩膜板框重量就超过50kg。
当前,掩膜板的制作主要有两种方法。一是刻蚀方法,在超薄(一般为20~50um)的因瓦合金薄膜上通过曝光显影然后酸刻,获得与显示像素对应图案的整版掩膜本体(通常用于小世代线)或掩膜本体条(FMM Stick),然后再通过张网机将掩膜本体或掩膜本体条张网拉紧焊接在掩膜板框上获得真空蒸镀的掩膜板。二是电铸方法,在一本体基板上通过曝光显影方案获得所需的与显示像素对应的图案,放入电铸槽中电铸得到相应的整版掩膜本体(通常用于小世代线)或掩膜本体条(FMM Stick),然后再通过张网机将掩膜本体或掩膜本体条张网拉紧焊接在掩膜板框上获得真空蒸镀的掩膜板,通过电铸方法制作的掩膜本体可做到更薄,可达到5um的厚度。
以上两种方法的掩膜板的制作都需要经过张网和焊接的制程/流程,而因为精度和拉力强度等要求,这些张网焊接设备的要求很高,设备造价高,而且张网焊接的效率很低,需要多台设备才能满足生产线的要求,造成设备投资很大。
另外,除了需要花较大的资金购买设备外,张网焊接的过程当中要求高精度对位和对张网拉力合理控制,稍微操作不当就会造成不良,从而报废高价掩膜本体或stick,或降低OLED发光层的蒸镀质量和良品率。还会造成张网和焊接的不良和报废,从而直接影响到OLED蒸镀的效果和质量。
且随着有机发光器件尺寸和生产线母板基板尺寸越来越大,传统的掩膜板张网焊接的工艺难度将会更大,需要购买的张网焊接设备费用更高,张网焊接的不良率会更高,从而造成OLED蒸镀不良和制作成本更高。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种掩膜板,包括掩膜板框和固定在掩膜板框上的掩膜本体;所述掩膜本体上设置有掩膜图案,所述掩膜图案包括贯穿所述掩膜本体的通孔,所述掩膜本体与掩膜板框为电铸一体成型结构。
优选的,所述掩膜板框的厚度大于掩膜本体,所述掩膜本体的下表面在高度上高于掩膜板框的下表面;所述掩膜本体的上表面为平面。
优选的,所述掩膜本体的下表面与掩膜板框的下表面之间具有连接面。
优选的,所述掩膜本体包括多个掩膜图案,所述掩膜图案之间设置有支撑部,所述支撑部位于掩膜本体的下表面。
优选的,所述掩膜本体的厚度范围为0.005mm-0.1mm;所述掩膜板框的厚度范围为0.07mm-30mm。
本发明还提供了一种掩膜板制作方法,用于制作如上所述的掩膜板,所述制作方法包括以下步骤:
S1:提供电铸模板;
S2:在电铸模板上侧形成消融材料层;
S3:对消融材料层进行曝光显影,形成具有开口的图形区域;
S4:将带消融材料层的电铸模板放入电铸装置中进行电铸,在电铸模板上形成电铸层,电铸层包括掩膜本体与掩膜板框;
S5:去除消融材料层;
S6:将电铸层与电铸模板上分离,得到掩膜板。
优选的,所述电铸模板的上表面包括中间区域、边界区域、以及连接区域;所述中间区域对应于掩膜本体的下表面,所述边界区域对应于掩膜板框的下表面,所述连接区域的形状与掩膜板的连接面的形状相匹配;所述电铸模板的中间区域高于边界区域;在步骤S4中,所述电铸层形成在所述电铸模板的上表面。
优选的,所述电铸装置包括电铸槽、阳极、阴极;所述电铸模板放置在阴极上作为阴极的一部分,阳极上设置有用于形成电铸层的金属材料;在阴极和阳极之间设置有遮蔽板;
在遮蔽板上设置有多个过电孔,用于使电力线通过;遮蔽板在对应掩膜本体的区域,相同单位面积内的孔总面积较小;遮蔽板在对应掩膜板框的区域,相同单位面积内的孔总面积较大。
优选的,在遮蔽板上设置有至少两组过电孔,所述两组过电孔包括第一组过电孔和第二组过电孔;所述第一组过电孔在相同单位面积内的孔总面积大于所述第二组过电孔在相同单位面积内的孔总面积;第二组过电孔设置在对应掩膜本体的区域,第一组过电孔设置在对应掩膜板框的区域;第一组过电孔和第二组过电孔的孔径相同,第一组过电孔的分布密度大于第二组过电孔的分布密度。
优选的,在步骤S3之后以及S4之前,在电铸模板上形成一层脱膜剂层。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本申请的掩膜本体和掩膜板框是通过电铸一体成型工艺得到的,节省了传统掩膜板制作过程中的张网和焊接制程,减少了张网焊接设备的高额投资,进而降低了掩膜板的制作成本;同时避免了张网加工过程中造成的对位误差和张网不紧等问题,避免了焊接制程中造成的不良和浪费,增强了掩膜板的机械强度,提高了掩膜板的制作良率和效率;提高了有机发光材料的蒸镀质量和良品率。
附图说明
图1是本发明实施例一所述的一种掩膜板的结构示意图;
图2是本发明实施例一所述的另一种掩膜板的结构示意图;
图3是本发明实施例二所述的一种掩膜板的结构示意图;
图4是本发明实施例三所述的掩膜板的制作方法的流程图;
图5是本发明实施例三所述的掩膜板制作过程中各步骤对应的结构示意图;
图6是本发明实施例三所述的掩膜板的制作方法中电铸模板的第二种结构示意图;
图7是本发明实施例三所述的掩膜板的制作方法中电铸模板的第三种结构示意图;
图8是本发明实施例三所述的掩膜板的制作方法中电铸装置的示意图;
图9是图6电铸装置中遮蔽板的第一个实施例的正视示意图;
图10是图6电铸装置中遮蔽板的第二个实施例的正视示意图;
图11是本发明实施例四所述的掩膜板的制作方法中电铸模板的第四种结构示意图;
图12是本发明实施例四所述的掩膜板的制作方法中遮蔽板的正视示意图;
图13是本发明实施例五所述的掩膜板制作过程中脱膜剂层与电铸模板、掩膜板的结构示意图;
图14是本发明实施例三所述的蒸镀过程的示意图。
附图标记:
1-电铸模板、11-边界区域、12-连接区域、13-中间区域、131-凹槽、
2-消融材料层、21-图形区域、22-开口、3-掩膜板、31-掩膜板框、32-掩膜本体、301-掩膜本体的下表面、302-连接面、303-掩膜板框的下表面、304-掩膜板上表面、321-遮挡部、322-通孔、323-支撑部、4-电铸装置、41-电铸槽、5-阳极、6-阴极、7-遮蔽板、71-第一组过电孔、72-第二组过电孔、73-第三组过电孔、8-脱膜剂层、9-蒸发源、10-玻璃基板。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
下面结合附图和实施例,对本发明作进一步说明:
实施例一:
本发明提供了一种掩膜板,应用在真空蒸镀工艺中,例如可以应用在OLED显示面板的真空蒸镀工艺中。
如图1所示,掩膜板包括掩膜板框31和固定在掩膜板框31上的掩膜本体32;其中,掩膜本体32和掩膜板框31是通过电铸一体成型工艺得到的,掩膜本体32与掩膜板框31为电铸一体成型结构。掩膜本体32中包含有掩膜图案,掩膜图案包括遮挡部321和通孔322。其中,通孔322贯穿掩膜本体32,用于在蒸镀中让有机材料沉积通过。
因为人们对显示质量的需求,要求显示高分辨率,相应的就要求OLED真空蒸镀中掩膜主体厚度要很薄(25um以内)以满足高分辨率OLED的制作要求。因为OLED真空蒸镀的需要,要求掩膜本体32越薄越好,太厚了在蒸镀容易产生阴影(shadow)缺陷,太薄了则强度太弱容易损坏。优选的,掩膜本体32的厚度范围在0.005mm-0.1mm之间。
掩膜板框31的作用主要用于支撑固定掩膜本体32,以使掩膜板具有较好的强度。掩膜本体32较薄,而掩膜板框31厚度较掩膜本体32厚、且位于电铸模板1边界区域11。掩膜本体32厚度较薄,重量较轻,通过掩膜本体32与掩膜板框31一体化,可以增加掩膜本体32的稳定性。
理论上掩膜板框31厚度越厚越好,太薄了强度达不到支撑固定掩膜本体32的作用,但电铸工艺的局限无法做到无限制的厚度。优选的,掩膜板框31的厚度范围为0.07mm-30mm之间。
在一个优选的具体实施例中,掩膜本体32的电铸厚度为0.02mm,掩膜板框31的厚度为20mm。
在本实施例中,掩膜本体32悬空设置在掩膜板框31上,如图1所示,掩膜本体的下表面301在高度上高于掩膜板框的下表面303。掩膜板框的下表面303在实际的应用中,用作放置面,例如,掩膜板放置在底座上,掩膜板框的下表面303与底座的上表面接触,然后掩膜板跟底座一起再放入蒸镀设备中。
在蒸镀工艺中,掩膜本体32上表面要跟玻璃基板贴合在一起,因此掩膜本体32上表面为平面,且要求平整。可以理解的,掩膜板框31上表面不会影响到掩膜本体32上表面与玻璃基板的贴合,例如,掩膜板框31上表面不高于掩膜本体32上表面。更优选的,掩膜本体32的上表面与掩膜板框31的上表面平齐,掩膜本体32上表面与掩膜板框31的上表面在同一水平面上。
所述掩膜本体的下表面301与掩膜板框的下表面303之间具有连接面302,连接面302用于使处于不同的高度的掩膜本体的下表面301与掩膜板框的下表面303连接起来。连接面302可以是如图1所示的垂直设置的面、也可以是如图2所示的倾斜设置的面、或者还可以是曲面(未示出),但可以理解的,并不以此为限。
优选的,连接面302是如图2所示的倾斜设置的面,与垂直方向具有一定的夹角,该夹角优选为5~30度之间,因为电铸一体成型的掩膜板,在成型后还需要与电铸模板1进行分离,该角度的设置有利于将掩膜板从电铸模板1上脱膜分离出来。
掩膜本体32与所述掩膜板框31的材料相同,可以是金属、或者是金属合金材料。金属材料例如为不锈钢或者纯镍。金属合金材料例如为因瓦合金(Invar),镍铁合金、镍钴合金。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本申请掩膜板的掩膜本体32和掩膜板框31是通过电铸一体成型工艺得到的,由于掩膜本体32和掩膜板框31一体成型,节省了传统掩膜板制作过程中的张网和焊接制程,减少了张网焊接设备的高额投资,进而降低了掩膜板的制作成本;同时避免了张网加工过程中造成的对位误差和张网不紧等问题,避免了焊接制程中造成的不良和浪费,增强了掩膜板的机械强度,提高了掩膜板的制作良率和效率;在后期真空蒸镀有机发光材料时,提高了有机发光材料的蒸镀质量和良品率。
同时,通过电铸方法制作的掩膜本体32可做到很薄,可达到5um的厚度,这有利于制作更高分辨率的OLED产品。而其它的一体成型工艺,如在一块材料上通过机械加工或刻蚀成型的方式,或者通过浇铸的方式,都难以同时实现符合要求的薄的掩膜本体32并使掩膜本体具有一定的刚度,另外,还使掩膜板框31具有良好支撑性。
实施例二:
本具体实施例提供了一种改进的掩膜板。
本实施例掩膜板与实施例一不同的是,本实施例掩膜板适用于蒸镀过程当中的大板制作。OLED生产过程当中,在一个大板中会排多粒产品,每粒OLED产品之间会有非显示区域(dummy区),这个区域较宽。如图3所示,掩膜板上设置有多个掩膜图案,多个掩膜图案的数量对应于多粒OLED产品的数量。在掩膜本体32的多个掩膜图案之间,设置有支撑部323,该支撑部323的位置对应于非显示区域(dummy区)设置。且该支撑部323位于掩膜本体的下表面301。
该支撑部323可作为掩膜本体32的辅助支撑,这样显示区域的掩膜本体32可以做的更薄,而掩膜本体32越薄越有利于做高分辨率的OLED产品。
该支撑部323可以是电铸厚垫,或者是支撑条。优选的,支撑部323是支撑条结构。
实施例三:
本具体实施例提供了实施例一所述的掩膜板的制作方法,制作方法包括以下步骤:
如图4所示为掩膜板的制作过程示意图,
步骤S1:提供电铸模板1。
电铸模板1如图5a所示,电铸模板1的上表面包括中间区域13、边界区域11、以及位于中间区域13和边界区域11之间的连接区域12。
中间区域13对应于掩膜本体的下表面301,边界区域11对应于掩膜板框的下表面303。连接区域12的形状与掩膜板的连接面302的形状相匹配。电铸模板1的中间区域13高于边界区域11,具体高出的高度根据掩膜板框下表面303到掩膜本体的下表面301的距离而定。
电铸模板1的上表面为掩膜板的形成面,电铸模板1的下表面形状不限。但是优选的,电铸模板1的下表面一般为平面,如图5a所示。电铸模板1的下表面可以减料,以使电铸模板1的壁厚均匀。
或者,电铸模板1的下表面不作减料,电铸模板1的结构如图6所示。电铸模板1的制作可采用厚板,并在对应于掩膜板边界区域11的位置进行减料。或者,电铸模板1可采用两块板拼接而成,这样不用异形加工电铸模板1。两块板的拼接方式可以为卡扣、锁扣或焊接等方式。
当掩膜板的结构如图2所示时,相对应的电铸模板1的结构如图7所示,连接区域12为斜面,连接区域12的形状与掩膜板的连接面302的形状相匹配。
电铸模板1的材料可以是不锈钢板、纯金属板、或者其它材料。
步骤S2:在电铸模板1上侧形成消融材料层2, 如图5b所示。
消融材料层2可以通过贴干膜的方式实现;或者消融材料层2还可以改用光刻胶溶液,采用喷涂、滚涂或旋涂方式在电铸模板1形成膜。光刻胶溶液例如为光敏性亚格力或聚酰亚胺等材料。消融材料层2位于电铸模板1中间区域13。
步骤S3:曝光显影。
如图5c所示,对该消融材料层2进行曝光显影,形成具有开口22的图形区域21。图形区域21的图案形状与掩膜本体32的通孔322的图案形状相对应。
步骤S4:电铸工艺。
如图5d所示,将带消融材料层2的电铸模板1放入如图8所示的电铸装置4中,所述电铸装置包括电铸槽41、阳极5、阴极6和遮蔽板7,进行电铸。在电铸模板1上表面没有消融材料层2图形区域21覆盖的区域,形成电铸层,电铸层同时包括掩膜本体32与掩膜板框31。在对应于消融材料层2图形区域21的位置,掩膜本体32形成了通孔322。通孔322用于在蒸镀中让有机材料沉积通过。
电铸模板1上表面的中间区域13与掩膜本体的下表面301相对应。电铸模板1上表面的边界区域11与掩膜板框的下表面303相对应。掩膜板的连接面302与电铸模板1的连接区域12相对应。
电铸槽41内设置有阴极6和阳极5,电铸模板1放置在阴极6上作为阴极6的一部分,阳极5上设置有用于形成电铸层的金属材料,优选地,为不锈钢、或金属、或金属合金。
由于掩膜本体32较薄,而掩膜板框31较厚,为了如何电铸膜厚度,在阴极6和阳极5之间设置有遮蔽板7。遮蔽板7对应于电铸模板1的位置进行设置。
遮蔽板7设计的实施例:
在遮蔽板7上设置有多个过电孔,用于使电力线通过。相对于将电铸成的掩膜板3,遮蔽板7在对应掩膜本体32的区域,相同单位面积内的孔总面积较小;而遮蔽板7在对应掩膜板框31的区域,相同单位面积内的孔总面积较大。在遮蔽板7对应掩膜板的不同区域,孔总面积大小不同(在相同面积内),从而使通过的电力线密度不同。孔总面积越大,电力线(表示电场分布的虚设的有向曲线族)密度越大,对应区域的电铸层厚度就不同。
例如,作为遮蔽板设计的第一个实施例,如图9所示,遮蔽板7在对应掩膜本体32的区域,即对应于电铸模板1中间区域13,设置有第二组过电孔72。而遮蔽板7在对应掩膜板框31的区域,即对应于电铸模板1的边界区域11,设置有第一组过电孔71。其中,第一组过电孔71和第二组过电孔72的孔径相同,但是,相比较而言,第一组过电孔71的分布密度较大,第二组过电孔72的分布密度较小。这样,在相同单位面积内,第一组过电孔71的孔总面积较大。因此掩膜板框31获得的电铸层壁厚较厚。可以理解的,第一组过电孔71和第二组过电孔72分别呈均匀分布,以保证电铸层壁厚的均匀性。
例如,作为遮蔽板设计的第二个实施例,如图10所示,与遮蔽板设计的第一个实施例不同的是,第二个实施例中,第一组过电孔71的孔径大于第二组过电孔72的孔径。在电铸过程中,由于相同单位面积内,第一组过电孔71的总面积大于第二组过电孔72的总面积,因此电力线(表示电场分布的虚设的有向曲线族)将会更多地通过第一组过电孔71。使第一组过电孔71所对应的电铸模板1边界区域11的位置,其电铸层的厚度将显著地厚于第二组过电孔72所对应的电铸模板1中间区域13的位置。
通过在遮蔽板上设置孔径大小和数量不同的过电孔,可用来调节电铸电力线的分布,从而控制在在电铸模板1上对应所需的电铸膜厚度。各组过电孔的位置随电铸模板1上的电铸膜所需的厚度分布。
除了调节遮蔽板上的孔的设计,也可以通过其它调节电铸电力线分布的方式达到控制在同一电铸模板1上电铸不同厚度的目的。
在电铸过程中,通过分区域控制电铸的速度,在达到掩膜板所需厚度的要求下,实现电铸的掩膜本体32上表面为平面,能够保证在蒸镀工艺中,掩膜本体32上表面跟玻璃基板贴合在一起进行蒸镀,且达到一定的厚度后就可以结束电镀。发明人发现其实掩膜本体上表面与掩膜板框上表面即使不在同一表面也是可以的,有落差也是可以使用的,即只要保证掩膜本体上表面表面的平整,就能保证跟基板玻璃的贴合没有问题。
作为更加优选的方案,可以在实现电铸的掩膜本体32上表面与掩膜板框31的上表面在同一水平面上后,再结束电铸。
步骤S5:脱膜。
如图5e所示,进行脱膜工艺去掉消融材料层2。
可以通过等离子蚀刻、激光烧蚀、碱液浸泡等方式以去除消融材料层2。
步骤S5:分离。
将电铸层与电铸模板1上分离,获得掩膜本体32和掩膜板框31一体成型的掩膜板,如图1所示。例如,可以通过热胀冷缩脱模法使掩膜板从电铸模板1上分离,脱模法为本领域技术人员已知,因此不再赘述。
掩膜本体32中包含有掩膜图案。掩膜图案包括遮挡部321和通孔322,所述通孔322贯穿所述掩膜本体32,用于在蒸镀中让有机材料沉积通过。
掩膜板在蒸镀工艺中,如图14所示,掩膜板上表面304要跟玻璃基板10紧密贴合在一起,因此掩膜板上表面304的平整要求较高。掩膜板框下表面303在实际的蒸镀工艺中,用作放置面,例如,掩膜板放置在底座上,掩膜板框下表面303与底座的表面接触,然后掩膜板跟底座一起再放入蒸镀设备中。蒸发源9加热升华的有机材料透过掩膜板上的通孔322向玻璃基板10上沉积像素图案。
在本实施例电铸过程中,通过分区域控制电铸的速度,在达到掩膜板所需厚度的要求下,实现电铸的掩膜本体32上表面与掩膜板框31的上表面在同一水平面上,使掩膜板上表面304为平面,结束电铸。
一般来说,只要后面电铸速度减慢就可以使掩膜板上表面304实现较平的平面。为了取得更加平整的掩膜板上表面,可以在电铸后进行二次加工进行抛光等。
实施例四:本具体实施例提供了实施例二所述的掩膜板的制作方法,掩膜板适用于蒸镀过程当中的大板制作。掩膜板上设置有多个掩膜图案,多个掩膜图案的数量对应于多粒OLED产品的数量。在掩膜本体32的多个掩膜图案之间,设置有支撑部323。
与实施例三的制作方法不同的是,在本实施例中:
步骤S1提供的电铸模板1,如图11所示,在对应于掩膜本体32的支撑部323位置,电铸模板1上设置有位置相对应的凹槽131。
步骤S4电铸工艺中提供的遮蔽板7,在对应于掩膜本体32的支撑部323位置,掩膜本体32的厚度有所增加。因此,可依照实施例三的办法,在遮蔽板7对应于掩膜本体32的支撑部323位置,增大相同单位面积内的孔总面积,从而调节此处电铸电力线的分布,从而控制在电铸模板1上对应位置所需的电铸膜厚度。具体的,可设置第三组过电孔73,原理可参考实施例三,在此不再赘述。
实施例五:
本具体实施例对实施例三提出了改善。
与实施例三的制作方法不同的是,在本实施例对脱膜进行了改善。为了便于脱模:
在步骤S3曝光显影之后、步骤电铸工艺S4之前,在电铸模板1的上表面形成一层脱膜剂层8。脱膜剂层8与电铸模板1、掩膜板3的结构示意图如图13所示。
脱膜剂层8的材料为石墨粉、铬酸盐、硫化物或铅锡合金等。脱膜剂层8的厚度为0.5~1.0微米。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本申请掩膜板3的掩膜本体32和掩膜板框31是通过电铸一体成型工艺得到的,由于掩膜本体32和掩膜板框31一体成型,节省了传统掩膜板制作过程中的张网和焊接制程,减少了张网焊接设备的高额投资,进而降低了掩膜板的制作成本;同时避免了张网加工过程中造成的对位误差和张网不紧等问题,避免了焊接制程中造成的不良和浪费,增强了掩膜板的机械强度,提高了掩膜板的制作良率和效率;在后期真空蒸镀有机发光材料时,提高了有机发光材料的蒸镀质量和良品率。
同时,通过电铸方法制作的掩膜本体32可做到很薄,可达到5um的厚度,这有利于制作更高分辨率的OLED产品。而其它的一体成型工艺,如在一块材料上通过机械加工或蚀刻成型的方式,或者通过浇铸的方式,都难以同时实现符合要求的薄的掩膜本体32并使掩膜本体具有一定的刚度,另外,还使掩膜板框31具有良好支撑性。
最后需要说明的是,以上实施例仅用以说明本发明实施例的技术方案而非对其进行限制,尽管参照较佳实施例对本发明实施例进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解依然可以对本发明实施例的技术方案进行修改或者等同替换,而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种掩膜板,包括掩膜板框和固定在掩膜板框上的掩膜本体;其特征在于,所述掩膜本体上设置有掩膜图案,所述掩膜图案包括贯穿所述掩膜本体的通孔,所述掩膜本体与掩膜板框为电铸一体成型结构。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板框的厚度大于掩膜本体,所述掩膜本体的下表面在高度上高于掩膜板框的下表面;所述掩膜本体的上表面为平面。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜本体的下表面与掩膜板框的下表面之间具有连接面。
4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜本体包括多个掩膜图案,所述掩膜图案之间设置有支撑部,所述支撑部位于掩膜本体的下表面。
5.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜本体的厚度范围为0.005mm-0.1mm;所述掩膜板框的厚度范围为0.07mm-30mm。
6.一种掩膜板制作方法,其特征在于,用于制作权利要求1-5任意一项所述的掩膜板,所述制作方法包括以下步骤:
S1:提供电铸模板;
S2:在电铸模板上侧形成消融材料层;
S3:对消融材料层进行曝光显影,形成具有开口的图形区域;
S4:将带消融材料层的电铸模板放入电铸装置中进行电铸,在电铸模板上形成电铸层,电铸层包括掩膜本体与掩膜板框;
S5:去除消融材料层;
S6:将电铸层与电铸模板分离,得到掩膜板。
7.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述电铸模板的上表面包括中间区域、边界区域、以及连接区域;所述中间区域对应于掩膜本体的下表面,所述边界区域对应于掩膜板框的下表面,所述连接区域的形状与掩膜板的连接面的形状相匹配;所述电铸模板的中间区域高于边界区域;在步骤S4中,所述电铸层形成在所述电铸模板的上表面。
8.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述电铸装置包括电铸槽、阳极、阴极;所述电铸模板放置在阴极上作为阴极的一部分,阳极上设置有用于形成电铸层的金属材料;在阴极和阳极之间设置有遮蔽板;
在遮蔽板上设置有多个过电孔,用于使电力线通过;遮蔽板在对应掩膜本体的区域,相同单位面积内的孔总面积较小;遮蔽板在对应掩膜板框的区域,相同单位面积内的孔总面积较大。
9.根据权利要求8所述的掩膜板制作方法,其特征在于,在遮蔽板上设置有至少两组过电孔,所述两组过电孔包括第一组过电孔和第二组过电孔;所述第一组过电孔在相同单位面积内的孔总面积大于所述第二组过电孔在相同单位面积内的孔总面积;
第二组过电孔设置在对应掩膜本体的区域,第一组过电孔设置在对应掩膜板框的区域;第一组过电孔和第二组过电孔的孔径相同,第一组过电孔的分布密度大于第二组过电孔的分布密度。
10.根据权利要求6所述掩膜板制作方法,其特征在于,在步骤S3之后以及S4之前,在电铸模板上形成一层脱膜剂层。
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